本發(fā)明涉及一種微晶結(jié)構(gòu)，更具體地，涉及一種用于制造大尺寸微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

微晶結(jié)構(gòu)，例如在第’989專利中公開的結(jié)構(gòu)，具有許多應用，對于很多這種應用需要特定的最小尺寸的結(jié)構(gòu)。第’989專利中公開的制造工藝包括通過將適合的液態(tài)光單體曝光在穿過一個或多個光掩膜的準直光下而形成微晶結(jié)構(gòu)。該液態(tài)光單體在光聚合過程中會經(jīng)歷折射率變化，這可以引起聚合物光波導的形成。如果光敏單體在適當?shù)臈l件下曝光在光(一般為uv)下，例如小的圓形區(qū)域的聚合的起始區(qū)域?qū)ⅰ安东@”光并將其引導至聚合區(qū)域的尖端處，進一步推進聚合區(qū)域。該過程將持續(xù)引起波導結(jié)構(gòu)的形成，該波導結(jié)構(gòu)具有沿其整個長度的大致或者大約相同的截面尺寸。當由來自多個不同方向的準直光穿過光掩膜從上方照射光單體盒時，可以使用(或者利用)具有二維孔圖案的光掩膜生成三維聚合物微結(jié)構(gòu)。

使用(或者利用)這種制造工藝形成的微晶的厚度受限于準直光能夠以足夠小的衰減傳播穿過波導以在波導的端部持續(xù)聚合該單體的程度。因此，需要一種制造微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法，該微晶結(jié)構(gòu)的厚度不受準直光能夠穿過波導傳播的限制。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在用于形成較大厚度的微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)和方法的一個實施例中，光單體樹脂被存放在具有透明底部的模具中，使用脫模劑涂覆該透明底部的內(nèi)表面。基板被放置在于光單體樹脂的頂面接觸的位置。使用一個或多個準直光源從下方穿過光掩膜照射光單體，以形成聚合物波導，向上延伸到基板，形成與基板接觸的微晶結(jié)構(gòu)。形成微晶結(jié)構(gòu)的層之后，使用(或者利用)平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)提升基板，向模具中添加外加的光單體樹脂，再次穿過光掩膜照射該光單體樹脂以形成微晶結(jié)構(gòu)的附加層。多次重復該過程以形成堆疊微晶結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了一種用于形成微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：貯存室，所述貯存室被構(gòu)造為用于保持一定體積的液態(tài)光單體，所述貯存室的底部包括窗口，所述窗口為至少部分透明并且被構(gòu)造為用于密封所述貯存室的所述底部；卡盤，所述卡盤被構(gòu)造為用于保持基板；平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，所述平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)被構(gòu)造為用于將所述卡盤支撐在所述貯存室上方的區(qū)域；和第一準直光源，所述第一準直光源被構(gòu)造為沿第一方向穿過所述窗口發(fā)射第一準直光束并使其進入所述貯存室的內(nèi)部。

在一個實施例中，所述窗口包括光掩膜。

在一個實施例中，該系統(tǒng)包括光掩膜保持器，所述光掩膜保持器被構(gòu)造為將光掩膜固定到所述貯存室的所述底部。

在一個實施例中，還包括被固定到所述貯存室的所述底部的光掩膜。

在一個實施例中，該系統(tǒng)包括：第二準直光源，所述第二準直光源被構(gòu)造為沿第二方向發(fā)射穿過所述光掩膜并進入所述貯存室的所述內(nèi)部的第二準直光束；和第三準直光源，所述第三準直光源被構(gòu)造為沿第三方向發(fā)射穿過所述光掩膜并進入所述貯存室的所述內(nèi)部的第三準直光束；所述第一方向不同于所述第二方向，所述第二方向不同于所述第三方向，并且所述第一方向不同于所述第三方向。

在一個實施例中，所述光掩膜保持器包括至少部分透明的薄片；所述窗口和所述至少部分透明的薄片被構(gòu)造為用于夾持所述光掩膜。

在一個實施例中，該系統(tǒng)包括被構(gòu)造為將窗口、光掩膜和至少部分透明的薄片夾在一起的夾具。

在一個實施例中，該系統(tǒng)包括平移測量裝置，所述平移測量裝置被構(gòu)造為用于測量所述平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的位置。

在一個實施例中，所述窗口包括作為主要部件的從包含以下材料的組中選擇的材料：玻璃、石英、透明塑膠以及它們的組合。

在一個實施例中，所述窗口的上表面被處理以避免粘合到所述窗口。

在一個實施例中，所述卡盤包括磁體，所述磁體被構(gòu)造為通過磁力固定所述基板。

在一個實施例中，所述基板包括具有孔的平坦表面，所述卡盤被構(gòu)造為用于真空固定所述基板。

在一個實施例中，包括具有多個孔的光掩膜。

在一個實施例中，所述光掩膜包括作為主要部分的從包含以下材料的組中選擇的材料：透明塑料、玻璃、石英以及它們的組合。

根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了一種用于形成微晶結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括以下步驟：向貯存室的內(nèi)部傳送第一體積的光單體，所述貯存室的底部包括窗口；將基板固定到卡盤；操作平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)以將所述基板放置在于所述光單體接觸的位置；沿第一方向穿過所述光掩膜發(fā)射第一準直光束并使其進入所述貯存室的所述內(nèi)部，所述發(fā)射步驟以以下方式執(zhí)行：使得第一波導在所述光單體內(nèi)形成；使得所述第一波導延伸到所述基板；和使得所述第一波導粘合到所述基板的下表面；和操作所述平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，以提升所述基板和所述第一波導。

在本發(fā)明的一個實施例中，該方法還包括以下步驟：沿第二方向穿過所述光掩膜發(fā)射第二準直光束并使其進入所述貯存室的所述內(nèi)部，其中：執(zhí)行沿第一方向穿過所述光掩膜發(fā)射第一準直光束并使其進入所述貯存室的所述內(nèi)部的步驟、執(zhí)行操作平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)以提升所述基板和所述第一波導的步驟、和執(zhí)行沿第二方向穿過所述光掩膜發(fā)射第二準直光束并使其進入所述貯存室的所述內(nèi)部的步驟，使得：在所述光單體內(nèi)形成第二波導、使所述第二波導延伸到所述基板、和使所述第二波導粘合到所述第一波導的下端。

根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了一種微晶結(jié)構(gòu)，包括：多個第一波導構(gòu)件，所述多個第一波導構(gòu)件通過多個第一自生長聚合物波導限定并沿第一方向延伸；多個第二波導構(gòu)件，所述多個第二波導構(gòu)件通過多個第二自生長聚合物波導限定并沿第二方向延伸；和多個第三波導構(gòu)件，所述多個第三波導構(gòu)件通過多個第三自生長聚合物波導限定并沿第三方向延伸；其中，所述第一波導構(gòu)件、第二波導構(gòu)件和第三波導構(gòu)件在多個節(jié)點處彼此交聯(lián)以形成連續(xù)材料；和其中，所述微晶結(jié)構(gòu)的總體尺寸超過2英寸長、2英寸寬以及2英寸高。

附圖說明

本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將參考具體說明、權(quán)利要求和附圖進行說明和理解，其中：

圖1a為根據(jù)本發(fā)明的實施例的堆疊微晶結(jié)構(gòu)的透視圖；

圖1b為根據(jù)本發(fā)明的實施例的堆疊微晶結(jié)構(gòu)的單元晶胞的透視圖；

圖2a為根據(jù)本發(fā)明的實施例的在用于形成堆疊微晶結(jié)構(gòu)的第一層的結(jié)構(gòu)中用于制造堆疊微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)的側(cè)視圖；

圖2b為根據(jù)本發(fā)明的實施例的在用于形成堆疊微晶結(jié)構(gòu)的第三層的結(jié)構(gòu)中用于制造堆疊微晶結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造堆疊微晶結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)的透視圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明的實施例的光掩膜固定器和光掩膜的截面圖；和

圖5為根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于說明制造堆疊微晶結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖闡述的詳細說明旨在說明依據(jù)本發(fā)明的堆疊式微晶材料及其制備方法的實施例的說明，并不旨在表示本發(fā)明的唯一構(gòu)造形式或者應用。該說明結(jié)合說明性實施例闡明了本發(fā)明的特征。但是，應當理解的是相同或者同等的功能和結(jié)構(gòu)可以通過也旨在包含在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的不同實施例實現(xiàn)。如在本文其它地方所做的說明，相似的元件標號旨在表示相似的元件或特征。

圖1a和圖1b分別示出了典型的微晶材料100和典型的微晶材料單元晶胞10。在有限的厚度(這里使用或者采用厚度是指制造期間的垂直方向，對應于圖1b中的z軸)中，該結(jié)構(gòu)可以通過自引導或“自傳播”光聚合過程(如第’989專利和第’959專利中所示出的)制造。在聚合過程中光敏聚合物經(jīng)歷折射率變化，這可以引起聚合物光波導的形成。如果光敏單體樹脂在合適的條件下曝露于光(例如，紫外線)下，則聚合的起始區(qū)域(例如小的圓形區(qū)域)將“捕獲”光并將光引導至聚合區(qū)域的尖端，并在該聚合區(qū)域進一步推進。該過程持續(xù)進行，導致沿其整體長度具有大致或大約相同的橫截面尺寸的波導結(jié)構(gòu)形成。波導可以在節(jié)點115處交聯(lián)，形成包括在節(jié)點115處連接的波導構(gòu)件110的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，節(jié)點不會因為光聚合過程導致的折射率的改變而在尺寸上受影響，即，節(jié)點不會膨脹或者具有超過與該節(jié)點相交的波導110的直徑的局部直徑。

本發(fā)明的實施例利用以平行或者順序的方法形成該波導110的過程而產(chǎn)生大的相互連接的晶格材料。波導材料的層被順序地制成以形成更厚的材料塊；每層的形成包括多個波導110的平行制造。參考圖2a，在一個實施例中，用于制造較大厚度的堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的系統(tǒng)包括光單體貯存室或者“模具”210和卡盤212，該光單體貯存室或者“模具”210具有至少部分透明的窗口305(圖3),而卡盤212被構(gòu)造為用于保持基板215?？ūP212由于被緊固到平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213而可以移動，平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213被構(gòu)造為以可控的方式在一個或多個自由度中移動卡盤212。這里使用的“至少部分地透明”意味著(或者指)對適合于聚合光單體樹脂的至少一種光波長是透明或者半透明的。該系統(tǒng)被構(gòu)造使得光掩膜400(圖4)可以被放置在例如卡盤210的窗口305的下方的位置，從而光單體樹脂可以被注入卡盤210，并且可以由放置在卡盤210的底部211的準直光的一個或多個光源225的準直光的光束220穿過光掩膜400照射該光單體樹脂。參考圖2b，部分成形的堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的多個層可以被保持在模具210的上方或者部分地突出以進入模具210，同時在模具210中形成另一個層。圖3示出了圖2a和2b中所示的系統(tǒng)的透視圖。

在一個實施例中，光掩膜400被設置在至少一個準直光源225和模具210之間。光掩膜400沿單個平面延伸并且具有至少一個洞或者“孔”402(圖4)，至少一個孔402適用于將準直光束的第一光束、第二光束和第三光束引導至光單體中以在光單體的部分體積中分別形成聚合物波導110的第一波導110、第二波導110和第三波導110。第一光束相對于該單個平面指向第一角度，第二光束相對于該單個平面指向第二角度，第二角度不同于第一角度，并且第三光束相對于該單個平面指向第三角度，第三角度不同于第一角度和第二角度。第一波導110相對于該單個平面形成第四角度，第四角度對應于第一角度，第二波導110相對于該單個平面形成第五角度，該第五角度對應于第二角度，以及第三波導110相對于該單個平面形成第六角度，該第六角度對應于第三角度。第一波導110、第二波導110和第三波導110在至少一個孔402處彼此交聯(lián)。

在一個實施例中，光掩膜400處在準直光的一個或多個光源225與模具210的內(nèi)部之間的光路中。光掩膜400中的孔402的大小、形狀和位置將確定隨后光單體樹脂通過光掩膜400曝光時形成的波導110的大小、形狀和位置。光掩膜400可以例如是利用適當?shù)目?02圖案化的一片玻璃，該片玻璃具有諸如金屬的不透明涂層。光掩膜400可以被固定到模具210的底部211的至少部分透明的部分的底側(cè)，或者可以固定到模具210的底部211的至少部分透明的部分的頂側(cè)，即，模具210的內(nèi)部，或者光掩膜400可以集成到或者形成為模具210的底部211的至少部分透明的部分，例如，模具210的底部211可以是或者包括被圖案化的玻璃片。圖4示出了通過至少部分透明的薄片405固定到窗口305的底部的光掩膜400。光掩膜400被夾在至少部分透明的薄片405和窗口305之間。至少部分透明的薄片405可以例如通過一個或多個夾具407被保持在合適位置，夾具407將至少部分透明的薄片405夾持到窗口305或者夾持到模具210的底部211。夾具407可以例如是固定到模具210的底部211的底側(cè)的肘節(jié)夾具。

模具210可以由諸如形成模具210的壁的矩形框以及形成模具210的底部211的大致平坦的薄片的兩個或更多個部件組成，他們可以被夾在一起，或者使用適合的粘合劑或密封劑粘在一起，或者被同時夾在一起并粘在一起。矩形框可以包括設置在它的外部用于夾住大致平坦的薄片的翼部。模具210的底部211可以由大致平坦的金屬薄片組成，該金屬薄片具有用于容納窗口305的切口，并且具有設置在切口中并密封到金屬薄片的玻璃塊。使用前，可以使用脫模劑(例如，sprayon^tmmr314)涂覆模具210的底部211，以防堆疊微晶結(jié)構(gòu)205粘附到模具210的底部211。

堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的每個層的水平延伸可以通過一個或多個因素限定，這些因素包括模具210的底部211中窗口305的水平延伸、光掩膜400中的孔的水平延伸以及模具210的壁的位置。如果模具210的壁足夠靠近以被準直光照射，波導110可以延伸至模具210的壁，并且該壁可以類似于模具210的底部211一樣被脫模劑涂覆以防波導110粘附到壁。

操作中，參照圖5，微晶結(jié)構(gòu)205使用一系列步驟制造，其中一些步驟可以重復。在步驟410中，選擇光掩膜結(jié)構(gòu)。在步驟415中，組裝光掩膜400和模具210，基板215被固定到卡盤212，光單體樹脂被注入模具210，并且基板215被放置在與光單體樹脂的頂部相接觸的位置。在步驟420中，光單體樹脂通過光掩膜400曝光在準直光(例如，準直紫外線(uv))下，以形成波導110并在模具210中產(chǎn)生微晶結(jié)構(gòu)。波導110穿過光單體樹脂傳播到達基板215，并且在波導110終止在基板215上的點處粘附到基板215并與基板215連接。在步驟425中，通過升高平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213和所連接的用于保持基板215的可移動卡盤212升高基板215。當可移動卡盤212升高時，由于波導110到基板215的粘附而固定到基板215的微晶結(jié)構(gòu)從樹脂中升出。在步驟430中，然后向模具210中添加更多的光單體樹脂，或者，如果將在下一個曝光420中制造更薄的層，可以從模具210移除光單體樹脂，以便為光單體樹脂的頂面與微晶結(jié)構(gòu)相接觸而做準備，或者使微晶結(jié)構(gòu)的底部略微浸沒在光單體樹脂中。隨后可以重復步驟420、425和430，每次添加與模具210中的光單體樹脂的深度大致(或者大約)相同厚度的微晶結(jié)構(gòu)層，從而每次執(zhí)行步驟420時產(chǎn)生具有層的堆疊微晶結(jié)構(gòu)205。因此，作為本方法的應用結(jié)果，具有比實現(xiàn)為單層的厚度更大的厚度的并且還具有較大的長度和寬度的堆疊微晶結(jié)構(gòu)205可以形成連續(xù)材料，即，該結(jié)構(gòu)是均勻的并且在層與層的交界處的波導110的構(gòu)成沒有改變；波導110在界面上是均勻并連續(xù)的，不同于其它的由使用粘接劑連接在一起的多個微晶結(jié)構(gòu)形成的結(jié)構(gòu)。在最終執(zhí)行步驟420之后，可以從卡盤212移除基板215，并且可以在步驟435中對堆疊微晶結(jié)構(gòu)205進行適合的后處理，例如通過使用熱能后固化結(jié)構(gòu)205。

在一個實施例中，步驟415和430中，當基板215和微晶結(jié)構(gòu)205的任意連接層升出來時，向模具210中注入光單體樹脂到足夠小的高度，以允許步驟420中的曝光期間光聚合物波導110生長穿過光單體樹脂的深度到光單體樹脂的頂面或者至少到達基板215的表面。在一個實施例中，光單體樹脂的深度在0.1″-1.0″的范圍內(nèi)。降低基板215直到該基板，或者堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的最新形成的層，與樹脂完全接觸，然后打開uv光以形成堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的層。在另一個實施例中，基板215通過平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213被保持在適合的高度，并且光單體樹脂通過側(cè)部端口被注入到模具210中，從而使樹脂與模具210的底部211與基板215相接觸，或者與模具210和堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的最新形成的層相接觸。在一個實施例中，當將光單體樹脂添加到模具后，在曝光光單體之前允許經(jīng)過一段時間以允許由于光單體樹脂的加入而產(chǎn)生的任意電流消失。

在一個實施例中，每次曝光步驟420之后升高卡盤212，使結(jié)構(gòu)僅沿z軸方向無旋轉(zhuǎn)地從樹脂中被提高。在額外的樹脂被添加到模具210后，降低卡盤212以使上一個層的底部晶格構(gòu)件與樹脂相接觸，然后通過在uv光下曝光樹脂而形成下一個晶格層。因為第一層聚合物與第二次樹脂之間的接觸，微晶結(jié)構(gòu)的第二層將形成微晶結(jié)構(gòu)的第一層的連續(xù)延伸。當再次升高卡盤212時，微晶結(jié)構(gòu)的第二層也被提出該室。升高卡盤212、添加更多的樹脂、降低卡盤用于聚合物與樹脂之間的接觸以及uv固化的過程可以被重復直到實現(xiàn)期望的厚度為止。

在第一次曝光中，即，在第一次執(zhí)行步驟420中，可以調(diào)整曝光以使微晶結(jié)構(gòu)聚合到達基板215的底部并與基板215形成牢固的結(jié)合。在另一個實施例中，為了在沒有過度曝光的情況下保證良好的粘接，可以在基板215與光單體樹脂的頂面之間的空間執(zhí)行第一曝光，從而能夠在視覺上檢查光單體樹脂的頂面。在用于使微晶結(jié)構(gòu)生長到自由面(光單體樹脂的頂面)的初始曝光之后，降低基板215以與樹脂相接觸，并且在微晶結(jié)構(gòu)與基板215之間的接觸點附近或者接觸點處最終、短時間地曝光聚合光單體樹脂，使得微晶結(jié)構(gòu)粘合到基板215。類似地，如果已經(jīng)形成了堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的一個或多個層，可以在最新形成的層與光單體樹脂的頂面之間的空間執(zhí)行曝光，如圖2b所示，從而可以在視覺上檢查自由表面。在用于使微晶結(jié)構(gòu)生長到自由表面(光單體樹脂的頂面)的初始曝光之后，降低基板215以允許堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的上一個形成層的最低處與樹脂相接觸，并且最終的、短時間曝光使微晶結(jié)構(gòu)粘結(jié)到上一個形成的層的最低處。

在曝光步驟420之后提升基板215時，可以使用很多方法使在曝光時形成的微晶結(jié)構(gòu)保持固定到基板215并且從模具210分離。在使基板215與光單體樹脂接觸之前，可以將諸如momentive^tmss415501p硅引物的引物應用于基板215，以改善基板215與微晶結(jié)構(gòu)之間的粘合?？梢允褂妹撃┙档突?15與模具210之間的粘合。

當在步驟425中升高卡盤212時，該卡盤被升到新的位置，使得將在隨后的曝光步驟420中形成的波導110將連接并粘合到在上一個曝光步驟420期間形成的波導110，并且基板215隨后的進一步升高使堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的全部先前形成的層提升。

可以構(gòu)造多種固定裝置以形成用于實施本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)。這些固定裝置可以保持微晶結(jié)構(gòu)層與層之間的x-y對準，在垂直方向上精確地平移基板215，將貯存室臨時固定在不會妨礙準直光束的適當位置，并且允許貯存室的空隙可以被移除。在一個實施例中，平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213為機械臂。

在堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的制造期間，卡盤212將基板215固定到平移-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)213，并且基板215可以從卡盤212被釋放以允許隨后從固定裝置移除堆疊微晶結(jié)構(gòu)205與基板215。如果需要的話，隨后可以在分離操作中使堆疊微晶結(jié)構(gòu)205與基板215分離，例如，使用(或者利用)刀具或者小鏟的切割或者刮削操作。在一個實施例中，堆疊微晶結(jié)構(gòu)205首先從基板215分離，然后進行后固化。為了保持基板215，卡盤212可以使用磁體、電磁體、氣動、真空、可逆粘合劑或者諸如夾具或者緊固件的物理約束。在一個實施例中，基板215由鋼構(gòu)成，并且卡盤212包括用于保持基板215的磁體。

可以通過合適的源提供準直光，例如汞弧燈或者發(fā)出紫外(uv)光的二極管或者激光器。

模具210的底部211(光單體樹脂通過該底部211被照射)可以包括由合適的半透明或者透明材料(例如，不是為了限制的目的，鈉鈣玻璃)組成的窗口305。在一個實施例中，模具的整個底部211可以是透明的，即，模具的整個底部211為窗口305。

上述實施例可以有多種變化。對于堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的不同層可以使用(或者利用)不同的光掩膜；這可以通過改變重復步驟420(使光單體樹脂在準直光下曝光的步驟)中的光掩膜400而實現(xiàn)。準直光照射光單體樹脂的角度(以及光傳播的方向)可以在步驟420的不同重復中被改變，以將聚合物波導110的路徑引導為特定的形狀。將光單體樹脂曝光在準直光下的步驟420包括兩個步驟：在不改變基板215的高度或沒有添加更多的樹脂的情況下，可以改變光掩膜400或者改變光傳播方向或者二者同時被改變，以在堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的相同層產(chǎn)生不同的特征，或者在與相鄰層同樣包含相同的、未受干擾的微晶結(jié)構(gòu)的層的厚度上生成獨立的特征。其它材料或?qū)ο?，例如電線、基面、面板、錐形犧牲管板支架、未圖案化的中間片材(例如，薄的金屬，或者薄的聚合物)、或者圖案化的中間片材(例如圖案化的金屬片材或網(wǎng)狀物，包括例如化學蝕刻、激光加工或者機械加工金屬片材)、或者圖案化的聚合物片材或者網(wǎng)狀物、非織造聚合物材料、或者紡織物也可以在諸如多個制造階段成為堆疊微晶結(jié)構(gòu)205的一部分，例如，通過在開始新的曝光之前在光單體樹脂的頂面上或者它的附近放置材料片材的方式。聚合物波導110的橫截面可以被制造為通過改變層與層之間的光掩膜400而在層與層之間不同，并且一些或者全部層可以具有直徑漸縮的聚合物波導110。

在步驟420中提升卡盤212時，只要節(jié)點或者結(jié)構(gòu)特征的子集在曝光步驟之間是重疊的，則不需要僅在垂直方向上平移，也可以在水平方向上平移，或者旋轉(zhuǎn)，或者同時執(zhí)行。該方法可以用于制造任意形狀的晶格結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的實施例可以用于制造熱交換器或者質(zhì)量交換器(該熱交換器或者質(zhì)量交換器可以用于變速器冷油器、蒸發(fā)器、冷凝器、散熱器、中間冷卻器或者用于機艙冷卻的沖壓空氣熱交換器)、用于制造用作厚能量吸收材料(緩沖梁，防爆材料)的厚微晶材料、聲學衰減、靠墊或者墊子(例如用于床墊或者底墊的墊子)、或者用于制造隨后被轉(zhuǎn)換成不同材料的厚的、開孔的蜂窩支架。

雖然這里對堆疊微晶材料及其制造方法的示例性實施例做了特定的說明和描述，但是很多修改和改變對本領域技術(shù)人員來說是顯而易見的。據(jù)此，應當理解的是，根據(jù)本發(fā)明的原則實現(xiàn)的堆疊微晶材料及其制造方法可以不同于這里所做的特定說明。本發(fā)明還在所附的權(quán)利要求及其同等物中做了限定。