專利名稱：光傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光傳感器，尤其涉及在光傳感器陣列的下側(cè)配置有光源的靜脈認(rèn)證傳感器。
背景技術(shù)：
以往的靜脈認(rèn)證傳感器，以紅外光發(fā)光二極管(700 900nm)為光源，在受光側(cè)安裝CXD和用于得到對(duì)焦的圖像的透鏡。圖12 圖14表示以往的靜脈認(rèn)證傳感器的構(gòu)造。圖12是將紅外光發(fā)光二極管8貼在手指1的上側(cè)的構(gòu)造，圖13是在手指1的左右側(cè)設(shè)置紅外光發(fā)光二極管8的構(gòu)造，圖14是在手指1的左右斜向設(shè)置紅外光發(fā)光二極管 8的構(gòu)造。在以往的靜脈認(rèn)證傳感器中，從放置在作為受光元件的光傳感器陣列2的上方的手或手指1的上方、橫向或傾斜方向入射紅外光，由透鏡3使從其手或手指1中射出的光匯聚，將匯聚的光向光傳感器陣列2入射。靜脈認(rèn)證傳感器由此對(duì)投影到光傳感器陣列2的靜脈的影子進(jìn)行認(rèn)證。在日本特開(kāi)2010-39594號(hào)公報(bào)及日本特開(kāi)2010-97483號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了以往的靜脈認(rèn)證傳感器。在以往的靜脈認(rèn)證傳感器中，由于使紅外光向手或手指的內(nèi)部入射來(lái)反映靜脈的影子，所以需要光量。因此，靜脈的影子的對(duì)比度變小，需要利用圖像處理提高靈敏度。而且，在構(gòu)造上，除了光傳感器陣列2以外還需使用透鏡3，因此在紅外光發(fā)光二極管8與手或與手指之間，以及手或手指與光傳感器陣列3之間需要間隔有距離，存在難以將光傳感器自身小型化的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述以往技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)而做出的，其目的在于提供一種能小型化設(shè)計(jì)的光傳感器。本發(fā)明的上述以及其他目的和新特征將通過(guò)本說(shuō)明書(shū)的記載以及附圖而變得清林疋。簡(jiǎn)單說(shuō)明本申請(qǐng)所公開(kāi)的發(fā)明中具有代表性的技術(shù)方案的概要如下。(1) 一種光傳感器，其包括多個(gè)光傳感器像素配置成矩陣狀而成的光傳感器陣列、配置在上述光傳感器陣列的下側(cè)的背光源，上述光傳感器陣列具有表面遮光膜，上述表面遮光膜包括入射孔，其將來(lái)自上述背光源的相反側(cè)的光入射到上述各光傳感器像素； 以及通過(guò)孔，其設(shè)于上述入射孔的周圍，且將來(lái)自上述背光源的照射光向上述相反側(cè)照射。(2)在(1)中，上述背光源包括導(dǎo)光板、配置在上述導(dǎo)光板的側(cè)面的光源。(3)在O)中，包括在上述導(dǎo)光板的與上述光傳感器陣列相反側(cè)的面上配置的反射膜。(4)在(1)中，上述背光源包括導(dǎo)光板、以及配置在上述導(dǎo)光板的與上述光傳感器陣列相反側(cè)的面上的光源。(5)在( 或(4)中，包括在上述導(dǎo)光板的上述光傳感器陣列側(cè)的面上配置的多個(gè)光學(xué)膜片。(6)在(1) (5)的任一項(xiàng)中，上述各光傳感器像素包括由金屬膜構(gòu)成的下部電極、設(shè)于上述下部電極上的無(wú)定形硅膜、以及設(shè)于上述無(wú)定形硅膜上的η型無(wú)定形硅膜、設(shè)于上述η型無(wú)定形硅膜上的上部電極(例如為ΙΤ0)。(7)在(6)中，包括設(shè)于上述各光傳感器像素之間的平坦化膜(例如，有機(jī)絕緣膜)。(8)在(6)或(7)中，上述表面遮光膜配置在上述平坦化膜與上述上部電極之間， 在上述下部電極的與上述表面遮光膜的上述貫通孔對(duì)應(yīng)的部位也形成使來(lái)自上述背光源的照射光照射到上述相反側(cè)的通過(guò)孔。(9)在(6) (8)的任一項(xiàng)中，包括設(shè)于上述下部電極與上述無(wú)定形硅膜之間的絕緣膜，上述絕緣膜在與上述各光傳感器像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有孔，上述下部電極和上述無(wú)定形硅膜在形成于上述絕緣膜之上的孔處被電連接。(10)在(6) (9)的任一項(xiàng)中，上述下部電極形成在透明基板上。(11)在(6) (10)的任一項(xiàng)中，包括設(shè)于上述上部電極上的表面保護(hù)層。簡(jiǎn)單說(shuō)明本申請(qǐng)所公開(kāi)的發(fā)明中具有代表性的技術(shù)方案所能得到的效果如下。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能夠小型化設(shè)計(jì)的光傳感器。


圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的光傳感器的構(gòu)造的概略圖。圖2是表示作為圖1所示的背光源采用了側(cè)光式背光源時(shí)本實(shí)施方式的光傳感器概略結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖3是表示作為圖1所示的背光源采用正下型背光源時(shí)本實(shí)施方式的光傳感器概略結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖4Α 圖41是表示在本實(shí)施方式的光傳感器中、設(shè)置紅外光通過(guò)孔的位置、以及孔的形狀的一例的圖。圖5是圖1所示的光傳感器陣列的俯視圖。圖6是表示沿著圖5所示的Α-Α’剖切線的截面構(gòu)造的剖面圖。圖7是用于說(shuō)明圖1所示的光傳感器陣列的電極構(gòu)造的圖。圖8是表示圖5 圖7所示的光傳感器像素的等價(jià)電路的電路圖。圖9是表示圖5 圖7所示的光傳感器陣列的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖10是用于說(shuō)明圖9所示的光傳感器陣列的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。圖IlA 圖IlC是表示本實(shí)施方式的光傳感器的使用例的一例的圖。圖12是用于說(shuō)明以往的靜脈認(rèn)證傳感器的一例的圖。圖13是用于說(shuō)明以往的靜脈認(rèn)證傳感器的其他例的圖。圖14是用于說(shuō)明以往的靜脈認(rèn)證傳感器的其他例的圖。附圖標(biāo)記的說(shuō)明1 手指
2光傳感器陣列3 透鏡4紅外光通過(guò)孔5光學(xué)膜片組6導(dǎo)光板7反射片8紅外線光發(fā)光二極管10樹(shù)脂模制框11入射孔20表面遮光膜21上部電極22表面保護(hù)層23有機(jī)平坦化膜24絕緣層25下部電極30摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si)31無(wú)定形硅膜(a-Si)52位移寄存器55靜脈傳感器56 靜脈B/L背光源PX光傳感器像素TLS晶體管AS光控可變電阻元件D 二極管G掃描線S讀出線Cs浮置電容
具體實(shí)施例方式以下、參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在用于說(shuō)明實(shí)施方式的所有附圖中，對(duì)具有同一功能的部件標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，省略其重復(fù)的說(shuō)明。另外，以下的實(shí)施方式并不用于限定本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)的解釋。圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的光傳感器構(gòu)造的概略圖。在圖1中，2是光傳感器陣列，B/K是背光源。如圖1所示，本實(shí)施方式的光傳感器包括光傳感器陣列2、以及如液晶顯示板那樣配置在光傳感器陣列2下側(cè)的背光源(B/L)。背光源從光傳感器陣列2的背面向作為被照體的手或手指照射紅外光，將稍微進(jìn)入手或手指的表面的靜脈反映到光傳感器陣列2。為此，在光傳感器陣列2形成有紅外光通過(guò)孔4。在本實(shí)施方式中，作為從光傳感器陣列2的背面向手或手指照射紅外光的背光源
6的構(gòu)造，如液晶顯示板的背光源那樣，有側(cè)光式背光源和正下型背光源這2種。圖2是表示作為圖1所示的背光源(B/L)采用側(cè)光式背光源時(shí)本實(shí)施方式的光傳感器概略結(jié)構(gòu)的分解立體圖。在圖2所示的光傳感器中，背光源(B/L)包括大致矩形形狀的導(dǎo)光板6、配置在該導(dǎo)光板6的一個(gè)側(cè)面(入射面)的紅外光發(fā)光二極管(光源)8、配置在導(dǎo)光板6的下表面(與光傳感器陣列2相反側(cè)的面)側(cè)的反射片7、配置在導(dǎo)光板6的上表面(光傳感器陣列2側(cè)的面)的光學(xué)膜片組5、以及樹(shù)脂模制框10。光學(xué)膜片組5例如由下漫射片、2張透鏡片及上漫射片構(gòu)成。另外，光學(xué)膜片組5也可去除。圖3是表示作為圖1所示的背光源(B/L)采用正下型背光源時(shí)本實(shí)施方式的光傳感器概略結(jié)構(gòu)的分解立體圖。在圖3所示的光傳感器中，背光源(B/L)包括大致矩形形狀的導(dǎo)光板6、配置在導(dǎo)光板6的下表面(與光傳感器陣列2相反側(cè)的面)側(cè)的紅外光發(fā)光二極管(光源)8、配置在導(dǎo)光板6的上表面(光傳感器陣列2側(cè)的面)的光學(xué)膜片組5、樹(shù)脂模制框10、以及配置在紅外光發(fā)光二極管8下側(cè)的背光源盒9。在此，作為光源，配置有3行X3列的9個(gè)紅外光發(fā)光二極管。背光源盒9的內(nèi)側(cè)具有反射板。光學(xué)膜片組5例如由下漫射片、2張透鏡片及上漫射片構(gòu)成。光學(xué)膜片組5也可去除。在圖2、圖3所示的結(jié)構(gòu)中，從紅外光發(fā)光二極管8照射的紅外光利用導(dǎo)光板6 (或?qū)Ч獍?與光學(xué)膜片組幻而成為均勻的光，從在光傳感器陣列2形成的紅外光通過(guò)孔4進(jìn)行照射。然后，從紅外光通過(guò)孔4照射的均勻紅外光向放在光傳感器陣列2上的手或手指內(nèi)入射。入射的光被表面及有靜脈的部分反射，反射的光向光傳感器陣列2所含的各光傳感器像素入射，轉(zhuǎn)換為圖像信號(hào)。設(shè)置紅外光通過(guò)孔4的位置、孔的形狀需要根據(jù)光傳感器陣列2的各光傳感器像素的尺寸、顯示尺寸等而適當(dāng)設(shè)定，優(yōu)選是紅外光發(fā)光二極管8的光不直接入射光傳感器陣列2的各光傳感器像素、而是照射到手或手指之后向光傳感器陣列2的各光傳感器像素入射的位置、構(gòu)造。圖4A 圖41表示設(shè)置紅外光通過(guò)孔4的位置、孔的形狀的一例。在圖4A 圖41 中，在表面遮光膜20形成有入射孔11和紅外光通過(guò)孔4。紅外光從入射孔11入射到光傳感器像素PX。關(guān)于表面遮光膜20將后述。圖4A表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的4角的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的四方孔。圖4B、圖4C表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的對(duì)角的 2個(gè)角的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的四方孔。圖4D表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的1角的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的四方孔。圖4E表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的4邊的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的長(zhǎng)方形的孔。圖4F表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的上下2邊的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的長(zhǎng)方形的孔。圖4G表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的左右2邊的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的長(zhǎng)方形的孔。圖4H表示作為紅外光通過(guò)孔4，在表面遮光膜20中的入射孔11的1邊的周邊位置設(shè)置供紅外光透過(guò)的長(zhǎng)方形的孔。圖41表示作為紅外光通過(guò)孔4，在相鄰的2個(gè)光傳感器像素PX之間設(shè)置供紅外光透過(guò)的長(zhǎng)方形的孔。以下，使用圖5 圖7說(shuō)明圖1所示的光傳感器陣列2的構(gòu)造的一例。圖5是圖1所示的光傳感器陣列2的俯視圖，是從上方看圖1所示的光傳感器陣列2的圖。圖6是表示沿圖5所示的A-A’剖切線的截面構(gòu)造的剖面圖。圖7是用于說(shuō)明圖1所示的光傳感器陣列2的電極構(gòu)造的圖。在圖5、圖7中，光傳感器像素PX僅圖示了 2X2共4個(gè)，但實(shí)際的光傳感器陣列2 中設(shè)有例如100X 150個(gè)光傳感器像素PX。在圖5 圖7所示的光傳感器陣列2中，光傳感器像素PX包括無(wú)定形硅膜(a-Si) 和摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si)。如圖6、圖7所示，光傳感器像素PX包括下部電極25 ；層疊在下部電極25之上的無(wú)定形硅膜(a_Si)31 ；層疊在無(wú)定形硅膜(a-Si) 31之上、摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜 (n+a-Si) 30 ；配置在摻雜了磷的無(wú)定形硅膜(n+a-Si)30之上的上部電極22。即，在本實(shí)施方式中，在上部電極21與下部電極25之間夾持有摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si) 30和無(wú)定形硅膜(a_Si)31。在此，上部電極21和下部電極25優(yōu)選的是選擇分別與無(wú)定形硅膜(a_Si)31、摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si) 30取為歐姆連接，或者對(duì)于后述的正向偏置方向取為歐姆連接。另外，為了用作光傳感器，光入射側(cè)的電極需要選擇使所希望波長(zhǎng)的光透過(guò)的材料。 舉例來(lái)說(shuō),上部電極21由ITOdndium Tin Oxide)構(gòu)成，下部電極25由MoW/AI-Si/MoW構(gòu)成。下部電極25形成在透明絕緣基板(例如，玻璃基板)在(SUB)之上。而且，在下部電極25之上形成由氧化硅(SiO)構(gòu)成的絕緣膜M。在絕緣膜M形成孔，利用形成在絕緣膜M的孔，下部電極25與無(wú)定形硅膜(a_Si)31被連接(歐姆連接)。下部電極25兼用作防止從背光源(B/L)照射的紅外光直接入射到光傳感器像素的背面遮光膜。在各光傳感器像素PX之間設(shè)有由光硬化性樹(shù)脂構(gòu)成的有機(jī)平坦化膜23。換言之， 各光傳感器像素PX配置在形成于有機(jī)平坦化膜23的孔中。在有機(jī)平坦化膜23之上形成由Al等構(gòu)成的表面遮光膜20。該表面遮光膜20防止例如不需要的紅外光傾斜入射到光傳感器像素PX的無(wú)定形硅膜(a-Si)31，在由光傳感器像素PX檢測(cè)到的傳感器輸出中重疊有噪聲。如圖6所示，表面遮光膜20設(shè)于上部電極 21與有機(jī)平坦化膜23之間。如圖6所示，紅外光通過(guò)孔4形成為貫通下部電極25、絕緣膜M、有機(jī)平坦化膜 23、表面遮光膜20。若有機(jī)平坦化膜23和絕緣膜M是使紅外光通過(guò)的材質(zhì)，則不需要在有機(jī)平坦化膜23和絕緣膜M形成紅外光通過(guò)孔4。此外，在各光傳感器像素PX的上部電極21之上還形成由氮化硅(SiN)構(gòu)成的表面保護(hù)層22。
如圖7所示，下部電極25例如沿圖7的Y方向延伸，上部電極21和表面遮光膜20 例如沿圖7的X方向延伸。并且，在下部電極25與上部電極21的交叉部分形成光傳感器像素PX。圖8是表示圖5 圖7所示的光傳感器像素PX的等價(jià)電路的電路圖。如圖8的二極管D所示，摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si) 30為比無(wú)定形硅膜 (a-Si)31強(qiáng)的η型半導(dǎo)體，因此在摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si) 30與無(wú)定形硅膜 (a-Si) 31的連接面中，示出了將無(wú)定形硅膜(a-Si) 31側(cè)取為正極(陽(yáng)極)，將摻雜了磷的η 型無(wú)定形硅膜(n+a-Si) 30側(cè)取為負(fù)極(陰極)的二極管特性。如圖8的AS所示，無(wú)定形硅膜(a-Si) 31構(gòu)成光控可變電阻元件。并且，通過(guò)在無(wú)定形硅膜(a-Si)之上層疊摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si)， 從而能夠得到利用由摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si)和無(wú)定形硅膜(a_Si)構(gòu)成的二極管放大后的光電流。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，在圖5 圖7所示的無(wú)定形硅膜(a-Si)之上層疊摻雜了磷的η型無(wú)定形硅膜(n+a-Si)的構(gòu)造中，與僅是無(wú)定形硅膜(a-Si)的構(gòu)造相比，有10000倍程度的電流放大效果。以下，使用圖9、圖10說(shuō)明圖5 圖7所示的光傳感器陣列2。圖9是表示圖5 圖7所示的光傳感器陣列2的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在圖9中， 僅圖示了 PXl PX4的4個(gè)光傳感器像素，但實(shí)際配置例如100X 150個(gè)光傳感器像素。配置成矩陣狀的光傳感器像素(PXl PX4)的各行光傳感器像素的上部電極21 與多個(gè)掃描線(Gl，G2，...)的任一掃描線連接。因此，各光傳感器像素(PXl PX4)的二極管D的陰極與掃描線(Gl，G2，..)連接。各掃描線(G1，G2，..)與位移寄存器52連接，位移寄存器52在按每1水平掃描期間將Low電平(以下稱為L(zhǎng)電平)的選擇掃描電壓依次提供給掃描線(Gl，G2，..)。此外，配置成矩陣狀的光傳感器(PXl PX4)的各列光傳感器像素的下部電極25 與多個(gè)讀出線(Si，S2,..)的任一讀出線連接。將1水平掃描期間的讀出線(Si，S2,..) 的電壓變化作為信號(hào)電壓從焊盤(pán)(PAD1，PAD2，..)輸出至外部的信號(hào)處理電路(未圖示)。位移寄存器52是搭載在半導(dǎo)體芯片內(nèi)的電路，配置在制作有光傳感器陣列的基板上?；蛘?，位移寄存器52通過(guò)配置在玻璃基板等光傳感器陣列基板上的、由半導(dǎo)體層采用多晶硅膜而成的薄膜晶體管組成的電路構(gòu)成。圖10是用于說(shuō)明圖9所示的光傳感器陣列2的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。以下，使用圖 10說(shuō)明圖5 圖7所示的光傳感器陣列2的驅(qū)動(dòng)方法。在圖10中，通過(guò)移位寄存器52，光傳感器像素的各行在紙面上從上到下被依次掃描，即，在圖10中，對(duì)選通線G按照序號(hào)從小到大的順序依次施加L電平的電壓。首先，在1水平掃描期間HSYNC的消隱期間，信號(hào)RG變?yōu)楦唠娖?以下稱為H電平)，復(fù)位晶體管TLS導(dǎo)通。由此，各讀出線S1，S2，...被復(fù)位，使各讀出線S1，S2，..均為恒定電位(例如3V)。在該信號(hào)RG為H電平的期間，各掃描線Gl，G2，..變?yōu)镠電平(例如 3V)。接著，當(dāng)信號(hào)RG變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)，掃描線Gl的電壓電平變?yōu)榈碗娖?以下稱為L(zhǎng)電平，例如為OV的接地電位)，其以外的掃描線的電壓電平變?yōu)镠電平。由此，陰極連接在掃
9描線Gl上的光傳感器像素的二極管部D為導(dǎo)通狀態(tài)，陰極連接在掃描線Gl以外的掃描線上的光傳感器像素的二極管部D為截止?fàn)顟B(tài)，因此光傳感器像素PXl、PX2為接通狀態(tài)，光傳感器像素PX3，PX4為關(guān)斷狀態(tài)。光射入光傳感器像素PX1、PX2，光傳感器像素的光控可變電阻元件AS的電阻值根據(jù)入射光而發(fā)生變化。由此，從讀出線S1，S2，..流經(jīng)掃描線Gl的電流發(fā)生變化，各讀出線 S1，S2，..的電位(具體而言是連接在各讀出線上的浮置電容Cs的電位)降低。讀取該電壓變化作為各讀出線Si，S2，...的信號(hào)電壓。將該情況圖示為圖10的讀出線波形Sl 。對(duì)于掃描線Gl以外的掃描線也進(jìn)行同樣的處理，取入信號(hào)電壓。圖IlA 圖IlC是表示本實(shí)施方式的光傳感器的使用例的一例的圖，如圖IlA所示，將本實(shí)施方式的光傳感器作為靜脈認(rèn)證裝置的靜脈傳感器陽(yáng)組裝到個(gè)人筆記本計(jì)算機(jī)。如圖IlB所示，從配置在光傳感器陣列2下側(cè)的背光源(B/L)將紅外光向手或手指1照射，如圖IlC所示，將稍微進(jìn)入手或手指1的表面的靜脈56反映到光傳感器陣列2。從圖IlA可知，由于靜脈傳感器55設(shè)置在個(gè)人筆記本計(jì)算機(jī)的鍵盤(pán)部分，因此必須是小型的。本實(shí)施方式的靜脈傳感器陽(yáng)將具有紅外光LED的背光源(B/L)配置在光傳感器陣列2的背面，因此能夠設(shè)計(jì)得較薄，能夠小型化。與此不同，在以往的光傳感器陣列中，作為光傳感器像素使用C⑶或M0S，因此從背面照射是不可能的。此外，由于需要透鏡，因此在紅外光光源與手或手指之間、或手或手指與透鏡之間需要有一定的距離。由于這些因素，使用以往的光傳感器陣列將光傳感器小型化是不可能的。雖然已經(jīng)描述了當(dāng)前考慮到的本發(fā)明的某些實(shí)施方式，但是能夠理解可對(duì)其進(jìn)行各種修改，并且意在使所附權(quán)利要求書(shū)將所有這些修改覆蓋為落入本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器，其包括多個(gè)光傳感器像素配置成矩陣狀而成的光傳感器陣列、配置在上述光傳感器陣列的下側(cè)的背光源，上述光傳感器陣列具有表面遮光膜，上述表面遮光膜包括入射孔，其將來(lái)自上述背光源的相反側(cè)的光入射到上述各光傳感器像素；以及通過(guò)孔，其設(shè)于上述入射孔的周圍，且將來(lái)自上述背光源的照射光向上述相反側(cè)照射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，上述背光源包括導(dǎo)光板、配置在上述導(dǎo)光板的側(cè)面的光源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光傳感器，其特征在于，包括反射膜，其設(shè)置在上述導(dǎo)光板的與上述光傳感器陣列相反側(cè)的面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光傳感器，其特征在于，包括多個(gè)光學(xué)膜片，其配置在上述導(dǎo)光板的上述光傳感器陣列側(cè)的面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，上述背光源包括導(dǎo)光板以及光源，該光源配置在上述導(dǎo)光板的與上述光傳感器陣列相反側(cè)的面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光傳感器，其特征在于，包括多個(gè)光學(xué)膜片，其配置在上述導(dǎo)光板的上述光傳感器陣列側(cè)的面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，上述各光傳感器像素包括由金屬膜構(gòu)成的下部電極、設(shè)于上述下部電極之上的無(wú)定形硅膜、設(shè)于上述無(wú)定形硅膜之上的η型無(wú)定形硅膜、設(shè)于上述η型無(wú)定形硅膜之上的上部電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其特征在于， 包括設(shè)于上述各光傳感器像素之間的平坦化膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器，其特征在于， 上述平坦化膜是有機(jī)絕緣膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光傳感器，其特征在于， 上述表面遮光膜配置在上述平坦化膜與上述上部電極之間，在上述下部電極的與上述表面遮光膜的上述貫通孔對(duì)應(yīng)的部位，也形成有使來(lái)自上述背光源的照射光照射到上述相反側(cè)的通過(guò)孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其特征在于，包括設(shè)于上述下部電極與上述無(wú)定形硅膜之間的絕緣膜， 上述絕緣膜在與上述各光傳感器像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有孔， 上述下部電極和上述無(wú)定形硅膜在形成于上述絕緣膜之上的孔處被電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其特征在于， 上述下部電極形成在透明基板上。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其特征在于， 包括設(shè)置在上述上部電極上的表面保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器，其特征在于，上述上部電極是ΙΤ0，上述表面遮光膜是Al。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光傳感器。該光傳感器包括多個(gè)光傳感器像素配置成矩陣狀而成的光傳感器陣列、以及配置在上述光傳感器陣列下側(cè)的背光源。上述光傳感器陣列包括表面遮光膜(例如，Al膜)，上述表面遮光膜包括將來(lái)自被照體的光入射到上述各光傳感器像素的入射孔、以及設(shè)于上述入射孔的周圍且將上述背光源的照射光向上述被照體照射的通過(guò)孔。
文檔編號(hào)G06K9/00GK102419815SQ20111029435
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者宮澤敏夫, 米倉(cāng)健史, 長(zhǎng)谷川篤, 齊藤輝兒 申請(qǐng)人:松下液晶顯示器株式會(huì)社, 株式會(huì)社日立顯示器