接觸元件的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種根據(jù)權利要求7的前序部分的電接觸元件，以及一種根據(jù)權利要 求1的前序部分這樣的接觸元件的制造方法。
【背景技術】
[0002] 在插入式連接器的絕緣體中經常使用這樣的接觸元件。例如使用所謂的壓接技 術，將電導體電連接到接觸元件。接觸元件可以實施為插針或插孔接觸件。
[0003] DE 699 17 7620 T2示出了用于電解沉積金屬鐵-鎢合金的電解液槽。原則上，金 或金合金可以沉積到這樣的合金上。
[0004] DE 41 18 416 Al示出了用金涂覆預處理的金屬體的電鍍工藝（galvanic process)。在這樣的工藝中使用脈沖電流，以避免在金屬體上形成鈍化層。
[0005] 使用脈沖電流的電鍍工藝是非常難以控制的以及具有顯著的誤差來源。在某些情 況下，可能產生大量的廢料。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明的目的是提出一種易于實施并且提供高質量涂層的電鍍鍍金的方法。
[0007] 所述目的是通過具有權利要求1特征部分的特征的方法來實現(xiàn)的。
[0008] 在從屬權利要求中闡述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0009] 接觸元件由金屬基體構成，所述金屬基體可以從固體材料銑下或可以使用沖壓技 術從扁平的金屬片沖壓?；w經常以塊狀材料或帶狀材料存在。
[0010] 已發(fā)現(xiàn)黃銅或青銅作為基體材料是特別有利的，以及不同的層可以容易地電鍍沉 積在這樣的基體上。
[0011] 本領域技術人員已知如何將以塊狀材料或帶狀材料形式存在的基體進給到電鍍 工藝以進行電鍍。
[0012] 在第一方法步驟（a)中，將基體進行脫脂。為此，優(yōu)選選擇電解脫脂處理?；蛘呖?以選擇冷脫脂、熱脫脂或不同脫脂方法的組合。
[0013] 在隨后的方法步驟（b)中，優(yōu)選使用蒸餾水清洗電解脫脂的基體，以除去任何可 能存在的化學殘留物。
[0014] 隨后，在進一步的方法步驟（C)中，活化經脫脂和清洗的基體的表面。為此， 優(yōu)選使用所謂的鎳沖擊法。該方法對本領域技術人員是公知的。例如在互聯(lián)網上從 RIAG ObcrfHichcntcchnik AG公司可以獲得該方法的說明。
[0015] 在進一步的方法步驟（d)中，將鎳合金電鍍沉積到鎳層上。在隨后的方法步驟（e) 中，再次清洗最初涂覆的基體。
[0016] 在隨后的方法步驟（f)中，將鎳合金電鍍沉積到鎳層上。優(yōu)選地，這是鎳-鎢或 鎳-鉬或鎳-鈷或鎳-錫合金。這些鎳合金特別適合用于沉積金或金合金。隨后，在隨后 的方法步驟（g)中再次清洗由此處理的基體。
[0017] 在方法步驟（h)中，將金層或金合金現(xiàn)在電鍍沉積到方法步驟（a)至（g)中制備 的基體上。
[0018] 優(yōu)選的是，最后一次清洗上述鍍金的接觸元件（方法步驟（i))，以及隨后在使用 前使其干燥（方法步驟（j))。
[0019] 優(yōu)選地，上述電鍍方法中是在直流電方法中進行的。這樣的方法易于控制，因此僅 產生少量廢料部分。
[0020] 在直流電方法中沉積鎳合金涂層是特別有利的。這導致了特別光滑的鎳合金涂 層，其相應地是特別光滑金或金合金涂層的基礎，即使金或金合金涂層是利用所謂的脈沖 電流方法進行沉積的。
[0021] 通過使用這里介紹的方法，可以獲得平均粗糙度為小于0. 1微米（ym)的金合金 表面。具有低的表面粗糙度的接觸元件使得可以大量的配合循環(huán)。此外，低的粗糙度減少 了摩擦，其結果是接觸表面（金層或金合金層）的磨損速率減慢。
[0022] 使用上述方法制造的成品接觸元件包括優(yōu)選由黃銅或青銅制成的金屬基體?；w 具有在其上沉積的厚度為0. 2微米（μ m)至最高3微米（μ m)、但是特別優(yōu)選地厚度為0. 2 微米（ym)至最高1微米（μπι)的鎳涂層。該鎳涂層相應地用厚度也為1微米（μπι)至最 高3微米Um)的鎳合金覆蓋。最后，沉積厚度為約1微米Um)并且平均粗糙度（Ra)為 0.1微米（ym)或以下的金層或金合金層。
[0023] 優(yōu)選地，鎳合金層（第二層）的硬度大于基體材料和/或在其上沉積的鎳層（第 一層）的硬度。結果，非常薄的金或金合金層是足夠的。
[0024] 在優(yōu)選的實施例中，第二層的電阻小于基體和/或第一層的電阻。結果，非常薄 且光滑的電鍍的金的沉積或金合金的沉積變得容易。如果第二層的電阻為15-30毫歐姆 (πιΩ)是特別有利的。
【附圖說明】
[0025] 本發(fā)明的實施例的示例在附圖中示出并在下文更詳細地解釋。
[0026] 圖1示出設置有不同的電鍍涂層的主體的圖。
【具體實施方式】
[0027] 基體1由鋼、黃銅或青銅制成。基體1的形狀已大體上相當于成品接觸元件的形 狀。接觸元件可以是插針或插孔接觸件，也可以是絕緣位移接觸件。
[0028] 第一層2被電鍍沉積在基體上。這是鎳層。第一層的層厚度為1-3微米 (0. 2-3 ym)。第二層3沉積到該第一層2上。這是鎳層。鎳合金的層厚度為1-3微米 (1-3 μ m)。最后，金層或金合金層4沉積在鎳合金層上。該最后的層的厚度為0.1-2微米 (0· 1-2μπι)或以下，平均粗糙度（Ra)為0· 1微米（0· Ιμπι)或以下。
[0029] 附圖標記列表
[0030] 1 基體
[0031] 2第一層，鎳層
[0032] 3第二層，鎳合金層
[0033] 4最后的層，金層或金合金層
【主權項】
1. 一種電接觸元件的制造方法，其特征在于，所述接觸元件基本上由基體制成，其中所 述基體按所列順序進行下述方法步驟： a. 例如通過冷脫脂和/或熱脫脂和/或電解脫脂，對表面進行脫脂， b. 清洗以除去任何存在的化學殘留物， c. 活化所述表面， d. 沉積鎳層， e. 進一步清洗以除去任何存在的化學殘留物， f. 沉積鎳合金， g. 進一步清洗以除去任何存在的化學殘留物， h. 沉積金層或金合金。
2. 根據(jù)權利要求1所述的電接觸元件的制造方法， 其特征在于， 在所述方法步驟h之后接著進行以下進一步的方法步驟： i. 進一步清洗以除去任何存在的化學殘留物， j. 干燥。
3. 根據(jù)上述權利要求中任一項所述的電接觸元件的制造方法， 其特征在于， 在方法步驟b中的所述表面的活化是通過鎳沖擊方法來實現(xiàn)的。
4. 根據(jù)上述權利要求中任一項所述的電接觸元件的制造方法， 其特征在于， 在方法步驟f?中的鎳合金為鎳-鎢或鎳-鉬或鎳-鈷或鎳-錫合金。
5. 根據(jù)上述權利要求中任一項所述的電接觸元件的制造方法， 其特征在于， 所述基體由鋼或銅合金、例如黃銅或青銅制成。
6. 根據(jù)上述權利要求中任一項所述的電接觸元件的制造方法， 其特征在于， 在方法步驟d和/或f?和/或h中的所述合金是使用直流法沉積的。
7. -種電接觸元件， 其是從由諸如黃銅或青銅的銅合金制成的基體形成的， 其中，所述基體涂覆有第一層、層厚度為〇. 2-3微米的鎳層， 其中，所述第一層涂覆有第二層、層厚度為〇. 2-3微米的鎳合金， 其中，所述第二層涂覆有金層或金合金。
8. 根據(jù)權利要求7所述的電接觸元件， 其特征在于， 所述金層或金合金層的層厚度為〇. 1-2微米。
9. 根據(jù)權利要求7所述的電接觸元件，其特征在于，所述金層或金合金層的平均粗糙 度（Ra)為0. 1微米或0. 1微米以下。
10. 根據(jù)權利要求7-9中任一項所述的電接觸元件，其特征在于，所述第二層的硬度大 于所述基體和/或所述第一層的硬度。
11. 根據(jù)權利要求7-10中任一項所述的電接觸元件，其特征在于，所述第二層的電阻 小于所述基體和/或所述第一層的電阻。
12. 根據(jù)權利要求7-11中任一項所述的電接觸元件，其特征在于，所述第二層的電阻 為15-30毫歐姆。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電接觸元件的制造方法，其特征在于，所述接觸元件基本上由基體制成，其中所述基體按所列順序進行下述方法步驟：a.例如通過冷脫脂和/或熱脫脂和/或電解脫脂對表面進行脫脂，b.清洗以除去任何存在的化學殘留物，c.活化表面，d.沉積鎳層，e.進一步清洗以除去任何存在的化學殘留物，f.沉積鎳層，g.進一步清洗以除去任何存在的化學殘留物，h.沉積金層或金合金。
【IPC分類】H01R13-03, B32B15-01, C25D5-36, C25D3-48, C25D5-14, C25D5-34, C25D3-56, C25D3-12, C23C28-02
【公開號】CN104662207
【申請?zhí)枴緾N201380049512
【發(fā)明人】亞歷山大·馬耶若維奇, 弗蘭克·布羅德
【申請人】哈廷股份兩合公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年7月31日
【公告號】DE102012109057B3, EP2900849A1, WO2014048414A1