鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層或者微裂紋鑲層的任一，基礎(chǔ)層為半光鑲層與全光鑲層的復(fù)合）。
[0094] 圖12本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層或者微裂紋鑲層的任一，基礎(chǔ)層為半光鑲層與沙了鑲層的復(fù)合）。
[0095] 圖13本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層或者微裂紋鑲層的任一，基礎(chǔ)層為半光鑲層、高硫鑲層W及全光鑲層的復(fù)合）。
[0096] 圖14本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層或者微裂紋鑲層的任一，基礎(chǔ)層為半光鑲層、高硫鑲層W及沙了鑲層的復(fù)合）。
[0097] 圖15本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層或者微裂紋鑲層的任一，基礎(chǔ)層為半光鑲層、全光鑲層W及沙了鑲層的復(fù)合）。
[0098] 圖16本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層與微裂紋鑲層的復(fù)合層，基礎(chǔ)層為半光鑲層與全光鑲層的復(fù)合）。
[0099] 圖17本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層與微裂紋鑲層的復(fù)合層，基礎(chǔ)層為半光鑲層與沙了鑲層的復(fù)合）。
[0100] 圖18本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層與微裂紋鑲層的復(fù)合層，基礎(chǔ)層為半光鑲層、高硫鑲層W及全光鑲層的復(fù)合）。
[0101] 圖19本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層與微裂紋鑲層的復(fù)合層，基礎(chǔ)層為半光鑲層、高硫鑲層W及沙了鑲層的復(fù)合）。
[0102] 圖20本發(fā)明鍛鑲和\或銘部件的一種實(shí)施例的電位差示意圖（低電位鑲層為高 硫鑲層與微裂紋鑲層的復(fù)合層，基礎(chǔ)層為半光鑲層、全光鑲層W及沙了鑲層的復(fù)合）。
[0103] 附圖標(biāo)記列表：
[0104] 1、基材； 2、預(yù)處理鍛層； 21、腐蝕空缺；
[0105] 3、鍛銅層； 31、表面微孔； 32、腐蝕孔；
[0106] 4、功能層； 141、低電位鑲層；142、微孔鑲層；
[0107] 6、基礎(chǔ)層； 61、高硫鑲層； 62、半光鑲層；
[0108] 63、全光鑲層；64、沙了鑲層； 801、腐蝕介質(zhì)；802、裝飾層；
[0109] 805、腐蝕面； 808、打底鑲層； 809、化學(xué)鑲層；
[0110] 810、ABS基材。
【具體實(shí)施方式】
[0111] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H 用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0112] W下對(duì)本發(fā)明多層超耐蝕鍛鑲-銘部件的鍛層結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，該里本發(fā)明基材可 W采用金屬、塑料W及其它能夠適用電鍛的部件。
[011引結(jié)構(gòu)實(shí)施例1
[0114] 如圖1所示，本實(shí)施例的多層超耐蝕鍛鑲-銘部件，該部件包括：基材1 (ABS材 質(zhì)）；預(yù)處理鍛層2包括化學(xué)鑲層809、打底鑲層808和鍛銅層3,化學(xué)鑲層809沉積在整個(gè) 基材1上，打底鑲層808沉積在化學(xué)鑲層809上，在打底鑲層808上形成有鍛銅層3 ;和基礎(chǔ) 層6,其形成于鍛銅層3上，其中基礎(chǔ)層6包括半光鑲層62和全光鑲層63,半光鑲層62形 成于鍛銅層3上，全光鑲層63形成于半光鑲層62上；和功能層4,其形成于基礎(chǔ)層6的全 光鑲層63上，其中功能層4包括低電位鑲層141和微孔鑲層142,其中低電位鑲層141為高 硫鑲層和微裂紋鑲層（可W是高硫鑲層形成于鍛銅層3上，微裂紋鑲層形成于高硫鑲層上； 也可W是微裂紋鑲層形成于鍛銅層3上，高硫鑲層形成于微裂紋鑲層上），微孔鑲層142形 成于低電位鑲層141上；和裝飾層802,其形成于微孔鑲層142上，其中裝飾層為=價(jià)白銘 鍛層，該里全光鑲層63與低電位鑲層141之間的電位差為O-lOOmv范圍內(nèi)，半光鑲層62與 全光鑲層63之間的電位差為100-200mv范圍內(nèi)。
[011引結(jié)構(gòu)實(shí)施例2
[0116] 如圖2所示，本實(shí)施例的多層超耐蝕鍛鑲-銘部件，該部件包括：基材1 (ABS材 質(zhì)）；預(yù)處理鍛層2包括化學(xué)鑲層809、打底鑲層808和鍛銅層3,化學(xué)鑲層809沉積在整個(gè) 基材1上，打底鑲層808沉積在化學(xué)鑲層809上，在打底鑲層808上形成有鍛銅層3 ;和基礎(chǔ) 層6,其形成于鍛銅層3上，其中基礎(chǔ)層6包括半光鑲層62和沙了鑲層64,半光鑲層62形 成于鍛銅層3上，沙了鑲層64形成于半光鑲層62上；和功能層4,其形成于基礎(chǔ)層6的沙 了鑲層64上，其中功能層4包括低電位鑲層141和微孔鑲層142,其中低電位鑲層141為高 硫鑲層和微裂紋鑲層（可W是高硫鑲層形成于鍛銅層3上，微裂紋鑲層形成于高硫鑲層上； 也可W是微裂紋鑲層形成于鍛銅層3上，高硫鑲層形成于微裂紋鑲層上），微孔鑲層142形 成于低電位鑲層141上；和裝飾層802,其形成于微孔鑲層142上，其中裝飾層為=價(jià)白銘 鍛層，該里沙了鑲層64與低電位鑲層141之間的電位差為O-lOOmv范圍內(nèi)，半光鑲層62與 全光鑲層63之間的電位差為100-200mv范圍內(nèi)。
[0117] 結(jié)構(gòu)實(shí)施例3
[0118] 如圖3所示，本實(shí)施例的多層超耐蝕鍛鑲-銘部件，該部件包括：基材1 (ABS材 質(zhì)）；預(yù)處理鍛層2包括化學(xué)鑲層809、打底鑲層808和鍛銅層3,化學(xué)鑲層809沉積在整個(gè) 基材1上，打底鑲層808沉積在化學(xué)鑲層809上，在打底鑲層808上形成有鍛銅層3 ;和基礎(chǔ) 層6,其形成于鍛銅層3上，其中基礎(chǔ)層6包括半光鑲層62、高硫鑲層61和全光鑲層63,半 光鑲層62形成于鍛銅層3上，高硫鑲層61形成于半光鑲層62上，全光鑲層63形成于高硫 鑲層61上；和功能層4,其形成于基礎(chǔ)層6的全光鑲層63上，其中功能層4包括低電位鑲 層141和微孔鑲層142,其中低電位鑲層141為高硫鑲層和微裂紋鑲層（可W是高硫鑲層形 成于鍛銅層3上，微裂紋鑲層形成于高硫鑲層上；也可W是微裂紋鑲層形成于鍛銅層3上， 高硫鑲層形成于微裂紋鑲層上），微孔鑲層142形成于低電位鑲層141上；和裝飾層802,其 形成于微孔鑲層142上，其中裝飾層為=價(jià)白銘鍛層。
[011引結(jié)構(gòu)實(shí)施例4
[0120] 如圖4所示，本實(shí)施例的多層超耐蝕鍛鑲-銘部件，該部件包括：基材1 (ABS材 質(zhì)）；預(yù)處理鍛層2包括化學(xué)鑲層809、打底鑲層808和鍛銅層3,化學(xué)鑲層809沉積在整個(gè) 基材1上，打底鑲層808沉積在化學(xué)鑲層809上，在打底鑲層808上形成有鍛銅層3 ;和基礎(chǔ) 層6,其形成于鍛銅層3上，其中基礎(chǔ)層6包括半光鑲層62、高硫鑲層61和沙了鑲層64,半 光鑲層62形成于鍛銅層3上，高硫鑲層61形成于半光鑲層62上，沙了鑲層64形成于高硫 鑲層61上；和功能層4,其形成于基礎(chǔ)層6的沙了鑲層64上，其中功能層4包括低電位鑲層 141和微孔鑲層142,其中低電位鑲層141為高硫鑲層和微裂紋鑲層（可W是高硫鑲層形 成于鍛銅層3上，微裂紋鑲層形成于高硫鑲層上；也可W是微裂紋鑲層形成于鍛銅層3上， 高硫鑲層形成于微裂紋鑲層上），微孔鑲層142形成于低電位鑲層141上；和裝飾層802,其 形成于微孔鑲層142上，其中裝飾層為=價(jià)白銘鍛層。
[0121] 結(jié)構(gòu)實(shí)施例5
[0122] 如圖5所示，本實(shí)施例的多層超耐蝕鍛鑲-銘部件，該部件包括：基材1 (ABS材 質(zhì)）；預(yù)處理鍛層2包括化學(xué)鑲層809、打底鑲層808和鍛銅層3,化學(xué)鑲層809沉積在整個(gè) 基材1上，打底鑲層808沉積在化學(xué)鑲層809上，在打底鑲層808上形成有鍛銅層3 ;和基礎(chǔ) 層6,其形成于鍛銅層3上，其中基礎(chǔ)層6包括半光鑲層62、全光鑲層63和沙了鑲層64,半 光鑲層62形成于鍛銅層3上，全光鑲層63形成于半光鑲層62上，沙了鑲層64形成于全光 鑲層63上；和功能層4,其形成于基礎(chǔ)層6的沙了鑲層64上，其中功能層4包括低電位鑲 層141和微孔鑲層142,其中低電位鑲層141為高硫鑲層和微裂紋鑲層（可W是高硫鑲層形 成于鍛銅層3上，微裂紋鑲層形成于高硫鑲層上；也可W是微裂紋鑲層形成于鍛銅層3上， 高硫鑲層形成于微裂紋鑲層上），微孔鑲層142形成于低電位鑲層141上；和裝飾層802,其 形成于微孔鑲層142上，其中裝飾層為=價(jià)白銘鍛層。
[0123] 結(jié)構(gòu)實(shí)施例6-10與結(jié)構(gòu)實(shí)施例1-5的唯一區(qū)別僅在于；低電位鑲層141為微裂紋 鑲層。
[0124] 結(jié)構(gòu)實(shí)施例11-15與結(jié)構(gòu)實(shí)施例1-5的唯一區(qū)別僅在于；低電位鑲層141為高硫 鑲層。
[0125] 結(jié)構(gòu)實(shí)施例16-30與結(jié)構(gòu)實(shí)施例1-15的唯一區(qū)別