技術(shù)編號：5268835
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此討論的實(shí)施例涉及形成于襯底表面上的電子器件，在襯底中有源層設(shè)置在絕 緣層上。背景技術(shù)通常，為了響應(yīng)于對在移動(dòng)電話中使用高頻元件(RF元件)小型化和高性能的需 求，正進(jìn)行通過使用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)來研發(fā)作為高頻(RF)開關(guān)的MEMS開關(guān)。MEMS 開關(guān)由于其自身特征，與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體開關(guān)相比具有低損耗、高隔離度、良好失真特性等。傳統(tǒng)上已經(jīng)提出了具有不同結(jié)構(gòu)的各種類型的MEMS開關(guān)(參見國際專 利申請No. 2005-528751的日本國家公布和日...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。