專利名稱：一種在原位形成納米結(jié)構(gòu)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在基材的表面形成納米結(jié)構(gòu)的方法和裝置，尤指一種通過蒸發(fā)和自安裝沉積(self-assembly deposition)在基材表面原位(in situ)地形成納米結(jié)構(gòu)的方法及其裝置。
背景技術(shù)：
納米技術(shù)是一種很有發(fā)展前景的新技術(shù)，納米材料和納米結(jié)構(gòu)的獨特的特性使其在結(jié)構(gòu)、光學(xué)、電學(xué)和化學(xué)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在過去的幾年中，在包括催化、組合化學(xué)、蛋白質(zhì)支持(protein supports)、磁場和光子晶體的多個領(lǐng)域中，納米粒子吸引了越來越多的注意。到目前為止，已經(jīng)開發(fā)出了多種納米粒子的制備技術(shù)。
基于美國、歐洲和中國的專利數(shù)據(jù)庫的檢索結(jié)果，發(fā)現(xiàn)有多種制備納米粒子的現(xiàn)有技術(shù)。例如，美國專利US6,468,497公開了通過蒸發(fā)和析出來制備氧化鉬納米粒子的裝置和方法。美國專利6,398,125公開了一種從由高熔點的金屬族來產(chǎn)生納米級粉末的兩步法和相應(yīng)的裝置，該高熔點的金屬包括鎢、鉬、鉭、鉿和鈮。EP1060012公開了一種制造納米材料的粒子的方法，該納米材料為過渡金屬和合金、金屬氧化物和具有較小納米尺寸，即1～6nm的陶瓷組合物，該方法包括了一種化學(xué)合成方法。CN1403624公開了在電子束物理蒸氣沉積過程中，使用了兩個蒸發(fā)源和兩個電子束來蒸發(fā)金屬和陶瓷桿，調(diào)節(jié)基板的轉(zhuǎn)動速度及金屬和陶瓷的蒸發(fā)速度，以得到具有不同組分的納米復(fù)合薄膜，實際上，這是一種用電子束加熱形成局部高溫的濺射沉積法。CN1240687和1250701公開了用復(fù)合加熱裝置進行的蒸發(fā)方法，來獲得納米粒子。該復(fù)合加熱裝置包括感應(yīng)加熱和激光加熱。CN1478724也公開了以感應(yīng)加熱的方法制備氧化鋅和其合成物的方法。美國專利5,169,620公開了一種通過將非氧化氣體和含鐵化合物的氣體混合物導(dǎo)入到加熱了的氧化氣體中的方法，來制備超精細(xì)氧化鐵粒子的改進了的方法。其中改進點在于使用了隔熱注射器將該混合氣體導(dǎo)入到了該加熱了的氧化氣流中。
在所有這些現(xiàn)有技術(shù)中，其大部分僅僅側(cè)重于通過蒸發(fā)法來制備納米粒子。而不能夠直接將該納米粒子沉積到基材上以直接在該基材表面形成納米結(jié)構(gòu)。因此，有必要提供一種在制備該納米粒子的原位、直接在基材的表面形成納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的是提供一種原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置和方法，其能夠由有機物或無機物、金屬或非金屬生成納米級的粒子，然后將其沉積到包括織物、金屬或塑料的各種基材上，在可控制的情況下原位形成多功能的納米結(jié)構(gòu)。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，包括隔離室，其內(nèi)部充有氣體；加熱器，設(shè)置在該隔離室的下部；待蒸發(fā)的物質(zhì)，設(shè)置在加熱器之上；基材，設(shè)置在該隔離室上部、距該待蒸發(fā)物質(zhì)和加熱器一定距離的位置處；和冷卻室，緊貼該基材設(shè)置在該基材的上方，用于對該基材進行冷卻；其中當(dāng)該加熱器將該待蒸發(fā)的物質(zhì)加熱到沸點時，該待蒸發(fā)物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，在該隔離室內(nèi)部氣體的承載下，向上運動，在接觸到溫度較低的該基材表面時，冷凝形成固態(tài)并沉淀于基材的表面，從而在基材的表面形成納米結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一方面還提供了一種原位形成納米結(jié)構(gòu)方法，包括如下步驟在一隔離室的上部設(shè)置基材和冷卻室，使得該基材緊貼該冷卻室的下表面；在該隔離室的下部設(shè)置加熱器和待蒸發(fā)物質(zhì)；調(diào)節(jié)該加熱器與該基材之間的距離；對該隔離室進行抽真空；開啟該冷卻室的冷卻液循環(huán)和該加熱器；該蒸發(fā)了的待加熱物質(zhì)固結(jié)在該基材的表面上，形成納米結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的原位蒸發(fā)并沉積形成納米結(jié)構(gòu)的方法，可廣泛地用于生產(chǎn)納米粉末，在各種不同的基材上形成多功能的納米結(jié)構(gòu)，例如可在織物、金屬或塑料上形成。并且易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。另外，可用上述技術(shù)在棉織物上同時制備和沉積納米氧化鋅，而不需要使用水或其它液體。
本發(fā)明的創(chuàng)新之處在于原位制作多功能的納米結(jié)構(gòu)。采用該方法，能夠容易和有效地制備納米級的超精細(xì)粉末，并將其沉積在基材上，以在不需要復(fù)雜操作的情況下實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步說明。


圖1是本發(fā)明用于原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置的示意圖；圖2是本發(fā)明用于原位形成納米結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖3示出了銀蒸發(fā)沉積在棉織物上形成得納米結(jié)構(gòu)(SEM，2000倍)；圖4示出了銀蒸發(fā)沉積在棉織物上形成得納米結(jié)構(gòu)(SEM，30000倍)；圖5示出了鋅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成的納米結(jié)構(gòu)(SEM，2000倍)；圖6示出了鋅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成的納米結(jié)構(gòu)(SEM，30000倍)；圖7示出了銅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成的納米結(jié)構(gòu)(SEM，2000倍)；圖8示出了銅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成的納米結(jié)構(gòu)(SEM，30000倍)。
其中，附圖標(biāo)記說明如下隔離室1冷卻室2冷卻溫度控制器3基材4進氣口5真空指示表6真空控制器7加熱溫度控制器8待蒸發(fā)材料9移動平臺10加熱器11輥子1具體實施方式
本發(fā)明提出的方法和裝置能夠使得所有在熔點以上的物質(zhì)，原位蒸發(fā)并沉積在基材上。下面結(jié)合圖1所示的本發(fā)明裝置的原理示意圖對本發(fā)明的技術(shù)方案做出詳細(xì)說明。
如圖1所示，本發(fā)明的裝置包括隔離室1，其內(nèi)部充有氣體，在該隔離室中的氣體通過一機械泵可調(diào)節(jié)。該氣體可以是惰性氣體或反應(yīng)性氣體。當(dāng)該氣體為反應(yīng)性氣體時，該隔離室1就變成為了一個氣態(tài)反應(yīng)器。在該隔離室1的內(nèi)部的下方設(shè)置有一加熱器11。而待蒸發(fā)的物質(zhì)9，設(shè)置在加熱器之上。一般地，該待蒸發(fā)的物質(zhì)是通過盛放在一坩鍋或石墨容器中，而設(shè)置在該加熱器上的。可以采用各種各樣的加熱方法來加熱該待蒸發(fā)的物質(zhì)9，例如高頻感應(yīng)加熱、高電流加熱和激光加熱等。相應(yīng)地，該加熱器就可為激光加熱器、高頻感應(yīng)加熱器或高電流加熱器。該待加熱的材料可以是有機材料或是無機材料、金屬或非金屬、單質(zhì)或化合物、純的材料或混合物。要形成納米結(jié)構(gòu)的基材4設(shè)置在該隔離室上部、距該待蒸發(fā)物質(zhì)和加熱器一定距離的位置處。而在該基材4的上方，設(shè)置有冷卻室2，該冷卻室緊貼該基材表面，用于對該基材進行冷卻。在該冷卻室中可針對不同的冷卻溫度需要，而填充不同的冷卻介質(zhì)來調(diào)節(jié)冷卻室的溫度。這樣，當(dāng)該加熱器11將該待蒸發(fā)的物質(zhì)9加熱到沸點時，該待蒸發(fā)物質(zhì)9轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，在該隔離室內(nèi)部氣體的承載下，向上運動，在接觸到溫度較低的該基材2的表面時，冷凝形成固態(tài)并沉淀于基材2的表面，從而在基材2的表面形成納米結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，本發(fā)明的裝置還包括位于該隔離室1內(nèi)部的一可移動的平臺10，加熱器11設(shè)置在該可移動的平臺上，由該可移動的平臺，可上下左右調(diào)節(jié)該加熱器的位置，以在該加熱器和該基材之間形成合適的間隔。
另外，當(dāng)基材是諸如織物之類的柔性材料時，本發(fā)明的裝置還可在該隔離室內(nèi)部設(shè)置一對可旋轉(zhuǎn)的輥子12，柔性的基材設(shè)置在該輥子上，從而可在該輥子轉(zhuǎn)動的帶動下平移，這樣就可在該柔性基材的表面均勻地形成納米結(jié)構(gòu)。
隔離室1上設(shè)置有一進氣口5，該隔離室中的惰性氣體或反應(yīng)性氣體通過該進氣口，被注入到該隔離室中。
還通過連接到該隔離室的機械泵(圖中未示出)和一真空指示器6，可對該隔離室內(nèi)的真空度進行調(diào)節(jié)。
上述裝置還可包括一加熱溫度控制器8，與該加熱器11耦接，用于控制該加熱器的加熱溫度。對于不同的待蒸發(fā)物質(zhì)，由于其具有不同的沸點，往往需要不同的加熱溫度。
上述裝置還可包括一冷卻溫度控制器3，與該冷卻室2耦接，用于控制該冷卻室的冷卻溫度。
該裝置還可包括一真空度控制器7，與機械泵耦接，用于控制該隔離室1的真空度。
當(dāng)該隔離室中的氣體是惰性氣體時，其可以作為納米粒子的載體。同時如上所述，該隔離室中也可充入反應(yīng)性氣體，作為反應(yīng)物或催化劑，在有必要的時候來改變原始的蒸氣。
另外，要被形成納米結(jié)構(gòu)的該基材可以是紡織品、金屬、塑料或任何需要的材料。而且，該基材表面可以反應(yīng)劑或催化劑進行預(yù)處理，以使其易于在表面形成納米結(jié)構(gòu)。而且，該基材可以是靜止的，也可以是如上所述那樣，在輥子的帶動下在冷卻室的下方持續(xù)移動，并且其移動速度也是可以控制的，從而可以形成均勻的納米結(jié)構(gòu)。
當(dāng)氣體從下部到達該基材時，其凝結(jié)成固態(tài)，并原位在該基材的表面形成了自安裝的納米結(jié)構(gòu)。該納米結(jié)構(gòu)可表現(xiàn)出多功能性，例如防菌、防紫外線、防靜電和潮濕管理等等。通過蒸發(fā)不同的待蒸發(fā)材料，諸如銀(Ag)，鋁(Al)，銅(Cu)，鐵(Fe)，鎂(Mg)，錫(Sn)，鈦(Ti)，鋅(Zn)，鋯(Zr)或其他物質(zhì)，可以實現(xiàn)無水染色，并可同時獲得特殊的功能。
由上述的裝置和技術(shù)，通過調(diào)節(jié)一個或多個參數(shù)，可根據(jù)需要原位獲得多功能的納米結(jié)構(gòu)。該參數(shù)可以是不同的待蒸發(fā)物質(zhì)、加熱器的溫度、該隔離室中的氣體、加熱器和該基材之間的距離、基材的移動速度、冷卻室的溫度和不同基材的屬性等等。
待蒸發(fā)的材料應(yīng)當(dāng)被加熱到超過其被蒸發(fā)的沸點。針對不同的待蒸發(fā)材料，可使用不同的加熱方法。對于有機化合物，其沸點介于50℃到800℃之間，通常的電阻加熱方法就足夠了。對于純金屬，其沸點介于800℃到4500℃之間，可使用高頻感應(yīng)加熱。對于非金屬無機材料，其沸點與金屬相似，不能夠用高頻感應(yīng)加熱的方法，因為他們不是電的導(dǎo)體。對于這些材料，應(yīng)當(dāng)使用高電流加熱或激光加熱。
該隔離室中的氣體對該蒸氣有很大的影響。例如，如果氧氣作為反應(yīng)氣體被導(dǎo)入到該隔離室，該蒸氣就能夠被氧化，從而可獲得氧化物的納米結(jié)構(gòu)。同樣，如果導(dǎo)入氮氣，就可獲得氮化物的納米結(jié)構(gòu)。如果想要獲得原始的蒸氣，可在該隔離室中充入不帶有任何反應(yīng)氣體的惰性氣體，例如氬氣。
冷卻溫度對納米結(jié)構(gòu)也有很大的影響。針對不同的冷卻需求，該冷卻室的溫度可在-200℃到20℃之間變化。如果使用自來水作為冷卻介質(zhì)，該冷卻溫度大約是20℃。如果用冰水作為冷卻介質(zhì)，冷卻溫度大約為0℃。如果使用液態(tài)氮作為冷卻介質(zhì)，冷卻溫度可達-200℃。當(dāng)然，該冷卻溫度也可通過空調(diào)器的原理實現(xiàn)連續(xù)改變。
下面以三個具體的示例，說明使用本發(fā)明的裝置原位形成納米結(jié)構(gòu)的步驟。
1.將一定量的金屬銀放置在坩鍋中，該坩鍋位于固定在移動平臺10上的高頻感應(yīng)加熱器11的線圈中心位置處。將作為基材的棉織物4緊貼放置在該冷卻室2的下面。調(diào)整該移動平臺的位置，以使得該加熱器和該棉織物之間的距離達到200mm。啟動機械泵，等到隔離室1中的氣壓低于10-1Pa時，啟動分子泵(圖中未示出)。當(dāng)真空度達到10-6Pa時，關(guān)閉該泵，并將氬氣導(dǎo)入到該隔離室中，使得其中的氣壓達到100Pa。在該冷卻室中充滿循環(huán)冰水。啟動該高頻感應(yīng)加熱器并將加熱溫度設(shè)置到2500℃。控制保持該棉織物的輥子的轉(zhuǎn)速，以確?？椢镆?mm/秒的速度移動。當(dāng)由該氬氣攜帶的該銀蒸氣向上移動并到達該棉織物的表面時，其被冷凝成固態(tài)，并沉積在該基材的表面上。這樣就獲得了在該棉織物表面的原位自形成的銀粒子納米結(jié)構(gòu)。銀蒸發(fā)沉積在棉織物上形成得納米結(jié)構(gòu)如圖3(SEM，2000倍)和圖4(SEM，30000倍)所示。
2.將一定量的金屬鋅放置在坩鍋中，該坩鍋位于固定在移動平臺上的高頻感應(yīng)加熱器的線圈中心位置處。將作為基材的棉織物緊密地放置在該冷卻室的下面。調(diào)整該移動平臺的位置，以使得該加熱器和該棉織物之間的距離達到200mm。啟動該機械泵，等到該隔離室中的氣壓低于100Pa時，關(guān)斷該機械泵。在該冷卻室中充滿循環(huán)冰水。啟動該高頻感應(yīng)加熱器并將加熱溫度設(shè)置到950℃。該鋅蒸氣就被隔離室中殘留的氧氣所氧化，變成了氧化鋅。調(diào)節(jié)連接到該棉織物上的輥子的轉(zhuǎn)速，使得織物以5mm/秒的速度移動。氧化鋅粒子就沉積在該棉織物被冷卻了的表面上。這樣就獲得了在該棉織物表面的原位自形成的氧化鋅粒子的納米結(jié)構(gòu)。鋅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成得納米結(jié)構(gòu)如圖5(SEM，2000倍)和圖6(SEM，30000倍)所示。
3.將一定量的金屬銅放置在高頻電流加熱器的石墨容器中，該加熱器固定在移動平臺上。將銅薄片緊靠該冷卻室的下端設(shè)置，并使其靜止。調(diào)整該移動平臺的位置，以使得該加熱器和該棉織物之間的距離達到200mm。啟動該機械泵，等到該隔離室中的氣壓低于10-1Pa時，啟動分子泵。當(dāng)真空度達到10-6Pa時，關(guān)閉該泵，并將氬氣導(dǎo)入到該隔離室中，使得其中的氣壓達到100Pa。在該冷卻室中充滿循環(huán)的液態(tài)氮。啟動該高電流加熱器并將加熱溫度設(shè)置到2800℃。當(dāng)由該氬氣攜帶的該銅蒸氣向上移動并到達該銅薄片的表面時，其被冷凝成固態(tài)，并沉積在該銅薄片的表面上。這樣就獲得了在該銅薄片表面原位自形成的銅粒子納米結(jié)構(gòu)。銅蒸發(fā)沉積在棉織物上形成得納米結(jié)構(gòu)如圖7(SEM，2000倍)和圖8(SEM，30000倍)所示。
如圖2所示，是本發(fā)明提供的原位形成納米結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
在步驟201，在一隔離室的上部設(shè)置基材和冷卻室使得該基材緊貼該冷卻室的下表面；在步驟202，在該隔離室的下部設(shè)置加熱器和待蒸發(fā)物質(zhì)；在步驟203，調(diào)節(jié)該加熱器與該基材之間的距離；在步驟204，對該隔離室進行抽真空；在步驟205，開啟該冷卻室的冷卻液循環(huán)和該加熱器；在步驟206，該蒸發(fā)了的待加熱物質(zhì)固結(jié)在該基材的表面上，形成納米結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)需要，在該隔離室進行抽真空到10-6Pa之后，還包括一充入惰性氣體或反應(yīng)性氣體到該隔離室，使得其中的氣壓達到100Pa的步驟。
在該蒸發(fā)了的物質(zhì)固結(jié)在該基材表面上的步驟中，還可使基材勻速平移，這樣可在基材表面形成均勻的納米結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的原位蒸發(fā)并沉積形成納米結(jié)構(gòu)織物的方法，可廣泛地用于生產(chǎn)納米粉末，在各種不同的基材上形成多功能的納米結(jié)構(gòu)，例如可在織物、金屬或塑料上形成。并且易于實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。例如，可用上述技術(shù)在棉織物上同時制備和沉積納米氧化鋅，而不需要使用水或其它液體。
本發(fā)明的創(chuàng)新之處在于原位制作多功能的納米結(jié)構(gòu)。采用該方法，能夠容易和有效地制備納米級的超精細(xì)粉末，并將其沉積在基材上，以在不需要復(fù)雜操作的情況下實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種用于原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，包括一隔離室(1)，其內(nèi)部充有氣體；一加熱器(11)，設(shè)置在該隔離室(1)的下部；待蒸發(fā)的物質(zhì)(9)，設(shè)置在加熱器(11)之上；一基材(4)，設(shè)置在該隔離室(1)上部、距該待蒸發(fā)物質(zhì)和加熱器(11)一預(yù)定距離的位置處；和一冷卻室(2)，緊貼該基材(4)設(shè)置在該基材的上方，用于對該基材進行冷卻；其中當(dāng)該加熱器將該待蒸發(fā)的物質(zhì)加熱到沸點時，該待蒸發(fā)物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，在該隔離室內(nèi)部氣體的承載下，向上運動，在接觸到溫度較低的該基材表面時，冷凝形成固態(tài)并沉淀于基材的表面，從而在基材的表面形成納米結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述裝置還包括位于該隔離室內(nèi)部的一可移動的平臺(10)，所述加熱器(11)設(shè)置在該可移動的平臺上，由該可移動平臺，可上下左右調(diào)節(jié)該加熱器的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述裝置還包括位于該隔離室內(nèi)部的一對輥子(12)，所述基材(4)設(shè)置在該輥子上，從而可在該輥子轉(zhuǎn)動的帶動下平移，實現(xiàn)在該基材表面均勻地形成納米結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述隔離室上設(shè)置有一進氣口(5)，通過該進氣口，可以在該隔離室(1)中注入惰性氣體或反應(yīng)性氣體。
5.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述隔離室還連接有一機械泵和一真空指示器(6)，用于對該隔離室進行抽真空。
6.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述裝置還包括一加熱溫度控制器(8)，與該加熱器(11)耦接，用于控制該加熱器的加熱溫度。
7.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述裝置還包括一冷卻溫度控制器(3)，與該冷卻室(2)耦接，用于控制該冷卻室的冷卻溫度。
8.如權(quán)利要求5所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，所述裝置還包括一真空度控制器(7)，與該機械泵耦接，用于控制該隔離室的真空度。
9.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，該裝置還包括一坩鍋或石墨容器，用于盛放該待蒸發(fā)的物質(zhì)(4)。
10.如權(quán)利要求1所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，其特征在于，該加熱器(11)為激光加熱器、高頻感應(yīng)加熱器或高電流加熱器。
11.一種原位形成納米結(jié)構(gòu)方法，其特征在于，包括如下步驟在一隔離室的上部設(shè)置基材和冷卻室，使得該基材緊貼該冷卻室的下表面；在該隔離室的下部設(shè)置加熱器和待蒸發(fā)物質(zhì)；調(diào)節(jié)該加熱器與該基材之間的距離；對該隔離室進行抽真空；開啟該冷卻室的冷卻液循環(huán)和該加熱器；該蒸發(fā)了的待加熱物質(zhì)固結(jié)在該基材的表面上，形成納米結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)方法，其特征在于，在該隔離室進行抽真空到10-6Pa之后，還包括一充入惰性氣體或反應(yīng)性氣體到該隔離室，使得其中的氣壓達到100Pa的步驟。
13.如權(quán)利要求11所述的原位形成納米結(jié)構(gòu)方法，其特征在于，在該蒸發(fā)了的物質(zhì)固結(jié)在該基材表面上的步驟中，所述基材勻速平移，從而可在基材表面形成均勻的納米結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種在原位形成納米結(jié)構(gòu)的裝置，包括一隔離室(1)，其內(nèi)部充有氣體；一加熱器(11)，設(shè)置在該隔離室的下部；待蒸發(fā)的物質(zhì)(9)，設(shè)置在加熱器之上；一基材(4)，設(shè)置在該隔離室上部、距該待蒸發(fā)物質(zhì)和加熱器一定距離的位置處；和一冷卻室(2)，緊貼該基材設(shè)置在該基材的上方，用于對該基材進行冷卻；其中當(dāng)該加熱器將該待蒸發(fā)的物質(zhì)加熱到沸點時，該待蒸發(fā)物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)，在該隔離室內(nèi)部氣體的承載下，向上運動，在接觸到溫度較低的該基材表面時，冷凝形成固態(tài)并沉淀于基材的表面，從而在基材的表面形成納米結(jié)構(gòu)。
文檔編號B82B3/00GK1762789SQ200410085280
公開日2006年4月26日 申請日期2004年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者李毅, 吳希俊, 徐濤, 吳大雄, 胡軍巖 申請人:香港理工大學(xué)