專利名稱：掩膜版的顯影方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于掩膜版制作技術(shù)，尤其涉及一種掩膜版的顯影方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路制造工藝的飛速發(fā)展，45和32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)已成為近兩年人 們談?wù)摰臒狳c(diǎn)，作為集成電路制造工藝中最關(guān)鍵的光刻工藝首當(dāng)其沖成為熱點(diǎn) 中的焦點(diǎn)。浸入式光刻(Immersion)、兩次曝光技術(shù)(Double Patterning)、超紫外 光刻(EUV)獲得廣泛的應(yīng)用，而掩膜版制作技術(shù)是光刻工藝三要素之一。掩膜 版如同投影用的電影膠片的底片 一樣，它的技術(shù)水平直接影響著光刻技術(shù)的發(fā) 展。隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷提升，掩膜版的制造成本也呈直線攀升。
在掩膜版制作過(guò)程中，顯影是非常關(guān)4定的一道工序，即通過(guò)顯影工序，將 掩膜版上通過(guò)曝光機(jī)曝光后的圖形成型，并能精確控制圖形線條的精度。
現(xiàn)有技術(shù)中一般通過(guò)自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行顯影處理。但掩膜版的自動(dòng)化顯影、 蝕刻設(shè)備屬于特種化工設(shè)備，價(jià)格昂貴，且受到夾具限制，較難適合各種尺寸 的生產(chǎn)。因此，對(duì)于專業(yè)掩膜版生產(chǎn)商來(lái)說(shuō)，需要一種簡(jiǎn)易可行的顯影處理方 法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種操作簡(jiǎn)易、成本低的掩膜版的顯影方法。 一種掩膜版的顯影方法，其包括以下步驟
將顯影液加入藥液槽中，并加熱藥液槽中的顯影液使其保持在恒定溫度； 將曝光好的掩膜版放入藥液槽內(nèi)，保持掩膜版在藥液槽內(nèi)液面以下； 使掩膜版在液面以下移動(dòng)，浸泡掩膜版于顯影液中進(jìn)行顯影。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述掩膜版的顯影方法將掩膜版浸泡于恒溫的藥液槽顯 影液中，使掩膜版在顯影液的液面以下移動(dòng)，進(jìn)行顯影，整個(gè)顯影過(guò)程操作簡(jiǎn) 單易行，無(wú)需昂貴的自動(dòng)化設(shè)備，由此大大降低工藝成本。而且，在顯影過(guò)程 中通過(guò)移動(dòng)掩膜版，使顯影過(guò)程中的掩膜版內(nèi)的樹(shù)脂能和顯影液一直保持反應(yīng)， 能使顯影圖案線條精度達(dá)到所需的精度要求。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版的顯影方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí) 施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅 僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
請(qǐng)參閱圖1,為本發(fā)明實(shí)施例的掩膜版的顯影方法流程圖，該顯影方法包
括以下步驟
S01:將顯影液加入藥液槽中，并加熱藥液槽中的顯影液使其保持在恒定 溫度；
S02:將曝光好的掩膜版放入藥液槽內(nèi)，保持掩膜版在藥液槽內(nèi)液面以下； S03:使掩膜版在液面以下移動(dòng)，浸泡掩膜版于顯影液中進(jìn)行顯影。 在步驟S01中，顯影液采用四曱基氫氧化氨(Tetramethyl Ammonium Hydroxide,簡(jiǎn)稱為TMAH),分子式為(CH3) 4NOH。 TMAH的質(zhì)量濃度約 為25-30%,每次顯影時(shí)使用新鮮的顯影液。而且在進(jìn)行本步驟之前，先用去離 子水清洗聚氯乙烯制作的化學(xué)藥液槽，該藥液槽可以是一個(gè)恒溫加熱槽，即具 有加熱恒溫功能；開(kāi)啟藥液槽的加熱功能，將藥液槽加熱并保持在恒溫，其溫 度設(shè)定在22-25。C;然后將TMAH加入藥液槽內(nèi)溫?zé)?，根?jù)藥液槽的大小，需 保證顯影液的深度約為8-15cm左右，等待顯影液溫?zé)峒s30分鐘后，具體時(shí)間
根據(jù)顯影液的體積而定，使顯影液維持在設(shè)定溫度，即22-25。C。
在準(zhǔn)備好顯影液后，進(jìn)行步驟S02，即將曝光好的掩膜版先用一邊側(cè)滑入 藥液槽內(nèi)，同時(shí)保持掩膜版水平浸泡在液面以下5-8cm的深度。然后使掩膜版 保持5-8cm的浸泡深度，同時(shí)顯影過(guò)程中保持約3-5mm/s左右的速度水平左右 移動(dòng)掩膜版，以消除在顯影過(guò)程中產(chǎn)生的氣泡現(xiàn)象。才艮據(jù)曝光量的不同，浸泡 顯影時(shí)間為50-70秒。
在整個(gè)顯影操作過(guò)程各個(gè)步驟中，都可以通過(guò)手工操作完成，例如，通過(guò) 手持掩膜版，將其一邊側(cè)先滑入藥液槽內(nèi)，同時(shí)雙手把持掩膜版，使其浸泡在 液面以下5-8cm的深度，同時(shí)用手左右來(lái)回移動(dòng)掩膜版，使顯影過(guò)程中的掩膜 版能和顯影液一直保持反應(yīng)，并且可選擇較大的藥液槽，以針對(duì)大面積的掩膜 版，如大面積石英鉻版進(jìn)行顯影。本實(shí)施例能達(dá)到在20英寸x24英寸尺寸以內(nèi) 的各種掩膜版尺寸面積內(nèi)，顯影圖案線條精度達(dá)到0.5微米精度的要求。
本發(fā)明實(shí)施例的掩膜版的顯影方法可適用于大面積石英鉻版，并針對(duì)大面 積石英鉻版的尺寸大、精度高的特點(diǎn)，針對(duì)性進(jìn)行相關(guān)顯影液及其濃度的選擇、 顯影方式等各種條件控制，并在顯影過(guò)程中通過(guò)一定的手法移動(dòng)掩膜版，使顯 影過(guò)程中的光刻膠內(nèi)的樹(shù)脂能和顯影液一直保持反應(yīng)，并且最終能達(dá)到大面積 掩膜版的顯影，且線條精度達(dá)到0.5微米精度的要求。
本發(fā)明實(shí)施例的掩膜版的顯影方法將掩膜版浸泡于恒溫的藥液槽顯影液 中，使掩膜版在顯影液的液面以下移動(dòng)，進(jìn)^^顯影，整個(gè)顯影過(guò)程操作簡(jiǎn)單易 行，無(wú)需昂貴的自動(dòng)化設(shè)備，由此大大降低工藝成本。而且，在顯影過(guò)程中通 過(guò)移動(dòng)掩膜版，使顯影過(guò)程中的掩膜版內(nèi)的樹(shù)脂能和顯影液一直保持反應(yīng)，能 使顯影圖案線條精度達(dá)到預(yù)定要求。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā) 明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種掩膜版的顯影方法，其包括以下步驟:將顯影液加入藥液槽中，并加熱藥液槽中的顯影液使其保持在恒定溫度；將曝光好的掩膜版放入藥液槽內(nèi)，保持掩膜版在藥液槽內(nèi)液面以下；使掩膜版在液面以下移動(dòng)，浸泡掩膜版于顯影液中進(jìn)行顯影。
2、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述顯影液在藥 液槽內(nèi)的深度為8-15厘米。
3、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述藥液槽為恒 溫加熱槽，其在顯影液加入之前進(jìn)行預(yù)熱并保持在所述恒定溫度，然后將顯影 液加入藥液槽內(nèi)進(jìn)4亍溫?zé)帷?br> 4、 如權(quán)利要求3所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述預(yù)熱的溫度 為22-25°C。
5、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述顯影液包含 質(zhì)量濃度為25-30%的四曱基氫氧化氨。
6、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述掩膜版放入 藥液槽內(nèi)、在液面以下移動(dòng)及其顯影過(guò)程都通過(guò)手工進(jìn)行操作。
7、 如權(quán)利要求1所迷的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述掩膜版水平 浸泡于顯影液的液面以下5-8厘米的深度。
8、 如權(quán)利要求1所迷的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述掩膜版在液 面以下作水平移動(dòng)，所述水平移動(dòng)速度為3-5毫米/秒。
9、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，所述掩膜版浸泡 于顯影液中進(jìn)行顯影的時(shí)間為50-70秒。
10、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版的顯影方法，其特征在于，在每次顯影完 成后，清洗藥液槽，然后再加入新鮮的顯影液。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種掩膜版的顯影方法，該方法包括以下步驟將顯影液加入藥液槽中，并加熱藥液槽中的顯影液，使其保持在恒定溫度；將曝光好的掩膜版放入藥液槽內(nèi)，保持掩膜版在藥液槽內(nèi)液面以下；使掩膜版在液面以下移動(dòng)，浸泡掩膜版于顯影液中進(jìn)行顯影。該掩膜版的顯影方法將掩膜版浸泡于恒溫的藥液槽顯影液中，使掩膜版在顯影液的液面以下移動(dòng)，進(jìn)行顯影，整個(gè)顯影過(guò)程操作簡(jiǎn)單易行，無(wú)需昂貴的自動(dòng)化設(shè)備，由此大大降低工藝成本。而且，在顯影過(guò)程中通過(guò)移動(dòng)掩膜版，使顯影過(guò)程中的掩膜版能和顯影液一直保持反應(yīng)，使顯影圖案線條精度達(dá)到預(yù)定要求。
文檔編號(hào)G03F7/30GK101382742SQ20081021671
公開(kāi)日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
發(fā)明者熊啟龍 申請(qǐng)人:清溢精密光電(深圳)有限公司