技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)實(shí)施例，形成MEMS換能器的方法包括在單晶硅層中形成換能器框架，其中形成換能器框架包括鄰近腔形成支撐部分并且形成從支撐部分延伸的第一梳齒集合。形成MEMS換能器的方法進(jìn)一步包括形成從錨定裝置到支撐部分的彈性支撐以及在單晶硅層中形成第二梳齒集合。第二梳齒集合與第一梳齒集合交錯(cuò)對(duì)插。

技術(shù)研發(fā)人員：S.比澤爾特;A.德赫;H.弗勒利希;T.考奇;M.納瓦茨;A.希雷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技德累斯頓有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.13
技術(shù)公布日：2017.10.24