專利名稱：光傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板的光傳感器，其具有矩陣狀地配置有將可見光轉(zhuǎn)換
為電荷的光電二極管和開關(guān)元件所使用的薄膜晶體管(以后稱為TFT) 的有源矩陣型的TFT陣列襯底。
背景技術(shù)：
作為具有TFT陣列襯底的平板的光傳感器被應(yīng)用于緊密接觸圖像 傳感器或X射線攝像顯示裝置等并廣泛使用，該TFT陣列襯底配置有 對可見光進行光電轉(zhuǎn)換的光電二極管與TFT。特別是，在TFT陣列襯底 上設(shè)置將X射線轉(zhuǎn)換為可見光的閃爍器而構(gòu)成的平板X射線攝像顯示 裝置(以后稱為FPD)是有希望應(yīng)用于醫(yī)療產(chǎn)業(yè)等的裝置。
在X射線圖像診斷的領(lǐng)域，分開使用精密圖像(靜止圖像)和實時 圖像觀察(活動圖像)。在靜止圖像的攝影中，目前仍主要使用X射線 膠片。另一方面，在活動圖像的攝影中，使用組合有光電倍增管和CCD 的攝像管(圖像增強器)。對于X射線膠片來說，空間分辨率較高，另 一方面，存在如下缺點靈敏度(sensitivity)較低，只能對靜止圖像進 行攝影，攝影后需要進行顯影處理，即時性不足。另一方面，對于攝像 管來說，能夠靈敏度較高地對活動圖像進行攝影，另一方面，空間分辨 率較低并且是真空裝置，因此存在在大型化上有限制的缺點。
FPD具有如下轉(zhuǎn)換方式間接轉(zhuǎn)換方式，利用CsI等閃爍器將X射 線轉(zhuǎn)換為光之后，利用光電二極管轉(zhuǎn)換為電荷；直接轉(zhuǎn)換方式，利用以 Se為代表的X射線檢測元件直接將X射線轉(zhuǎn)換為電荷。對于間接轉(zhuǎn)換 方式來說，量子效率較高，在信/噪比上優(yōu)良，能夠以較少的爆光量進行 透視、攝影。以往未公開與間接轉(zhuǎn)換方式的FPD的陣列村底相關(guān)的結(jié)構(gòu) 或制造方法。(例如，參照專利文獻1~3)。
專利文獻1 特開2004-63660號公報(圖9)
專利文獻2 特開2004-48000號公報(圖4 )
專利文獻3 特開2003-158253號公報(圖1 )在FPD的陣列襯底中，對光傳感器的靈敏度或噪聲等產(chǎn)生影響的光 電二極管的形成很重要。光傳感器由在電極上形成的非晶硅層構(gòu)成，但 是，例如，如專利文獻l所示，在由與薄膜晶體管的柵電極相同的層所 構(gòu)成的陰極電極上形成光傳感器時，產(chǎn)生如下問題。即，以與柵電極層 相同的材料形成光電二極管的下部的電極609的情況下，與柵電極層相 同地，位于最下層，因此，由干法刻蝕所導(dǎo)致的損傷或由源電極層605、 漏電極層606的形成所導(dǎo)致的損傷進一步增加。這涉及到如下問題使 其產(chǎn)生凹凸，導(dǎo)致光電二極管的漏電流的增大。為了避免該問題，例如， 需要以高熔點金屬等形成光電二極管的下部的電極609，但是，在該情 況下，產(chǎn)生如下問題作為柵電極或柵極布線材料，不能使用低電阻的 鋁合金膜。此外，在源電極層605和陰極電極層609的連接中，也存在 開口尺寸的容限減少這樣的問題。為了避免這樣的問題，如專利文獻2 或3所示，對于形成在光傳感器的下部的電極來說，形成在以與薄膜晶 體管的源電極或漏電極相同的層構(gòu)成的電極上。
但是，在提高光傳感器的輸出性能的一個方法中，存在如下方法 使一個傳感器結(jié)構(gòu)要素的面積中所占的成為光電二極管的Si層的面積 的比例增大。因此，在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，例如，如專利文獻2或?qū)＠墨I3 所示，光電二極管成為包括作為二極管、底部接點開口的接觸孔的形狀。 即，構(gòu)成光電二極管的Si層跨過接觸孔的邊緣而形成。但是，根據(jù)評價 判明在這樣的情況下，當(dāng)使邊緣的長度的加長后的開口邊緣長度、即 接觸孔的開口周圍的長度增大時，與此相隨，電流的漏泄成分增大。認 為是因為，在構(gòu)成光電二極管的Si層的形成區(qū)域，當(dāng)存在由接觸孔等所 導(dǎo)致的臺階差時，Si成膜時在臺階差部不均勻地生長，或者在臺階差部， 在Si層中產(chǎn)生膜應(yīng)力。漏電流的增大使光電二極管的靈敏度下降，因此， 漏電流的抑制是不可缺少的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的平板的光傳感器的其特征在于，具有TFT陣列襯底，該 TFT陣列襯底在形成在漏電極的上層并且形成由Si層構(gòu)成的光電二極 管的區(qū)域不存在臺階差。
不需要考慮源電極和柵電極的連接用的開口尺寸的容限，在構(gòu)成光 傳感器所具有的光電二極管的Si層的形成區(qū)域，排除由接觸孔所導(dǎo)致的臺階差，由此，消除臺階差部的Si成膜的不均勻的生長，并且，能夠防 止由臺階差所導(dǎo)致的膜應(yīng)力的發(fā)生，因此，構(gòu)成光電二極管的Si層為均
勻膜質(zhì)，能夠抑制光傳感器的漏電流。


圖l是實施方式l的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的平面圖。 圖2是實施方式1的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖3是實施方式1的端子部的剖面圖。 圖4為實施方式1的端子部的剖面圖。
圖5是實施方式1的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖6是實施方式1的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖7是實施方式1的不同例子的TFT陣列襯底的平面圖。 圖8是實施方式1的不同例子的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖9是實施方式2的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的平面圖。 圖10是實施方式2的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖11是實施方式3的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的平面圖。 圖12是實施方式3的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖13是實施方式4的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的平面圖。 圖14是實施方式4的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖15是實施方式4的不同例子的光傳感器所具有的TFT陣列襯底 的平面圖。
圖16是實施方式4的不同例子的光傳感器所具有的TFT陣列襯底 的剖面圖。
圖17是實施方式5的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的平面圖。 圖18是實施方式5的光傳感器所具有的TFT陣列襯底的剖面圖。 圖19是表示本發(fā)明的TFT陣列村底的概要情況的平面圖。 圖20是表示本發(fā)明的X射線攝像裝置的概要情況的平面圖。
具體實施方式
實施方式1
以下，根據(jù)所示的附圖具體地說明本發(fā)明的實施方式。圖l示出本 實施方式的光傳感器所具有的TFT陣列襯底200的平面圖。圖2是在圖1中以A-A示出的位置的剖面圖。
在作為絕緣襯底的玻璃襯底1上，形成含有將鋁作為主要成分的金 屬的柵電極2。作為以鋁為主要成分的金屬，使用AlNiNd、 AlNiSi、 AlNiMg等含有Ni的Al合金，即A1-Ni合金，但是，也可以是其他鋁 合金。此外，除了A1以外，作為低電阻金屬材料，也可以使用Cu。并 且，也可以層疊金屬膜而構(gòu)成柵電極2。在以覆蓋柵電極2的方式形成 的柵極絕緣膜3上，以與柵電極2對置的方式形成半導(dǎo)體層4。隔著形 成在該半導(dǎo)體層4上的n+a-Si: H的歐姆接觸層5，存在與半導(dǎo)體層4 連接的源電極6和漏電極7，以覆蓋這些的方式形成第一鈍化膜8。
以通過在第一鈍化膜8上開口的接觸孔CH1與漏電極7連接的方 式，形成由進行P (Phosphorous)摻雜后的非晶硅膜9、其上層的本征 非晶硅膜10、進行B (Boron)摻雜后的非晶硅膜11的三層層疊結(jié)構(gòu)構(gòu) 成的光電二極管100。光電二極管100是光傳感器的一例。即，符號100 也表示光傳感器。并且，作為光傳感器，使用光電晶體管、光IC、光電 管等。并且，在光電二極管100的上層形成由IZO、 ITZO、 ITSO等構(gòu) 成的透明電極12。而且，本發(fā)明的實施方式的特征在于，接觸孔CH1 以包含光電二極管100的邊緣這樣的形狀進行開口。換言之，光電二極 管100形成在接觸孔CH1的開口邊緣的內(nèi)部，光電二極管100以不跨過 接觸孔CH1的開口邊緣的方式配置。并且，光電二極管100也包含在漏 電極7的圖形內(nèi)。即，光電二極管100形成區(qū)域的下層是平坦的。換言 之，在形成光電二極管100的區(qū)域不存在臺階差。因此，在構(gòu)成光電二 極管100的非晶硅層疊膜中，不存在越過接觸孔CH1的開口邊緣部或漏 電極7的臺階差的區(qū)域，因此能夠形成漏電流較少的良好的光電二極管。 而且，此處所謂開口邊緣是圖1中以大致四角形表示的接觸孔CH1的開 口周圍的線狀區(qū)域，在將接觸孔CH1作成錐形形狀的情況下，特別地指 其底部。此外，在漏電極7上，為了方便，將半導(dǎo)體層4上的區(qū)域和形 成二極管100的區(qū)域之間連接二者的區(qū)域稱為連接部分7a。
以覆蓋這些的方式所形成的第二鈍化膜13具有接觸孔CH2、 CH3, 第二鈍化膜13上的數(shù)椐線14通過接觸孔CH2與源電極6連接，第二鈍 化膜13上的偏置線(bias line) 15以通過接觸孔CH3與透明電極12連 接的方式形成。而且，此處，對于數(shù)據(jù)線14和偏置線15來說，至少在 其最上層或最下層具有Al - Ni合金膜。也可以是Al-Ni合金膜的單層。在最上層存在Al-Ni合金膜的情況下，也可以進一步將表面作成氮化 層。此外，雖未圖示，但是，數(shù)據(jù)線14是用于讀取在由三層層疊結(jié)構(gòu) 構(gòu)成的光電二極管100內(nèi)進行轉(zhuǎn)換后的電荷的布線，偏置線15是為了 在光照射不到時成為off狀態(tài)而向由三層層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的光電二極管施 加反偏壓的布線。并且，還在第二鈍化膜13上形成遮光層16。并且， 以覆蓋這些的方式形成第三鈍化膜17、第四鈍化膜18。此處，第四鈍 化膜18是表面平坦的膜，例如，由有機樹脂等構(gòu)成。
然后，以下參照圖3、圖4進行與端子部相關(guān)的說明。圖3是在從 柵電極2延伸而成的柵極布線的端部所形成的端子部的剖面圖。圖4是 在從數(shù)據(jù)線14或偏置線15延伸而成的布線的端部所形成的端子部的剖 面圖。
在圖3中，在玻璃襯底1上形成與柵電極2同時形成的柵極布線的 端部20。在其上層，層疊有柵極絕緣膜3、第一鈍化膜8和第二鈍化膜 13，并且，在其上層形成與數(shù)據(jù)線14同時形成的導(dǎo)電圖形21。導(dǎo)電圖 形21通過接觸孔CH4與柵極布線的端部20連接。此處，CH4也可以 在與CH2或CH3相同的刻蝕步驟中形成。此外，將CH4作成錐形形狀， 由此，導(dǎo)電圖形21的覆蓋性提高，所以，能夠防止斷線。
此外，在導(dǎo)電圖形21的上層形成第三鈍化膜17、第四鈍化膜18。 形成在第三鈍化膜17、第四鈍化膜18上的端子引出電極22、導(dǎo)電圖形 21通過在第三鈍化膜17、第四鈍化膜18上開口的接觸孔CH5進行連接。 而且，端子引出電極22由透明的導(dǎo)電性氧化物構(gòu)成，但是，也可以是 在下層形成有高熔點金屬膜的層疊膜。
在圖4中，在玻璃襯底1上形成與柵電極2同時形成的短路環(huán)(short ring)布線23。在其上層，層疊有柵極絕緣膜3、第一鈍化膜8和第二 鈍化膜13，并且，在其上層形成從數(shù)據(jù)線14或偏置線15延伸而成的布 線的端部24。布線的端部24通過接觸孔CH6與短路環(huán)布線23連接。 此處，CH6也可以在與CH2或CH3相同的刻蝕步驟中形成。此外，將 CH6作成錐形形狀，由此，布線的端部24的覆蓋性提高，因此，能夠 防止斷線。
此外，在布線的端部24的上層形成第三鈍化膜17、第四鈍化膜18。 形成在第三鈍化膜17、第四鈍化膜18上的端子引出電極22和布線的端 部24通過在第三鈍化膜17、第四鈍化膜18上開口的接觸孔CH7進行連接。而且，端子引出電極22例如可以是由透明的導(dǎo)電性氧化物構(gòu)成 的上層和由高熔點金屬構(gòu)成的下層的疊層。
使用圖l、圖2所示的TFT陣列襯底200，利用公知的方法，也能 夠制造圖20所示的如X射線攝像裝置等光傳感器。雖未圖示，但是， 在圖1所示的第四鈍化膜18上，例如蒸鍍由CsI構(gòu)成的將X射線轉(zhuǎn)換 為可見光的閃爍器，如圖19所示，對具有低噪聲放大器和A/D轉(zhuǎn)換器 等的數(shù)字板(digital board)、驅(qū)動TFT的驅(qū)動器板以及讀取電荷的讀取 板進行連接，從而能夠制作X射線攝像裝置。
本實施方式的光傳感器所具有的TFT陣列襯底中，在構(gòu)成光電二極 管的Si層的形成區(qū)域，消除由接觸孔引起的臺階差，由此，消除臺階差 部的Si成膜的不均勻的生長，并且，可防止由臺階差所引起的膜應(yīng)力的 產(chǎn)生，因此，構(gòu)成光電二極管的Si層成為均勻的膜質(zhì)，能夠抑制漏電流。 并且，本實施方式的光傳感器所具有的TFT陣列襯底上，形成薄膜晶體 管的源電極、漏電極和在光電二極管的下部所形成的電極時，與柵極布 線相同的層的圖形未露出，因此，作為柵極布線，能夠使用如鋁或銅這 樣的低電阻的金屬合金，能夠?qū)崿F(xiàn)大型的光傳感器。
其次，使用圖5(a) ~ (c)、圖6(a) 、 (b)對本實施方式的光 傳感器所具有的TFT陣列襯底的制造方法進行說明。而且，圖5、圖6 都是每個與圖2對應(yīng)的位置的步驟等的剖面圖。
首先，在玻璃襯底l上，作為第一導(dǎo)電性薄膜，利用濺射法形成以 鋁為主要成分的含有金屬例如Ni的Al合金，例如AlNiNd。成膜條件 為壓力為0.2~0.5Pa、 DC功率為1.0 ~ 2.5kW，如果以功率密度來說， 為0.17~0.43W/cm2、成膜溫度在室溫~ 180口左右的范圍。形成150~ 300nm的膜厚。為了抑制與顯影液的反應(yīng)，也可以在AlNiNd上形成氮 化后的AlNiNdN層。也可以使用AlNiSi或AlNiMg等來代替AlNiNd。 并且，數(shù)據(jù)線14或偏置線15也可以使用相同的材料，在此情況下，生 產(chǎn)效率提高。此外，除了A1以外，作為低電阻金屬材料，能夠使用Cu 或Cu合金，在此情況下，也與A1同樣地，能夠以濺射法成膜。并且， 金屬膜也可以形成疊層。
然后，在第一光刻步驟中，形成柵電極形狀的抗蝕劑，在刻蝕步驟 中，例如，使用磷酸、硝酸、醋酸的混合酸對第一導(dǎo)電性薄膜進行構(gòu)圖， 形成柵電極2。此外，當(dāng)將柵電極的剖面形狀作成錐形形狀時，能夠降低后續(xù)的膜形成中的斷線等不良。并且，對于刻蝕來說，列舉了磷酸、 硝酸和醋酸的混合酸，但是，刻蝕液的種類不限于此。此外，也可以使
用干法刻蝕。在本實施方式中，在形成光電二極管時，成為柵電極2未 露出的結(jié)構(gòu)，因此，作為柵電極2，能夠使用耐損傷不那樣強的鋁或銅 作為主要成分的金屬。因此，能夠形成低電阻的布線，因此，能夠形成 大型的光傳感器。
然后，利用等離子體CVD法，以200~400nm的膜厚層疊柵極絕緣 膜3、以100~200nm的膜厚層疊a-Si:H(添加有氪原子的非晶硅)半導(dǎo)體 層4、以20- 50nm的膜厚層疊n+a-Si:H的歐姆接觸層5。而且，光傳感 器要求較高的電荷讀取效率，要求驅(qū)動能力較高的晶體管，所以，可以 分為兩步形成a-Si:H半導(dǎo)體層4，謀求晶體管的高性能化。作為此時的 成膜條件，對于第一層來說，以沉積速度(成膜速度)為50 200A/分 的低速率形成優(yōu)質(zhì)的膜，以300A/分以上的沉積速度將之后的剩余部分 進行成膜。此外，以成膜溫度為250 350。C形成柵極絕緣膜3、 a-Si:H (添加有氫原子的非晶硅)半導(dǎo)體層4、 n+a-Si:H的歐姆接觸層5。
然后，在第二光刻步驟中形成溝道形狀的抗蝕劑，在刻蝕步驟中， 將半導(dǎo)體層4和歐姆接觸層5構(gòu)圖為島狀，使形成溝道的部分殘留。在 刻蝕中，應(yīng)用使用了例如SF6和HC1的混合氣體的等離子體來進行。而 且，當(dāng)將溝道的剖面形狀作成錐形形狀時，能夠降低后續(xù)的膜形成中的 斷線等的不良。并且，作為刻蝕氣體，列舉了 SF6和HC1的混合氣體， 但是，氣體種類不限于此。
然后，形成第二導(dǎo)電性薄膜。例如，使用濺射法，形成Cr等高熔 點金屬膜，由此，進行第二導(dǎo)電性薄膜的形成。形成50 300nm的膜厚。
然后，在第三光刻步驟中，形成與源電極和漏電極對應(yīng)的抗蝕劑(未 圖示)，在刻蝕步驟中，例如，使用硝酸鈰銨和硝酸的混合酸，對第二 導(dǎo)電性薄膜進行構(gòu)圖，形成源電極6、漏電極7。之后，將所形成的電 極作為掩模，例如，應(yīng)用使用了 SF6和HC1的混合氣體的等離子體對歐 姆接觸層5進行刻蝕，形成薄膜晶體管(TFT)。
至此的步驟中使用3個掩模，但是，在硅島化和源電極6、漏電極 7以及歐姆接觸層5的形成的第二、第三光刻步驟的形成中，也可以使 用以進行利用了灰色調(diào)掩模(gray tone mask)等處理步驟的1個掩模步 驟來形成的方法。此外，作為形成源電極6和漏電極7的刻蝕液，列舉了硝酸鈰銨和硝酸的混合酸，作為歐姆接觸層5的刻蝕氣體，列舉了 SF6 和HC1的混合氣體，但不限于此。并且，對在本實施方式中使用Cr的 情況進行了說明，但除了Cr以外，也可以是能夠獲得與Si的歐姆接觸 的金屬。圖5(a)中示出該狀態(tài)的剖面圖。為了提高薄膜晶體管(TFT) 的特性，其后，在形成鈍化膜8之前，進行使用了氫氣的等離子體處理， 也可以使背溝道(back channel)側(cè)即半導(dǎo)體層4的表面粗糙。
然后，以等離子體CVD等方法形成第一鈍化膜8，在第四光刻步驟 中，以抗蝕劑(未圖示)形成取得漏電極7和進行P摻雜后的非晶硅膜 9的接觸用的接觸孔CH1。例如，使用CF4和02的混合氣體的等離子體 刻蝕第一鈍化膜8，進行構(gòu)圖。圖5(b)示出該狀態(tài)的剖面圖。
作為第一鈍化膜8,以膜厚為200~400nm形成介電常數(shù)較低的氧 化硅(Si02 )膜。對于氧化硅膜的成膜條件來說，SiH4流量為10 ~ 50sccm、 N20流量為200~500sccm、成膜壓力為50Pa、 RF功率為50~200W, 若以功率密度來說為0.015 0.67W/cm、成膜溫度為200 ~ 300。C。此夕卜， 對于刻蝕氣體列舉了 CF4和02的混合氣體，但不限于此。并且，作為第 一鈍化膜8，列舉了氧化硅，但不限于此。也可以是SiN或SiON,此時， 在上述氣體中添加氫氣、氮氣、NH3來形成。此外，在第四光刻步驟中， 利用配置在比漏電極7與二極管100連接的區(qū)域的邊緣更靠外側(cè)的掩 模，形成接觸孔CH1的開口邊緣。
然后，利用等離子體CVD法， 一次也不破壞真空地在同一成膜室 內(nèi)依次形成用于形成光電二極管100的進行P摻雜后的非晶硅膜9、本 征非晶硅膜10、進行B摻雜后的非晶硅膜11。對于此時所得到的硅層 疊膜的各膜厚來說，進行P摻雜后的非晶硅膜9的膜厚為30~ 80nm、 本征非晶硅膜10的膜厚為0.5~2.(Him、進行B摻雜后的非晶硅膜11的 膜厚為30~ 80nm。對于本征非晶硅膜10來說，以如下條件下進行成膜 例如，SiH4流量為100~200sccm、 H2流量為100~300sccm、成膜壓力 為100~ 300Pa、 RF功率為30 ~ 150W、以功率密度來說為0.01 ~ 0.05W/cm2、成膜溫度為200~ 300°C。以分別在上述成膜條件的氣體中 混合0.2~ 1.0%的PH3或B2H6后的成膜氣體，形成摻雜P或B的硅。
也可以利用離子淋浴摻雜(ion shower doping)方法或離子注入方 法，向本征非晶硅膜10的上層部注入B，形成進行B摻雜后的非晶硅 膜ll。此外，在使用離子注入形成進行B摻雜后的非晶硅膜11的情況下，在其之前，也可以在本征非晶硅膜10的表面形成膜厚為5~40nm 的Si02膜。這是為了減輕注入B時的損傷。在此情況下，也可以在離 子注入后，利用BHF等除去Si02膜。
然后，利用例如使用了IZO、 ITZO、 ITSO的任意一種靶的濺射法， 形成非晶透明導(dǎo)電膜。成膜條件為0.3~0.6Pa、 DC功率為3 10kW、 以功率密度來說為0.65~2.3W/cm2、 Ar流量為50~ 150sccm、氧流量為 l-2sccm、成膜溫度為從室溫到180。C左右。形成非晶透明導(dǎo)電膜后， 在第五光刻步驟中，形成抗蝕劑(未圖示)，例如使用硝酸進行刻蝕并 進行構(gòu)圖，形成透明電極12。圖5 (c)示出該狀態(tài)的剖面圖。
此外，作為刻蝕液，列舉了草酸，但不限于此。在本實施方式中， 作為透明電極12，使用含有IZO、 ITZO、 ITSO的任意一種的膜，因此， 能夠在幾乎不含有微小的晶粒的非結(jié)晶狀態(tài)下，在下層的進行B摻雜后 的非晶硅膜11上進行成膜。因此，起到不產(chǎn)生刻蝕殘渣這一效果。并 且，透明電極12也可以使用混合了上述材料的膜，也可以是層疊由各 材料構(gòu)成的膜的結(jié)構(gòu)，也可以層疊混合后的膜。
然后，在第六光刻步驟中，形成比透明電極12的圖形大一圈并且 以與接觸孔CH1的開口邊緣相比為內(nèi)側(cè)的抗蝕劑圖形，然后，使用例如 SF6和HC1的混合氣體的等離子體，對非晶硅層即進行P摻雜后的非晶 硅膜9、本征非晶硅膜10、進行B摻雜后的非晶硅膜U這三層進行構(gòu) 圖。而且，作為刻蝕氣體，列舉了 SF6和HC1的混合氣體，但不限于此。 由此，形成由三層層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的光電二極管。圖6(a)中示出該狀態(tài) 的剖面圖。
由進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅膜10、進行B摻雜后的 非晶硅膜11這三層構(gòu)成的光電二極管與接觸孔CH1的開口邊緣相比形 成在內(nèi)側(cè)。因此，與漏電極7的圖形端部相比也形成在內(nèi)側(cè)。因此，光 電二極管未跨過接觸孔CH1的開口邊緣或漏電極7的圖形端部，所以， 能夠抑制由臺階差引起的漏電流的增大。即，消除臺階差部的Si成膜的 不均勻的生長，并且，可防止由臺階差所導(dǎo)致的膜應(yīng)力的發(fā)生，構(gòu)成光 電二極管的Si層成為均勻的膜質(zhì)，可抑制由開口邊緣的臺階差所引起的 漏電流的增大。
然后，在形成用于保護光電二極管的第二鈍化膜13之后，在第七 光刻步驟中，形成與對源電極6和數(shù)據(jù)布線14進行連接的接觸孔CH2、以及對光電二極管的透明電極12和偏置線15進行連接的接觸孔CH3 相對應(yīng)的抗蝕劑圖形(未圖示)，應(yīng)用使用了 CF4和Ar的混合氣體的 等離子體對接觸孔進行構(gòu)圖。此時，也可以對連接?xùn)艠O布線的端部20
和導(dǎo)電圖形21的接觸孔CH4或接觸孔CH6進行開口。
對于第二鈍化膜13來說，為了使附加到數(shù)據(jù)布線14和偏置線15 的附加電容減小，以0.5~ 1.5pm的膜厚形成介電常數(shù)較低的氧化硅膜。 氧化硅膜的成膜條件為S識4流量為10~50sccm、 N20流量為200 ~ 500sccm、成膜壓力為50Pa、 RF功率為50 ~ 200W、以功率密度來說為 0.015 ~0. 67W/cm2、成膜溫度為200~ 300'C。而且，作為第二鈍化膜 13的材料，列舉了氧化硅膜，但不限于此。也可以是SiN等。此外，在 接觸孔的開口時，當(dāng)以其剖面為錐形形狀的方式來進行加工時，上層的 覆蓋性提高，能夠防止斷線等。
此外，在本實施方式中，記栽了形成第二鈍化膜13之后對接觸孔 CH2、 CH3進行開口的制造方法，但是，不一定限定于此。例如，也可 以對接觸孔CH1進行開口時，同時預(yù)先在相當(dāng)于接觸孔CH2或接觸孔 CH4、 CH6的位置進行開口。此時，能夠除去第一鈍化膜8，因此，起 到能夠縮短形成第二鈍化膜13后的開口的刻蝕時間的效果。
然后，為了形成數(shù)據(jù)線14、偏置線15以及遮光層16，形成第三導(dǎo) 電性薄膜。作為第三導(dǎo)電性薄膜，以膜厚為0.5~ 1.5pm形成含有電阻較 低、耐熱性優(yōu)良并且與透明導(dǎo)電膜的接觸特性優(yōu)良的Ni的Al合金，例 如AlNiNd。數(shù)據(jù)線14以及偏置線15可以是AlNiNd單層，也可以是 AlNiNd與Mo或Mo合金、或者Cr等高熔點金屬的疊層，此外，為了 抑制與顯影液的反應(yīng)，可以在AlNiNd的表面形成氮化后的AlNiNdN。 例如，利用濺射法，以基底為Mo合金膜，在其上連續(xù)形成AlNiNd膜。 成膜條件為壓力0.2 0.5Pa、 DC功率1.0 ~ 2.5kW、以功率密度來說 為0.17~0.43W/cm2、成膜溫度為室溫到18(TC左右的范圍。
然后，在第八光刻步驟中，形成與數(shù)據(jù)線14、偏置線15以及遮光 層16對應(yīng)的抗蝕劑，在AlNiNd和Mo的層疊膜的情況下，例如，使用 磷酸、硝酸、醋酸的混合酸進行構(gòu)圖。圖6(b)中示出該狀態(tài).的剖面圖。 而且，作為刻蝕液，列舉了磷酸、硝酸和醋酸的混合酸，但刻蝕液的種 類不限于此。此處，數(shù)據(jù)線14通過CH2與源電極6連接，偏置線15 通過CH3與透明電極12連接。作為偏置線15,如前所述，最下層使用含有Ni的Al合金、或者高熔點金屬，因此，與下層的透明電極12之 間的接觸電阻較低，能夠得到良好的連接。
然后，為了保護數(shù)據(jù)線14及偏置線15,形成第三鈍化膜17、第四 鈍化膜18。例如，第三鈍化膜17使用SiN,第四鈍化膜18使用平坦化 膜。
在第九光刻步驟中，以抗蝕劑形成取得與端子的連接用的接觸孔 CH5或CH7，使用CF4和02的混合氣體的等離子體進行構(gòu)圖。作為刻 蝕氣體，列舉了 CF4和02的混合氣體，但不限于此。而且，作為笫四鈍 化膜18,使用具有感光性的平坦化膜，由此，也可以利用詠光和顯影處 理進行第九光刻步驟中的第四鈍化膜18的構(gòu)圖。
然后，形成成為端子引出電極22的導(dǎo)電膜。對于電極材料來說， 為了確?？煽啃?，例如，形成非晶ITO等透明導(dǎo)電膜。然后，在第10 光刻步驟中形成端子形狀的抗蝕劑，例如，使用草酸進行刻蝕，形成端 子引出電極22。之后，利用退火使ITO結(jié)晶。此處，對于端子引出電極 22來說，如圖3、 4所示，通過接觸孔CH5或CH7與導(dǎo)電圖形21或布 線的端部24連接。
而且，在本實施方式的說明中，對于接觸孔CH1的開口邊緣來說， 如圖1或圖5(b)所示，成為由漏電極7的圖形端部包圍的配置。但是， 其大小關(guān)系相反也可以。在圖7、圖8中分別示出這樣形成的TFT陣列 襯底200的平面圖和剖面圖。圖8是圖7中以A-A示出的位置的剖面圖。
在圖7、圖8中，成為接觸孔CH1的開口邊緣包含漏電極7的配置。 在此種情況下，包括進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅膜IO、進 行B摻雜后的非晶硅膜11的光電二極管以未跨過由接觸孔CH1或漏電 極7所導(dǎo)致的臺階差部的方式形成，因此，同樣地能夠得到本發(fā)明的效 果。關(guān)于制造方法，除了對接觸孔CH1進行開口時的掩模尺寸以外，與 已經(jīng)說明的內(nèi)容幾乎重復(fù)，因此省略，但是，對于接觸孔CH1開口時的 刻蝕來說，優(yōu)選在具有與基底的柵極絕緣膜3的選擇性的刻蝕條件下進 行。
實施方式2
在本實施方式l中，存在如下情況形成對成為光電二極管100的 下部電極的漏電極7和非晶硅膜9進行連接的接觸孔CH1時，根據(jù)刻蝕 條件，刻蝕氣體的成分形成聚合物，再次附著在漏電極7上。在這樣的狀態(tài)下，在形成構(gòu)成光電二極管的進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非 晶硅膜10、進行B摻雜后的非晶硅膜11時，與漏電極7的粘合性惡化， 有時非晶硅膜的膜會產(chǎn)生剝離。
在本實施方式2中，以下，基于圖9、圖10，對抑制光電二極管100 的漏電流并且防止非晶硅膜的膜剝離的實施方式進行說明。圖9是示出 本實施方式的光傳感器所具有的TFT陣列襯底200的平面圖。圖10是 圖9中以A-A表示的位置的剖面圖。而且，為了明確，在圖9中，以虛 線表示接觸孔CH1。
在本實施方式2中，由圖9、 IO可知，其特征在于，以覆蓋接觸孔 CH1的方式形成光電二極管100的下部電極25，光電二極管100以與下 部電極25連接的方式形成在其上部。即，光電二極管100通過下部電 極25與漏電極7連接。并且，具有如下特征以在接觸孔CH1開口邊 緣附近，不跨過下部電極25覆蓋鈍化膜8的區(qū)域(圖IO中的虛線的區(qū) 域26)的方式配置光電二極管100。因此，與實施方式l相同地，構(gòu)成 光電二極管IOO的非晶硅層疊膜不存在跨越臺階差的區(qū)域，因此，能夠 形成漏電流較少的良好的光電二極管100。
然后，對制造方法進行說明。利用第四光刻步驟形成接觸孔CH1 之前，以與實施方式1相同的制造方法形成，因此，省略說明。在本實 施方式2中，形成接觸孔CH1之后，形成成為光電二極管100的下部電 極25的第四導(dǎo)電性薄膜。例如，使用濺射法形成Cr等高熔點金屬膜， 由此，形成第四導(dǎo)電性薄膜。
然后，在光刻步驟中，以覆蓋接觸孔CH1的方式形成光電二極管的 下部電極25，然后，形成進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅膜10、 進行B摻雜后的非晶硅膜11。形成接觸孔CH1之后形成下部電極25， 在下部電極25的表面難以殘留表面污染，與非晶硅層疊膜的粘合力較 好，因此，能夠防止膜剝離。而且，存在在漏電極7和下部電極25的 界面殘留由刻蝕氣體所導(dǎo)致的聚合物而污染界面的情況，但是，從與光 電二極管的接觸電阻來看時，漏電極7與下部電極25的接觸電阻的增 大是微小的，不存在問題。
關(guān)于形成非晶硅層疊膜以后的制造方法，以與實施方式1相同的方 法來形成，因此省略，但是，如上所述，在本實施方式2中，具有如下 特征以在接觸孔CH1開口邊緣附近，不跨過下部電極25覆蓋鈍化膜8的區(qū)域(圖10中的虛線的區(qū)域26)的方式配置光電二極管100。因此， 與實施方式1相同地，構(gòu)成光電二極管100的非晶硅層疊膜上不存在跨 越臺階差的區(qū)域，因此能夠形成漏電流較少的良好的光電二極管100。 并且，形成下部電極25，在其上部形成光電二極管100,由此，能夠防 止對接觸孔CH1進行開口時所附著的聚合物引起的非晶硅膜的剝離。 實施方式3
在實施方式2中，以完全覆蓋接觸孔CH1的方式形成下部電極25 的圖形端部。其存在以下背景。即，當(dāng)下部電極25比接觸孔CH1小時， 在對下部電極25進行加工時，基底的漏電極7露出，因此，在漏電極7 與下部電極25沒有刻蝕選擇性的情況下，基底的漏電極7也被刻蝕。 特別是，在漏電極7的連接部7a發(fā)生的情況下，引起薄膜晶體管和光 電二極管100的斷線。因此，作為下部電極25的材料，要求與漏電極7 的選擇性，存在選擇的寬度變窄這一問題，因此，通常將下部電極25 形成得比接觸孔CH1大。即，下部電極25以覆蓋接觸孔CH1的方式形 成。
但是，當(dāng)將下部電極25形成得過大時，與數(shù)椐布線14接近，布線 間的電容增大，因此，為了使布線間電容降低，優(yōu)選將下部電極25作 成小型。與其相伴，需要使光電二極管100的面積也縮小，但是，關(guān)系 到光傳感器的靈敏度下降，因此這是困難的。因此，在如上所述的狀況 下，以盡量與成為接觸孔CH1的邊緣開口部接近的方式形成下部電極 25。此處，在產(chǎn)生圖形的對準偏離的情況下，產(chǎn)生下部電極25的圖形 端部進入接觸孔CH1的內(nèi)側(cè)的狀況。在該種情況下，也產(chǎn)生先前所述的 下部電極25的材料的選擇性這一問題。本實施方式3用于解決這樣的 問題。
圖11、圖12中分別示出本實施方式3的TFT陣列襯底200的平面 圖和剖面圖。圖12是圖11中以A-A示出的位置的剖面圖。在圖12中， 在接觸孔CH1開口邊緣附近，作為下部電極25覆蓋鈍化膜8的區(qū)域， 除了實施方式2所示的區(qū)域26,同時示出區(qū)域27。本實施方式3的特 征在于，在區(qū)域26,下部電極25和鈍化膜8重疊的區(qū)域、即重疊量W1 比區(qū)域27的下部電極25和鈍化膜8重疊的重疊量W2大。
如圖11所示，區(qū)域26是與TFT和光電二極管100的連接部分7a 對應(yīng)的區(qū)域。因此，對圖12的重疊量的大小關(guān)系改變說法時，可以說在本實施方式3所示的TFT陣列襯底200中，連接部7a的重疊量Wl 以比連接部7a以外的區(qū)域的重疊量W2大的方式形成。因此，能夠?qū)⑴c 數(shù)據(jù)布線14的電容的增大抑制為最小限度，在進行制造時，例如，在 產(chǎn)生對準偏離等不良的情況下，也起到難以產(chǎn)生連接部7a的斷線這一 效果。特別是，例如在為了提高生產(chǎn)能力而使下部電極25為與漏電極7 相同的材料的情況下，或者在刻蝕時不得不使用不能取得充分的選擇比 的電極材料的情況下，效果較好。而且，關(guān)于本實施方式3的TFT陣列 襯底200的制造方法，僅下部電極25和接觸孔CH1的構(gòu)圖步驟中的掩 模圖形與實施方式2不同，因此省略說明。
此外，在本實施方式3中，包括進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征 非晶硅膜10、進行B摻雜后的非晶硅膜11的光電二極管以未跨過由接 觸孔CH1或漏電極7、下部電極25所導(dǎo)致的臺階差部的方式形成，因 此，同樣地也能夠得到實施方式1的效果。此外，與實施方式2相同地， 能夠得到防止進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅膜IO、進行B摻 雜后的非晶硅膜11成膜時的膜浮起的效果。
實施方式4
在實施方式3中，對如下方式進行了說明例如，為了防止產(chǎn)生對 準錯誤時所產(chǎn)生的連接部分7a的斷線，與連接部分7a以外的區(qū)域相比， 使連接部分7a的重疊量增大。與實施方式3相比較，本實施方式4的 特征在于在連接部分7a以外的區(qū)域，下部電極25的圖形端部包括位 于比接觸孔CH1更靠近內(nèi)側(cè)的部位。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，起到能夠進一步降低 數(shù)據(jù)布線14之間的電容的效果。
在圖13、圖14中分別示出本實施方式4的TFT陣列襯底200的平 面圖和剖面圖。圖14是圖13中以A-A示出的位置的剖面圖。在圖13 中，在連接部分7a以外的全部區(qū)域，下部電極25的圖形端部與接觸孔 CH1相比位于內(nèi)側(cè)，但是，當(dāng)然不限于該方式。
即，在連接部分7a以外的區(qū)域，部分地使接觸孔CH1和下部電極 25的大小關(guān)系混合存在，也可以使下部電極25和鈍化膜8重疊的區(qū)域 和不重疊的區(qū)域混合存在。例如，也可以僅在與數(shù)據(jù)布線14這樣的布 線接近的區(qū)域，以將下部電極25的圖形端部位于接觸孔CH1內(nèi)的方式 配置。而且，關(guān)于制造方法，僅下部電極25和接觸孔CH1的構(gòu)圖步驟 中的掩模圖形與實施方式2不同，因此省略說明，但是，如先前所述，下部電極25的刻蝕加工時，漏電極7露出，因此，作為下部電極25, 優(yōu)選使用與漏電極7存在刻蝕選擇性的材料。
并且，在本實施方式的說明中，成為由漏電極7的圖形端部包圍接 觸孔CH1的開口邊緣的配置。但是，即使其大小關(guān)系相反也沒有關(guān)系。 在圖15、圖16中分別示出這樣形成的TFT陣列襯底200的平面圖和剖 面圖。圖16是圖15中以A-A示出的位置的剖面圖。在圖15中，成為 接觸孔CH1的開口邊緣包含漏電極7的配置。此外，對于下部電極25 來說，成為與漏電極7相同尺寸或者包含在內(nèi)的配置。在此種情況下， 包括進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅膜IO、進行B摻雜后的非 晶硅膜ll的光電二極管100，以不跨過由接觸孔CH1或漏電極7或下 部電極25所導(dǎo)致的臺階差部的方式形成，因此同樣地可以得到本發(fā)明 的效果。此外，能夠得到防止進行P摻雜后的非晶硅膜9、本征非晶硅 膜10、進行B摻雜后的非晶硅膜U成膜時的膜浮起的效果。關(guān)于制造 方法，對接觸孔CH1進行開口時的掩模尺寸以外，與已經(jīng)說明的內(nèi)容幾 乎重復(fù)，因此省略說明，但是，優(yōu)選在具有與基底的柵極絕緣膜3的選 擇性的刻蝕條件下進行對接觸孔CH1開口時的刻蝕。
實施方式5
為了得到漏電流較少的良好的光電二極管，在實施方式l中，成為 光電二極管包含在接觸孔CH1的開口邊緣內(nèi)和漏電極7內(nèi)的配置。此夕卜， 在實施方式2~4中，成為光電二極管100包含在下部電極25內(nèi)的配置， 但是，以在接觸孔CH1的開口邊緣內(nèi)的配置為前提。但是，如上所述， 為了配置光電二極管，在光刻步驟中，至少需要考慮接觸孔CH1和漏電 極7的對準容限、接觸孔CH1和光電二極管的對準容限這兩種的對準容 限、和接觸孔CH1、漏電極7、光電二極管IOO這三種的完成偏差來進 行設(shè)計，因此也存在光電二極管的面積減少而帶來開口率下降的情況。
以下，根據(jù)圖17、圖18對能夠抑制光電二極管的漏電流并且不使 開口率下降、防止非晶硅膜的膜剝離的實施方式進行說明。圖17示出 本實施方式的光傳感器所具有的TFT陣列襯底200的平面圖。圖18是 圖17中以A-A示出的位置的剖面圖。
關(guān)于制造方法，除了漏電極7的形成、接觸孔CH1的開口位置、形 成下部電極25時的掩才莫尺寸以外，以與實施方式2相同的方法來形成， 因此省略說明。在圖17中，其特征在于，不包含形成光電二極管100的非晶硅層疊膜，漏電極7和下部電極25的接觸孔CH1形成在與光電 二極管不同位置上。此外，構(gòu)成光電二極管100的非晶硅層疊膜以包含 在下部電極25的方式配置，由于不存在跨越由漏電極7或接觸孔CH1 或下部電極25所形成的臺階差部的區(qū)域，因此，能夠形成漏電流較少 的良好的光電二極管。在上述的配置中，在光電二極管100的光刻步驟 中，僅確保光電二極管100和下部電極25的對準容限即可，與實施方 式1或?qū)嵤┓绞?相比，能夠使對準容限較小，能夠提高開口率。此外， 在下部電極25上層疊非晶硅膜，因此也可以防止非晶硅膜的膜剝離。
此外，本實施例的TFT對使用了非晶硅的反交錯型的溝道刻蝕型進 行了記載，但也可以應(yīng)用使用了多晶硅TFT或結(jié)晶硅的MOS，并且也 可以組合具有開關(guān)功能的元件和光電二極管。
使用如上所述而獲得的陣列襯底，利用公知方法，也能夠制造如圖 20所示的X射線攝像裝置等光傳感器。雖未圖示，但是，在圖2所示 的第四鈍化膜18或者其上層，例如，利用蒸鍍形成由Csl構(gòu)成的將X 射線轉(zhuǎn)換為可見光的閃爍器，如圖19所示，對具有低噪聲放大器和A/D 轉(zhuǎn)換器等數(shù)字板、驅(qū)動TFT的驅(qū)動板以及讀取電荷的讀取板進行連接， 可制造X射線攝像裝置。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器，具有矩陣狀地配置有光電二極管和薄膜晶體管的有源矩陣型的TFT陣列襯底，其特征在于，所述薄膜晶體管具有具有柵電極的多條柵極布線；隔著柵極絕緣膜設(shè)置在所述柵電極上的半導(dǎo)體層；與所述半導(dǎo)體層連接的源電極以及漏電極，所述TFT陣列襯底具有鈍化膜，設(shè)置在所述薄膜晶體管、所述源電極和所述漏電極的上部；在所述鈍化膜上開口的接觸孔；光電二極管，通過所述接觸孔與所述漏電極連接，所述光電二極管以如下方式形成，即，比所述接觸孔的開口邊緣更靠近內(nèi)側(cè)并且比所述漏電極的圖形更靠近內(nèi)側(cè)，所述光電二極管的形成區(qū)域的下層平坦。
2. 如權(quán)利要求l的光傳感器，其特征在于，還具有以通過所述接觸孔與所述漏電極連接的方式形成的下部電極，所述光電二極管以通過所述下部電極與所述漏電極連接的方式形成。
3. 如權(quán)利要求2的光傳感器，其特征在于， 所述下部電極以覆蓋所述接觸孔的開口邊緣的方式形成。
4. 如權(quán)利要求2的光傳感器，其特征在于，所述漏電極具有位于所述半導(dǎo)體層上的區(qū)域和形成所述光電二極 管的區(qū)域之間并連接這兩個區(qū)域的連接部分，在所述連接部分，所述下部電極覆蓋所述接觸孔的重疊量比在所述 連接部分以外所述下部電極覆蓋所迷接觸孔的重疊量大。
5. 如權(quán)利要求2的光傳感器，其特征在于，所述漏電極具有位于所述半導(dǎo)體層上的區(qū)域和形成所述光電二極 管的區(qū)域之間并連接這兩個區(qū)域的連接部分，在所述連接部分以外的區(qū) 域，包括所述下部電極比所述接觸孔的開口邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的部位。
6. 如權(quán)利要求1的光傳感器，其特征在于， 在形成所述光電二極管的區(qū)域不存在臺階差.。
7. 如權(quán)利要求1的光傳感器，其特征在于， 形成所述柵電極的金屬包含將鋁或者銅作為主要成分的金屬。
8. 如權(quán)利要求7的光傳感器，其特征在于，所述將鋁作為主要成分的金屬是AlNiNd、 AlNiSi、 AlNiMg的任意 一種。
9. 如權(quán)利要求1的光傳感器，其特征在于， 在所迷鈍化膜的上層形成閃爍器，至少連接有具有低噪聲放大器和A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)字板、對所述薄膜 晶體管進行驅(qū)動的驅(qū)動板以及讀取電荷的讀取板。
10. 如權(quán)利要求9的光傳感器，其特征在于， 具有如下功能，即，利用所述閃爍器將X射線轉(zhuǎn)換為可見光，從而進行X射線攝像顯示。
11. 一種光傳感器，具有矩陣狀地配置有光電二極管和薄膜晶體管 的有源矩陣型的TFT陣列襯底，其特征在于，所述薄膜晶體管具有具有柵電極的多條柵極布線；隔著柵極絕緣 膜設(shè)置在所述柵電極上的半導(dǎo)體層；與所述半導(dǎo)體層連接的源電極以及 漏電極，所述TFT陣列襯底，具有鈍化膜，設(shè)置在所述薄膜晶體管、所述 源電極和所述漏電極的上部；在所述鈍化膜上開口的接觸孔;下部電極， 以通過所述接觸孔與所述漏極連接方式形成；光電二極管，以通過所述 下部電極與所述漏極連接的方式形成，所述接觸孔形成在與所述光電二極管不同的位置。
12. 如權(quán)利要求U的光傳感器，其特征在于， 形成所述柵電極的金屬包括將鋁或銅作為主要成分的金屬。
13. 如權(quán)利要求12的光傳感器，其特征在于， 所述將鋁作為主要成分的金屬是AlNiNd、 AlNiSi、 AlNiMg中的任意一種。
14. 如權(quán)利要求11的光傳感器，其特征在于， 在所述鈍化膜的上層形成閃爍器，至少連接有具有低噪聲放大器和A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)字板、對所述薄膜 晶體管進行驅(qū)動的驅(qū)動板以及讀取電荷的讀取板。
15. 如權(quán)利要求14的光傳感器，其特征在于， 具有如下功能，即，利用所述閃爍器將X射線轉(zhuǎn)換為可見光，從而進行X射線攝像顯示。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光傳感器。為了提高在X射線攝像顯示裝置等中所使用的光傳感器的輸出性能，需要增加在一個傳感器結(jié)構(gòu)要素的面積中光電二極管的面積所占的比例。因此，跨過接觸孔的開口邊緣形成光電二極管，但是，判明依賴于邊緣長度的漏電流增大。由于漏電流使光傳感器的靈敏度下降，因此漏電流的控制不可缺少。本發(fā)明提供一種具有在漏電極(7)上形成的接觸孔(CH1)的開口邊緣包含光電二極管(100)的邊緣的配置關(guān)系的光傳感器的陣列襯底。
文檔編號G01T1/20GK101308856SQ20081009712
公開日2008年11月19日 申請日期2008年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月14日
發(fā)明者宮山隆, 村井博之, 林正美 申請人:三菱電機株式會社