專利名稱：一種擴散電阻的仿真方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種擴散電阻的仿真方法及系統(tǒng)。
技術(shù)背景
電阻是集成電路中的常用器件之一，常用的電阻包括多晶電阻和擴散電阻。
現(xiàn)有技術(shù)中對于包含第三端的擴散電阻進(jìn)行仿真時，一般使用以下公式1所示的三端電阻模型作為擴散電阻的電阻模型。
R = R0*(l+pvcl*abs((v(n3，η 1 ) + ν ( η 3 , η2))/2)+pvc2* (ν (η3, nl)+v(n3, η 2))/2 * (ν (η 3, nl)+v(n3, η2))/2) (1)
但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，利用該三端電阻模型對包含第三端的擴散電阻進(jìn)行仿真時，仿真結(jié)果偏差大，仿真精度低。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，提供一種擴散電阻的仿真方法及系統(tǒng)，能夠提高擴散電阻的仿真精度。
為此，本發(fā)明實施例采用如下技術(shù)方案
本發(fā)明實施例提供一種擴散電阻的仿真方法，包括
將擴散電阻的第一端接預(yù)設(shè)第一電壓，第二端接地，對第三端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第二電壓；測量對第三端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
將擴散電阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，對另一端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第三電壓；測量對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型；
根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。
根據(jù)對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)包括
根據(jù)擴散電阻第三端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；
將擴散電阻第三端的掃描電壓以及第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V3)+pvc2*V3*V3]
其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V3表示擴散電阻第三端的電壓，pvcl表示第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc2表示第三端調(diào)制效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
根據(jù)對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)包括
根據(jù)所述另一端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；
將所述另一端的掃描電壓以及所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V2/2)+pvc2*(V2/2)*(V2/2)]*(l+pvc3*V2+pvc4*V2* V2)；
其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V2表示所述另一端的電壓，pvc3表示速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc4表示速度飽和效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型包括
將所述擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)代入到以下公式中，建立擴散電阻的仿真模型；
R = RO(1+pvcl((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)+pvc2((abs(V1-V3)+abs (V2-V3)) /2)*((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)))*(l+pvc3*abs(V2-V1)+pvc4(V2-V1)*(V2-V1))；
其中，Vl表示第一端和第二端中接地一端的電壓；V2表示所述另一端的電壓；V3 表示第三端的電壓；abs表示絕對值，R表示擴散電阻的電阻值。
所述預(yù)設(shè)第一電壓不大于0. 5V。
所述預(yù)設(shè)第一電壓為0. IV。
本發(fā)明實施例提供一種擴散電阻的仿真系統(tǒng)，包括
第一測量單元，用于將擴散電阻的第一端接預(yù)設(shè)第一電壓，第二端接地，對第三端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第二電壓；測量對第三端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；
第一確定單元，用于根據(jù)第一測量單元對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
第二測量單元，用于將擴散電阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，對另一端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第三電壓；測量對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；
第二確定單元，用于根據(jù)第二測量單元對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
建立單元，用于根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型；
仿真單元，用于根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。
第一確定單元包括
第一計算子單元，用于根據(jù)擴散電阻第三端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；
第一提取子單元，用于將擴散電阻第三端的掃描電壓以及第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
R(V3) = R0*[l+pvcl*abs(V3)+pvc2*V3*V3]
其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V3表示擴散電阻第三端的電壓，pvcl表示第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc2表示第三端調(diào)制效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(V3)表示擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
第二確定單元包括
第二計算子單元，用于根據(jù)所述另一端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；
第二提取子單元，用于將所述另一端的掃描電壓以及所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；
R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V2/2)+pvc2*(V2/2)*(V2/2)]*(l+pvc3*V2+pvc4*V2* V2)；
其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V2表示所述另一端的電壓，pvc3表示速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc4表示速度飽和效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
建立單元具體用于
將所述擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)代入到以下公式中，建立擴散電阻的仿真模型；
R = RO(1+pvcl((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)+pvc2((abs(V1-V3)+abs (V2-V3)) /2)*((abs (V1-V3)+abs(V2-V3))/2)))*(l+pvc3*abs(V2-V1)+pvc4(V2-V1)*(V2-V1))；
其中，Vl表示第一端和第二端中接地一端的電壓；V2表示所述另一端的電壓；V3 表示第三端的電壓；abs表示絕對值，R表示擴散電阻的電阻值
對于上述技術(shù)方案的技術(shù)效果分析如下
將擴散電阻的第一端接預(yù)設(shè)第一電壓，第二端接地，對第三端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第二電壓；測量對第三端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；將擴散電阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，對另一端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第三電壓；測量對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型；根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。從而在該仿真方法中，既提取擴散電阻的第三端的調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，又提取擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，因此，根據(jù)以上電壓系數(shù)所建立擴散電阻的仿真模型既能夠體現(xiàn)擴散電阻第三端的調(diào)制效應(yīng)，又能夠體現(xiàn)擴散電阻的速度飽和效應(yīng)，從而使得建立的仿真模型更為接近實際擴散電阻的電學(xué)特性，提高了擴散電阻的仿真精度。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)擴散電阻一端掃描電壓從0變化到30V另兩端接地時擴散電阻的仿真結(jié)果示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)擴散電阻第一端掃描電壓從20V變化到30V，另兩端接地時擴散電阻的仿真結(jié)果示意圖3為本發(fā)明實施例第一種擴散電阻仿真方法流程示意圖4為本發(fā)明實施例第二種擴散電阻仿真方法流程示意圖5為本發(fā)明實施例擴散電阻一端掃描電壓從0變化到30V另兩端接地時擴散電阻的仿真結(jié)果示意圖6為本發(fā)明實施例擴散電阻第一端掃描電壓從20V變化到30V，另兩端接地時擴散電阻的仿真結(jié)果示意圖7為本發(fā)明實施例擴散電阻仿真系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖8為本發(fā)明實施例擴散電阻仿真系統(tǒng)中第一確定單元實現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖9為本發(fā)明實施例擴散電阻仿真系統(tǒng)中第二確定單元實現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
公式1所示的三端電阻模型的電壓系數(shù)體現(xiàn)了擴散電阻第三端的調(diào)制效應(yīng)，但是并沒有體現(xiàn)在高電勢下擴散電阻的速度飽和效應(yīng)，從而擴散電阻兩端電壓變化時，擴散電阻的仿真結(jié)果會產(chǎn)生很大偏差。
如圖1，為擴散電阻一端掃描電壓從0變化到30V，第二端和第三端接地時，擴散電阻的仿真結(jié)果與測量結(jié)果對比圖；如圖2，為擴散電阻第一端掃描電壓從20V變化到30V，第二端和第三端接地時，擴散電阻的仿真結(jié)果與測量結(jié)果對比圖。通過圖1和圖2可知，擴散電阻在兩端電壓壓差一致時，擴散電阻兩端的電壓大小對擴散電阻的仿真結(jié)果影響較大。
如表1所示，以擴散電阻中的N阱電阻為例，由于NW電阻在PW中擴散生成，NW電勢升高使得NW和PW間的空間電荷區(qū)變大，NW電阻深度減小，電阻變大。
表 權(quán)利要求
1.一種擴散電阻的仿真方法，其特征在于，包括將擴散電阻的第一端接預(yù)設(shè)第一電壓，第二端接地，對第三端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第二電壓；測量對第三端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；將擴散電阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，對另一端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第三電壓；測量對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；根據(jù)對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、 以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型； 根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)包括根據(jù)擴散電阻第三端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；將擴散電阻第三端的掃描電壓以及第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)； R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V3)+pvc2*V3*V3]其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V3表示擴散電阻第三端的電壓，pvcl表示第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc2表示第三端調(diào)制效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)包括根據(jù)所述另一端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；將所述另一端的掃描電壓以及所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V2/^)+pvc2*(V2/^)*(V2/2)]*(l+pvc3*V2+pvc4*V2*V2)； 其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V2表示所述另一端的電壓，pvc3表示速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc4表示速度飽和效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型包括將所述擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)代入到以下公式中，建立擴散電阻的仿真模型；R = RO(1+pvcl((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)+pvc2((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)* ((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)))*(l+pvc3*abs(V2-V1)+pvc4(V2-V1)*(V2-V1))；其中，Vl表示第一端和第二端中接地一端的電壓；V2表示所述另一端的電壓；V3表示第三端的電壓；abs表示絕對值，R表示擴散電阻的電阻值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)第一電壓不大于 0. 5V。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)第一電壓為0.IV。
7.一種擴散電阻的仿真系統(tǒng)，其特征在于，包括第一測量單元，用于將擴散電阻的第一端接預(yù)設(shè)第一電壓，第二端接地，對第三端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第二電壓；測量對第三端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；第一確定單元，用于根據(jù)第一測量單元對第三端進(jìn)行電壓掃描過程中擴散電阻第三端的掃描電壓和測量得到的電流，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；第二測量單元，用于將擴散電阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，對另一端進(jìn)行電壓掃描，掃描電壓取值為0至預(yù)設(shè)第三電壓；測量對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中擴散電阻的電流；第二確定單元，用于根據(jù)第二測量單元對所述另一端進(jìn)行電壓掃描的過程中所述另一端的掃描電壓和測量得到的電流、以及所述一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；建立單元，用于根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型； 仿真單元，用于根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，第一確定單元包括第一計算子單元，用于根據(jù)擴散電阻第三端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；第一提取子單元，用于將擴散電阻第三端的掃描電壓以及第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；R(V3) = R0*[l+pvcl*abs(V;3)+pvc2*V3*V3]其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V3表示擴散電阻第三端的電壓，pvcl表示第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc2表示第三端調(diào)制效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(V;3)表示擴散電阻第三端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，第二確定單元包括第二計算子單元，用于根據(jù)所述另一端的掃描電壓以及測量得到的掃描電壓對應(yīng)的電流計算所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值；第二提取子單元，用于將所述另一端的掃描電壓以及所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值代入到以下公式中，提取出擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；R(Vl) = R0*[l+pvcl*abs(V2/2)+pvc2*(V2/2)*(V2/2)]*(l+pvc3*V2+pvc4*V2*V2)； 其中，RO表示擴散電阻的零偏壓電阻值，V2表示所述另一端的電壓，pvc3表示速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)；pvc4表示速度飽和效應(yīng)的二階電壓系數(shù)；R(Vl)表示所述另一端的掃描電壓對應(yīng)的擴散電阻的電阻值。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項所述的系統(tǒng)，其特征在于，建立單元具體用于 將所述擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)代入到以下公式中，建立擴散電阻的仿真模型；R = RO(1+pvcl((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)+pvc2((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)* ((abs (V1-V3)+abs(V2-V3))/2)))*(l+pvc3*abs(V2-V1)+pvc4(V2-V1)*(V2-V1))；其中，Vl表示第一端和第二端中接地一端的電壓；V2表示所述另一端的電壓；V3表示第三端的電壓；abs表示絕對值，R表示擴散電阻的電阻值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種擴散電阻的仿真方法及系統(tǒng)，方法中，確定擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；并且，，確定擴散電阻的速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)；根據(jù)擴散電阻的第三端調(diào)制效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)，以及速度飽和效應(yīng)的一階電壓系數(shù)和二階電壓系數(shù)建立擴散電阻的仿真模型；根據(jù)所述仿真模型進(jìn)行擴散電阻的仿真。
文檔編號G01R27/14GK102521466SQ20111044863
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者張磊兢, 胡林輝 申請人:上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司