1.一種在硅基底上制備全金屬微空腔結構的方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：
在硅基底上濺射一層厚度約為30nm的銅金屬層，在金屬層上涂覆一層厚度約為50nm的正光刻膠，將涂覆正性光刻膠的硅基片置于刻有圖案1、玻璃材質(zhì)、厚度為3mm的鍍鉻1號掩膜版下，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將硅基片浸沒在TMAH顯影液中顯影，刻蝕掉暴露的金屬層，并去除未曝光的正光刻膠，獲得所需金屬種子層；
在硅底層上涂覆一層50μm厚的正光刻膠；將涂覆正光刻膠的硅基片置于刻有圖案2、玻璃材質(zhì)、厚度為3mm的鍍鉻2號掩膜版下，用波長約為365nm的紫外光曝光；
將曝光過的硅基片置于刻有圖案3、玻璃材質(zhì)、厚度為3mm的鍍鉻3號掩膜版下，用波長約為365nm的紫外光曝光；將二次曝光后的硅基底置于TMAH顯影液中顯影，獲得微結構的膠膜結構；
將膠膜結構置于由9080g無水硫酸銅、1283ml硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液中，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微空腔金屬結構；
用PG去膠劑去除硅基片上的正光刻膠膠膜結構，獲得微空腔金屬結構。
2.根據(jù)權利要求1在硅基底上制備全金屬微空腔結構的方法，其特征在于，在包含金屬種子層的硅基片上涂覆50μm厚的正性光刻膠，將涂覆正光刻膠的硅基片置于鍍鉻二號掩膜版下，鍍鉻掩膜版上為刻有第一次曝光圖案并且厚度為3mm的玻璃材質(zhì)，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將第一次曝光后的硅基片置于鍍鉻三號掩膜版下，鍍鉻掩膜版上為刻有第二次曝光圖案并且厚度為3mm的玻璃材質(zhì)，使用波長約為365nm的紫外光曝光；將二次曝光后的硅基片浸沒在TMAH中顯影，得微空腔的膠膜結構；將含有膠膜結構的硅基片置于由9080g無水硫酸銅、1283ml硫酸、4ml鹽酸以及76g十二水硫酸鋁鉀混合配制的電鑄液內(nèi)，在32.2℃的電鑄溫度下進行微電鑄，得到微空腔金屬結構；用PG去膠劑去除硅基片上的正光刻膠膠膜，即得到所需微空腔金屬結構。