專利名稱：用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路。
背景技術：
在大批量的電子控制產品的生產制作過程中，通常利用信號仿真系統(tǒng)對各種器件進行老化篩選。由于器件的老化篩選是在不同溫度條件下進行的，因此，信號仿真系統(tǒng)對溫度的校準至關重要?，F(xiàn)有技術的信號仿真系統(tǒng)，通過調整可變電阻的阻值來對溫度進行校準，采用這種方法進行溫度校準效率低且精度差。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高溫度校準效率和精度差的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路。一種用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，包括晶體管，所述晶體管的源極或者漏極中的一端接收恒定電流；第一放大器，所述第一放大器的輸出端耦接在所述晶體管的柵極，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的一個輸入端的電壓線性變化；取樣電阻，所述取樣電阻用于采樣所述晶體管的源極或者漏極中的另一端的電壓； 負反饋電路，所述負反饋電路包括第二放大器，所述第二放大器的兩個輸入端耦接在所述取樣電阻的兩端，所述取樣電阻兩端的電壓經所述第二放大器反饋至所述第一放大器的另一輸入端。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述晶體管的漏極接收恒定電流。所述取樣電阻連接于所述晶體管的源極與地之間。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述負反饋電路還包括第一電阻，所述第一電阻連接在所述第二放大器的正相輸入端和所述晶體管的源極之間。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述負反饋電路還包括第二電阻，所述第二電阻連接在所述第二放大器的正相輸入端和地之間。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述負反饋電路還包括第三電阻，所述第三電阻連接在所述第二放大器的反相輸入端和地之間。所述第一電阻和所述第三電阻的阻值相等。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述負反饋電路還包括第四電阻，所述第四電阻連接在所述第二放大器的反相輸入端和輸出端之間。所述第二電阻和所述第四電阻的阻值相寸。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述第一放大器的反相輸入端連接所述第二放大器的輸出端，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的正相輸入端的電壓線性變化。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術方案，所述晶體管是結型場效應晶體管。所述第一、第二放大器是LM3M型運算放大器。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路利用所述晶體管的傳輸特性，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的正相輸入端的電壓線性變化。本發(fā)明的模擬電阻電路用于信號仿真系統(tǒng)的溫度校準電路，無需通過調節(jié)可變電阻來改變阻值，能夠自動進行調整，誤差小，校準效率高，成本低。


圖1是本發(fā)明的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路的電路示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細描述。請參閱圖1，圖1是本發(fā)明的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路的電路示意圖。所述模擬電阻電路包括晶體管M1、第一放大器A1、采樣電阻Rltl和負反饋電路。所述晶體管M1 的漏極接收恒定電流i。優(yōu)選的，所述晶體管M1是結型場效應管，更進一步的，所述晶體管 M1是3DJ8結型場效應晶體管。所述第一放大器~的輸出端耦接在所述晶體管M1的柵極，所述第一放大器A1的反相輸入端連接所述反饋電路，所述第一放大器A1的正相輸入端接收電壓信號。利用所述晶體管M1的傳輸特性，所述晶體管M1的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器A1的正相輸入端的電壓線性變化，從而所述晶體管M1的源極和漏極之間的等效電阻和所述取樣電阻Rltl可以用來模擬不同溫度下的電阻。優(yōu)選的，所述第一放大器A1是LM3M型運算放大器。所述取樣電阻Rltl用于采樣所述晶體管M1的源極的電壓。具體的，所述取樣電阻 R10連接于所述晶體管M1的源極和地之間。優(yōu)選的，所述取樣電阻Rltl的阻值為20 Ω。所述負反饋電路包括第二放大器A2、第一電阻Rn、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14。所述第二放大器^的兩個輸入端耦接在所述取樣電阻Rltl的兩端，所述取樣電阻 Rltl兩端的電壓經所述第二放大器^反饋至所述第一放大器~的反相輸入端。優(yōu)選的，所述第二放大器A2是LM3M型運算放大器。所述第一電阻R11和所述第三電阻R13的阻值相等，所述第二電阻R12和所述第四電阻I^14的阻值相等。所述第一電阻R11和所述第三電阻 R13的阻值為IKΩ，述第二電阻R12和所述第四電阻R14的阻值為100ΚΩ。具體的，所述第一電阻R11連接在所述第二放大器A2的正相輸入端和所述晶體管 M1的源極之間。所述第二電阻R12連接在所述第二放大器4的正相輸入端和地之間。所述第三電阻R13連接在所述第二放大器A2的反相輸入端和地之間。所述第四電阻I^14連接在所述第二放大器A2的反相輸入端和輸出端之間。所述第二放大器A2的輸出端連接所述第一放大器A1的反相輸入端。本發(fā)明的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路的原理如下當所述第二放大器A2正常運行時，所述第二放大器A2正相輸入端電壓V+等于反向輸入電壓V-，即
權利要求
1.一種用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述模擬電阻電路包括晶體管，所述晶體管的源極或者漏極中的一端接收恒定電流；第一放大器，所述第一放大器的輸出端耦接在所述晶體管的柵極，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的一個輸入端的電壓線性變化；取樣電阻，所述取樣電阻用于采樣所述晶體管的源極或者漏極中的另一端的電壓；負反饋電路，所述負反饋電路包括第二放大器，所述第二放大器的兩個輸入端耦接在所述取樣電阻的兩端，所述取樣電阻兩端的電壓經所述第二放大器反饋至所述第一放大器的另一輸入端。
2.如權利要求1所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述晶體管的漏極接收恒定電流。
3.如權利要求1所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述取樣電阻連接于所述晶體管的源極與地之間。
4.如權利要求3所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述負反饋電路還包括第一電阻，所述第一電阻連接在所述第二放大器的正相輸入端和所述晶體管的源極之間。
5.如權利要求3所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述負反饋電路還包括第二電阻，所述第二電阻連接在所述第二放大器的正相輸入端和地之間。
6.如權利要求4所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述負反饋電路還包括第三電阻，所述第三電阻連接在所述第二放大器的反相輸入端和地之間。
7.如權利要求6所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第三電阻的阻值相等。
8.如權利要求5所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述負反饋電路還包括第四電阻，所述第四電阻連接在所述第二放大器的反相輸入端和輸出端之間。
9.如權利要求8所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述第二電阻和所述第四電阻的阻值相等。
10.如權利要求1所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述第一放大器的反相輸入端連接所述第二放大器的輸出端，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的正相輸入端的電壓線性變化。
11.如權利要求1到10中任意一項所述的用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，其特征在于，所述晶體管是結型場效應晶體管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于信號仿真系統(tǒng)的模擬電阻電路，包括晶體管，所述晶體管的源極或者漏極中的一端接收恒定電流；第一放大器，所述第一放大器的輸出端耦接在所述晶體管的柵極，所述晶體管的源極和漏極之間的等效電阻隨所述第一放大器的一個輸入端的電壓線性變化；取樣電阻，所述取樣電阻用于采樣所述晶體管的源極或者漏極中的另一端的電壓；負反饋電路，所述負反饋電路包括第二放大器，所述第二放大器的兩個輸入端耦接在所述取樣電阻的兩端，所述取樣電阻兩端的電壓經所述第二放大器反饋至所述第一放大器的另一輸入端。本發(fā)明的模擬電阻電路能夠提高用于信號仿真系統(tǒng)的溫度校準電路的溫度校準效率和精度差。
文檔編號G01K7/16GK102478436SQ20101055554
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權日2010年11月23日
發(fā)明者楊翰, 蔡祖衛(wèi), 陳立民, 陳耀民, 顧華 申請人:上海誠佳電子科技有限公司