技術(shù)特征：

1.一種硅基異質(zhì)結(jié)遂穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，包括：

一N型摻雜的硅半導體層；

一本征的硅基半導體層；

一P型硅鍺過渡層；

一P型鍺半導體層；

一在本征半導體層上生長的氧化鉿介質(zhì)層；

一在氧化鉿介質(zhì)層上形成的柵金屬電極；

一在P型鍺半導體材料上形成的源電極；

一在N型摻雜的硅半導體層上形成的漏電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基異質(zhì)結(jié)遂穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于P型硅鍺過渡層厚度為16納米，材料結(jié)構(gòu)為Si_0.8Ge_0.2(4納米)，Si_0.5Ge_0.5(4納米)，Si_0.3Ge_0.7(4納米)，Si_0.2Ge_0.8(4納米)，摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基異質(zhì)結(jié)遂穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于P型鍺半導體層的厚度為5納米，摻雜濃度為5×10¹⁹cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基異質(zhì)結(jié)遂穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于本征半導體層上的氧化鉿介質(zhì)層厚度為3納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基異質(zhì)結(jié)遂穿場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于柵金屬電極為鎢金屬，采用ICP刻蝕的方法在垂直結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成金屬電極。