技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種具有提高的集成密度的MEMS器件以及一種制造該器件的方法。所述器件包括基底晶片和設(shè)于基底晶片之上的頂蓋晶片。在基底晶片與頂蓋晶片之間設(shè)有第一空腔。在頂蓋晶片上方，第二空腔設(shè)于薄層覆蓋部下方。所述空腔包含器件結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：托馬斯·梅茨格;于爾根·波特曼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：追蹤有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.18
技術(shù)公布日：2017.09.26