技術特征：

1.電磁波屏蔽用金屬箔，其中，在由金屬箔構成的基材的一面或兩面形成由Ni構成的基底層，在所述基底層的表面形成Sn-Ni合金層，

所述Sn-Ni合金層含有20~80質量%的Sn，

在將Sn的總附著量記為T_Sn[μg/dm²]，將Sn-Ni合金中Sn的比例記為A_Sn[質量%]，將Ni的總附著量記為T_Ni[μg/dm²]，將Sn-Ni合金中Ni的比例記為A_Ni[質量%]時，T_Sn：500~91000μg/dm²，T_Ni：2200~236000μg/dm²，170000≥{T_Ni-T_Sn×(A_Ni/A_Sn)}≥1700。

2.權利要求1所述的電磁波屏蔽用銅箔，其中，在所述Sn-Ni合金層的表面不存在純Sn層。

3.權利要求1或2所述的電磁波屏蔽用銅箔，其中，所述基底層和所述Sn-Ni合金層中的至少一方進一步含有選自P、W、Fe和Co的1種以上元素。

4.權利要求1~3中任一項所述的電磁波屏蔽用銅箔，其中，所述Sn-Ni合金層含有10質量%以下的所述基材的構成元素。

5.權利要求1~4中任一項所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述基材由金、銀、鉑、不銹鋼、鐵、鎳、鋅、銅、銅合金、鋁或鋁合金構成。

6.權利要求1~4中任一項所述的電磁波屏蔽用金屬箔，其中，所述基材為鋁或鋁合金，在所述基材與所述基底層之間形成Zn層。

7.電磁波屏蔽材料，其中，在權利要求1~6中任一項所述的電磁波屏蔽用金屬箔的一面層合樹脂層。

8.權利要求7所述的電磁波屏蔽材料，其特征在于，所述樹脂層為樹脂膜。

9.屏蔽電纜，其用權利要求7或8所述的電磁波屏蔽材料屏蔽。