專利名稱：硅堆裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電氣試驗(yàn)裝置，尤其是涉及一種直流高壓發(fā)生器用硅堆裝置。
背景技術(shù)：
直流高壓發(fā)生器主要用于高壓電氣設(shè)備進(jìn)行直流耐壓試驗(yàn)，隨著特高壓產(chǎn)品廣泛 應(yīng)用和電壓等級(jí)的提升，對(duì)于直流高壓發(fā)生器用硅堆的技術(shù)要求越來(lái)越高。隨著電壓等級(jí) 的不斷提升，保證硅堆電壓分布均勻具有良好運(yùn)行特征，避免由于個(gè)別硅堆元件被擊穿而 使整個(gè)硅堆裝置無(wú)法工作的問(wèn)題就顯得尤為重要。本公司實(shí)用新型專利技術(shù)-一種硅堆極性轉(zhuǎn)換裝置，專利號(hào)為200920236200. 1， 公布了一種硅堆裝置的運(yùn)用，本實(shí)用新型是對(duì)上述專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型硅堆裝置，包括若干硅盤，硅盤上設(shè)置有硅粒子 串和均壓環(huán)，硅粒子串由若干硅二極管串聯(lián)而成，組成硅粒子串的每個(gè)硅二極管與一只均 壓電阻并和一只電容并聯(lián)。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，硅粒子串為兩組，兩組硅粒子串并聯(lián)連接。每只二極管并聯(lián)一只均壓電阻和一只均壓電容，硅堆電壓分布十分均壓。采用兩 組硅粒子串并聯(lián)連接結(jié)構(gòu)，有效提高了載流。

圖1為本實(shí)用新型硅堆裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型硅堆裝置的硅盤結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型硅粒子串原理圖。圖中2為硅粒子串，3為均壓環(huán)，4為硅粒子串，5為電路板，21為硅二極管，22為均 壓電阻，23為均壓電容。
具體實(shí)施方式
如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型硅堆裝置由硅盤61、62、63、64通過(guò)半絕緣開 關(guān)51、52、53、54串聯(lián)而成，每只硅盤包括電路板5，組成硅粒子串2、4的硅二極管21、均壓 電阻22和均壓電容23分別焊接于電路板5上，硅粒子串2、4在電路板5上呈圓形，均壓電 阻22和均壓電容都分別與硅二極管21并聯(lián)；硅粒子串2、4為并聯(lián)連接；在電路板5的外周 邊緣設(shè)置均壓環(huán)3。均壓電阻22為金屬膜電阻，電阻值為330k Ω，功率為1W，電阻誤差小于 士5%，反峰電壓為2千伏，反向泄漏電流在2微安以下，整流電流為1. 5安培；均壓電容23 是容量為0. Oluf、工作電壓2千伏的瓷片電容。
權(quán)利要求1.硅堆裝置，包括若干硅盤(61、62、63、64)，硅盤(61、62、63、64)上設(shè)置有硅粒子串 (2)和均壓環(huán)(3)，所述的硅粒子串⑵由若干硅二極管串聯(lián)而成，其特征在于所述 的組成硅粒子串(2)的每個(gè)硅二極管分別與一只均壓電阻02)和一只均壓電容03)并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅堆裝置，其特征在于所述的硅粒子串為兩組0、4)，兩組 硅粒子串(2、4)并聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅堆裝置，其特征在于所述的均壓電阻02)為金屬膜 電阻，均壓電容瓷片電容器。
專利摘要硅堆裝置，包括若干硅盤，硅盤上設(shè)置有硅粒子串和均壓環(huán)，硅粒子串由若干硅二極管串聯(lián)而成，組成硅粒子串的每個(gè)硅二極管分別與一只均壓電阻和一只均壓電容并聯(lián)。
文檔編號(hào)G01R31/12GK201876519SQ20102060832
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者張斌, 張炳生, 張福增, 李如林, 李瑞海, 湯小平, 王國(guó)利, 馬儀 申請(qǐng)人:南方電網(wǎng)技術(shù)研究中心, 揚(yáng)州市鑫源電氣有限公司