技術(shù)特征：
1.一種DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：1.)提供一硅基體作為基板；2.)在基板兩側(cè)表面通過低壓化學(xué)氣相沉積法LP‐CVD工藝沉積3層納米薄膜組成的結(jié)構(gòu)層，該結(jié)構(gòu)層從基板向上的層結(jié)構(gòu)順序?yàn)镾iN/SiO2/SiN；3.)使用LP‐CVD工藝在所述結(jié)構(gòu)層表面沉積犧牲層；4.)利用反應(yīng)離子刻蝕RIE，刻蝕所述硅基體一側(cè)所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層形成硅基體釋放窗口；5.)使用堿性溶液刻蝕所述硅基體得到由所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層組成的自支撐納米薄膜；6.)再次使用刻蝕的辦法，刻蝕掉所述自支撐納米薄膜上方的犧牲層，得到懸空的所述結(jié)構(gòu)層；7.)使用氦離子束在所述結(jié)構(gòu)層上刻蝕出納米通孔；8.)最后使用緩沖過的氫氟酸BOE刻蝕所述結(jié)構(gòu)層中的SiO2，得到由SiO2空腔分割開的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述3層納米薄膜組成的結(jié)構(gòu)層SiN/SiO2/SiN，各層厚度順序?yàn)?～10nm,5～30nm和5～30nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟3)中采用LP‐CVD工藝在所述結(jié)構(gòu)層表面沉積犧牲層，該犧牲層是雙納米薄膜，從硅基體向上分別為SiO2/SiN，或者是多晶硅/SiN，對(duì)應(yīng)的每層厚度區(qū)間順序?yàn)?00～600nm,100～200nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟4)中利用RIE刻蝕所述硅基體一側(cè)所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層形成基體釋放窗口，窗口尺寸范圍為550um×550um～750um×750um。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟5)中利用堿性溶液刻蝕所述硅基體得到由所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層組成的自支撐納米薄膜，所使用的堿性溶液為KOH或者是TMAH。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟6)中，所述懸空的結(jié)構(gòu)層的直徑在2um～5um內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟7)中使用氦離子束在懸空所述結(jié)構(gòu)層上刻蝕出納米通孔，氦離子束刻蝕得到的納米孔尺寸在2nm～300nm內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DNA堿基序列檢測(cè)的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟8)中使用緩沖過的氫氟酸BOE刻蝕所述結(jié)構(gòu)層中的SiO2得到由SiO2空腔分割開的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)，氫氟酸緩沖液刻蝕納米孔中SiO2的時(shí)間為5s～20s。