專利名稱：電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此討論的實施例涉及形成于襯底表面上的電子器件，在襯底中有源層設(shè)置在絕 緣層上。
背景技術(shù)：
通常，為了響應(yīng)于對在移動電話中使用高頻元件(RF元件)小型化和高性能的需 求，正進行通過使用MEMS (微機電系統(tǒng))技術(shù)來研發(fā)作為高頻(RF)開關(guān)的MEMS開關(guān)。MEMS 開關(guān)由于其自身特征，與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體開關(guān)相比具有低損耗、高隔離度、良好失真特性等。傳統(tǒng)上已經(jīng)提出了具有不同結(jié)構(gòu)的各種類型的MEMS開關(guān)(參見國際專 利申請No. 2005-528751的日本國家公布和日本早期公開專利No. 2005-293918和 No. 2006-210530)。圖11是示出了傳統(tǒng)的MEMS開關(guān)80 j的俯視圖，圖12A-12C是MEMS開關(guān)80 j的截 面圖。具體來說，圖12A-12C是分別沿著圖11中的線J1-J1、線J2-J2、和線J3-J3所取的 MEMS開關(guān)80j的截面圖。參考圖11-12C，MEMS開關(guān)80 j由襯底81組成，在襯底81上形成下接觸電極82、 上接觸電極83、下驅(qū)動電極84、上驅(qū)動電極85、接地電極86等。下接觸電極82和下驅(qū)動電 極84與組成懸臂的可移動部分KB —體化。襯底81是絕緣體上硅(SOI)襯底。在SOI襯底的有源層上形成狹縫ST ；從而來 限定可移動部分KB。通過鍍層使下接觸電極82和下驅(qū)動電極84形成于有源層上。下接觸電極82和上接觸電極83用作高頻信號線。高頻信號線與上驅(qū)動電極85 和接地電極86 —起形成共面線結(jié)構(gòu)，提供上驅(qū)動電極85和接地電極86以將高頻信號線放 置在兩者之間，這引起低傳輸損耗。上驅(qū)動電極85連接到接地。當驅(qū)動電壓VD施加在上驅(qū)動電極85與下驅(qū)動電極 84之間時，在上驅(qū)動電極85與下驅(qū)動電極84之間產(chǎn)生靜電吸引力，在靜電吸引力的作用下 下驅(qū)動電極84被吸向上驅(qū)動電極85并移動到上驅(qū)動電極85。以此方式，與下驅(qū)動電極84 和下接觸電極82 —體化的可移動部分KB移動，下接觸電極82接觸上接觸電極83，從而觸 點閉合。這時，如果驅(qū)動電壓VD設(shè)置為零，則由于可移動部分KB的彈性，下接觸電極82和 上接觸電極83的觸點相互分離。在具有上述傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)80 j中，當驅(qū)動電壓施加到下驅(qū)動電極84時， 漏電流Ia從下驅(qū)動電極84通過可移動部分KB的有源層流到用作高頻信號線的下接觸電 極82。即使在可移動部分KB由高阻硅制成的情況下，當驅(qū)動電壓VD是40V時，漏電流Ia 例如是約10 μ A。在此情況下，由于漏電流Ia而造成的功率損耗是400 μ W。該功率損耗的 水平在便攜式終端中是不可忽略的水平。漏電流Ia最后被傳輸至高頻信號線的觸點，這很可能是觸點粘結(jié)的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的內(nèi)容涉及解決上面所指出的問題，因此，本發(fā)明的實施例的目的是抑制 漏電流，從而減小由于漏電流而造成的功率損耗。根據(jù)本發(fā)明的一個方面(實施例)，一種電子器件包括襯底，所述襯底包括有源 層；信號電極，所述信號電極形成于所述有源層的表面上；第一驅(qū)動電極，所述第一驅(qū)動電 極形成于所述有源層的所述表面上，并且連接到接地；和第二驅(qū)動電極，所述第二驅(qū)動地電 極包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述有源層的所述表面上，所述第二部 分連接到所述第一部分，并且所述第二部分設(shè)置在所述第一驅(qū)動電極上方。所述襯底具有 環(huán)狀凹槽，所述環(huán)狀凹槽穿透所述有源層并且圍繞所述第一部分。


圖1是根據(jù)第一實施例的MEMS開關(guān)的俯視圖2A-2C是圖1所示的MEMS開關(guān)的截面圖3是示出了用于測量MEMS開關(guān)中的漏電流的方法的圖
圖4是根據(jù)第一實施例的MEMS開關(guān)的變體的俯視圖5是示出了 MEMS開關(guān)的頻率特性的圖6是示出了 MEMS開關(guān)的頻率特性的圖7是根據(jù)第二實施例的MEMS開關(guān)的俯視圖8是根據(jù)第三實施例的MEMS開關(guān)的俯視圖9是根據(jù)第四實施例的MEMS開關(guān)的俯視圖10是根據(jù)第五實施例的MEMS開關(guān)的俯視圖11是傳統(tǒng)的MEMS開關(guān)的俯視圖；和
圖12A-12C是傳統(tǒng)的MEMS開關(guān)的截面圖。
具體實施例方式將參考附圖在下面說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。實施例是示例，可以對實施例的 MEMS開關(guān)的結(jié)構(gòu)、形狀、尺寸、材料等進行各種修改。[第一實施例]參考圖1-6給出對第一實施例的MEMS開關(guān)1的描述。圖2A-2C是分別沿著圖1 中的線A-A、線B-B、和線C-C所取的MEMS開關(guān)1的截面圖。需要注意，在圖1-3中，還對不與橫截面相對應(yīng)的部分用陰影線表示，以便于理解 各個部分的形狀。參考圖1和2，MEMS開關(guān)1是高頻MEMS開關(guān)，例如RF-MEMS開關(guān)。MEMS開關(guān)1包 括襯底11、下接觸電極12、上接觸電極13、下驅(qū)動電極14、上驅(qū)動電極15、和接地電極16。襯底11是SOI (絕緣體上硅)襯底，其包括三層，即，支撐襯底11a、中間氧化物膜 lib、和有源層11c。支撐襯底Ila由硅制成，具有例如約500 μ m的厚度。中間氧化物膜lib 是由S^2制成的絕緣層，具有例如約4 μ m的厚度。有源層Ilc是硅薄膜，具有例如約15 μ m 的厚度。SOI襯底的硅的電阻率是約IOOOQcm或更大。有源層Ilc具有兩個狹縫21，兩個狹縫21在俯視圖(正視圖)上具有大致水平的U形，S卩，大狹縫21a和小狹縫21b，兩個狹縫21限定了可移動部分KB。去除與包括可移 動部分KB的區(qū)域相對應(yīng)的中間氧化物膜11b，以提供空間KK。因此，可移動部分KB組成懸 臂，懸臂在沒有設(shè)置狹縫21的部分上具有其支點。該結(jié)構(gòu)使得與支點相反的端部邊緣部分 能夠在圖2A中的上下方向移動。使得下接觸電極12以及下驅(qū)動電極14與可移動部分KB 的表面緊密接觸，并在可移動部分KB的表面上形成下接觸電極12和下驅(qū)動電極14。如圖2A所示，上驅(qū)動電極15由電極基部15a和15c、以及電極相對部分1 形成， 電極基部1 和15c形成為與有源層Ilc緊密接觸，電極相對部分15b由電極基部1 和 15c支撐，并且電極相對部分1 形成跨過可移動部分KB的橋。電極相對部分1 在上方 面對下驅(qū)動電極14的矩形部分。襯底11的有源層Ilc具有狹縫22和23，狹縫22和23具有大致矩形形狀，從而分 別圍繞上驅(qū)動電極15的電極基部15a和15c。參考圖1-2C，狹縫22和23是穿透有源層Ilc形成的環(huán)狀凹槽。每個狹縫22和 23具有約幾微米的寬度，例如，約2 μ m。換句話說，在本實施例中，在與狹縫22和23相對 應(yīng)的部分不提供有源層11c，中間氧化物膜lib暴露在該部分。由于高絕緣電阻，狹縫22和 23使電極基部1 和15c與下接觸電極12、上接觸電極13、下驅(qū)動電極14等絕緣。狹縫22具有與大狹縫21a共同的區(qū)域。狹縫23具有與小狹縫21b共同的區(qū)域。 也就是說，小狹縫21b形成為狹縫23的一部分。但是相反的，狹縫22和23可以獨立于狹 縫21而形成。上接觸電極13具有接觸部分ST，接觸部分ST設(shè)置成在上方面對下接觸電極12。 在下接觸電極12和上接觸電極13的接觸部分ST之間形成可以斷開和閉合的觸點，當可移 動部分KB向上變形從而使得下接觸電極12與接觸部分ST接觸時，該觸點閉合。下接觸電 極12和上接觸電極13A組成高頻信號線SL，當觸點閉合時，高頻信號通過高頻信號線SL。 上驅(qū)動電極15設(shè)置成與高頻信號線SL平行。由側(cè)部分16a_16d組成的接地電極16以矩形框架形狀形成在襯底11上，以圍繞 包括下接觸電極12、上接觸電極13、下驅(qū)動電極14、和上驅(qū)動電極15在內(nèi)的整個器件。側(cè) 部分16a是接地電極16的一側(cè)，設(shè)置成與高頻信號線SL平行。使用金屬材料(例如，金(AU))作為下接觸電極12、上接觸電極13、下驅(qū)動電極 14、上驅(qū)動電極15和接地電極16的材料。通過濺射使下接觸電極12和下驅(qū)動電極14形 成為具有約0. 5 μ m的厚度。通過鍍層使上接觸電極13、上驅(qū)動電極15和接地電極16形成 為具有約20 μ m的厚度(高度)。參考圖1，下接觸電極12和下驅(qū)動電極14各自整體上設(shè)置成通過濺射形成的薄 層。但是，如有必要，能夠在下接觸電極12和下驅(qū)動電極14中形成用于電極連接的錨定部 分。如圖3所示，如有必要，在每個電極或者每個電極的錨定部分上形成凸塊19，具體 來說，是凸塊19￡1、1%、19(、19(1、或1如。凸塊19由金屬材料(例如，金)制成，以具有例如 約60 μ m的最大直徑和例如約100 μ m的長度。通過超聲波焊接或熔融鍵合使凸塊19固定 到每個電極或者每個電極的錨定部分的上表面。下驅(qū)動電極14和接地電極16連接到接地電位，即，連接到如圖3所示的接地。正 驅(qū)動電壓VD或負驅(qū)動電壓VD施加到面對下驅(qū)動電極14的上驅(qū)動電極15。
對于直流或相對低頻的信號，上驅(qū)動電極15在上驅(qū)動電極15和接地電位之間保 持足夠高的阻抗。因此，即使當驅(qū)動電壓VD施加到上驅(qū)動電極15時，由于阻抗而造成的功 率消耗為零或者極低。另一方面，對于高頻信號，由于上驅(qū)動電極15和接地電極16之間的 雜散電容，上驅(qū)動電極15具有足夠低的阻抗。高頻信號線SL與作為接地電極16的一側(cè)的側(cè)部分16a以及上驅(qū)動電極15 —起 形成共面線結(jié)構(gòu)(CPW)，使得傳輸損耗被抑制在低水平。以此方式，接地電極16的存在有助 于高頻信號線SL中的阻抗匹配。因此，能夠使MEMS開關(guān)1小型化。還可以是另一結(jié)構(gòu)，其中，例如，在上驅(qū)動電極15和接地電極16之間設(shè)置電容；從 而降低上驅(qū)動電極15和接地電極16之間相對于高頻信號的阻抗。下面給出對MEMS開關(guān)Ih的描述，MEMS開關(guān)Ih是根據(jù)第一實施例的MEMS開關(guān)1 的變體。參考圖4，通過從圖3中所示的MEMS開關(guān)1去除接地電極16的三個側(cè)部分 16b-16d來實現(xiàn)MEMS開關(guān)lh。換句話說，MEMS開關(guān)1的直線側(cè)部分16a取代圖1中所示 的具有矩形框架形狀的接地電極16用作MEMS開關(guān)Ih的接地電極16h。除了接地電極IMi 之外的部分的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施例的MEMS開關(guān)1的結(jié)構(gòu)相同。下面是對用于制造MEMS開關(guān)1的方法的簡要描述。第一，例如，準備SOI晶片的襯底作為襯底11。如上根據(jù)圖2的描述，襯底11包括 支撐襯底11a、中間氧化物膜lib、和有源層11c。形成具有約50nm的厚度的鉻膜作為緊密 接觸層，然后，通過濺射在有源層Ilc的表面上形成具有約500nm的厚度的金膜。然后，通 過光刻和離子減薄處理上述產(chǎn)物，以同時形成下接觸電極12和下驅(qū)動電極14。然后，通過深度反應(yīng)離子蝕刻(De印-RIE(Reactive Ion Etching))在有源層Ilc 中加工兩個狹縫21a和21b，兩個狹縫21a和21b分別具有大水平U型形狀和小水平U型形 狀以及約2μπι的寬度，從而形成與懸臂相對應(yīng)的部分。同時，通過De印-RIE在有源層Ilc 中生成具有約2 μ m寬度的兩個狹縫22和23，兩個狹縫22和23形成為分別圍繞電極基部 1 和15c。之后，通過由等離子CVD (化學氣相沉積)方法形成具有約5μπι的厚度的氧化 硅(SiO2)膜，來形成犧牲層。 然后，通過光刻和RIE來蝕刻犧牲層。在該過程中，對于接觸部分ST和激勵部分， 犧牲層被半蝕刻到所需深度，而對于與錨定部分、電極基部13a、1 和15c等相對應(yīng)的部 分，犧牲層被完全去除。然后，通過濺射形成鍍層所需的晶種層。晶種層由具有約50nm的厚度的鉬的下層 和具有約300nm的厚度的金的上層組成。然后，通過鍍層方法形成具有約20 μ m的厚度的 金鍍膜。這時，形成接地電極16以圍繞懸臂、高頻信號線SL等的全體。需要注意，在MEMS開關(guān)Ih的情況下，形成接地電極16h，而不是MEMS開關(guān)1的接 地電極16。然后，通過離子減薄和RIE去除晶種層的未被鍍層覆蓋的部分。然后，通過使用氫 氟酸的蝕刻來去除犧牲層和懸臂下的中間氧化物膜11b，從而形成空間KK。此外，通過濕法 蝕刻，去除暴露在從上接觸電極13突出的接觸部分ST的表面上的晶種層的下層的鉬。此 外，如有必要，例如，通過焊接來設(shè)置凸塊19。需要注意，下接觸電極12和下驅(qū)動電極14作為可移動電極的示例，上接觸電極13和上驅(qū)動電極15作為固定電極的示例。在下面給出對如上所述制造的MEMS開關(guān)1和MEMS開關(guān)Ih中的漏電流Ia的描述。對于如圖1中所示的MEMS開關(guān)1，當驅(qū)動電壓VD設(shè)置為40V時，漏電流Ia為約 0. 1 μ A或更小。因此，由于漏電流Ia而造成的功率消耗為約4 μ W或更小，這是極低的水 平。該功率消耗的水平是例如便攜式終端中可以忽視的水平。同樣的，對于如圖4中所示的MEMS開關(guān)lh，當驅(qū)動電壓VD設(shè)置為40V時，漏電流 Ia為約0. 1 μ A或更小。由于漏電流Ia而造成的功率消耗為約4 μ W或更小，這是極低的水平。本質(zhì)上，對于MEMS開關(guān)1和MEMS開關(guān)lh，與如圖11所示的具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的 MEMS開關(guān)相比，極大地減小了漏電流Ia和由于漏電流Ia而造成的功率消耗，在具有傳統(tǒng)的 結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)中，漏電流Ia為約10 μ Α,由于漏電流Ia而造成的功率消耗為約400 μ W。此外，在具有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)中，漏電流Ia被傳輸?shù)浇佑|部分，有時這是 觸點粘結(jié)的原因。具體來說，即使當驅(qū)動電壓VD設(shè)置為零時，下接觸電極有時仍保持粘住 接觸部分，不能與接觸部分分開。相反，在第一實施例的MEMS開關(guān)1和Ih中，極大地減小了漏電流Ia，從而漏電流 Ia不傳輸?shù)浇佑|部分ST。因此，發(fā)生觸點粘結(jié)的可能性極小。下面是對如上所述形成的MEMS開關(guān)1和MEMS開關(guān)Ih的特性的描述。參考圖5和6，圖形在橫軸上示出了頻率(GHz)，在左側(cè)縱軸(左側(cè)刻度)上示出 了插入損耗，在右側(cè)縱軸(右側(cè)刻度)上示出了隔離度。隔離度表示在接觸部分ST與下接 觸電極12分離的狀態(tài)下接觸部分ST的絕緣特性。在圖5中，曲線CAl和CBl分別表示具有圖11中所示的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)的 插入損耗和隔離度。曲線CA2和CB2分別表示圖4中所示、作為MEMS開關(guān)1的變體的MEMS 開關(guān)Ih的插入損耗和隔離度。圖5的圖形示出，對于插入損耗和隔離度，圖4的MEMS開關(guān)Ih具有比具有傳統(tǒng)結(jié) 構(gòu)的MEMS開關(guān)略低的特性。例如，當頻率是IOGHz時，具有傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)具有0. 3dB 的插入損耗，圖4的MEMS開關(guān)Ih具有0. 56dB的插入損耗。造成這種情況的其中一個原因 很可能是MEMS開關(guān)Ih的接地電極并非形成為具有框架形狀，因此，在MEMS開關(guān)Ih中沒有 實現(xiàn)完全的共面線結(jié)構(gòu)。但是，雖然MEMS開關(guān)Ih具有如上所述的特性，但是在很多情況下，在實際使用 MEMS開關(guān)Ih的情況下并沒有出現(xiàn)問題。因此，能夠使用MEMS開關(guān)Ih作為漏電流Ia極大 地減小的高頻MEMS開關(guān)。圖1中所示的MEMS開關(guān)1具有接地電極16，接地電極16具有框架形狀，從而，能 夠提供接近完全的共面線結(jié)構(gòu)。因此，在MEMS開關(guān)1中插入損耗和隔離度都提高了。參考圖6，曲線CA3和CB3分別表示圖1中所示的MEMS開關(guān)1的插入損耗和隔離度。由圖6的圖形可以看出，當頻率為IOGHz時，圖1中所示的MEMS開關(guān)1具有0. 3dB 的插入損耗，這與圖11中所示的具有傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)的插入損耗相等。此外，圖1的 MEMS開關(guān)1具有與具有傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的MEMS開關(guān)相等的隔離度。如上所述，根據(jù)第一實施例的MEMS開關(guān)1和Ih抑制漏電流Ia，從而減少由于漏電流Ia而造成的功率損耗。此外，由于漏電流Ia而造成的觸點粘結(jié)的可能性極小，從而在 MEMS開關(guān)1和Ih中實現(xiàn)了穩(wěn)定運行。此外，漏電流Ia的減小導(dǎo)致由于漏電流Ia而產(chǎn)生的 熱減少，從而MEMS開關(guān)1和Ih還可以進一步小型化。[第二實施例]給出對第二實施例的MEMS開關(guān)IB的描述。在第二實施例的MEMS開關(guān)IB中，用相同的附圖標記表示與第一實施例的MEMS開 關(guān)1相同的部分，并省略或簡化對其的描述。這同樣適用于第三實施例和之后描述的其他 內(nèi)容。在圖7中所示的MEMS開關(guān)IB中，以這樣的方式形成接地電極16B，即，靠近高頻信 號線SL的接地電極16B的側(cè)部分16Ba向內(nèi)突出，從而接近下接觸電極12。下接觸電極12由伸長電極部分1 和錨定部分12b形成，伸長電極部分1 具有 小厚度并且形成為與可移動部分KB緊密接觸，錨定部分12b形成于電極部分12a的一端。電極部分12a具有小于錨定部分12b的寬度。如果接地電極16的側(cè)部分16Ba形 成為具有直線形狀，則側(cè)部分16Ba與電極部分1 之間的距離不等于側(cè)部分16Ba與錨定 部分12b之間的距離，這可能導(dǎo)致阻抗失配。為了改善阻抗失配，在側(cè)部分16Ba的內(nèi)側(cè)上 提供延伸部分161，從而上接觸電極13與接地電極16之間的距離等于下接觸電極12與接 地電極16之間的距離。具體來說，延伸部分161的邊緣與電極部分12a的邊緣之間的距離、錨定部分12b 的邊緣與除了延伸部分161之外的側(cè)部分16Ba的邊緣之間的距離、和上接觸電極13的邊 緣與除了延伸部分161之外的側(cè)部分16Ba的邊緣之間的距離大致相等。換句話說，以這樣的方式形成接地電極16B，即，對于接地電極16B沿著下接觸電 極12的一部分和接地電極16B沿著上接觸電極13的一部分，前一部分與下接觸電極12之 間的間隙基本等于后一部分與上接觸電極13之間的間隙，前一部分和后一部分分別具有 與下接觸電極12和上接觸電極13的形狀相對應(yīng)的形狀。因此，MEMS開關(guān)IB有助于進一步提高高頻信號線SL中的阻抗匹配，并進一步減 小插入損耗。[第三實施例]給出對第三實施例的MEMS開關(guān)IC的描述。在圖8中所示的MEMS開關(guān)IC中，接地電極16C形成為部分覆蓋下驅(qū)動電極14，從 而接地電極16C和下驅(qū)動電極14相互電連接。具體來說，接地電極16C具有延伸部分162，延伸部分162在側(cè)部分16Cb和側(cè)部分 16Cc相互連接的連接部分附近向內(nèi)突出。延伸部分162以重疊關(guān)系與下驅(qū)動電極14的一 部分連接。該結(jié)構(gòu)使得下驅(qū)動電極14能夠穩(wěn)固地接地。此外，該結(jié)構(gòu)不需要專用于下驅(qū)動電 極14的接地連接的凸塊19d(參見圖3)，這引起接線端和導(dǎo)線的數(shù)量減少。延伸部分162優(yōu)選通過鍍層在形成接地電極16C的同時形成，因此并不增加步驟
的數(shù)量。[第四實施例]給出對第四實施例的MEMS開關(guān)ID的描述。
在圖9所示的MEMS開關(guān)ID中，通過濺射使接地電極16D形成為薄層。根據(jù)第一到第三實施例的MEMS開關(guān)l、lh、lB和1C，通過鍍層使各個接地電極16 形成為具有約20 μ m的厚度。另一方面，在第四實施例的MEMS開關(guān)ID中，通過濺射使接地 電極16D形成為具有約0. 5 μ m的厚度。接地電極16D可以在形成下接觸電極12和下驅(qū)動 電極14的同時形成。換句話說，下接觸電極12、下驅(qū)動電極14、和接地電極16D具有相同的層結(jié)構(gòu)。接地電極16D的厚度減小，引起用于形成電極16D的材料(例如，金)的量的減少。 因此，能夠通過減少的材料量以低成本制造MEMS開關(guān)1D。[第五實施例]給出對第五實施例的MEMS開關(guān)IE的描述。在圖10所示的MEMS開關(guān)IE中，通過濺射使接地電極16E形成為薄層。接地電極 16E具有延伸部分163，延伸部分163在側(cè)部分16 和側(cè)部分16Ec相互連接的連接部分附 近向內(nèi)突出。延伸部分163與下驅(qū)動電極14的一部分一體地和連續(xù)地形成。簡言之，下驅(qū) 動電極14和接地電極16E相互連接。具體來說，與第四實施例的MEMS開關(guān)ID的情況一樣，通過濺射使第五實施例中的 MEMS開關(guān)IE的接地電極16E形成為具有約0. 5 μ m的厚度。接地電極16E在形成下接觸電 極12和下驅(qū)動電極14的同時形成。接地電極16E的厚度減小，引起用于形成電極16E的材料(例如，金)的量的減少。 因此，能夠通過減少的材料量以低成本制造MEMS開關(guān)1E。此外，該結(jié)構(gòu)使得下驅(qū)動電極14 能夠穩(wěn)固到接地。該結(jié)構(gòu)不需要專用于下驅(qū)動電極14的接地連接的凸塊19d(參見圖3)， 這引起接線端的數(shù)量減少。因為能夠同時形成下接觸電極12、下驅(qū)動電極14和接地電極16E，所以能夠減少
步驟的數(shù)量。在第二到第五實施例的MEMS開關(guān)1B-1E中，如有必要，可以在下接觸電極12和下 驅(qū)動電極14中提供用于電極連接的錨定部分。與作為第一實施例的MEMS開關(guān)1的變體的MEMS開關(guān)Ih —樣，第二到第五實施例 的MEMS開關(guān)1B-1E可以被構(gòu)造成提供直線側(cè)部分16a取代矩形框架接地電極16作為接地 電極。第三到第五實施例的MEMS開關(guān)1C-1E可以被構(gòu)造為提供與形成于第二實施例的 MEMS開關(guān)IB的側(cè)部分16Ba上的延伸部分161相似的延伸部分；從而進一步提高高頻信號 線SL中的阻抗匹配。在第一、第二和第四實施例的MEMS開關(guān)l、lh、1B、和ID的下接觸電極12中設(shè)置凸 塊19d的情況下，凸塊19d用作使下接觸電極12連接到接地的接地電極。或者，能夠提供 與凸塊19d等分開的用于使下接觸電極12連接到接地的接地電極。所有上述第一到第五實施例的MEMS開關(guān)l、lh、和1B-1E都被構(gòu)造為抑制漏電流 Ia并減少由于漏電流Ia而造成的功率損耗。在根據(jù)上述實施例的MEMS開關(guān)l、lh和1B-1E中，其整體或單獨部分的構(gòu)造、結(jié) 構(gòu)、形態(tài)、尺寸、厚度、數(shù)量、布局、材料、形成方法、形成順序等都可以根據(jù)本發(fā)明的主題的 需要進行改變。
盡管在實施例中只描述了高頻MEMS開關(guān)，但是上述實施例可適用于除了 MEMS開 關(guān)之外的各種類型的電子器件。在此所述的所有實例和條件性語言都是用于教育目的以幫助讀者理解本發(fā)明和 發(fā)明者對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的概念，并且應(yīng)當理解為并非限于具體描述的示例和條件，而 且在說明書中上述示例的組織并不涉及表示本發(fā)明的優(yōu)勢和劣勢。盡管已經(jīng)詳細描述了本 發(fā)明的實施例，但是應(yīng)當理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對此進行各種 改變、替換、和更改。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，其包括 襯底，其包括有源層；信號電極，其形成于所述有源層的表面上；第一驅(qū)動電極，其形成于所述有源層的所述表面上，并且連接到接地；和 第二驅(qū)動電極，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述有源層的所述 表面上，所述第二部分連接到所述第一部分，并且所述第二部分設(shè)置在所述第一驅(qū)動電極 上方，其中，所述襯底具有環(huán)狀凹槽，所述環(huán)狀凹槽穿透所述有源層并且圍繞所述第一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括接地電極，所述接地電極形成于所述襯底 上，以圍繞所述信號電極、所述第一驅(qū)動電極、和所述第二驅(qū)動電極，并且所述接地電極連 接到所述接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件，其中，所述第一驅(qū)動電極和所述接地電極在所述 襯底上相互電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開一種電子器件，其包括襯底，所述襯底包括有源層；信號電極，所述信號電極形成于所述有源層的表面上；第一驅(qū)動電極，所述第一驅(qū)動電極形成于所述有源層的所述表面上，并且連接到接地；和第二驅(qū)動電極，所述第二驅(qū)動地電極包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成于所述有源層的所述表面上，所述第二部分連接到所述第一部分，并且所述第二部分設(shè)置在所述第一驅(qū)動電極上方。所述襯底具有環(huán)狀凹槽，所述環(huán)狀凹槽穿透所述有源層并且圍繞所述第一部分。
文檔編號B81B3/00GK102134051SQ201010570789
公開日2011年7月27日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月3日
發(fā)明者上田知史, 中谷忠司, 井上廣章 申請人:富士通株式會社