1.一種焦?fàn)t室，其包含：
整料底部煙道部段，其中具有蛇形路徑；
前壁，其從所述整料底部煙道部段豎直向上延伸，以及與所述前壁相對的后壁；
第一側(cè)壁，其在所述前壁和所述后壁之間從所述底板豎直向上延伸，以及與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁；以及
整料冠部，其定位在所述整料底部煙道部段上方并且從所述第一側(cè)壁跨越到所述第二側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含多個(gè)從所述第一側(cè)壁跨越到所述第二側(cè)壁的整料部分，其中所述多個(gè)整料部分被定位成在所述前壁和所述后壁之間大致彼此相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中：
所述整料冠部或所述側(cè)壁中的至少一個(gè)被配置為在加熱或冷卻所述焦?fàn)t室時(shí)以調(diào)節(jié)量平移、收縮或膨脹；
所述整料冠部包含擱置在所述第一側(cè)壁上的第一端部、以及與所述第一端部相對并擱置在所述第二側(cè)壁上的第二端部；并且
所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁具有大于所述調(diào)節(jié)量的相接區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含多個(gè)相鄰的拱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含非拱形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含大致平坦的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含熱體積穩(wěn)定材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部包含熔融二氧化硅、氧化鋯或耐火材料中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述室包含水平熱回收焦?fàn)t室。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述整料冠部通過重疊或互鎖接合處與所述第一側(cè)壁或所述第二側(cè)壁中的至少一個(gè)會合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁為整料部段。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道部段、所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁以及所述冠部是整料部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焦?fàn)t室，其中所述爐基本上不包括磚。
14.一種焦?fàn)t室，其包含：
室底板；
多個(gè)側(cè)壁，其大致正交于所述室底板；以及
整料部件，其位于所述室底板上方并且至少部分地跨越至少兩個(gè)側(cè)壁之間的區(qū)域，其中所述整料部件包含熱體積穩(wěn)定材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的焦?fàn)t室，其中所述熱體積穩(wěn)定材料包含熔融二氧化硅或氧化鋯。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的焦?fàn)t室，其中所述整料部件包含相對于所述底板平行、拱形或成角度的表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的焦?fàn)t室，其中所述室包含焦化室或者底部煙道。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的焦?fàn)t室，其中所述室包含多個(gè)整料部件。
19.一種下調(diào)水平熱回收焦?fàn)t的方法，所述方法包含：
形成焦?fàn)t結(jié)構(gòu)，所述焦?fàn)t結(jié)構(gòu)具有底板、第一側(cè)壁和與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁、以及在至少部分地位于所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間的空間中的所述底板上方的爐冠部，其中所述底板、所述第一側(cè)壁、所述第二側(cè)壁或所述爐冠部是整料部件；
加熱所述焦?fàn)t；
將所述焦?fàn)t下調(diào)到熱體積穩(wěn)定溫度以下；以及
維持所述焦?fàn)t結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述焦?fàn)t結(jié)構(gòu)包含至少部分地由熱體積穩(wěn)定材料形成爐。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述焦?fàn)t結(jié)構(gòu)包含形成跨越所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間的距離的至少一部分的整料。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述焦?fàn)t結(jié)構(gòu)包含至少部分地由硅磚形成焦?fàn)t結(jié)構(gòu)，并且其中將所述焦?fàn)t下調(diào)到熱體積穩(wěn)定溫度以下包含將所述焦?fàn)t下調(diào)到低于1200°F的溫度。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中下調(diào)所述焦?fàn)t包含將爐操作下調(diào)到操作能力的50％或更少。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中下調(diào)所述焦?fàn)t包含關(guān)閉所述爐。
25.一種焦?fàn)t室，其包含：
爐底板：
前端部分，以及與所述前端部分相對的后端部分；
第一側(cè)壁，其在所述前壁和所述后壁之間從所述底板豎直向上延伸，以及與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁；
冠部，其定位在所述底板上方并且從所述第一側(cè)壁跨越到所述第二側(cè)壁；以及
底部煙道，其包含熱體積穩(wěn)定材料并且在所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁之間具有多個(gè)相鄰?fù)贰?/p>
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述熱體積穩(wěn)定材料包含熔融二氧化硅或氧化鋯。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道包括至少一個(gè)底部煙道壁，所述至少一個(gè)底部煙道壁由多個(gè)底部煙道壁段組成。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道壁段由熱體積穩(wěn)定材料組成。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道壁段通過與所述底部煙道壁段的端部相關(guān)聯(lián)的協(xié)作脊部和凹槽特征件而彼此聯(lián)接。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道壁段通過與所述底部煙道壁段的端部相關(guān)聯(lián)的協(xié)作凹口和突出部特征件而彼此聯(lián)接。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道包括至少一個(gè)阻擋壁部段，所述至少一個(gè)阻擋壁部段與至少一個(gè)底部煙道壁聯(lián)接并由其大致橫向延伸出；所述至少一個(gè)阻擋壁部段由熱體積穩(wěn)定材料組成。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的焦?fàn)t室，其中所述至少一個(gè)阻擋壁部段和所述至少一個(gè)底部煙道壁通過與所述至少一個(gè)阻擋壁部段的端部以及所述至少一個(gè)底部煙道壁的側(cè)部相關(guān)聯(lián)的協(xié)作脊部和凹槽特征件而彼此聯(lián)接。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道包括至少一個(gè)大致J形的拱部段，所述拱部段跨越至少一個(gè)底部煙道壁的端部和底部煙道端壁之間的間隙。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的焦?fàn)t室，其中所述拱部段包括拱形上端部分以及從所述上端部分的一端懸垂的腿部；所述拱形上端部分的相對自由端與在底部煙道底板和所述爐底板之間的所述底部煙道端壁可操作地聯(lián)接。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的焦?fàn)t室，其中所述至少一個(gè)拱部段由熱體積穩(wěn)定材料組成。
36.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道包括至少一個(gè)底部煙道拐角部段，所述底部煙道拐角部段具有朝后面以及相對的曲線或凹形的朝前面，所述朝后面成形為接合所述多個(gè)相鄰?fù)分械闹辽僖粋€(gè)的拐角區(qū)域；所述底部煙道拐角部段被定位成引導(dǎo)流體流過所述拐角區(qū)域。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的焦?fàn)t室，其中所述至少一個(gè)底部煙道拐角部段由熱體積穩(wěn)定材料組成。
38.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述底部煙道包括至少一個(gè)底部煙道拐角部段，所述底部煙道拐角部段具有朝后面以及相對的曲線或凹形的朝前面，所述朝后面成形為接合所述多個(gè)相鄰?fù)分械闹辽僖粋€(gè)的拐角區(qū)域；所述底部煙道拐角部段被定位成引導(dǎo)流體流過所述拐角區(qū)域。
39.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述爐室進(jìn)一步包含下降通道，所述下降通道延伸穿過所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁中的至少一個(gè)；所述下降通道與所述爐室和所述底部煙道為開放流體連通。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的焦?fàn)t室，其中所述下降通道具有彎曲的側(cè)壁。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的焦?fàn)t室，其中所述下降通道具有各種幾何形狀的橫截面。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的焦?fàn)t室，其中所述下降通道使用熱體積穩(wěn)定材料鑄造。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的焦?fàn)t室，其中所述下降通道由多個(gè)通道塊形成，所述多個(gè)通道塊具有穿過所述通道塊的通道；所述多個(gè)通道塊被豎直堆疊，使得來自相鄰?fù)ǖ缐K的通道彼此對齊以限定下降通道的部段。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的焦?fàn)t室，其中至少一個(gè)通道塊包括穿透所述通道塊的上端部和下端部以及所述通道塊的側(cè)面的通道，以提供用于所述下降通道的出口。
45.根據(jù)權(quán)利要求39所述的焦?fàn)t室，其進(jìn)一步包含下降蓋，所述下降蓋與至少一個(gè)下降通道的開口可操作地聯(lián)接；所述下降蓋包括插塞，所述插塞被成形為接收在穿透所述下降蓋的進(jìn)入開口內(nèi)。
46.根據(jù)權(quán)利要求25所述的焦?fàn)t室，其中所述爐室進(jìn)一步包含上升通道，所述上升通道延伸穿過所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁中的至少一個(gè)；所述上升通道與所述底部煙道和所述焦?fàn)t室的流體出口為開放流體連通。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的焦?fàn)t室，其中所述上升通道具有各種幾何形狀的側(cè)壁。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的焦?fàn)t室，其中所述上升通道具有各種幾何形狀橫截面。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的焦?fàn)t室，其中所述上升通道使用熱體積穩(wěn)定材料鑄造。
50.根據(jù)權(quán)利要求46所述的焦?fàn)t室，其中所述上升通道由多個(gè)通道塊形成，所述多個(gè)通道塊具有穿過所述通道塊的通道；所述多個(gè)通道塊被豎直堆疊，使得來自相鄰?fù)ǖ缐K的通道彼此對齊以限定上升通道的部段。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的焦?fàn)t室，其中至少一個(gè)通道塊包括穿透所述通道塊的上端部和下端部以及所述通道塊的側(cè)面的通道，以提供用于所述上升通道的入口。