專利名稱：耐高溫抗振動的鉑電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于電子元器件領(lǐng)域，尤其是屬于一種耐高溫抗振動的鉬電阻。
技術(shù)背景鉬熱電阻是利用鉬絲的電阻值隨著溫度的變化而變化這一基本原理設(shè)計和制作的，分為陶瓷內(nèi)繞式、玻璃外繞式及云母式鉬電阻，上述鉬電阻溫感元件由于其骨架由陶瓷、玻璃、云母等材料制成，因此存在抗震性差、測溫范圍受到限制的不足，由于高溫金屬材料與陶瓷在燒結(jié)時不能共熔，在振動及高溫變化等疲勞損害有作用下，易產(chǎn)生引線與陶瓷之間的微小位移，造成斷路；另外，鉬絲的螺旋之間及鉬絲與陶瓷本體之間容易相碰，產(chǎn)生磨損，將鉬絲磨斷。所以，在強振動條件下，這種鉬電阻的使用壽命較短，且價格昂貴，不能滿足使用要求。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種制造成本低、工藝簡單、操作方便、耐高溫和抗振性好的耐高溫抗振動的鉬電阻。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的，所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，由內(nèi)芯、鉬絲及引線組成，其結(jié)構(gòu)特點為鉬絲纏繞在內(nèi)芯外，兩根引線從內(nèi)芯的通孔中引入并在內(nèi)芯的底部與鉬絲兩端焊接在一起，在鉬絲的繞組外面設(shè)有一層陶瓷保護層。本實用新型的目的還可通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，其特點為所述陶瓷保護層通過燒結(jié)與內(nèi)芯和鉬絲連成一體。所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，其特點為在鉬絲繞組的間隙、鉬絲與內(nèi)芯以及鉬絲與陶瓷保護層之間隙處填充有氧化鎂粉體填充物。本實用新型的優(yōu)點與現(xiàn)有技術(shù)相比，將鉬絲纏繞在陶瓷本體內(nèi)，并燒結(jié)成一體， 避免了鉬絲與陶瓷本體之間的磨損和碰撞，從而提高了鉬電阻的抗強振動性能；鎳引線伸入到陶瓷本體的底部與鉬絲的引線焊接在一起，由于在鉬絲間隙等均填充有氧化鎂粉體等絕緣材料填充物，增加了緩沖作用，解決了由于振動和溫度變化等疲勞損害引起的引線位移，從而延長了鉬電阻的使用壽命。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中內(nèi)芯1，鉬絲2，引線3，陶瓷保護層4，氧化鎂粉體填充物5，封頭6。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實例，對本實用新型的結(jié)構(gòu)和工作原理進行詳細說明如圖1所示，本實用新型所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，由內(nèi)芯1、鉬絲2及引線3 組成，其結(jié)構(gòu)特點是鉬絲纏繞在內(nèi)芯1外，鉬絲2可采用雙線并繞的方式纏繞在內(nèi)芯1夕卜，兩根引線3從內(nèi)芯1的通孔中引入并在內(nèi)芯1的底部與鉬絲2兩端焊接在一起，連接時，將引線3的連接處壓扁后再與鉬絲的繞組焊接在一起，確保焊接牢固可靠，在鉬絲2的繞組外面設(shè)有一層陶瓷保護層4，陶瓷保護層4可以通過燒結(jié)等方式連接在內(nèi)芯1和鉬絲2的繞組外，在鉬絲2的繞組間隙以及鉬絲2與內(nèi)芯1、陶瓷保護層4之間隙處填充有氧化鎂粉體填充物5，氧化鎂為白色輕松粉末，無味，熔點觀00，沸點3600，氧化鎂有高度耐火絕緣性能， 熔點很高。在位于引線引入這一側(cè)的內(nèi)芯1和陶瓷保護層4采用封頭6蓋封，這樣可避免填入這一側(cè)的氧化鎂粉體填充物5漏出。為密封牢固還可以采用另外灌注有環(huán)氧膠密封。
權(quán)利要求1.一種耐高溫抗振動的鉬電阻，由內(nèi)芯⑴、鉬絲⑵及引線⑶組成，其特征在于鉬絲纏繞在內(nèi)芯(1)外，兩根引線(3)從內(nèi)芯(1)的通孔中引入并在內(nèi)芯(1)的底部與鉬絲 (2)兩端焊接在一起，在鉬絲O)的繞組外面設(shè)有一層陶瓷保護層G)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，其特征在于所述陶瓷保護層(4) 通過燒結(jié)與內(nèi)芯(1)和鉬絲(2)連成一體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐高溫抗振動的鉬電阻，其特征在于在鉬絲(2)繞組的間隙、鉬絲(2)與內(nèi)芯(1)以及鉬絲(2)與陶瓷保護層(4)之間隙處填充有氧化鎂粉體填充物(5)。
專利摘要本實用新型公開一種耐高溫抗振動的鉑電阻，由內(nèi)芯、鉑絲及引線組成，其結(jié)構(gòu)特點為鉑絲纏繞在內(nèi)芯外，兩根引線從內(nèi)芯的通孔中引入并在內(nèi)芯的底部與鉑絲兩端焊接在一起，在鉑絲的繞組外面設(shè)有一層陶瓷保護層。將鉑絲纏繞在陶瓷本體內(nèi)，并燒結(jié)成一體，避免了鉑絲與陶瓷本體之間的磨損和碰撞，從而提高了鉑電阻的抗強振動性能；由于在鉑絲間隙等均填充有氧化鎂粉體等絕緣材料填充物，增加了緩沖作用，解決了由于振動和溫度變化等疲勞損害引起的引線位移，從而延長了鉑電阻的使用壽命。
文檔編號G01K7/18GK201955166SQ20112001903
公開日2011年8月31日 申請日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者胡枝清 申請人:胡枝清