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用于電鍍錫合金層的焦磷酸鹽基鍍液的制作方法

文檔序號:5286014閱讀:619來源:國知局
專利名稱:用于電鍍錫合金層的焦磷酸鹽基鍍液的制作方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及水性無氰化物鍍液和用無氰化物鍍錫合金的方法,尤其是錫-銅合 金,其含有作為有機光澤劑的N-甲基吡咯烷酮。本發(fā)明可以進行均質(zhì)的有光澤的錫合金層的無氰化物電鍍,尤其是錫_銅合金 層,可根據(jù)電解液中使用的金屬鹽的比例來特異性地控制其合金比例。
背景技術(shù)
錫合金,尤其是銅-錫合金,已成為取代鍍鎳的關(guān)注中心。電沉積的鎳層通常被用 于裝飾性和功能性應用。除了它們良好的特性,考慮到健康相關(guān)領域,因為其感光性能,鎳層是有問題的。 因此,代替品變得最受關(guān)注。除了已在電子產(chǎn)業(yè)建立的錫_鉛合金,但是它具有環(huán)境問題,近年來,主要是 銅-錫合金被認為是替代品。Manfred Jordan (Eugen G. Leuze Publ.,1st Ed.,1995)的公 開發(fā)表物《The Electrodeposition of Tin and its Alloys》綜述了用于銅-錫合金電鍍 的已知鍍液類型。已工業(yè)化建立了含氰化物的銅_錫合金鍍液。由于愈加嚴格的控制和高毒性,以 及含氰化物鍍液的麻煩和昂貴的處理,越來越需要無氰化物的銅-錫電鍍液?;诖四康?,已發(fā)展了一些無氰化物含焦磷酸鹽的電鍍液。因此,JP10-102278A 描述了焦磷酸鹽銅-錫合金鍍液,其含有作為添加劑的胺和環(huán)氧鹵丙烷衍生物(摩爾比 1 1)的反應產(chǎn)物,醛衍生物,和根據(jù)使用可選的表面活性劑。US 6416571B1也描述了焦 磷酸鹽鍍液,其也含有作為添加劑的胺和環(huán)氧鹵丙烷衍生物(摩爾比1 1)的反應產(chǎn)物, 陽離子表面活性劑和可選的其它的表面張力活性劑和抗氧化劑。對于滾鍍,以上提到的鍍液是不合適的,因為不能獲得均一的電鍍層,因此產(chǎn)品不 能顯示出均一的色彩和光澤。為了解決這一問題,WO 2004/005528提出了含焦磷酸鹽的銅-錫合金電鍍液,其 含有作為添加劑的胺衍生物(尤其優(yōu)選哌嗪)和環(huán)氧鹵丙烷衍生物(優(yōu)選環(huán)氧氯丙烷)和 縮水甘油醚的反應產(chǎn)物。為了制備該反應產(chǎn)物,在嚴格的溫度控制下(其中溫度必需被控 制在65至80°C之間)由環(huán)氧氯丙烷和縮水甘油醚組成的混合物被緩慢地加入到哌嗪的水 溶液中。該添加劑的一個缺點是過程難以控制,尤其是在高溫下,因為這樣的反應產(chǎn)物易于 在過度反應和/或儲藏溫度下發(fā)生二次反應,因此形成高分子和由此部分不溶于水的無效 聚合物。解決這個問題的方法只能通過在高稀釋度下反應來實現(xiàn)(< Iwt.-%)。以這些 濃度很低的添加劑溶液,多個組成產(chǎn)生了不良溶液結(jié)構(gòu)的電解液。因此,長期使用該電解液 會導致不穩(wěn)定的電鍍。此外,該電解液在框架電沉積應用中顯示出缺點。即,不同電鍍層的質(zhì)量(其經(jīng) 常顯示出混濁)很大程度上取決于電解過程中基材移動的類型。而且,以這種方式得到的 銅-錫涂層通常會出現(xiàn)孔,這尤其在裝飾涂層的情況下是個問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的是開發(fā)用于錫合金的電鍍液,其能夠制造視覺美觀的錫合金層。在這樣做的過程中,調(diào)整均質(zhì)錫合金金屬分布和最佳的錫金屬比例。此外,通過較 寬的電流密度范圍會獲得具有高光澤的均一的層厚度和涂層中合金成分的均質(zhì)分布。本發(fā)明的主體是用于在基材表面上電鍍錫合金層的水性無氰化物電鍍液,其包括(i)錫離子源和其它合金元素源,以及(ii) N-甲基吡咯烷酮。
具體實施例方式除了前述的成分(i)和(ii),本發(fā)明的電鍍液還可包括酸(iii)和/或焦磷酸鹽 源(iv)。本發(fā)明的水性無氰化物電鍍液的成分(iii)可以是已知電鍍液中使用的任意酸。 優(yōu)選,使用有機磺酸、正磷酸、硫酸和硼酸。本發(fā)明的無氰化物電鍍液優(yōu)選含有其它的添加劑,選自抗氧化物和/或其它的有 機光澤劑。優(yōu)選的有機光澤劑是嗎啉、2-嗎啉乙磺酸、六亞甲基四胺、3- (4-嗎啉基)-1,2-丙 烷二醇、1,4- 二氮雜二環(huán)-[2. 2. 2]-辛烷、1-芐基-3-氨基甲酰吡啶氯化物、1- (2’ -氯芐 基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1_(2’ -氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(2’ -甲氧芐 基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1_(2’ -羧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(2’ -氨基甲 酰芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1_(3’ -氯芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -氟 芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -甲氧芐基)-3-氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -羧芐 基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -氨基甲酰芐基)-3-氨基甲酰吡啶氯化物、1-(4’ -氯 芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(4’ -氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(4’ -甲氧芐 基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(4’ -氨基甲酰芐基)-3-氨基甲酰吡啶氯化物、(1’ _甲基 萘基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(1’_甲基萘基)-3_氨基甲酰吡啶溴化物、1,1’_(二甲 苯基(Xylenyl))-3,3,-雙氨基甲酰二吡啶二溴化物,1,1,,1”-(三甲苯)3,3,,3”_三氨 基甲酰三吡啶三溴化物和前述化合物對應的溴化物、氟化物、碘化物和假鹵化物(例如,三 氟化物,甲苯磺酸鹽)以及季銨化的N,N-雙[二烷基氨基-烷基]尿素,芐化的衍生物尤 其適合。本發(fā)明的添加劑可單獨使用,或作為前述代表化合物的多個不同的光澤形成劑的 混合物使用,濃度為0. 0001g/L至20g/L,尤其優(yōu)選0. 001g/L至lg/L。錫離子源和其它合金元素源可被焦磷酸鹽化。即,錫離子源和其它合金元素的源 也可以是前述的本發(fā)明的電鍍液的成分(iv)意義上的焦磷酸鹽源。在這種情況下,其它合金元素源的焦磷酸鹽濃度為0. 5g/L至50g/L,優(yōu)選lg/L至 5g/L。本發(fā)明的鍍液可以為,例如量為0. 5g/L至50g/L,優(yōu)選lg/L至5g/L的焦磷酸銅,或 同樣量范圍的焦磷酸鋅。如果焦磷酸錫被用作本發(fā)明的電鍍液中的錫離子源,濃度通常為0. 5g/L至IOOg/L,尤其優(yōu)選10g/L至40g/L的濃度。除了上述提到的錫和金屬焦磷酸鹽,還可使用其它的水溶性錫和金屬鹽,如硫酸 錫、甲基磺酸錫、硫酸銅、甲基磺酸銅和分別的鋅鹽,其可通過加入合適的堿式金屬焦磷酸 鹽在電解液中重新復合成各自的焦磷酸鹽。在這種情況下,焦磷酸鹽對錫/金屬的濃度比 應該為3比80,尤其優(yōu)選5比50。成分(iv)的焦磷酸鹽源尤其優(yōu)選濃度為50g/L至500g/L,尤其優(yōu)選100g/L至 400g/L的焦磷酸鈉、焦磷酸鉀和焦磷酸銨。前述的抗氧化劑包括羥基化的芳香族化合物,如,例如兒茶酚、間苯二酚、1,2-苯 二酚、對苯二酚、鄰苯三酚、α-萘酚或β-萘酚、間苯三酚和基于碳水化合物的系統(tǒng),如抗 壞血酸、濃度為0. lg/L至lg/L的山梨醇。作為有機磺酸,可使用單_和多烷基磺酸,如甲磺酸、甲基二磺酸、乙基磺酸、丙磺 酸、2-丙磺酸、丁基磺酸、2-丁基磺酸、戊基磺酸、己基磺酸、癸基磺酸、十二烷基磺酸以及 它們的鹽類和羥基化衍生物。尤其優(yōu)選使用濃度為0. 01g/L至lg/L的甲磺酸。本發(fā)明的鍍液具有3至9,尤其優(yōu)選6至8的pH。未預料到令人驚奇的發(fā)現(xiàn)通過添加N-甲基吡咯烷酮可實現(xiàn)鍍層在光澤和無孔方 面的顯著提高,優(yōu)選以0. lg/L至50g/L的濃度,尤其優(yōu)選0. lg/L至4g/L??墒褂靡话愕姆椒▉碇苽浔景l(fā)明的鍍液,例如,通過將特定量的前述成分加入到 水中。應選擇堿、酸和/或緩沖成分如焦磷酸鈉、甲磺酸和/或硼酸的量從而鍍液達到至少 6至8的pH范圍。在約15°C至50°C,優(yōu)選20°C至40°C,尤其優(yōu)選25°C至30°C的所有常用溫度下,本 發(fā)明的鍍液電鍍優(yōu)良的、平整的和可延展的銅-錫合金層。在這些溫度下,本發(fā)明的電鍍液 在0. ΟΙΑ/dm2至2A/dm2,最優(yōu)選0. 25A/dm2至0. 75A/dm2的寬電流密度范圍內(nèi)是穩(wěn)定有效的。可以以連續(xù)或間斷的方式操作本發(fā)明的鍍液,鍍液成分必需隨時補充。鍍液的成 分可被單獨加入或組合加入。此外,它們可根據(jù)單一成分的消耗和實際濃度來在一個較寬 的范圍內(nèi)被變化。與WO 2004/005528的電鍍液相比,本發(fā)明的電鍍液的優(yōu)勢是出色的可再生性,和 與哌嗪和環(huán)氧氯丙烷和縮水甘油醚的反應產(chǎn)物相比之下本發(fā)明的配方的長期穩(wěn)定性。一般來說,本發(fā)明的水性電鍍液可被用于所有類型的基材,在其上電鍍錫合金。合 適的基材的實施例包括銅-鋅合金、涂覆了化學銅或化學鎳的ABS塑料表面,軟鋼、不銹鋼、 彈簧鋼、鉻鋼、鉻鉬鋼、銅和錫。另外一個目標則是使用本發(fā)明的鍍液在常用基材上電鍍銅-錫合金的方法,其中 要被涂層的基材被引入到電鍍液中。優(yōu)選,在處于0. 25A/dm2至0. 75A/dm2的電流密度和15°C至50°C,優(yōu)選25°C至30°C 的溫度下的本發(fā)明的工藝中進行電鍍涂層。本發(fā)明的工藝可作為,例如滾鍍工藝在成批零件應用中進行,和作為框架電鍍工 藝在較大的加工件應用中進行。在這樣做的過程中,使用陽極,其可為可溶解的如銅陽極、 錫陽極或合適的銅_錫合金陽極,其同時作為銅和/或錫離子源,從而通過陽極上銅和/或 錫的溶解使得沉積在陰極的銅和/或錫被取代。在另外一個方面,可使用不可溶的陽極(例如,已鍍的鈦混合氧化物陽極),而從電解液抽提的銅和錫離子必需以另外一種方式被置換,例如,通過加入各自的可溶性金屬 鹽。由于在電鍍工藝中的可能性,本發(fā)明的工藝可在注入氮或氬下進行,移動或不移動基材 不會導致獲得的涂層的缺陷。為了分別防止或減少引入的添加劑或錫(ii)離子的氧化,本 方法可分別以電極空間隔離或以使用膜陽極來進行,由此可實現(xiàn)電解的顯著穩(wěn)定。普通的直流電轉(zhuǎn)換器或脈沖轉(zhuǎn)換器可被用作碳源。工作實施例1 使用具有以下成分的電解液300g/L 焦磷酸四鉀10g/L 焦磷酸銅30g/L 焦磷酸錫50g/L 硼酸32. 4ml/L 磷酸 85%40ml/L N-甲基吡咯烷酮0. lg/L 1-(五氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲 得高光澤度的電鍍。
工作實施例2
使用具有以下成分的電解液
300g/L 10g/L 30g/L 50g/L 32. 4ml/L
焦磷酸四鉀 焦磷酸銅 焦磷酸錫 硼酸
磷酸85%
工作實施例3
使用具有以下成分的電解液20ml/L N-甲基吡咯烷酮0. 06g/L 1-芐基-3-乙酰吡啶氯化物250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲 得在低電流密度范圍內(nèi)具有輕微蒙的高光澤度的電鍍。

300g/L電解液抽提的銅和錫離子必需以另外一種方式被置換,例如,通過加入各自的可溶性金屬鹽。由于在電鍍工藝中的可能性,本發(fā)明的工藝可在注入氮或氬下進行,移動或不移動基材不會導致獲得的涂層的缺陷。為了分別防止或減少引入的添加劑或錫(ii)離子的氧化,本方法可分別以電極空間隔離或以使用膜陽極來進行,由此可實現(xiàn)電解的顯著穩(wěn)定。
普通的直流電轉(zhuǎn)換器或脈沖轉(zhuǎn)換器可被用作碳源。
工作實施例l
使用具有以下成分的電解液
300g/L 焦磷酸四鉀
log/L焦磷酸銅
30g/L焦磷酸錫
50g/L硼酸
32.4ml/L 磷酸85%
40ml/LN一甲基吡咯烷酮
o.1g/L卜(五氟芐基)一3一氨基甲酰吡啶氯化物
250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作陽極。以lA將陰極板涂覆lo分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲得高光澤度的電鍍。
工作實施例2
使用具有以下成分的電解液
300g/L 焦磷酸四鉀
log/L焦磷酸銅
30g/L焦磷酸錫
50g/L硼酸
32.4ml/L 磷酸85%
20ml/LN一甲基吡咯烷酮
o.06g/L 卜芐基一3一乙酰吡啶氯化物
250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作陽極。以lA將陰極板涂覆lo分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲得在低電流密度范圍內(nèi)具有輕微蒙的高光澤度的電鍍。
工作實施例3
使用具有以下成分的電解液
300g/L 焦磷酸四鉀
log/L焦磷酸銅
30g/L焦磷酸錫
50g/L硼酸
32.4ml/L 磷酸85%
40ml/LN一甲基吡咯烷酮
o.03g/L卜(4一甲氧芐基)一3一氨基甲酰吡啶氯化物
250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作10g/L
30g/L
50g/L
32. 4ml/L
40ml/L
0. 03g/L
焦磷酸四鉀 焦磷酸銅 焦磷酸錫 硼酸
磷酸85% N-甲基吡咯烷酮
1-(4-甲氧芐基)-3-氨基甲酰吡啶氯化物 250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作
7陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘c 得高光澤度的電鍍。
在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲 得高光澤度的電鍍。工作實施例5 使用具有以下成分的電解液300g/L 焦磷酸四鉀10g/L 焦磷酸銅30g/L 焦磷酸錫50g/L 硼酸32. 4ml/L 磷酸 85%40ml/L N-甲基吡咯烷酮0. 12g/L 1_(4’ -羧芐基)_3_氨基甲酰吡啶氯化物250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲 得高光澤度的電鍍。工作實施例6 使用具有以下成分的電解液300g/L 焦磷酸四鉀10g/L 焦磷酸銅30g/L 焦磷酸錫50g/L 硼酸32. 4ml/L 磷酸 85%40ml/L N-甲基吡咯烷酮3ml/L 1_(芐基)_3_氨基甲酰吡啶氯化物(35%溶液)250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜)電池中。鈦混合氧化物電極被用作 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后,沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲 得高光澤度的電鍍。工作實施例7:
8


使用具有以下成分的電解液
300g/L
10g/L
30g/L
50g/L
32. 4ml/L
40ml/L
焦磷酸四鉀 焦磷酸銅 焦磷酸錫 硼酸
磷酸85% N-甲基吡咯烷酮3g/L嗎啉250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜) 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后, 得高光澤度的電鍍。
電池中。鈦混合氧化物電極被用作 沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲

工作實施例8
使用具有以下成分的電解液
300g/L 10g/L 30g/L 50g/L 32. 4ml/L40ml/L5g/L
焦磷酸四鉀 焦磷酸銅 焦磷酸錫 硼酸
磷酸85% N-甲基吡咯烷酮 2-嗎啉-乙基磺酸 250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜) 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后, 得高光澤度的電鍍。
電池中。鈦混合氧化物電極被用作 沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲

工作實施例9
使用具有以下成分的電解液
300g/L 10g/L 30g/L 50g/L 32. 4ml/L40ml/L5g/L
焦磷酸四鉀 焦磷酸銅 焦磷酸錫 硼酸
磷酸85% N-甲基吡咯烷酮 3-(4-嗎啉)1,2-丙烷: 250ml的pH為7的電解液被裝入赫爾(薄膜) 陽極。以IA將陰極板涂覆10分鐘。在結(jié)束電鍍之后, 得高光澤度的電鍍。
電池中。鈦混合氧化物電極被用作 沖洗并使用壓縮空氣干燥板子。獲
權(quán)利要求
一種用于在基材表面上電鍍錫合金層的水性無氰化物電鍍液,其包括(i)錫離子源和另外一種合金元素源,其特征在于它還含有(ii)N 甲基吡咯烷酮。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,還包括酸(iii)和/或焦磷酸鹽源 (iv)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述酸是正磷酸、硫酸或甲磺酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述錫離子源是焦磷酸錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的水性無氰化物電鍍液,含有焦磷酸錫的量為0.5g/L至IOOg/L0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述另外一種合金元素源是焦磷 酸銅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的水性無氰化物電鍍液,含有焦磷酸錫的量為10g/L至 40g/L以及含有焦磷酸銅的量為lg/L至5g/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述焦磷酸鹽源選自由焦磷酸 鈉、焦磷酸鉀和焦磷酸銨組成的組。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的水性無氰化物電鍍液,含有焦磷酸鹽的濃度為50g/L至 500g/Lo
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述焦磷酸鹽對錫/合金元素的 濃度比為3比80。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,含有N-甲基吡咯烷酮的濃度為 0.lg/L 至 50g/L。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的水性無氰化物電鍍液,含有N-甲基吡咯烷酮的濃度為 0. lg/L 至 4g/L。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,具有3至9的pH值。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水性無氰化物電鍍液,還包括抗氧化劑和/或其它的有機光 澤劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的水性無氰化物電鍍液,其中所述其它的有機光澤劑選自 由嗎啉、2-嗎啉乙磺酸、六亞甲基四胺、3-(4_嗎啉基)-1,2-丙烷二醇、1,4_ 二氮雜二環(huán) [2. 2. 2]辛烷、1-芐基-3-氨基甲酰吡啶氯化物、1-(2-氯芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、 1_(2’ -氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(2’ -甲氧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、 1-(2’ -羧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(2’ -氨基甲酰芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化 物、1_(3’ -氯芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、 1_(3’ -甲氧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(3’ -羧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、 1_(3’ -氨基甲酰芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1_(4’ -氯芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化 物、1-(4’_氟芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、1-(4’_甲氧芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、 1_(4’ -氨基甲酰芐基)-3_氨基甲酰吡啶氯化物、(1’ -甲基萘基)-3_氨基甲酰吡啶氯化 物、1_(1’ -甲基萘基)-3_氨基甲酰吡啶溴化物、1,1’ -( 二甲苯基)-3,3’ -雙氨基甲酰雙 吡啶二溴化物,1,1,,1 ” -(三甲苯基)3,3,,3 ” -三氨基甲酰三吡啶三溴化物和前述化合物 對應的溴化物、氟化物、碘化物和假鹵化物以及季銨化的N,N-雙[二烷基氨基_烷基]尿素組成的組。
16.一種用于電鍍具有光澤并且平整的錫合金涂層的工藝,包括將待涂覆的基材引入 到根據(jù)權(quán)利要求1至15所述的水性無氰化物電鍍液中并且在所述基材上電鍍所述錫合金涂層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的工藝,其中在0.01 A/dm2至2A/dm2的電流密度下操作所述 鍍液。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的工藝,其中在0.25A/dm2至0. 75A/dm2的電流密度下操作 所述鍍液。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的工藝,其中在15°C至50°C的溫度下操作所述鍍液。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的工藝,其中在25°C至30°C的溫度下操作所述鍍液。
21.根據(jù)權(quán)利要求16至20所述的工藝,其中使用框架電鍍方法在導電基材上電鍍涂層。
22.根據(jù)權(quán)利要求16至21所述的工藝,其中膜陽極被用作陽極。
全文摘要
描述了一種用于在基材表面電鍍錫合金層的水性無氰化物電鍍液,其包括(i)錫離子源和另外一種合金元素源,其特征在于它還含有(ii)N-甲基吡咯烷酮。
文檔編號C25D3/60GK101918618SQ200980101501
公開日2010年12月15日 申請日期2009年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日
發(fā)明者克勞斯·迪特爾·舒爾茨, 拉斯·科爾曼, 海科·布倫納, 菲利普·哈特曼 申請人:阿托特德國有限公司
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