專利名稱：用于井下流體的元素分析的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及井下流體試樣的成分分析。更具體地說。本發(fā)明涉及
井下試樣的元素分析，例如通過激光分解光譜學(LIBS)、火花分解光 語學(SIBS)或一些類似的等離子產(chǎn)生和光發(fā)射分析技術(shù)可以對它們的 構(gòu)成成分進行分析。
背景技術(shù)：
具有許多這樣的情況，其中需要或希望獲得試樣材料的基本上瞬 時的與/或即刻的較多的或微量的成分分析。試樣材料可以包括地質(zhì)試 樣、土壤試樣、粉末冶金、陶瓷、食物、藥物以及許多其它材料。需 要測試這些材料的組成成分的理由是很多的。碳氫化合物生產(chǎn)是昂貴 的，并且已知，由于不希望的元素例如硫的含量而被認為是不能開采 的地層， 一個含有碳氫化合物的特定地層的生產(chǎn)是不可能的。區(qū)域劃 分也是在碳氫化合物生產(chǎn)期間遇到的問題，這種區(qū)域劃分的存在是影 響涉及數(shù)百萬元的生產(chǎn)費用的生產(chǎn)決定的有價值的知識。
當前尚未知用于井下元素分析的方法和設(shè)備。進行地層流體的井
有用的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于進行井下地層流體的元素分析的方法和設(shè) 備。本發(fā)明使用分解光譜學提供井下地層流體的元素分析。在井下測 試流體中引入等離子體。分析等離子體的發(fā)射以確定被測流體的成 分。所述的發(fā)射包括但不限于光譜中的紫外、可見以及近紅外區(qū)中的 光。提供一個光譜儀用于井下流體的元素和成分分析。成分分析產(chǎn)生關(guān)于流體以及流體所在地層的信息。在本發(fā)明的一個方面中，提供一 種用于對地層流體試樣進行激光致分解的方法和設(shè)備。在本發(fā)明的另 一個方面，提供一種用于進行火花致分解光諳分析的方法和設(shè)備。在
實驗室中在室溫下在空氣中如何應(yīng)用分解光i普學是本領(lǐng)域熟知的。不 過，在井下應(yīng)用這個技術(shù)面臨著若干個挑戰(zhàn)。首先，井下流體一般處 于10-20 kpsi的極高的壓力下。因此，為了在井下應(yīng)用這種技術(shù)， 必須在足夠短的時間間隔內(nèi)在足夠小的體積上施加足夠的能量(例如 通過使用足夠強的激光或火花)，從而使溫度充分升高(大約 10000°C)，使得等離子體內(nèi)的壓力超過流體內(nèi)的壓力。用這種方式， 使得能夠在高壓流體內(nèi)形成等離子的小泡。第二，必須能夠檢測來自 所述等離子小泡的光，即使這種小泡沉浸在強烈吸收等離子小泡發(fā)出 的光的黑暗的流體內(nèi)(例如原油)。


通過參照附圖閱讀下面的詳細說明，可以清楚地看出本發(fā)明的目 的和優(yōu)點，其中
圖1表示本發(fā)明的示例的實施例，其表示通過窗口和流體相互作 用的激光致分解光譜設(shè)備；
圖2表示本發(fā)明的示例的實施例，其表示被插入流體內(nèi)并和流體 相互作用的激光致分解光譜設(shè)備；
圖3表示本發(fā)明的示例的實施例，其表示被插入流體內(nèi)并和流體 相互作用的火花致分解光譜設(shè)備；
圖4表示本發(fā)明的示例的實施例，通過一個輸送機構(gòu)被在井下使
用；
圖5表示本發(fā)明的示例的實施例，其和分布導管相關(guān)聯(lián)地被使
用；
圖6表示由本發(fā)明的示例的實施例執(zhí)行的功能和操作；以及 圖7更詳細地示意地表示火花致分解光譜設(shè)備。
具體實施例方式
本發(fā)明允許用不同形式的實施例來實施。附圖中示出了本發(fā)明的 特定實施例，現(xiàn)在對其進行詳細說明。應(yīng)當理解，這些實施例是用于 說明本發(fā)明的原理的例子，本發(fā)明并不限于這些實施例。具體地說， 本發(fā)明的不同實施例提供了若干個不同的結(jié)構(gòu)和操作方法，不脫離本 發(fā)明的教導和構(gòu)思，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出各種改變。應(yīng)當充分認 識到，下面討論的實施例的不同的教導可被單獨的使用，或者用任何 合適的組合被使用，以產(chǎn)生所需的結(jié)果。
本發(fā)明通過使用火花或者通過把激光束施加于目標試樣，并進行
激光致分解光鐠分析(LIBS)或者激光致等離子光譜分析(LIPS)，進行 井下的、在原地進行的主要成分和雜質(zhì)分析，來提供一種用于產(chǎn)生等 離子的方法和設(shè)備。本發(fā)明提供一種用于收集來自等離子泡的光的方 法，其中或者在井下流體和光窗口之間的界面上產(chǎn)生等離子泡，或者 在光纖的尖端產(chǎn)生等離子泡。分解光譜技術(shù)的靈敏度隨元素而改變。 對于Be， Mg， Cr， Fe， Ag, Hg，可以預計可檢測的最小靈敏度小 于lppm，對于Li， B， Na， Cl， Ca, Ti, Mn， Ni， Cu， Zn， Sr， Ba， Pb， Th為l-10ppm;對于C， F， Al, Si， S, K， Co， Ga， Rb， Zr, Nb， Tc, Pd， Cd, Sn， Cs， Eu, Pt， Tl為10 - 100 ppm; 對于P， V, Ge, As, Mo， I， Au， Bi為100-500 ppm;對于Y， In， Sb， Te, Hf， W為500 ppm以上。分解光i普4支術(shù)只定性地用于 H， N， O， Ar, Sc， Ru, Rh， Gd， Er， Re， U, Pu,和Am。
LIBS是用于確定各種固體、液體和氣體的元素成分的一種有用 的方法。參見圖1，在使用LIBS技術(shù)的本發(fā)明的示例的實施例100 中，大功率的激光脈沖20聚焦在試樣30上，從而在測試點或焦點區(qū) 域產(chǎn)生等離子體或激光火花。在焦點區(qū)域中的火花產(chǎn)生高密度的等離 子熱柱(plume) 26，其產(chǎn)生和激發(fā)各種原子的元素。利用準直透鏡 或光纖光學裝置可以收集來自等離子的原子發(fā)射24，并用光譜儀和門 控檢測器進行分析。可以使用原子的光鐠線來確定試樣中的元素的濃 度或元素成分。這種分析類似于用感應(yīng)耦合的等離子(ICP)分析儀進行
7的分析，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的。激光源28對探針22提供激 光脈沖，分光儀/處理器電子電路32處理和分析從等離子收集的發(fā)射。 探針22通過窗口 32可以和流體導管42內(nèi)部的流體3相互作用，或 者探針22可以插入流體30內(nèi)，如圖2所示。激光脈沖通過光導管例 如光纜34提供給探針22。光導管34也可以收集從等離子26發(fā)射的 光，并把收集的光提供給分光儀處理器電子電路32。在電子電路32 中進行預調(diào)節(jié)和門控。
可以使用各種激光器施加LIBS，不過一般使用受激準分子激光 器或脈沖Nd: Yag激光器。也可以使用氣體管或二極管激光器。和 試樣30相互作用的高強度激光脈沖20產(chǎn)生等離子熱柱26，其隨時間 從入射激光脈沖的撞擊點22發(fā)展。該激光脈沖的持續(xù)時間通常小于 20納秒。來自等離子熱柱26的發(fā)射24由檢測系統(tǒng)收集和分析。 一般 在離開試樣30 —定距離處收集發(fā)射24，以便減少自吸收效應(yīng)或表面 效應(yīng)對數(shù)據(jù)的影響。在理想情況下，產(chǎn)生的等離子全部分解試樣的化 學鍵，并電離許多組成元素。作為隨后的組分受激的核素松馳的結(jié)果， 發(fā)生光謙發(fā)射。
為了更詳細地說明LIBS裝置和技術(shù)，參見Singh等人的名稱為 Analytical Method using Laser Induced Breakdown Spectroscopy的 美國專利US 5751416，通過引用其全部內(nèi)容被包括在本說明中。
本發(fā)明對于從鉆井中提取的地層流體的分析或者用于分析在鉆 井操作時被配置在鉆柱或撓性油管中的被監(jiān)視的流體。在本說明中使 用的流體這個術(shù)語指的是氣體、流體或氣體、流體的多相混合物，以 及懸浮在其中的凝聚物或顆粒。在另一個實施例中，本發(fā)明還可以被 配置在管線中用于分析管線中輸送的流體。在每種情況下，提供LIBS 裝置用于進行和配置環(huán)境相關(guān)聯(lián)的流體的元素分析。類似地，可以使 用火花致火花光鐠學(SIBS)裝置代替進行流體的元素分析的LIBS裝 置。元素分析使得本發(fā)明能夠估計流體的成分，并估計流體所在的地 層的特性。
火花致分解光譜學(SIBS)、激光致等離子光譜學(LIPS)或者更通常所說的激光致分解光譜學(LIBS)，是原子發(fā)射光譜學的一種形式， 其中使用脈沖激光作為激發(fā)源。脈沖激光器的輸出例如Q轉(zhuǎn)換的 Nd:YAG被聚焦在要被分析的材料中或其表面上。關(guān)于激光脈沖的持 續(xù)時間，其一般為10-20納秒，僅僅使用小型激光裝置和簡單的聚 焦透鏡，在材料表面上的功率密度可以超過每平方厘米1千兆瓦。
在這極高的功率密度下，借助于被稱為激光切除的處理，從表面 噴出材料的微觀圖的一部分，并在材料表面形成短時但瞬時溫度達 10000'C的高亮度的等離子體。在熱的等離子體內(nèi)，被噴出的材料被 分離成受激的離子和原子核素。在激光脈沖結(jié)束時，隨著等離子體以 超聲的速度向外擴展而使其快速冷卻。在此期間，當它們回復到較低 的能量狀態(tài)時，受激的離子和原子發(fā)射特征光輻射?？梢岳妹舾械?光鐠攝影進行光輻射的檢測和光譜分析，從而產(chǎn)生關(guān)于材料的化學成 分的信息。
在電子裝置32中使用時間選通的檢測器，其允許在激光脈沖之 后以某個時間延遲記錄激光等離子體的光發(fā)射。這是需要的，因為特 征原子和離子的發(fā)射線只在等離子體膨脹和冷卻之后開始出現(xiàn)。
通過光纖收集等離子熱點發(fā)射，并通過包括分光儀的檢測系統(tǒng)進 行分析。通過產(chǎn)生的熱的等離子體打斷試樣的化學鍵，并電離其構(gòu)成 元素。在組分的受激核素松馳之后，發(fā)生光鐠發(fā)射。光譜發(fā)射線的定 時隨試樣的種類而改變，但是也隨到等離子體中心的距離而改變。入 射激光的波長也是一個因素。等離子體的發(fā)展以及其內(nèi)容的改變以微 秒的時標進行。LIBS設(shè)備也可以用于激光致熒光光譜學(LIF)。
在LIBS中，小體積的目標流體被聚焦的脈沖激光束強烈地加熱， 因而呈現(xiàn)瞬變等離子狀態(tài)，其中試樣的成分基本上還原成單個原子。 在高溫等離子中，原子被電離，或者呈受激狀態(tài)。這種狀態(tài)的衰退由 發(fā)射輻射表征，這在電磁頻鐠的紫外(UV)、可見和近紅外區(qū)域(NIR) 中被觀察到。UV、可見以及NIR光發(fā)射的分光儀處理使得能夠進井 下行測試流體的組分和元素分析。
LIBS裝置包括用于提供例如20納秒或更短的持續(xù)時間的短脈沖的激光器。因為這個時間是如此之短，使得只需要施加小的能量，
例如每個脈沖10微焦耳(mj)，而達到非常高的功率水平(每單位時間 的能量)。在本例中通過光纜提供光學裝置。光纜(其可以在大部分 長度上涂鍍金屬，以用于火花致分解光i普學)作為LIBS激光源，其 具有開口端用于把激光脈沖提供給被研究的流體。還提供用于捕獲在 激光束入射的區(qū)域內(nèi)由被研究的流體發(fā)射的光的光學裝置。還提供分 光儀用于檢測和分離來自不同元素和離子的光。在撞擊流體試樣之 后，形成等離子體，由等離子體發(fā)出的光產(chǎn)生在流體中包含的元素的 痕跡。
在本例中LIBS激光源和LIBS光收集器被組合在一個光纖中， 不過也可以被分成單獨的光纖。LIBS激光源和LIBS光收集器中的任 何一個或兩者可被插入被研究的流體內(nèi)，或者可以通過允許透過發(fā)出 的與/或收集的光的窗口向流體發(fā)送光或者從流體收集光。
LIBS設(shè)備基本上對于所有元素是敏感的，根據(jù)試樣和相關(guān)的元 素，敏感程度隨一般把檢測限制于每百萬0.1-200份的數(shù)量級而不同。 本發(fā)明使得能夠進行若干個復雜的分析，包括但不限于在鉆井操作期 間確定成分、流體的來源、流體的產(chǎn)生和流體的分配。
如圖1所示，LIBS激光源28包括光纖34，其向被研究的流體 30的特定位置傳送激光脈沖20，并收集在對流體施加激光脈沖之后 在流體中形成的等離子體發(fā)射的光。等離子體26由高強度激光脈沖 誘發(fā)或產(chǎn)生。對于火花致分解光譜學(SIBS)，可以在大部分光纖上涂 鍍金屬涂層21，使得除去尖端23之外，大部分長度是導電的。此夕卜， 光纖的尖端23也可以涂鍍光學上透明的但導電的涂層(例如錫氧化 物或銦錫氧化物)。在流體中在電場超過該流體的擊穿場強的位置產(chǎn) 生火花。為有助于火花的產(chǎn)生，對于任何給定的電壓，可以通過減少 電極的曲率半徑來增加局部電場強度。導體周圍的電場隨該導體的曲 率半徑成反比地增加。因此，對于給定的電壓，可以通過在這樣一個 光纜和金屬板或金屬針之間產(chǎn)生火花，可以增強火花的產(chǎn)生，該光纜 的尖端被弄尖而成為一個點，并涂覆光學透明的但導電的涂層25。光
10纖23的端部是透光的，以便允許激光脈沖進入流體30。利用高強度 激光脈沖20在流體中誘發(fā)等離子體26。然后光學探針的端部23收集 等離子發(fā)出的光，并使收集的光經(jīng)過光導管34到達分光儀/處理器電 子電路分析系統(tǒng)32。
在圖3所示的另一個實施例中，電極36誘發(fā)火花到流體30內(nèi)。 火花在流體中誘發(fā)或產(chǎn)生等離子體26。光學探針的端部23收集在流 體中形成的等離子發(fā)出的光，并使收集的光經(jīng)過光導管34到達光語 儀/處理器電子電路分析系統(tǒng)32。借助于高強度激光脈沖產(chǎn)生等離子 體。在光纖的大部分上涂鍍有金屬，并且在其尖端可以具有導電的但 是光學透明的涂層(例如錫的氧化物或銦錫氧化物)。光導管或光纖 的端部23是透光的，以便收集火花致等離子的光，并把收集的光提 供給分光儀進行分析。借助于高強度激光脈沖在流體中產(chǎn)生等離子 體。圖7示出了電極36的更詳細的示意的表示。如圖7所示，探針 22可以具有尖端23，其上涂覆有透光材料25。除去尖端之外的探針 22的部分涂覆有金屬涂層21。如圖7所示，電極可以具有被整形的 或者尖的端部37，以增強其在地層流體中產(chǎn)生的電場，以便產(chǎn)生火花。
元素分析對于在勘探、生產(chǎn)、鉆井和輸送操作中用于確定流體的 源是有用的。在勘探中，可以知道哪個碳氫化合物區(qū)對于生產(chǎn)最經(jīng)濟。 含有高量的硫的碳氫化合物需要附加處理來除去硫，使得她們具有較 小的價值。類似地，需要附加處理以除去汞，隨著更嚴格的環(huán)境條例 付諸實施，這將變得越來越重要，其中要求在精煉的石油產(chǎn)品中汞的 濃度為十億分之幾。此外，具有高量的鎳或釩的碳氫化合物具有較小 的價值，因為這些元素可以破壞精煉廠用于處理原油的昂貴的催化劑 (每個催化單元可以超過百萬美元或更多)。此外，來自不同井的流
體或者來自同一個井不同深度的流體可以進行比較，以確定油層的區(qū) 域劃分。在生產(chǎn)中，特定區(qū)域的化學成份隨時間的改變可以表示油田 的排泄已經(jīng)開始擴展到一個新的油層區(qū)域，因此幫助我們理解油層的 連通性。分析可以對鹽(卣)水或碳氫化合物流體(液體或氣體)進 行。在鉆井操作中，也可以對流體試樣進行組分分析，以確定某種需
ii要的和不需要的物質(zhì)例如硫的含量。可能有這樣的情況含有不需要 的物質(zhì)的地層或地層內(nèi)被井穿過的分區(qū)的層是不能生產(chǎn)的。通過分析 流體的成分，以確定流體或地層中是否存在有只存在于特定的一個或 多個注入井中的示蹤元素或示蹤物，可以確定注入井對地層的分布。 一般不存在于這種技術(shù)對其具有高靈敏度的井下的元素示蹤物可用 于確定油層的連通性。
如圖4所示，本發(fā)明100可被配置在鉆入地層中的井孔404中的 井下。本發(fā)明可以通過輸送裝置412被配置，輸送裝置包括但不限于 鉆柱或在生產(chǎn)或分配管中的盤形管。從地層402中提取流體，使流體 經(jīng)過流動管線410進入井下工具406。然后，包含在井下工具406中 的本發(fā)明使用流體中誘發(fā)的等離子發(fā)射的光的分解光譜學分析流體， 如上所述。因而，本發(fā)明可用于在鉆井的同時、鉆井之后、生產(chǎn)期間 和流體分配期間分析流體。
參見圖5,其中示出了本發(fā)明的另一個實施例。如圖5所示，本 發(fā)明100可被設(shè)置用于經(jīng)過分配管路44的流體30的化學分析。因而， 可以在流體的目的地，或者在分配管路44中進行分配期間，評定被 分配的流體(石油和天然氣)的來源和質(zhì)量。
參見圖6，其表示在本發(fā)明的一個示例的實施例中執(zhí)行的功能和 操作的流程圖600。本發(fā)明在602在被測流體中誘發(fā)等離子體，并在 604收集來自等離子的發(fā)射。在606使所迷發(fā)射傳至處理器/分光儀/ 電子電路進行用于估計成分的分析和元素分析。所述分析使得本發(fā)明 能夠估計流體的性能(成分等)或地層的性能(通過追蹤來自注入井 的被研究的流體的源，確定分區(qū)、注入井對地層的分布等)。
作為在井下環(huán)境中操作的方法和設(shè)備以優(yōu)選實施例說明了本發(fā) 明，不過，本發(fā)明也可以作為計算機可讀介質(zhì)上的一組指令來實施， 所述可讀介質(zhì)包括ROM， RAM, CD ROM,閃存或現(xiàn)在已知或未知 的任何其它計算機可讀介質(zhì)，當所述指令被執(zhí)行時，則使計算機實現(xiàn) 本發(fā)明的方法。雖然由上面的發(fā)明說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但這些 僅僅作為例子，并不用于限制由下面權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1. 一種用于估計井下流體成分的方法，包括在井下流體中誘發(fā)等離子體；收集等離子體的光發(fā)射；以及分析所述光發(fā)射以估計井下流體的成分。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中誘發(fā)等離子體進一步包括在流 體中產(chǎn)生激光脈沖。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中誘發(fā)等離子體進一步包括在流 體中產(chǎn)生火花。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中收集來自等離子體的光發(fā)射進 一步包括接收光纜中的光。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中分析所述光發(fā)射進一步包括進 行所述光發(fā)射的元素分析。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括 估計和流體關(guān)聯(lián)的地層的特性。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述特性是區(qū)域劃分。
8. 如權(quán)利要求1所迷的方法，進一步包括 在流體中注入示蹤物。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在流體中誘發(fā)等離子體進一步 包括通過窗口向流體發(fā)送能量。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中光發(fā)射進一步包括可見光、 近紅外光和紫外光之一。
11. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中在流體中產(chǎn)生火花進一步包括通過涂鍍有光學透明的且導電的覆層的基本上用金屬涂鍍的光 纖尖端產(chǎn)生電場。
12. —種用于估計井下流體成分的設(shè)備，包括 和井下流體連通的等離子發(fā)生器；和井下流體中產(chǎn)生的等離子光學連通的光學傳感器；以及 被配置用于處理來自光學傳感器的輸出以便估計井下流體成分 的處理器。
13. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中等離子發(fā)生器進一步包括用 于向井下流體提供激光脈沖的光導管。
14. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中等離子發(fā)生器進一步包括用 于在井下流體中產(chǎn)生火花的電極。
15. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進一步包括 在井下流體中產(chǎn)生的等離子和光學傳感器之間的窗口。
16. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中處理器被進一步配置用于進 行所述光發(fā)射的元素分析。
17，如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中處理器被進一步配置用于估 計和井下流體相關(guān)聯(lián)的地層的特性。
18. 如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中處理器被進一步配置用于確 定地層的分區(qū)。
19. 如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中處理器被進一步配置用于由 所述分析確定流體的來源。
20. 如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中等離子發(fā)生器進一步包括光 纖尖端，其涂鍍有光學透明的且導電的覆層，用于產(chǎn)生火花。
21. —種用于估計井下流體成分的井下工具，包括 和井下流體連通的等離子發(fā)生器；和等離子發(fā)生器在井下流體中產(chǎn)生的等離子光學連通的光學傳 感器；以及被配置用于分析來自光學傳感器的輸出從而估計井下流體的成 分的分光儀。
22. 如權(quán)利要求19所述的井下工具，其中等離子發(fā)生器包括用于 向井下流體提供激光脈沖的光導管和用于在井下流體中產(chǎn)生火花的 電極中的至少一個。
23. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中估計成分包括估計以下至少之一的存在Be， Mg， Cr， Fe， Ag， Hg， Li, B， Na， Cl， Ca， Ti， Mn， Ni， Cu， Zn， Sr， Ba， Pb， Th， C， F， Al， Si, S， K， Co， Ga， Rb, Zr， Nb， Tc， Pd， Cd, Sn， Cs， Eu， Pt， Tl， P， V， Ge， As, Mo, I， Au, Bi， Y， In， Sb， Te， Hf， W， H， N， O， Ar， Sc， Ru， Rh， Gd， Er， Re， U， Pu和Am。
24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中利用井下分光儀分析光發(fā)射。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于進行井下地層流體的元素分析的方法和設(shè)備。本發(fā)明使用分解光譜學提供井下地層流體的元素分析。在本發(fā)明的一個方面中，提供一種用于對地層流體試樣進行激光致分解的方法和設(shè)備。本發(fā)明的另一個方面，提供一種用于進行火花致分解光譜學的方法和設(shè)備。在被測試的井下的流體中誘發(fā)等離子體。分析等離子體的發(fā)射以確定被測流體的成分。所述的發(fā)射包括但不限于光譜中的紫外、可見以及近紅外區(qū)中的光。提供一個光譜儀用于井下流體的元素分析。元素分析產(chǎn)生關(guān)于流體以及流體所在地層的信息。
文檔編號E21B49/08GK101501299SQ200680042316
公開日2009年8月5日 申請日期2006年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月26日
發(fā)明者R·迪弗吉奧 申請人:貝克休斯公司