專利名稱：電子部件試驗(yàn)裝置以及電子部件的試驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的目的就是提供一種電子部件試驗(yàn)裝置，可以容易 地排除在測(cè)試托架中未被恰當(dāng)?shù)厥杖莸腎C，以防止測(cè)試托架及IC的 破損。雖然在上述發(fā)明中沒有特別限定，但優(yōu)選的技術(shù)方案是上 述姿態(tài)變換部件在被搬入上述施加部前使上述測(cè)試托架進(jìn)行姿態(tài)變 換。雖然在上述發(fā)明中沒有特別限定，但優(yōu)選的技術(shù)方案是在
定姿態(tài)。' 口'、'、'''' 、'"、，''在吸附IC的吸盤314、 414的兩側(cè)部設(shè)置有碰鎖釋放機(jī)構(gòu) 315、 415。而且，在試驗(yàn)前IC儲(chǔ)藏庫201中保存了從此進(jìn)行試驗(yàn)的IC 的專用托架被層疊起來而保持。相對(duì)于此，在試驗(yàn)完畢IC儲(chǔ)藏庫202 中結(jié)束了試驗(yàn)的IC經(jīng)過適宜分類的專用托架KST被層疊起來而保 持。這一反轉(zhuǎn)裝置113，如同圖所示那樣從位于垂直搬送裝置
112的最下段的夾鉗112a接受測(cè)試托架TST，并一邊使該測(cè)試托架 TST向下方進(jìn)行移動(dòng)， 一邊在使測(cè)試托架TST首先從水平姿態(tài)180 度旋轉(zhuǎn)成反轉(zhuǎn)姿態(tài)后，進(jìn)而使其從反轉(zhuǎn)姿態(tài)90度旋轉(zhuǎn)成垂直姿態(tài)并 將測(cè)試托架TST交給導(dǎo)軌101 (圖3 ~圖5以及圖9的位置III)。也就 是說，反轉(zhuǎn)裝置113使測(cè)試托架TST繞逆時(shí)針方向進(jìn)行270度旋轉(zhuǎn)。另外，在本實(shí)施方式中，由于在恒溫槽內(nèi)110中^f吏測(cè)試托 架TST旋轉(zhuǎn)，以使測(cè)試托架TST成為垂直姿態(tài)的時(shí)間變短，所以能 夠謀求防止在測(cè)試托架TST上恰當(dāng)?shù)乇３值腎C落下，同時(shí)使旋轉(zhuǎn)的 時(shí)間為熱施加時(shí)間所吸收。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，在恒溫槽110的后半部分即從恒 溫槽110至測(cè)試皇120的出口 114(參照?qǐng)D5)的附近設(shè)置反轉(zhuǎn)裝置113。 由此，測(cè)試托架TST成為垂直姿態(tài)的時(shí)間就更加得以縮短而進(jìn)一步謀 求防止IC落下。在本實(shí)施方式中，通過將已搭載IC的測(cè)試托架TST在試 驗(yàn)前設(shè)成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，測(cè)試托架TST的收容部67中未被收容的IC就 從測(cè)試托架TST落下，所以能夠容易地排除該IC，能夠防止在測(cè)試 時(shí)測(cè)試托架TST及IC破損。
[128I此外，還可以將反轉(zhuǎn)姿態(tài)維持規(guī)定時(shí)間(例如數(shù)秒)，以促進(jìn) IC從測(cè)試托架TST落下。另外，還可以通過在測(cè)試托架TST處于反
轉(zhuǎn)姿態(tài)時(shí)，使反轉(zhuǎn)裝置330的促動(dòng)器332伸縮以對(duì)測(cè)試托架TST增加 振動(dòng)，來促進(jìn)IC從測(cè)試托架TST落下。
129此外，與第l實(shí)施方式相同，在本實(shí)施方式中也是"水平姿 態(tài)"意味著測(cè)試托架TST的主面朝上下方向、且IC的輸入輸出端子 朝向下方這樣的姿態(tài)，"反轉(zhuǎn)姿態(tài)"意味著測(cè)試托架TST的主面朝上下 方向、且IC的輸入輸出端子朝向上方這樣的姿態(tài)，"垂直姿態(tài)"意味 著測(cè)試托架TST的主面朝向左右方向的姿態(tài)。
[130此外，以上所說明的實(shí)施方式是為了使本發(fā)明的理解變得 容易而記載的方式，并非為了限定本發(fā)明而記載的方式。從而，就是 上述的實(shí)施方式所公開的各要素也包含屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所 有設(shè)計(jì)變更及均等物。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件試驗(yàn)裝置，被用于在測(cè)試托架上搭載了被試驗(yàn)電子部件的狀態(tài)下使上述被試驗(yàn)電子部件與測(cè)試頭的接觸部以電氣方式接觸，以進(jìn)行上述被試驗(yàn)電子部件的電氣特性的試驗(yàn)，所述電子部件試驗(yàn)裝置的特征在于包括:姿態(tài)變換部件，在試驗(yàn)前至少一次使搭載了上述被試驗(yàn)電子部件的上述測(cè)試托架姿態(tài)變換成使收容不充分的上述被試驗(yàn)電子部件落下的方向。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電子部件試驗(yàn)裝置，其特征在于 上述姿態(tài)變換部件使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，進(jìn)而使之從反轉(zhuǎn)姿態(tài)變換成規(guī)定的姿態(tài)。
3. 按照權(quán)利要求2所述的電子部件試驗(yàn)裝置，其特征在于 上述姿態(tài)變換部件使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，姿態(tài),
4.按照權(quán)利要求2或3所述的電子部件試驗(yàn)裝置，其特征在于 上述姿態(tài)變換部件使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，成規(guī)定的姿態(tài),
5.按照權(quán)利要求2~4中的任一項(xiàng)所述的電子部件試驗(yàn)裝置，其 特征在于還包括回收部件，回收從通過上述姿態(tài)變換部件而成為反轉(zhuǎn)姿態(tài)的上述 測(cè)試托架落下的上述被試驗(yàn)電子部件。
6. 按照權(quán)利要求5所述的電子部件試驗(yàn)裝置，其特征在于還包括恢復(fù)部件，將通過上述回收部件所回收的上述被試驗(yàn)電子部件返 回到上述測(cè)試托架、其他的測(cè)試托架或者專用托架。
7. —種電子部件的試驗(yàn)方法，在測(cè)試托架上搭載了被試驗(yàn)電子i觸，以2行上述被試驗(yàn)電子部件-的電一氣特性^j試驗(yàn)，;斤述電子部-的試驗(yàn)方法的特征在于包括姿態(tài)變換步驟，在試驗(yàn)前至少一次使搭載了上述被試驗(yàn)電子部件下的方向。
8. 按照權(quán)利要求7所述的電子部件的試驗(yàn)方法，其特征在于 在上述姿態(tài)變換步驟中，使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，進(jìn)而使之從反轉(zhuǎn)姿態(tài)變換成規(guī)定姿態(tài)。
9. 按照權(quán)利要求8所述的電子部件的試驗(yàn)方法，其特征在于 在上述姿態(tài)變換步驟中，使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn)姿態(tài)，并在將該反轉(zhuǎn)姿態(tài)維持了規(guī)定時(shí)間后使之從反轉(zhuǎn)姿態(tài)變換成上 述規(guī)定姿態(tài)。
10. 按照權(quán)利要求8或9所述的電子部件的試驗(yàn)方法，其特征在于在上述姿態(tài)變換步驟中，使上述測(cè)試托架從水平姿態(tài)變換成反轉(zhuǎn) 姿態(tài)，并在該反轉(zhuǎn)姿態(tài)下使上述測(cè)試托架進(jìn)行振動(dòng)后使之從反轉(zhuǎn)姿態(tài) 變換成上述規(guī)定姿態(tài)。
11. 按照權(quán)利要求8~10中的任一項(xiàng)所述的電子部件的試驗(yàn)方 法，其特征在于還包括回收步驟，回收從反轉(zhuǎn)姿態(tài)的上述測(cè)試托架落下的上述被試驗(yàn)電 子部件。
12.按照權(quán)利要求11所述的電子部件的試驗(yàn)方法，其特征在于 還包括恢復(fù)步驟，將在上述回收步驟中所回收的上述被試驗(yàn)電子部件返 回到上述測(cè)試托架、其他的測(cè)試托架或者專用托架。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件試驗(yàn)裝置，被用來在將多個(gè)IC搭載于測(cè)試托架(TST)的狀態(tài)下，使該IC以電氣方式接觸于測(cè)試頭(5)的接觸部，以進(jìn)行IC的電氣特性的試驗(yàn)，其具備在試驗(yàn)前至少一次使搭載了多個(gè)IC的測(cè)試托架(TST)旋轉(zhuǎn)到使收容不充分的IC落下的方向的反轉(zhuǎn)裝置(113)。
文檔編號(hào)G01R31/26GK101384913SQ20068005317
公開日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2006年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月17日
發(fā)明者伊藤明彥, 小林義仁, 狩野孝也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛德萬測(cè)試