專利名稱：檢測(cè)光掩膜缺陷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，該方法提供一方式予檢測(cè)者確認(rèn)一實(shí)體的光掩膜缺陷位于一晶圓的實(shí)體的芯片陣列(或位于一光電基板的實(shí)體的單元陣列)上的實(shí)際位置，以及更進(jìn)一步確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該芯片陣列(或該單元陣列)的一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。
背景技術(shù)：
于先前技術(shù)中，光掩膜設(shè)計(jì)者在制造光掩膜時(shí)，通常會(huì)依據(jù)半導(dǎo)體業(yè)或光電業(yè)中的IC(集成電路)/薄膜晶體管(TFT)/液晶顯示器(LCD)/彩色濾光片(CF)/印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)者或客戶的集成電路設(shè)計(jì)圖、液晶顯示器的薄膜晶體管設(shè)計(jì)圖、彩色濾光片設(shè)計(jì)圖或印刷電路板設(shè)計(jì)圖而開始進(jìn)行。在完成光掩膜后，光掩膜設(shè)計(jì)者通常會(huì)提供缺陷分布位置圖(defect map)給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶，用以顯示光掩膜上所形成的光掩膜缺陷(mask defect)會(huì)轉(zhuǎn)移至一對(duì)應(yīng)晶圓或一光電基板(如玻璃基板)上的相對(duì)位置。
光掩膜上的光掩膜缺陷指不同于一期望的光掩膜設(shè)計(jì)圖案(designpattern)外的任何圖形，其通常會(huì)出現(xiàn)在光掩膜的制作過程中。圖1a至圖1f為用以說明一簡單集成電路或光電或印刷電路板設(shè)計(jì)的光掩膜10的示意圖。該光掩膜10上通常會(huì)包括一些在光掩膜制作過程中所出現(xiàn)的光掩膜缺陷。該光掩膜10上包含有一不透光區(qū)域12(通常由鉻制成)以及透光區(qū)域14、16，用以表示欲被轉(zhuǎn)移至一晶圓或一光電基板上的幾何圖案。圖1a顯示了位于該光掩膜10的不透光區(qū)域12上的一孤立孔缺陷18。圖1b顯示了位于該光掩膜10的透光區(qū)域14上的一不透光點(diǎn)缺陷20。圖1c顯示了位于該光掩膜10的透光區(qū)域14、16上的邊緣干擾缺陷22。圖1d顯示了位于該光掩膜10的不透光區(qū)域12上的邊緣凸塊缺陷24。圖1e顯示了位于該光掩膜10的透光區(qū)域16上的幾何斷裂缺陷26。最后，圖1f顯示了位于該光掩膜10的不透光區(qū)域12上的幾何橋接缺陷28。
一般而言，上述的光掩膜缺陷可通過一高分辨率顯微鏡或一檢測(cè)機(jī)器去掃描所完成的光掩膜的表面，并擷取該光掩膜的影像而被檢測(cè)到。之后，所擷取到的光掩膜影像會(huì)由檢測(cè)工程師或光掩膜制造人員去觀測(cè)，以確認(rèn)實(shí)體光掩膜上的光掩膜缺陷存在有哪些不同形式的樣態(tài)(如圖1a至圖1f)。下一步驟決定該受檢測(cè)的光掩膜是否合乎標(biāo)準(zhǔn)，以用在微影制程中；此步驟可由具經(jīng)驗(yàn)的檢測(cè)工程師或光掩膜制造人員并可配合利用檢測(cè)軟件的輔助而完成。若無發(fā)現(xiàn)任何光掩膜缺陷，或所發(fā)現(xiàn)的光掩膜缺陷落在可被制造者或使用者容許的范圍內(nèi)，則所完成的光掩膜可通過檢測(cè)并被用以曝光一晶圓或一光學(xué)基板。反之，若光掩膜缺陷被發(fā)現(xiàn)且已超出容許范圍外，則所完成的光掩膜并不能通過檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，因此便必須決定該光掩膜是否要進(jìn)行清除及/或修復(fù)以去除該光掩膜缺陷，或決定該光掩膜缺陷是否太過于嚴(yán)重，以致于有必要重新制造一新的光掩膜。傳統(tǒng)上，在光掩膜缺陷被發(fā)現(xiàn)后，無論其之后是否被修復(fù)或清除，檢測(cè)工程師或光掩膜制造人員皆會(huì)制作一缺陷分布位置圖給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶以供檢測(cè)或存盤紀(jì)錄。
圖2顯示一已知的缺陷分布位置圖100，其通常由光掩膜設(shè)計(jì)者提供給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶。該缺陷分布位置圖100可提供給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶信息，用以追蹤或?qū)ふ矣晒庋谀ど系墓庋谀と毕菟斐蒊C/TFT/LCD/CF/PCB的良率問題。該缺陷分布位置圖100包含了一晶圓(或一光電基板)104上的芯片陣列或一單元陣列102以及復(fù)數(shù)個(gè)光掩膜缺陷106a、106b及106c，其中該芯片陣列或該單元陣列102由復(fù)數(shù)個(gè)芯片或單元102a所組成，且該光掩膜缺陷106a、106b及106c位于該芯片或單元102a上。該光掩膜缺陷106a、106b及106c可為任何如圖1a至圖1f中所示的光掩膜缺陷，且可能會(huì)發(fā)生于該芯片陣列或該單元陣列102中的任何芯片或單元102a上。于圖2中，該光掩膜缺陷106a為一孤立孔缺陷，其位于該芯片陣列或該單元陣列102的編號(hào)為(2，3)的芯片或單元102a上；該光掩膜缺陷106b及106c為兩不透光點(diǎn)缺陷，其位于該芯片陣列或該單元陣列102的編號(hào)為(2，1)的芯片或單元102a上。
然而，該缺陷分布位置圖100僅能提供IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶該光掩膜缺陷106a、106b及106c位于芯片或單元102a上的概略位置，但并不能提供給設(shè)計(jì)者或客戶該光掩膜缺陷106a、106b及106c位于所轉(zhuǎn)移在該芯片或單元102a上的細(xì)部電路(即光掩膜設(shè)計(jì)圖案)的實(shí)際位置。因此，當(dāng)IC/TFT/LCD/CF/PCB的設(shè)計(jì)更復(fù)雜且更密集時(shí)，要追蹤或?qū)ふ页鲇晒庋谀ど系墓庋谀と毕菟斐傻木€路缺陷(如短路或斷路)，將會(huì)顯得更為困難。
另外，在完成光掩膜布局或制作后，光掩膜設(shè)計(jì)者通常需要進(jìn)行一看圖程序，即將光掩膜布局圖或缺陷分布位置圖提供給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶進(jìn)行檢視。為了執(zhí)行看圖程序，光掩膜設(shè)計(jì)者會(huì)通知IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶，并與其約定一特定時(shí)間及一特定地點(diǎn)而進(jìn)行此看圖程序。一般而言，看圖程序往往會(huì)造成IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶的不便，同時(shí)亦會(huì)造成太多不必要的時(shí)間與人力的浪費(fèi)。
因此，光掩膜設(shè)計(jì)者已發(fā)展出一計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，以使IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶能夠利用其個(gè)人計(jì)算機(jī)，并透過一網(wǎng)絡(luò)而連上由光掩膜設(shè)計(jì)者所提供的計(jì)算機(jī)服務(wù)器，藉以觀看已預(yù)先儲(chǔ)存在該計(jì)算機(jī)服務(wù)器中的光掩膜布局圖。該計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)給予IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶更多的便利，并因此而節(jié)省許多的時(shí)間及人力。此計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)可見于TW專利第154779號(hào)。
然而，該計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)僅提供光掩膜布局圖給IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶觀看，而并未提供任何信息，用以快速追蹤或?qū)ふ矣晒庋谀ど系墓庋谀と毕菟斐蒊C/TFT/LCD/CF/PCB的良率問題。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其提供一方式予檢測(cè)者確認(rèn)一光掩膜缺陷位于一晶圓的芯片陣列或位于一光電基板的單元陣列上的實(shí)際位置，以及更進(jìn)一步確認(rèn)該光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該芯片陣列或該單元陣列的一光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。另外，根據(jù)本發(fā)明的方法可實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，使得檢測(cè)者可通過該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)而放大該光掩膜缺陷，以能夠更進(jìn)一步確認(rèn)該光掩膜缺陷于該芯片陣列或該單元陣列上以及在該光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的形狀及大小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其中該方法提供一方式予檢測(cè)者確認(rèn)一光掩膜缺陷位于一芯片陣列或位于一單元陣列上的實(shí)際位置，以及更進(jìn)一步確認(rèn)該光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該芯片陣列或該單元陣列的一光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。根據(jù)本發(fā)明的方法，檢測(cè)者可快速追蹤或?qū)ふ矣晒庋谀ど系墓庋谀と毕菟斐蒊C/TFT/LCD/CF/PCB的良率問題。
為達(dá)上述的目的，該檢測(cè)光掩膜缺陷的方法包含下列步驟提供一圖像，該圖像包括一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案、至少一模擬的光掩膜缺陷以及一模擬的區(qū)塊陣列相互重疊；以及另一步驟檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的區(qū)塊陣列與位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置，使得檢測(cè)者不僅可確認(rèn)一實(shí)體的光掩膜缺陷位于一實(shí)體的區(qū)塊陣列上的實(shí)際位置，更可進(jìn)一步確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該區(qū)塊陣列的一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。根據(jù)本發(fā)明的方法，該區(qū)塊陣列可為一晶圓上的一芯片陣列或一光電基板上的一單元陣列。
根據(jù)本發(fā)明的方法可實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，使得檢測(cè)者可通過該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)而放大該光掩膜缺陷，以能夠更進(jìn)一步確認(rèn)該光掩膜缺陷的形狀及大小。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將配合所示附圖，作詳細(xì)說明。


圖1a至圖1f用以說明光掩膜上一些較常見的光掩膜缺陷。
圖2為一已知光掩膜圖的示意圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法的流程圖。
圖4a至圖4d用以說明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法。
圖5a為光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像與光掩膜缺陷分布位置圖像所合成的一重疊圖像。
圖5b為光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像與區(qū)塊陣列圖像所合成的一重疊圖像。
圖5c為光掩膜缺陷分布位置圖像與區(qū)塊陣列圖像所合成的一重疊圖像。
圖中符號(hào)說明10光掩膜12不透光區(qū)域14透光區(qū)域 16透光區(qū)域18孤立孔缺陷20不透光點(diǎn)缺陷22邊緣干擾缺陷 24邊緣凸塊缺陷26幾何斷裂缺陷 28幾何橋接缺陷100缺陷分布位置圖 102芯片陣列102a芯片104晶圓
106a、106b、106c光掩膜缺陷150、160、170、180、190、195步驟200光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像202模擬的不透光區(qū)域204模擬的透光圓形區(qū)域210光掩膜缺陷分布位置圖像212模擬的光掩膜缺陷 220區(qū)塊陣列圖像222模擬的區(qū)塊陣列230重疊圖像具體實(shí)施方式
圖3為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法的流程圖。根據(jù)本發(fā)明所提供的方法用以檢測(cè)形成于一光掩膜上的光掩膜缺陷，其中該光掩膜具有一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案以及數(shù)個(gè)實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上。于此實(shí)施例中，假設(shè)該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案由一實(shí)體的不透光區(qū)域以及復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)體的透光圓形區(qū)域所組成，并假設(shè)有五個(gè)實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上。本發(fā)明的實(shí)施例的方法包含了步驟150、160、170、180以及190，如圖3所示。
于步驟150中，一光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200被提供，如圖4a所示。該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200顯示一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，用以表示該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，且其由一模擬的不透光區(qū)域202以及復(fù)數(shù)個(gè)模擬的透光圓形區(qū)域204所組成，其中該模擬的不透光區(qū)域202用以表示該實(shí)體的不透光區(qū)域，而該復(fù)數(shù)個(gè)模擬的透光圓形區(qū)域204用以表示該復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)體的透光圓形區(qū)域。應(yīng)了解到，該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200的模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案僅用以說明本發(fā)明之一實(shí)施例，而其實(shí)際上會(huì)根據(jù)不同的電路設(shè)計(jì)而有不同的光掩膜設(shè)計(jì)圖案。
于步驟160中，一光掩膜缺陷分布位置圖像210被提供，如圖4b所示。該光掩膜缺陷分布位置圖像210顯示五個(gè)模擬的光掩膜缺陷212，用以表示該五個(gè)實(shí)體的光掩膜缺陷，其中該等模擬的光掩膜缺陷212通過五個(gè)標(biāo)記如星號(hào)所表示，且其根據(jù)該等實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置而分布于該光掩膜缺陷分布位置圖像210上。
于步驟170中，一區(qū)塊陣列圖像220被提供，如圖4c所示。該區(qū)塊陣列圖像220顯示一模擬的區(qū)塊陣列222，用以表示一晶圓的實(shí)體的芯片陣列或位于一光電基板的實(shí)體的單元陣列，其中該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案會(huì)轉(zhuǎn)移于該實(shí)體的芯片陣列或?qū)嶓w的單元陣列上。于此實(shí)施例中，該復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)體的透光圓形區(qū)域會(huì)各別對(duì)應(yīng)并轉(zhuǎn)移至該實(shí)體的芯片陣列或?qū)嶓w的單元陣列上的每個(gè)芯片或每個(gè)單元。
于步驟180中，該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200、該光掩膜缺陷分布位置圖像210以及該區(qū)塊陣列圖像220被重疊，以獲得一重疊圖像230，如圖4d所示。于該重疊圖像230中，每一模擬的透光圓形區(qū)域204位于該芯片陣列的每一芯片上，用以表示轉(zhuǎn)移在該實(shí)體的芯片陣列上的實(shí)體的透光圓形區(qū)域；再者，該五個(gè)模擬的光掩膜缺陷212位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上，用以表示該五個(gè)實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置。
于步驟190中，位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上與該模擬的區(qū)塊陣列222上的五個(gè)模擬的光掩膜缺陷212的位置會(huì)經(jīng)由檢測(cè)者(IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶)所檢測(cè)。于此步驟中，檢測(cè)者(IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶)可確認(rèn)并獲得該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案(即設(shè)計(jì)電路)以及位于該實(shí)體的芯片陣列或?qū)嶓w的單元陣列上的實(shí)際位置。例如檢測(cè)者可確認(rèn)該等實(shí)體的光掩膜缺陷位于編號(hào)為(1，2)、(2，1)、(2，5)、(4，0)、(4，4)的實(shí)體的芯片或?qū)嶓w的單元上，同時(shí)更可進(jìn)一步確認(rèn)該等實(shí)體的光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該等實(shí)體的芯片或該等實(shí)體的單元的光掩膜設(shè)計(jì)圖案(即設(shè)計(jì)電路)上的位置。于此一方式中，檢測(cè)者因而能夠快速追蹤或?qū)ふ矣晒庋谀ど系墓庋谀と毕菟斐蒊C/TFT/LCD/CF/PCB的良率問題。
根據(jù)本發(fā)明的方法，該光掩膜缺陷分布位置圖像210可經(jīng)由下列步驟獲得通過一高分辨率顯微鏡或一檢測(cè)機(jī)器而掃描該實(shí)體的光掩膜表面并擷取該實(shí)體的光掩膜的影像；觀察該光掩膜影像并記錄形成于該實(shí)體的光掩膜上的實(shí)體的光掩膜缺陷；以及根據(jù)該光掩膜影像中的實(shí)體的光掩膜缺陷在該光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的分布位置，并通過如一計(jì)算機(jī)繪制軟件，以繪制該光掩膜缺陷分布位置圖像210。另外，該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200與該區(qū)塊陣列圖像220可由所設(shè)計(jì)的光掩膜設(shè)計(jì)圖案或芯片陣列或單位陣列而獲得。
較佳地，本發(fā)明的方法可實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。例如該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200、該光掩膜缺陷分布位置圖像210以及該區(qū)塊陣列圖像220可預(yù)先儲(chǔ)存于該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一儲(chǔ)存裝置如硬盤中。接著，檢測(cè)者可通過安裝于該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的一看圖程序而觀看該等圖像200、210與220，并可經(jīng)由該看圖程序而重疊該等圖像200、210與220。更特別地，根據(jù)本發(fā)明的方法可實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，使得檢測(cè)者可利用其個(gè)人計(jì)算機(jī)而連接至光掩膜設(shè)計(jì)者所提供的一計(jì)算機(jī)服務(wù)器，其中該計(jì)算機(jī)服務(wù)器中安裝有該看圖程序，用以觀看該些圖像。
本發(fā)明的方法可另包含一步驟195。于步驟195中，該模擬的光掩膜缺陷212可被放大，使得檢測(cè)者可更進(jìn)一步確認(rèn)每一實(shí)體的光掩膜缺陷的形狀及大小。該步驟195亦可經(jīng)由上述的看圖程序而執(zhí)行。于本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該步驟195為選擇該模擬的光掩膜缺陷212并顯示該被選擇的光掩膜缺陷212的實(shí)體的光掩膜缺陷影像，使得檢測(cè)者可更進(jìn)一步確認(rèn)每一實(shí)體的光掩膜缺陷于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際形狀與大小。步驟195可經(jīng)由上述的看圖程序而執(zhí)行。例如，由該看圖程序所顯示的每一模擬的光掩膜缺陷212可連結(jié)至其實(shí)體的光掩膜缺陷影像，其中該實(shí)際的光掩膜缺陷影像可通過如一高分辨率顯微鏡或一檢測(cè)機(jī)器而擷取到；之后，當(dāng)檢測(cè)者選擇/點(diǎn)選(click)該模擬的光掩膜缺陷212時(shí)，其實(shí)體的光掩膜缺陷影像會(huì)因此而被顯示出。該“選擇/點(diǎn)選”的技術(shù)術(shù)語是指檢測(cè)者使用該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一輸入裝置(如鼠標(biāo))去選擇顯示在一計(jì)算機(jī)屏幕上的該模擬的光掩膜缺陷212。
應(yīng)了解到，步驟150、160及170的執(zhí)行順序并不限于此實(shí)施例中，任何其它的執(zhí)行順序仍可達(dá)到本發(fā)明相同的目的。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該檢測(cè)光掩膜缺陷的方法另包含下列一步驟選擇性地將該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200、該光掩膜缺陷分布位置圖像210以及該區(qū)塊陣列圖像220中的至少一圖像由該重疊圖像230移除。此步驟亦同樣可通過上述的看圖程序而執(zhí)行。在此步驟中，檢測(cè)者可選擇性地觀看該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200、該光掩膜缺陷分布位置圖像210以及該區(qū)塊陣列圖像220中的任一圖像，或者觀看該等圖像200、210以及220中的任兩圖像的重疊，如圖5a至圖5c所示。圖5a為該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200及該光掩膜缺陷分布位置圖像210的重疊圖像。圖5b為該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像200及該區(qū)塊陣列圖像220的重疊圖像。圖5c為該光掩膜缺陷分布位置圖像210及該區(qū)塊陣列圖像220的重疊圖像。
于本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該檢測(cè)光掩膜缺陷的方法包含下列步驟提供如圖4d所示的一圖像，其包含了一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，至少一模擬的光掩膜缺陷及一模擬的芯片陣列或一模擬的單元陣列相互重疊；以及檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案或位于該模擬的芯片陣列或該模擬的單元陣列上的位置，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案或位于該實(shí)體的芯片陣列或位于該實(shí)體的單元陣列上的實(shí)際位置。于此實(shí)施例中，該檢測(cè)光掩膜缺陷的方法另包含了一步驟放大該模擬的光掩膜缺陷，使得檢測(cè)者可更進(jìn)一步確認(rèn)每一實(shí)體的光掩膜缺陷的形狀及大小?；蛘撸摲椒闪戆徊襟E選擇該模擬的光掩膜缺陷并顯示該被選擇的光掩膜缺陷的實(shí)體的光掩膜缺陷影像。該上述步驟與上述實(shí)施例中的步驟相似，且因此可通過相同的方式實(shí)現(xiàn)或執(zhí)行。
應(yīng)了解到，根據(jù)本發(fā)明的方法可用以檢測(cè)一光掩膜的光掩膜缺陷，其中該光掩膜用于形成圖案在一晶圓或一光電基板如LCD的玻璃基板上；通過此方法，使得檢測(cè)者(IC/TFT/LCD/CF/PCB設(shè)計(jì)者或客戶)可確認(rèn)并得到實(shí)體的光掩膜缺陷位于實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案(即設(shè)計(jì)電路)及位于該晶圓的一芯片陣列或位于該光電基板的一單元陣列上的實(shí)際位置。
雖然本發(fā)明已以前述實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與修改。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所述的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，用以檢測(cè)一光掩膜，該光掩膜具有一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案以及至少一實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上，其特征是，該方法包含下列步驟提供一光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像，其顯示一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，用以表示該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案；提供一光掩膜缺陷分布位置圖像，其顯示至少一模擬的光掩膜缺陷，用以表示該實(shí)體的光掩膜缺陷；重疊該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像與該光掩膜缺陷分布位置圖像；以及檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟通過安裝于該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的一看圖程序而執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，使得一檢測(cè)者可利用其個(gè)人計(jì)算機(jī)而連接至一計(jì)算機(jī)服務(wù)器，其中該計(jì)算機(jī)服務(wù)器安裝有該看圖程序，用以觀看該等圖像。
5.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟放大位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的模擬的光掩膜缺陷，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)體的形狀及大小。
6.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟選擇該模擬的光掩膜缺陷并顯示該實(shí)體的光掩膜缺陷的影像，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)體的形狀及大小。
7.一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，用以檢測(cè)一光掩膜，該光掩膜具有一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案以及至少一實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上，其特征是，該方法包含下列步驟提供一光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像，其顯示一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，用以表示該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案；提供一光掩膜缺陷分布位置圖像，其顯示至少一模擬的光掩膜缺陷，用以表示該實(shí)體的光掩膜缺陷；提供一區(qū)塊陣列圖像，其顯示一模擬的區(qū)塊陣列，用以表示一基板上的一實(shí)體的區(qū)塊陣列，其中該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案用以轉(zhuǎn)移在該實(shí)體的區(qū)塊陣列上；重疊該光掩膜缺陷分布位置圖像與至少一該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像及該區(qū)塊陣列圖像，藉此得到一重疊圖像；以及檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于至少一該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上及該模擬的區(qū)塊陣列上的位置，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于至少一該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上及該實(shí)體的區(qū)塊陣列上的實(shí)際位置。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該基板為一晶圓與一光電基板兩者之一，而該實(shí)體的區(qū)塊陣列為該晶圓上的一實(shí)體的芯片陣列與該光電基板上的一實(shí)體的單元陣列兩者之一。
9.如權(quán)利要求7所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟通過安裝于該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的一看圖程序而執(zhí)行。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，使得一檢測(cè)者可利用其個(gè)人計(jì)算機(jī)而連接至一計(jì)算機(jī)服務(wù)器，其中該計(jì)算機(jī)服務(wù)器安裝有該看圖程序，用以觀看該等圖像。
12.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟放大位于至少一該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上及該模擬的區(qū)塊陣列上的模擬的光掩膜缺陷，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于至少一該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上及該實(shí)體的區(qū)塊陣列上的實(shí)體的形狀及大小。
13.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟選擇該模擬的光掩膜缺陷并顯示該實(shí)體的光掩膜缺陷的影像，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)體的形狀及大小。
14.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟選擇性地將至少一該光掩膜設(shè)計(jì)圖案圖像、該光掩膜缺陷分布位置圖像及該區(qū)塊陣列圖像由該重疊圖像移除。
15.一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，用以檢測(cè)一光掩膜，該光掩膜具有一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案以及至少一實(shí)體的光掩膜缺陷形成于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上，其特征是，該方法包含下列步驟提供一圖像，其包含一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，用以表示該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案，以及至少一模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上，用以表示該實(shí)體的光掩膜缺陷；以及檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。
16.如權(quán)利要求15所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上。
17.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟通過安裝于該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的一看圖程序而執(zhí)行。
18.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該上述步驟實(shí)現(xiàn)于一計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，使得一檢測(cè)者可利用其個(gè)人計(jì)算機(jī)而連接至一計(jì)算機(jī)服務(wù)器，其中該計(jì)算機(jī)服務(wù)器安裝有該看圖程序，用以觀看該等圖像。
19.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟放大位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的模擬的光掩膜缺陷，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)體的形狀及大小。
20.如權(quán)利要求15所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該圖像另包含一模擬的區(qū)塊陣列，用以表示一基板上的一實(shí)體的區(qū)塊陣列，其中該實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案用以轉(zhuǎn)移在該實(shí)體的區(qū)塊陣列上。
21.如權(quán)利要求20所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，該基板為一晶圓與一光電基板兩者之一，而該實(shí)體的區(qū)塊陣列為該晶圓上的一實(shí)體的芯片陣列與該光電基板上的一實(shí)體的單元陣列兩者之一。
22.如權(quán)利要求20所述的檢測(cè)光掩膜缺陷的方法，其特征是，另包含一步驟檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的區(qū)塊陣列上的位置，藉此確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于該實(shí)體的區(qū)塊陣列上的實(shí)際位置。
全文摘要
一種檢測(cè)光掩膜缺陷的方法包含下列步驟提供一圖像，該圖像包括一模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案、至少一模擬的光掩膜缺陷以及一模擬的芯片(或單元)陣列相互重疊；以及另一步驟檢測(cè)該模擬的光掩膜缺陷位于該模擬的芯片(或單元)陣列與位于該模擬的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的位置，使得檢測(cè)者不僅可確認(rèn)一實(shí)體的光掩膜缺陷位于一晶圓的實(shí)體的芯片陣列(或位于一光電基板的實(shí)體的單元陣列)上的實(shí)際位置，更可進(jìn)一步確認(rèn)該實(shí)體的光掩膜缺陷位于轉(zhuǎn)移在該芯片陣列(或單元陣列)的一實(shí)體的光掩膜設(shè)計(jì)圖案上的實(shí)際位置。
文檔編號(hào)G01N21/88GK1828857SQ20051005311
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2005年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月2日
發(fā)明者何明豐, 張頤文 申請(qǐng)人:盟圖科技股份有限公司