本發(fā)明涉及引線框架技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種引線框架的電鍍方法。

背景技術(shù)：

引線框架的主要功能是為芯片提供機(jī)械支撐的載體，并作為導(dǎo)電介質(zhì)內(nèi)外連接芯片電路而形成電信號(hào)通路，以及與封裝外殼一同向外散發(fā)芯片工作時(shí)產(chǎn)生熱量的散熱通路。引線框架的制作一般以銅板作為基板，經(jīng)過蝕刻、電鍍、背面貼膠帶后成為引線框架。

現(xiàn)有的引線框架的電鍍方法是在如圖1(a)所示的蝕刻完成的基板片表面進(jìn)行局部區(qū)域電鍍，電鍍過程包括上菲林、曝光、顯影、電鍍、退膜，分別如圖1(b)-圖1(f)所示，上底片2a曝光和顯影后露出需要電鍍的區(qū)域3a，電鍍金屬為銀或鎳鈀金，形成電鍍層4a。由于電鍍是在基板蝕刻完成之后才進(jìn)行的，導(dǎo)致現(xiàn)有的電鍍方法存在以下技術(shù)問題：1、由于蝕刻完成后的基板中間斷開，在電鍍時(shí)只能使用液態(tài)菲林1a作為保護(hù)膜，特別是對(duì)于鍍銀引線框架，由于其鍍液為堿性，對(duì)一般的水溶性感光菲林存在攻擊，因此需要采用溶劑型耐堿的電沉積感光菲林，而這種溶劑型耐堿的電沉積感光菲林相比干膜成本更高、工藝更繁瑣、流程更長；2、采用液態(tài)菲林作為保護(hù)膜目前適合于蝕刻完成的片式引線框架，而目前應(yīng)用于片式引線框架的曝光機(jī)一般采用人工對(duì)位，不僅對(duì)位精度不高，一般在+/-50um左右，而且效率非常低下，而目前出現(xiàn)的卷式自動(dòng)曝光機(jī)，不但可以實(shí)現(xiàn)一次對(duì)位，同時(shí)也可以對(duì)同一圖案實(shí)現(xiàn)二次對(duì)位，其精準(zhǔn)度控制在10um之內(nèi)，正因如此，可以克服由于一般人工對(duì)位方法造成的鍍銀層懸空而引起的產(chǎn)品可靠性問題；3、隨著封裝測試技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)產(chǎn)品高密度，極小間距以及超薄性均有較高的要求，按照常規(guī)工藝路線，產(chǎn)品由于其使用材料超薄，結(jié)構(gòu)復(fù)雜造成產(chǎn)品非常脆弱，很容易出現(xiàn)產(chǎn)品變形問題，特別是在蝕刻之后進(jìn)行電鍍，產(chǎn)品經(jīng)過的工序較多，其產(chǎn)生變形的概率也較大，造成電鍍精度不高，從而影響產(chǎn)品的最終精度；4、采用液態(tài)電沉積菲林進(jìn)行鍍銀的工藝，其菲林特性由于是溶劑型，因而需要采用具有揮發(fā)性的有機(jī)溶劑才能退膜，成本高，同時(shí)不環(huán)保。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：提供一種可采用干膜作為保護(hù)膜、成本更低、工序更簡化、產(chǎn)品最終精度更高的引線框架的電鍍方法。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：一種引線框架的電鍍方法，其特征在于：它包括以下步驟：

(1)貼干膜：在未經(jīng)蝕刻的基板的上下表面各貼附一層干膜；

(2)曝光和顯影：通過曝光和顯影去除基板上表面的部分干膜，以露出基板上需要電鍍的區(qū)域；

(3)電鍍：對(duì)步驟(2)中基板上露出的需要電鍍的區(qū)域進(jìn)行電鍍，形成電鍍層；

(4)退膜：去除基板上下表面剩余的干膜。

本發(fā)明一種引線框架的電鍍方法，改變了本領(lǐng)域中一直沿用的在蝕刻完成的半成品表面進(jìn)行電鍍的傳統(tǒng)方法，而是在未經(jīng)蝕刻的基板表面上進(jìn)行電鍍，由于未經(jīng)蝕刻的基板中間不會(huì)斷開，所以可以采用干膜來取代液態(tài)菲林作為保護(hù)膜，成本更低、工藝更簡單、流程更短；而且未經(jīng)蝕刻的基板不易變形，使產(chǎn)品的最終精度更高。

作為優(yōu)選，所述基板為卷式，所述步驟(2)中采用卷對(duì)卷式自動(dòng)對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行曝光。采用卷式基板后，可采用卷對(duì)卷式自動(dòng)對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行曝光，無需人工對(duì)位，大大提高了精度和生產(chǎn)效率。

作為優(yōu)選，所述步驟(2)和步驟(4)中采用燒堿去除基板上的干膜。燒堿揮發(fā)性小，較環(huán)保。

作為優(yōu)選，所述干膜為堿性干膜，所述步驟(3)中電鍍藥水采用型號(hào)為K-940的低氰高速鍍銀溶液，該溶液的PH值為7.7-9.5。設(shè)置干膜和電鍍藥水均為堿性，不會(huì)使二者中和，可減小對(duì)干膜的破壞，且該堿性電鍍藥水的PH值相比市面上的其它堿性電鍍藥水要低，可進(jìn)一步減小對(duì)堿性干膜的破壞。

作為優(yōu)選，所述型號(hào)為K-940的低氰高速鍍銀溶液的PH值為8.2-8.7。該P(yáng)H值為優(yōu)選的方案，能在滿足較好的電鍍性能的前提下最大限度地減小對(duì)堿性干膜的破壞。

附圖說明：

圖1為現(xiàn)有引線框架的電鍍方法；

圖2為本發(fā)明引線框架的電鍍方法；

現(xiàn)有技術(shù)圖中：1a-液態(tài)菲林，2a-底片，3a-需要電鍍的區(qū)域，4a-電鍍層；

本發(fā)明圖中：1-基板，2-干膜，3-需要電鍍的區(qū)域，4-需要蝕刻的區(qū)域，5-底片，6-電鍍層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，并結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例：

以下提供一種包含本發(fā)明電鍍方法的引線框架的制作方法，它包括以下步驟：

(1)貼干膜：在未經(jīng)蝕刻的基板1的上下表面各貼附一層干膜2，未經(jīng)蝕刻的基板如圖2(a)所示，貼干膜后如圖2(b)所示；

(2)曝光和顯影：通過曝光和顯影去除基板1上表面的部分干膜2，以露出基板1上需要電鍍的區(qū)域3，本步驟僅僅是單面曝光和顯影，只曝光和顯影上層干膜，作為保護(hù)作用的下層干膜并不需要將其曝光和顯影，使其繼續(xù)起保護(hù)作用；曝光如圖2(c)所示，是根據(jù)客戶的要求制作黑白底片5，將黑白底片5與基板1對(duì)位，經(jīng)光源作用在干膜2上將需要去除部分的圖像轉(zhuǎn)移到干膜2上；顯影如圖2(d)所示，是將干膜2中未發(fā)生光聚合反應(yīng)的部分去除；曝光和顯影都是現(xiàn)有技術(shù)，這里不再贅述；

(3)電鍍：對(duì)步驟(2)中基板1上露出的需要電鍍的區(qū)域3進(jìn)行電鍍，形成電鍍層6,如圖2(e)所示；

(4)退膜：去除基板1上下表面剩余的干膜2,如圖2(f)所示；

至此，電鍍完畢，開始蝕刻，蝕刻包括貼干膜、曝光、顯影、蝕刻、退膜，具體如下：

(5)貼干膜：在基板1的下表面以及上表面的電鍍層6之上各貼附一層干膜2，如圖2(g)所示，由于電鍍層6的厚度一般只有2um～8um的厚度，鍍層很薄，而干膜2的厚度一般在15um以上，并且是高分子單體具有可塑性，這樣在上干膜2熱壓的過程當(dāng)中能夠很好的覆蓋在基板1和電鍍層6上面；

(6)曝光和顯影：通過曝光和顯影去除基板1上下表面的部分干膜2，以露出基板1上需要蝕刻的區(qū)域4，如圖2(h)和2(i)所示；

(7)蝕刻：對(duì)步驟(6)中基板1上露出的需要蝕刻的區(qū)域4進(jìn)行蝕刻，如圖2(j)所示；

(8)退膜：去除基板1上下表面剩余的干膜2，如圖2(k)所示。

本發(fā)明一種引線框架的電鍍方法，改變了本領(lǐng)域中一直沿用的在蝕刻完成的基板片表面進(jìn)行電鍍的傳統(tǒng)方法，而是采用先電鍍后蝕刻的方式，在未經(jīng)蝕刻的基板1表面上先進(jìn)行電鍍，由于未經(jīng)蝕刻的基板1中間不會(huì)斷開，所以可以采用干膜2來取代液態(tài)菲林，成本更低、工藝更簡單、流程更短；而且未經(jīng)蝕刻的基板1不易變形，使得產(chǎn)品的最終精度較高。

作為優(yōu)選，所述基板1為卷式，所述步驟(2)中采用卷對(duì)卷式自動(dòng)對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行曝光，所述卷對(duì)卷式自動(dòng)對(duì)位曝光機(jī)為現(xiàn)有技術(shù)，國內(nèi)廠家例如群翊、冠仕、鑫富寶，還有韓國進(jìn)口的卷對(duì)卷式自動(dòng)對(duì)位曝光機(jī)等，該設(shè)備的主要作用是實(shí)現(xiàn)底片5與基板1的自動(dòng)對(duì)位，無需人工對(duì)位，使電鍍、蝕刻前后圖案精準(zhǔn)對(duì)位，大大提高了精度和生產(chǎn)效率。

作為優(yōu)選，所述步驟(2)和步驟(4)中采用燒堿去除基板1上的干膜2。燒堿揮發(fā)性小，較環(huán)保。

作為優(yōu)選，所述干膜2為堿性干膜，所述步驟(3)中電鍍藥水采用美泰樂表面處理技術(shù)(上海)有限公司生產(chǎn)的型號(hào)為K-940的低氰高速鍍銀溶液，該溶液的PH值為7.7-9.5。設(shè)置干膜2和電鍍藥水均為堿性，不會(huì)使二者中和，可減少對(duì)干膜2的破壞，且該堿性鍍銀藥水的PH值相比市面上的其它堿性鍍銀藥水要低，市面上常用的堿性鍍銀藥水的PH值為10-11，因此本發(fā)明采用的堿性藥水的PH值更低，可進(jìn)一步減小對(duì)堿性干膜的破壞。

作為優(yōu)選，所述型號(hào)為K-940的低氰高速鍍銀溶液的PH值為8.2-8.7。該P(yáng)H值為優(yōu)選的方案，能在滿足較好的電鍍性能的前提下最大限度地減小對(duì)堿性干膜的破壞。

制備100公升K-940低氰高速鍍銀溶液的步驟如下：

1:加入70公升純水；

2:加入13公斤K940開缸鹽；

3.加熱溶液；

4.加入12.0公斤氰銀化鉀，使銀含量達(dá)到65克/升；

5.加純水補(bǔ)充至100公升；

6.加熱至指定溫度；

7.在電鍍開始之前加入150克氰化鉀，并立即溶解之；

8.溶液待用。

操作條件如下：

隨著電鍍的進(jìn)行，溶液的PH值會(huì)逐漸升高，應(yīng)維持在最佳值±0.3的范圍以內(nèi)，可依據(jù)下列方法調(diào)整：

降低：添加2-5ML/L的K-940酸液2T可降低PH值0.1；

升高：添加1克KOH(AR級(jí))/L可升高PH值0.1。