專利名稱：貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種檢測(cè)方法，特別是指一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
異方性導(dǎo)電膠膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)為熱固性或熱塑性樹脂粘接劑中含有金屬粒子的膠膜，其主要的功能只提供兩種接合物體垂直方向的電器導(dǎo)通，對(duì)于水平方向則具有絕緣效果，兼具粘接、導(dǎo)通的特性，是一種上下導(dǎo)通、左右不導(dǎo)通的連接材料，可用于顯示面板與電路板之間的高密度引線連接。目前顯示器的電路板多貼附有異方性導(dǎo)電膠膜?，F(xiàn)有技術(shù)異方性導(dǎo)電膠膜貼附檢測(cè)方法為設(shè)備人員以光電荷耦合(Charge-CoupledDevice，CCD)傳感器直接對(duì)于異方性導(dǎo)電膠膜貼附位置作圖像取樣，并記錄當(dāng)時(shí)取樣畫面灰度值，由此讓設(shè)備來(lái)區(qū)分異方性導(dǎo)電膠膜有無(wú)貼附的基準(zhǔn)。
請(qǐng)參閱圖1A與圖1B，其為現(xiàn)有技術(shù)基板貼附導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖與其灰度圖譜示意圖。如圖所示，基板12上方具有金手指(gold finger)14，在金手指14上設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層16；利用光電荷耦合傳感器可獲得導(dǎo)電薄膜層16畫面的灰度圖像(gray image)，并通過(guò)讓設(shè)備來(lái)區(qū)分導(dǎo)電薄膜層有無(wú)貼附的基準(zhǔn)。但是當(dāng)基板12上金手指14灰度的變異較大時(shí)(如圖1A與圖1B的圈選處)，設(shè)備檢測(cè)導(dǎo)電薄膜層16時(shí)所取樣的灰度與設(shè)備內(nèi)設(shè)定的圖像取樣灰度值會(huì)有所差異。因此會(huì)有導(dǎo)電薄膜層16貼附正常，但設(shè)備卻給予貼附不良的警報(bào)；或是，導(dǎo)電薄膜層16貼附不良，但是設(shè)備卻未給予貼附不良的警報(bào)而漏檢。
因此，目前需要一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其是通過(guò)一光源照射一基板的側(cè)面，以獲得設(shè)置于基板上的一導(dǎo)電薄膜層的一灰度圖像，并且計(jì)算灰度圖像以獲得一厚度或一長(zhǎng)度，以判斷電薄膜層是否貼附錯(cuò)誤，如此可更精準(zhǔn)的檢測(cè)出導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤，以減少檢測(cè)錯(cuò)誤的情形發(fā)生。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其是通過(guò)使用一光源照射一基板的側(cè)面，以獲得基板與一導(dǎo)電薄膜層的一灰度圖像，并計(jì)算灰度圖像以獲得基板或金手指的一側(cè)邊與導(dǎo)電薄膜層的一側(cè)邊的一距離，以判斷導(dǎo)是否電薄膜層貼附錯(cuò)誤。
本發(fā)明提供一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，該方法包含提供一基板，基板上方具有一金手指，在金手指上設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層；使用一光源照射基板的側(cè)面；使用一圖像傳感器接收導(dǎo)電薄膜層的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；使用一軟件以計(jì)算灰度圖像以獲得一厚度或一長(zhǎng)度；以及判斷厚度或長(zhǎng)度的大小，當(dāng)厚度小于一第一門檻值(threshold)或長(zhǎng)度小于一第二門檻值時(shí)，即導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。或者，使用軟件以計(jì)算灰度圖像的基板或金手指的一側(cè)邊與導(dǎo)電薄膜層的一側(cè)邊的一距離；當(dāng)距離大于一第三門檻值時(shí)，該導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。
本發(fā)明還提供一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，，該方法包括設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層在一基板上；使用一光源照射該基板的側(cè)面；接收一反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；以及判斷該灰度圖像的位置，以獲知所述的導(dǎo)電薄膜層是否設(shè)置于所述的基板的上方。
本發(fā)明的有益效果為可更精準(zhǔn)的檢測(cè)出導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤，以減少檢測(cè)錯(cuò)誤的情形發(fā)生。


圖1A為現(xiàn)有技術(shù)基板貼附導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B為現(xiàn)有技術(shù)基板貼附導(dǎo)電薄膜的灰度圖譜示意圖；圖2A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的流程圖；圖2B為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖；圖2C為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的上視圖；圖3A為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖；圖3B為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖；圖3C為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的上視圖；圖4A為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖；圖4B為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖；圖4C為另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖；以及圖5為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖。
附圖標(biāo)號(hào)12基板14金手指16導(dǎo)電薄膜層 22基板24金手指 26導(dǎo)電薄膜層27光源28圖像傳感器具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2A、圖2B與圖2C，為本發(fā)明較佳實(shí)施例的流程圖與與基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖與上視圖。如圖所示，根據(jù)本發(fā)明的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，首先提供一基板22(步驟S1)，基板22上方具有一金手指24，在金手指24上設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層26；之后，使用一光源27照射基板22的側(cè)面(步驟S2)；接著，使用一圖像傳感器28接收導(dǎo)電薄膜層26的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像(步驟S3)；然后，使用一軟件以計(jì)算灰度圖像以獲得一厚度(步驟S4)。最后，判斷厚度的大小，以判斷導(dǎo)電薄膜層26是否貼附錯(cuò)誤(步驟S5)。當(dāng)厚度小于第一門檻值時(shí)，即導(dǎo)電薄膜層26貼附錯(cuò)誤。如此可更精準(zhǔn)的檢測(cè)出導(dǎo)電薄膜層26貼附的正確與否，以減少檢測(cè)錯(cuò)誤的情形發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，導(dǎo)電薄膜層26為異方性導(dǎo)電膠膜(AnisotropicConductive Film，ACF)或其它具有類似功能的材料。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，圖像傳感器28為光電荷耦合組件(Charge-Coupled Device，CCD)傳感器或是互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)傳感器。由于基板22、金手指24與導(dǎo)電薄膜層26的材質(zhì)不同，因此以圖像傳感器28所獲得的灰度圖像也呈現(xiàn)不同，如此可用來(lái)清晰的判斷導(dǎo)電薄膜層26的厚度。由于光源27是照射于基板22的側(cè)面，并且利用圖像傳感器28接收導(dǎo)電薄膜層26的反射光線而產(chǎn)生灰度圖像，因此光源27的光線與基板22的角度以45度為最佳，但本發(fā)明不以此為限，以使圖像傳感器28擷取較為清晰的灰度圖像，以使導(dǎo)電薄膜層26的厚度較為準(zhǔn)確的被計(jì)算出。
請(qǐng)參閱圖3A、圖3B與圖3C，為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖、與另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖與上視圖；如圖所示，此實(shí)施例不同于上一實(shí)施例在于上一實(shí)施例是使用軟件計(jì)算灰度圖像以獲得一厚度，而此實(shí)施例是以軟件計(jì)算灰度圖像而獲得一長(zhǎng)度。因此在步驟S3后使用一軟件以計(jì)算灰度圖像以獲得一長(zhǎng)度(步驟S41)；接著，判斷長(zhǎng)度的大小，以判斷導(dǎo)電薄膜層26是否貼附錯(cuò)誤(步驟S51)。當(dāng)長(zhǎng)度大于第二門檻值時(shí)，即導(dǎo)電薄膜層26貼附錯(cuò)誤。由圖3C可得知，此實(shí)施例是以導(dǎo)電薄膜層26貼附歪斜做說(shuō)明。因?qū)щ姳∧?6貼附歪斜，因此在基板22的側(cè)邊可發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電薄膜層26的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，故當(dāng)長(zhǎng)度大于所設(shè)定的第二門檻值時(shí)，即可判定導(dǎo)電薄膜層26貼附歪斜。
請(qǐng)參閱圖4A、圖4B與圖4C，為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖、與另一較佳實(shí)施例的基板貼附導(dǎo)電薄膜的側(cè)視圖與上視圖；如圖所示，此實(shí)施例不同于圖2A實(shí)施例在于此實(shí)施例為判斷導(dǎo)電薄膜層26是否有平移貼附的現(xiàn)象，因此在步驟S3后使用軟件以計(jì)算灰度圖像的基板22或金手指24的一側(cè)邊與導(dǎo)電薄膜層26的一側(cè)邊之間的距離(步驟S42)；接著，判斷距離的大小，以判斷導(dǎo)電薄膜層26是否貼附錯(cuò)誤(步驟S52)。當(dāng)距離大于第三門檻值時(shí)，即導(dǎo)電薄膜層26貼附錯(cuò)誤。由圖4C可知，此實(shí)施例是以導(dǎo)電薄膜層26平移貼附做說(shuō)明。此實(shí)施例的導(dǎo)電薄膜層26平移貼附于基板22時(shí)，有部份金手指24并未貼附導(dǎo)電薄膜層26。然而在基板22的相鄰側(cè)邊觀看，在一邊可看出導(dǎo)電薄膜層26平移，但在另一邊并無(wú)法看出導(dǎo)電薄膜層26是否有平移貼附。因此必須從灰度圖像計(jì)算基板22與導(dǎo)電薄膜層的相鄰側(cè)邊的距離，或是或金手指24與導(dǎo)電薄膜層26的相鄰側(cè)邊的距離，以判定導(dǎo)電薄膜層26是否有平移，若距離大于第三門檻值，則判斷導(dǎo)電薄膜層26貼附錯(cuò)誤。
請(qǐng)參閱圖5，為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的流程圖；如圖所示，此實(shí)施例不同于圖2A實(shí)施例在于此實(shí)施例為判斷導(dǎo)電薄膜層26貼附與否，因此在步驟S2后則進(jìn)行步驟S31，使用圖像傳感器26接收一反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；最后，進(jìn)行步驟S44，判斷灰度圖像的位置，以獲知導(dǎo)電薄膜層26是否設(shè)置于基板22的上方。如此可檢測(cè)出基板22漏貼導(dǎo)電薄膜層26的情況。
綜上所述，本發(fā)明提供一種有關(guān)于貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，該方法首先提供一基板，基板上方具有金手指，金手指上設(shè)置導(dǎo)電薄膜層；之后，使用光源照射基板的側(cè)面；接著，使用圖像傳感器接收反射光線而產(chǎn)生灰度圖像；然后，使用軟件以計(jì)算灰度圖像以獲得導(dǎo)電薄膜層的厚度或長(zhǎng)度，或是計(jì)算灰度圖像的基板或金手指的側(cè)邊與導(dǎo)電薄膜層26的側(cè)邊的距離。當(dāng)厚度小于第一門檻值或長(zhǎng)度小于第二門檻值，或者距離大于第三門檻值時(shí)，即導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。如此可更精準(zhǔn)的檢測(cè)出導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤，以減少檢測(cè)錯(cuò)誤的情形發(fā)生以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，舉凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，該貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法包括提供一基板，該基板上方具有一金手指，該金手指上設(shè)置有一導(dǎo)電薄膜層；使用一光源照射所述的基板的側(cè)面；接收所述的導(dǎo)電薄膜層的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；計(jì)算該灰度圖像以獲得一厚度；以及判斷該厚度的大小，當(dāng)該厚度小于一第一門檻值時(shí)，即所述的導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。
2.如權(quán)利要求1所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的圖像傳感器為光電荷耦合組件傳感器。
3.如權(quán)利要求1所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的圖像傳感器為互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體傳感器。
4.如權(quán)利要求1所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的導(dǎo)電薄膜層為異方性導(dǎo)電膠膜。
5.如權(quán)利要求1所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的光源的光線與所述的基板的角度為45度。
6.一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，該貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法包括提供一基板，該基板上方具有一金手指，該金手指上設(shè)置有一導(dǎo)電薄膜層；使用一光源照射所述的基板的側(cè)面；接收所述的導(dǎo)電薄膜層的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；計(jì)算該灰度圖像以獲得一長(zhǎng)度；以及判斷該長(zhǎng)度的大小，當(dāng)該長(zhǎng)度大于一第二門檻值時(shí)，即所述的導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。
7.如權(quán)利要求6所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的圖像傳感器為光電荷耦合組件傳感器或互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體傳感器。
8.如權(quán)利要求6所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的導(dǎo)電薄膜層為異方性導(dǎo)電膠膜。
9.如權(quán)利要求6所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的光源的光線與所述的基板的角度為45度。
10.一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，該貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法包括提供一基板，該基板上方具有一金手指，該金手指上設(shè)置有一導(dǎo)電薄膜層；使用一光源照射所述的基板的側(cè)面；接收所述的基板與所述的導(dǎo)電薄膜層的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；計(jì)算所述的灰度圖像的所述的基板或所述的金手指的一側(cè)邊與所述的導(dǎo)電薄膜層的一側(cè)邊之間的距離；以及判斷該距離的大小，當(dāng)該距離大于一第三門檻值時(shí)，即所述的導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。
11.如權(quán)利要求10所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的圖像傳感器為光電荷耦合組件傳感器或互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體傳感器。
12.如權(quán)利要求10所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的導(dǎo)電薄膜層為異方性導(dǎo)電膠膜。
13.如權(quán)利要求10所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的光源的光線與所述的基板的角度為45度。
14.一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，該貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法包括設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層在一基板上；使用一光源照射該基板的側(cè)面；接收一反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；以及判斷該灰度圖像的位置，以獲知所述的導(dǎo)電薄膜層是否設(shè)置于所述的基板的上方。
15.如權(quán)利要求14所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的圖像傳感器為光電荷耦合組件傳感器或互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體傳感器。
16.如權(quán)利要求14所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的導(dǎo)電薄膜層為異方性導(dǎo)電膠膜。
17.如權(quán)利要求14所述的貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，其特征是，所述的光源的光線與所述的基板的角度為45度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種貼附導(dǎo)電薄膜的檢測(cè)方法，該方法包含提供一基板，基板上方具有一金手指，在金手指上設(shè)置一導(dǎo)電薄膜層；使用一光源照射基板的側(cè)面；使用一圖像傳感器接收導(dǎo)電薄膜層的反射光線而產(chǎn)生一灰度圖像；使用一軟件以計(jì)算灰度圖像以獲得一厚度或一長(zhǎng)度；以及判斷厚度或長(zhǎng)度的大小，當(dāng)厚度小于第一門檻值或長(zhǎng)度小于第二門檻值時(shí)，即判斷導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤。如此可更精準(zhǔn)的檢測(cè)出導(dǎo)電薄膜層貼附錯(cuò)誤，以減少檢測(cè)錯(cuò)誤的情形發(fā)生。
文檔編號(hào)G01M11/00GK101025383SQ200710091058
公開(kāi)日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者曾義弘, 陳清隆, 王俊凱 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司