專利名稱：微光刻技術用光刻膠組合物中的溶解抑制劑的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光刻膠組合物中的溶解抑制劑，該組合物包括高分子粘合劑、溶解抑制劑和光活性化合物，適用于主要產(chǎn)生輻射波長為10-165nm，具體的為157nm的激光。
J.Photopol.Sci.& Techn.15(2002)，613-618頁中描述了這種光刻膠組合物。更具體的是，所述期刊論文中描述了氟化降冰片烯型聚合物的用途和大量具有脂族或芳環(huán)結構的溶解抑制劑。所述論文描述了用在光刻膠技術中工作波長為157nm(目前采用氟受激準分子激光器得到)的組合物。在此波長的光刻膠技術需要新材料和新組合物，該新材料和新組合物在此波長是透光的，對輻射非常敏感，且在進一步顯影步驟中，對顯影液敏感，然而在未顯影區(qū)域，耐蝕刻性優(yōu)良。對更短的波長的進一步發(fā)展是極短UV(13nm)。
目前已知的材料不滿足所有要求，正在繼續(xù)研究以找到更好的高分子粘合劑、溶解抑制劑或其它添加劑以得到改進的結果和適于在波長低于165nm使用的改進的光活性化合物。
本發(fā)明的目的在于提供一種改進的溶解抑制劑。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種適于在157nm使用的光刻膠組合物，該組合物具有改進的性能。
以上一個或多個目的由如下適于在10-165nm使用的光刻膠組合物達到，該組合物包括(a)高分子粘合劑(b)光活性化合物(c)溶解抑制劑，該溶解抑制劑包括至少(i)兩個芳基，(ii)氟和(iii)(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，該酸基的pKa＜12。
出乎意料的是，與現(xiàn)有技術中所描述的溶解抑制劑相比，由(c)項所定義的溶解抑制劑的耐刻蝕性更好和/或在顯影液中的耐溶脹性更好。
發(fā)現(xiàn)部分溶解抑制劑是新穎的化合物，且由式1表示。
其中，n＝1-4，R1到R10中至少一個獨立地包括(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，該酸基的pKa＜12。優(yōu)選的是，R1-R10中至少一個獨立地包括羥基、C(CF3)2OH或酸不穩(wěn)定基團，更優(yōu)選的是，該酸不穩(wěn)定基團由式(2)-(5)中的任意一個表示； 其它R1-R10獨立地表示氫、氟或含烴取代基；R11是優(yōu)選具有2-10個碳原子和2-20個氟原子的氟化脂族基；R12表示氫或具有1-10個碳原子和0-13個氟原子的脂族基，且R11和R12不都是CF3。
在式1中R1-R3和R9-R10其中之一和R4-R8其中之一獨立地優(yōu)選為羥基、C(CF3)2OH或酸不穩(wěn)定基團；其它R1到R10獨立地優(yōu)選為氫；R11優(yōu)選的是具有2-20個氟原子的氟化C2-C20基，更優(yōu)選的是線性基團。
R12優(yōu)選的是氫。
在本發(fā)明的光刻膠組合物中，高分子粘合劑(a)通常是低分子量聚合物。因此，有時也被稱為低聚物。該高分子粘合劑可以是任何合適的粘合劑，其在10-165nm，特別是在13或157nm是透光的。粘合劑在所用波長處的吸光系數(shù)優(yōu)選的是小于5μm-1，更優(yōu)選的是小于4μm-1，更優(yōu)選的是3μm-1，甚至更優(yōu)選的是2μm-1，還要更優(yōu)選的是小于1μm-1。目前，通常研究用于157nm的氟化降冰片烯型聚合物和硅氧烷基聚合物。
這種低聚物優(yōu)選具有約5000或更低的數(shù)均分子量。正如本領域技術人員所已知的，某些乙烯式不飽和化合物(單體)進行自由基聚合或金屬催化加成聚合以形成具有源于乙烯式不飽和化合物的重復單元的聚合物。通過適當?shù)卣{整聚合條件，特別是在合成中采用鏈轉移劑或鏈終止劑，產(chǎn)物的分子量可以控制在希望的范圍內。
聚合物包括酸基(具有pKa＜12)；該酸基優(yōu)選的是部分用酸不穩(wěn)定基團保護。通常，保護5-90％酸基，優(yōu)選的是保護6-50％，最優(yōu)選的是保護6-30％，在具有該保護百分率的情況下，可能使聚合物對UV光的感光性最優(yōu)。
合適的聚合物是氟化烴聚合物。優(yōu)選的是，烴聚合物包括降冰片烷的例如四氫呋喃的環(huán)狀結構。合適聚合物的實例包括聚降冰片烯六氟醇或由具有以下結構的由Asahi開發(fā)的聚合物
其中，R是H或t-boc(該聚合物包含羥基和經(jīng)保護的羥基兩者)。
光活性化合物(PAC)光刻膠組合物包含粘合劑(a)和光活性化合物(b)的組合。
如果粘合劑聚合物本身是光活性的，那么不需要單獨的光活性組分?？梢韵氲降氖枪饣钚越M分可以化學鍵合到粘合劑聚合物上。EP-A-473547中描述了一個體系，其中高分子粘合劑本身是光化學活性的。此處，光刻膠包括烯烴式不飽和锍鎓鹽或碘鎓鹽(光化學活化組分)，其與含有酸敏感基團的烯烴式不飽和共聚單體共聚生成輻射感光共聚物，該輻射感光共聚物是有效的光活性高分子粘合劑。
當本發(fā)明的組合物包含單獨的光活性組分(PAC)時，粘合劑本身通常不是光活性的。
光活性組分(PAC)通常是一種化合物，該化合物在暴露于光化學輻射時生成酸或堿。如果暴露于光化學輻射時生成酸，那么該PAC被稱為光致產(chǎn)酸劑(PAG)。如果暴露于光化學輻射時生成堿，那么該PAC被稱為光致產(chǎn)堿劑(PBG)。
適合本發(fā)明的光致產(chǎn)酸劑包括，但不局限于，1)锍鎓鹽(式6)，2)碘鎓鹽(式7)和3)異羥肟酸酯(式8)。
式6和式7中，R1-R3獨立地為取代或未取代的芳基，或取代或未取代的C1-C20烷芳基(芳烷基)。典型的芳基包括，但不局限于，苯基和萘基。合適的取代基包括，但不局限于，羥基(OH)和C1-C20烷氧基(例如，C10H21O)。式6和式7中的陰離子X-可以是，但不局限于，SbF-(六氟合銻酸根)、CF3SO3-(三氟甲基磺酸根)和C4F9SO3-(全氟丁基磺酸根)。
溶解抑制劑本發(fā)明的溶解抑制劑可以滿足光刻膠組合物的多功能的需要，包括抑制溶解、耐等離子刻蝕、增塑和粘合性。
本發(fā)明的溶解抑制劑(c)包括至少(i)兩個芳基，(ii)至少一個氟原子和(iii)(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，該酸基的pKa＜12。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的溶解抑制劑包括2到5個芳基，更優(yōu)選的是包括2個或4個芳基，因為這容易得到。
芳基可以是5元或6元環(huán)，優(yōu)選的是6元環(huán)。通常，這些環(huán)是全烴環(huán)，但它們可以包含氧或氮，具體的是氧作為醚基。
溶解抑制劑包含至少一個氟原子，優(yōu)選的是2個或多個。溶解抑制劑優(yōu)選包含一個在芳環(huán)結構上或附近的氟。
優(yōu)選的是，酸基是連接到芳基上的羥基或如C[CF3CF3]OH中的叔OH基。優(yōu)選的是，溶解抑制劑包括兩個或多個酸基。通常，溶解抑制劑具有5個酸基或更少。
酸基的pKa約為12或更小，優(yōu)選的是約為10或更小，最優(yōu)選的是9.6或更小。通常，pKa約為2或更大。
酸基優(yōu)選的是部分或完全用酸不穩(wěn)定基團保護。優(yōu)選的是，至少保護2個酸基達到90％或以上。
可以選擇酸不穩(wěn)定保護基團，使得當成像曝光生成光致酸時，該酸將催化親水酸基的脫保護和其生成，這對水性條件下的顯影是必要的。酸不穩(wěn)定R基包括，但不局限于，A)由叔脂族醇形成的碳酸酯，B)形成穩(wěn)定碳正離子的叔脂族基或其它基團，C)縮醛基和D)原酸酯基。通常，基團A，B，C或D包含3到約25個碳原子。
分類A中的一些具體實例是碳酸叔丁酯、碳酸2-甲基-2-金剛烷基酯和碳酸異冰片基酯。
分類B中的一些具體實例是叔丁基、2-甲基-2-金剛烷基、環(huán)丙基甲基、2-丙烯基和2-三甲基甲硅烷基乙基。
分類C中的一些具體實例是2-四氫吡喃基、2-四氫呋喃基和α-烷氧烷基，比如甲氧基甲基和乙氧基甲基。
分類D中的一些具體實例是原甲酸三甲基酯、原甲酸三乙基酯、原甲酸三丙基酯、原乙酸三甲基酯、原乙酸三乙基酯、原乙酸三丙基酯。
特別優(yōu)選的溶解抑制劑是雙苯酚的衍生物。雙苯酚具有通式9的結構 其中，R’和R”獨立地為H或烷基。通常，相對于橋碳原子，醇基在對位上。在本發(fā)明中，亞砜類似物也合適。
優(yōu)選的是，除了羥基和橋基以外，芳基具有氫原子或氟原子。
橋基優(yōu)選的是氟取代亞烴基，例如其中R’或R”或二者可以由(CX2)n-Y基團表示的橋基，其中Y＝H或F，n＝0-20，或者其中R’或R”或二者可以由(CX2)n-(O-(CX2)n-)mY基團表示的橋基，其中Y＝H或F，n＝0-20，m＝0-10。
合適的橋基是例如(a)CH(CF2)nCF3，其中n＝0-10(b)CH(CF2)nCF2H，其中n＝0-10(c)C{(CF2)nCF3}{(CF2)mCF3}，其中n和m獨立地為0-6(d)CH-CF2-(OCF-CF2)-F，其中n＝0-4最優(yōu)選的是具有4-16個氟原子的橋基。
光刻膠組合物通常包含(a)相對于(a)+(b)+(c)總量約50到約99.5wt％的高分子粘合劑(b)相對于(a)+(b)+(c)總量約0到約10wt％的光活性化合物(c)相對于(a)+(b)+(c)總量約0.5到約50wt％的溶解抑制劑。
光刻膠組合物優(yōu)選包含少于約99wt％的高分子粘合劑，更優(yōu)選的是少于約95wt％。
光刻膠組合物優(yōu)選包含約1-5wt％的光活性化合物。
光刻膠組合物優(yōu)選包含約1wt％或更多的溶解抑制劑，更優(yōu)選的是約5wt％或更多。通常溶解抑制劑的用量約為50wt％或更少，更優(yōu)選的是約20wt％或更少。
本發(fā)明的光刻膠組合物優(yōu)選在157nm處的吸光系數(shù)小于約3μm-1。更優(yōu)選的是小于2μm-1，甚至更優(yōu)選的是小于1μm-1。
當高分子粘合劑中使用10wt％本發(fā)明的溶解抑制劑時，該溶解抑制劑優(yōu)選的是使光刻膠組合物的吸光系數(shù)增加約0.8μm-1或更少，更優(yōu)選的是增加小于約0.6μm-1。
溶解抑制劑的溶解抑制量是與粘合劑、溶劑和任意光刻膠添加劑結合的。合適的溶劑實例是2-庚酮或PGMEA(丙二醇甲基醚乙酸酯)。
其它組分本發(fā)明的組合物可以包含任選其它組分。可以添加的其它組分的實例包括，但不局限于，分辨率提高劑、粘合促進劑、殘余物退粘劑、涂層助劑、增塑劑和Tg(玻璃轉化溫度)改性劑。交聯(lián)劑也可以存在于負型光刻膠組合物中。一些典型的交聯(lián)劑包括二疊氮化合物，例如4，4’-二疊氮基二苯基硫和3，3’-二疊氮基二苯基砜。通常，包含至少一種交聯(lián)劑的負型組合物也包含適當?shù)目梢耘c暴露于UV下生成的活性物質(例如氮烯)反應的官能團(例如不飽和C＝C鍵)，以制備在顯影液中不溶解、不分散或基本上不容脹的交聯(lián)聚合物。
在芯片上形成刻蝕層的方法在芯片上形成刻蝕層的方法順序包括(A)在襯底上形成光刻膠層其中，該光刻膠層由光刻膠組合物制備，該光刻膠組合物包括(a)粘合劑；(b)光活性組分；和(c)至少一種溶解抑制劑，該溶解抑制劑包括至少(i)兩個芳基，(ii)氟和(iii)(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，該酸基的pKa＜12，(B)將光刻膠層成像曝光以形成成像和未成像區(qū)域，(C)將該經(jīng)曝光的具有成像和未成像區(qū)域的光刻膠層顯影以在襯底上形成浮雕圖像，(D)蝕刻襯底到預定深度，(E)去除所述襯底上的浮雕圖像。
通過將光刻膠組合物涂覆到襯底上并干燥以除去溶劑，來制備光刻膠層。所形成的光刻膠層在電磁光譜的紫外區(qū)敏感，尤其是對不同的UV波長敏感，該波長包括10-165nm，具體的是13或157nm。例如采用157nm的紫外光進行成像曝光?？梢圆捎脭?shù)字激光器或等同的設備或者采用非數(shù)字的光掩膜進行成像曝光。優(yōu)選的是采用激光器的數(shù)字成像。用于本發(fā)明的組合物的數(shù)字成像的合適激光設備包括，但不局限于，具有157nm的輸出的氟(F2)激光器。正如先前所討論的，因為使用較低波長的UV光用于成像曝光相對應更高的分辨率(更低的分辨率極限)，所以通常更優(yōu)選使用較短波長157nm，而不是較長波長(例如248nm或更長)。
本發(fā)明的光刻膠組合物必須包含足夠的官能團用于在UV光下成像曝光以后的顯影。優(yōu)選的是，該官能團是酸或經(jīng)保護的酸，這樣可以使用例如氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液或氫氧化銨溶液的堿性顯影劑進行水性顯影。
當將水性可加工光刻膠涂布到襯底上或以其他方式涂覆到襯底上且在UV光下成像曝光時，光刻膠組合物的顯影可能要求粘合劑材料或溶解抑制劑應該包含足夠的酸基和/或經(jīng)保護的酸基，曝光時這些經(jīng)保護的酸基至少部分脫保護，以使光刻膠(或其它可光成像涂層組合物)在水性堿性顯影劑中是可加工的。在正型光刻膠層的情況下，在顯影期間，將除去光刻膠層中暴露于UV輻射的部分，而用水性堿液顯影期間，光刻層的未曝光部分基本上不受影響，該種水性堿液是例如含有0.262N氫氧化四甲基銨的水溶液(通常在25℃下顯影小于或等于120秒)。在負型光刻膠層的情況下，在顯影期間，將除去光刻膠層中未暴露于UV輻射的部分，而在用臨界流體或有機溶劑顯影期間，光刻層的經(jīng)曝光部分基本上不受影響。
此處使用的臨界流體是一種或多種被加熱到鄰近或高于其臨界溫度的溫度且被壓縮到鄰近或高于其臨界壓強的壓強的物質。本發(fā)明中的臨界流體的溫度至少高于該流體臨界溫度以下15℃的溫度，其壓力至少高于該流體的臨界壓強以下5個大氣壓的壓強。本發(fā)明中二氧化碳可以用于臨界流體。本發(fā)明中各種有機溶劑也可用作顯影劑。這些包括，但不局限于，鹵化溶劑和非鹵化溶劑。典型的是鹵化溶劑，更典型的是氟化溶劑。
通過通常已知的方式對襯底進行刻蝕。如Soane，D.S.，Martynenko，Z.“Polymers in MicroelectronicsFundamentals and Applications”’Elsevier，Amsterdam 1989中所描述，根據(jù)襯底可以使用不同的刻蝕物質。
通常，使用以上提及的Soane的參考文獻中所描述的方法剝離殘留的浮雕圖像。
在通過光刻技術形成圖案化微電子結構的工藝中，本領域通常使用至少一個在光刻膠層的下層的抗反射層，BARC，或光刻膠層的上層的抗反射層(TARC)(或者有時簡稱為ACR)，或者使用兩者。已經(jīng)表明抗反射涂層減少了膜厚變化和駐波的有害影響，該駐波由光刻膠結構中的不同界面形成的反射光的干涉而形成，且減少了由于反射光的損失導致的光刻層中曝光劑量的變化。因為抗反射層抑制與反射相關的效應，所以使用它使光刻膠材料的圖案化和分辨率特性改善。
采用本發(fā)明的光刻膠，采用157nm激光，在140nm的厚度下，可以達到60nm的最小特征尺寸(1∶1)。在200nm的厚度下，達到80nm的最小特征尺寸(1∶1)。沒有溶解抑制劑，采用同種粘合劑不可能達到任何適當?shù)慕Y果。根據(jù)使用的光學器件，該特征尺寸可以最優(yōu)化。
光刻膠優(yōu)選具有小于10mJ/cm2的臨界能量(經(jīng)曝光的區(qū)域達到可溶的點)，優(yōu)選的是小于8mJ/cm2。
光刻膠層的厚度優(yōu)選的是100-400nm，更優(yōu)選的是150-300nm，甚至更優(yōu)選的是160-250nm。
襯底本發(fā)明中使用的襯底可以是任何用在半導體產(chǎn)品中的材料，例如硅、氧化硅、氮化硅等。
其它應用本發(fā)明的組合物也可以用作抗反射涂層。
可以采用許多不同技術涂覆這種反射層，例如旋轉涂布、化學氣相沉積和氣溶膠沉積。本領域技術人員已知抗反射組合物的配方。用于抗反射層的組合物的要考慮的主要光學性質是光學吸光系數(shù)和折射率。
以下通過非限制性實例說明本發(fā)明。
浸潤式光刻技術如果根據(jù)本發(fā)明的組合物和用于制備光刻膠的其它組合物包括氟化合物，那么該組合物也適于用在所有波長都低于250nm的浸潤式光刻技術中。
在浸潤式光刻技術中，在最終的透鏡元件和光刻膠之間插入液體。以這種方式，可以用更高的集成水平生產(chǎn)芯片。
已知方法的缺點在于，液體對光刻膠的性質有不利影響。例如液體可能將組分從光刻膠中萃取。而以這種方式，光刻膠的性質和液體的性質都會受到不良影響。
尋找這個問題的解決方案的一種方法是在光刻膠層上涂覆一層保護頂部的涂層。
然而，這是一種復雜的方式，因為在芯片的制造中需要額外的加工步驟。
提供一種簡單的解決浸潤液體對光刻膠不利影響的方案。
該解決方案提供了一種采用浸潤式光刻技術生產(chǎn)芯片的方法，該方法包括在襯底上形成光刻膠層的步驟，其中所述光刻膠層由光刻膠組合物制備，所述組合物包括(a)粘合劑，(b)光活性組分，(c)含氟化合物。
令人驚奇的是，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，光刻膠較少或甚至根本沒有受到液體的影響。這對于采用水作為浸潤液體，在193nm的浸潤式光刻尤其適用。通常用于193nm的光刻膠組合物包括丙烯酸和甲基丙烯酸粘合劑。
實施例合成各種溶解抑制劑。化學結構10-15表示本研究中制備的各種DI。
用于制備式(10)的DI的合成過程如下4，4’-(六氟亞異丙基)二苯酚的二(叔丁基)碳酸酯(10)在乙腈(1.2L)中溶解4，4’-(六氟亞異丙基)二苯酚(1)(24g，71.4mmol)和二碳酸二叔丁基酯(37g，171.4mmol)。將DMAP(1.7g，14.3mmol)加到清液中。在RT下攪拌3小時后，用EtOAc稀釋該反應混合物，且用5％HCl(水溶液)(300mL)洗滌。分離有機層，用Na2SO4干燥并濃縮至白色/黃色固體，該固體用MeOH重結晶。得到化合物(10)(31.3g，82％)白色固體。
以類似的方法，得到其它溶解抑制劑(11)-(15)。
制備各種組合物采用聚降冰片烯六氟醇作為基礎聚合物(見式16)配制不同配方。根據(jù)Tran等Macromolecules 2002，35，6539-6549頁給出的工藝制備該聚合物。
采用丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)作為溶劑配制所有配方。典型的配方由具有5wt％(相對于聚合物)的光致產(chǎn)酸劑(PAG)，即全氟丁磺酸三苯基锍(triphenylsulfonium nonaflate)和0.3wt％的堿，即氫氧化四丁基銨(TBAH)的聚合物，和適量的DI組成。表1和表2表示所有組合物配方。
表1組合物配方
a)所有配方基于PNBHFA作為基礎聚合物。
b)相對于聚合物+DI，PAG即全氟丁磺酸三苯基锍的重量百分率，c)相對于聚合物+DI，堿即氫氧化四丁基銨(TBAH)的重量百分率表2
a)所有配方基于PNBHFA作為基礎聚合物，相對于聚合物+DI堿為0.3wt％b)相對于聚合物+DI，PAG即全氟丁磺酸三苯基锍的重量百分率結果表明在157nm吸光系數(shù)低，溶解抑制劑使吸光系數(shù)增加了0.2-0.8μm-1，增幅為10％-15％。臨界能量(E0)是使組合物可溶解在顯影液中所需的能量量度。黑色損耗(dark loss)是以計顯影液對組合物造成的損耗。圖表明配方3、5和6的成像結果。
而且，與參考的對羥基苯乙烯商業(yè)化體系相比，和與引言中所提及參考的Conley等的15％化合物6(這是一種脂族溶解抑制劑)相比，用C4F8配方測試配方7和配方8的抗氧化物刻蝕性。當用僅10％的芳族溶解抑制劑替代15％脂族溶解抑制劑時，本發(fā)明的化合物的相對刻蝕結果表明較商業(yè)標準改進了6-7％，較脂族溶解抑制劑改進了3％。
權利要求
1.適于在10-165nm使用的光刻膠組合物，所述組合物包括(a)高分子粘合劑(b)光活性化合物(c)溶解抑制劑，所述溶解抑制劑包括至少(i)兩個芳基，(ii)氟(iii)經(jīng)保護的酸基，當未經(jīng)保護時，所述酸基的pKa＜12。
2.如權利要求1所述的光刻膠組合物，其中，所述光刻膠組合物通常包含(a)相對于(a)+(b)+(c)總量約50到約99.5wt％的高分子粘合劑(b)相對于(a)+(b)+(c)總量約0到約10wt％的光活性化合物(c)相對于(a)+(b)+(c)總量約0.5到約50wt％的溶解抑制劑。
3.如權利要求1-2中任意一項所述的光刻膠組合物，其中，所述組合物的吸光系數(shù)小于約3μm-1。
4.如權利要求1-3中任意一項所述的光刻膠組合物，其中，當高分子粘合劑中使用10wt％所述溶解抑制劑時，所述溶解抑制劑使所述組合物的吸光系數(shù)增加0.8μm-1或更小。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的光刻膠組合物，其中，所述溶解抑制劑具有2-5個芳族原子。
6.如權利要求1-5中任意一項所述的光刻膠，其中，所述溶解抑制劑具有2個或多個氟原子。
7.如權利要求1-6中任意一項所述的光刻膠，其中，所述酸基是鍵合到芳基上的羥基，或鍵合到芳環(huán)上的C(CF3)2OH。
8.如權利要求1-7中任意一項所述的光刻膠，其中，所述酸基至少部分用碳酸酯、縮醛基團、原酸酯或叔烷基保護。
9.如權利要求1-8中任意一項所述的光刻膠，其中，所述溶解抑制劑包括雙苯酚結構。
10.式1所表示的化合物 其中，n＝1-4，R1-R10中至少一個獨立地包括(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，所述基團的pKa＜12，其它R1-R10獨立地表示氫、氟或含烴取代基。R11是氟化脂族基，R12表示氫或具有1-10個碳原子和0-13個氟原子的脂族基，且R11和R12不都是CF3。
11.如權利要求10所述的化合物，其中，R11優(yōu)選的是具有2-20個氟原子的C2-C20基。
12.如權利要求10-11中任意一項所述的化合物，其中，{R1-R3，R9，R10}其中之一和R4-R8其中之一獨立地優(yōu)選為羥基或C(CF3)2OH，這些中的任意一個任選用酸不穩(wěn)定保護基團保護。
13.如權利要求10-12中任意一項所述的化合物，其中，其它R1-R10獨立地為氫。
14.如權利要求10-13中任意一項所述地化合物，其中R12優(yōu)選的是氫。
15.在芯片中形成刻蝕層的方法，所述方法順序包括(A)在襯底上形成光刻膠層，其中，所述光刻膠層由光刻膠組合物制備，所述光刻膠組合物包括(a)粘合劑；(b)光活性組分；(c)至少一種溶解抑制劑，所述溶解抑制劑包括至少(i)兩個芳基、(ii)氟和(iii)(經(jīng)保護的)酸基，當未經(jīng)保護時，所述酸基的pKa＜12，(B)將光刻膠層成像曝光以形成成像和未成像區(qū)域，(C)將所述經(jīng)曝光的具有成像和未成像區(qū)域的光刻膠層顯影以在所述襯底上形成所述浮雕圖像，(D)蝕刻所述襯底到預定深度，(E)從所述襯底上去除所述浮雕圖像。
16.采用浸潤式光刻技術生產(chǎn)芯片的方法，所述方法包括在襯底上形成光刻膠層的步驟，其中所述光刻膠層由光刻膠組合物制備，所述組合物包括(a)粘合劑，(b)光活性組分，(c)含氟化合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種適于在10－165nm使用的光刻膠組合物，所述光刻膠組合物包括(a)高分子粘合劑(b)光活性化合物(c)溶解抑制劑，所述溶解抑制劑包括至少(i)兩個芳基、(ii)氟和(iii)經(jīng)保護的酸基，當未經(jīng)保護時，所述酸基的pKa＜12。優(yōu)選的溶解抑制劑是任選經(jīng)保護的雙苯酚衍生物，其中所述橋碳原子用氟化脂族基取代。
文檔編號G03F7/039GK1849557SQ200480025876
公開日2006年10月18日 申請日期2004年7月21日 優(yōu)先權日2003年7月23日
發(fā)明者亞羅彌·沙哈布, 弗拉其蘇斯·約翰內斯·馬里·戴爾克斯, 安德烈·雅羅斯拉沃維奇·萊樸諾弗 申請人:帝斯曼知識產(chǎn)權資產(chǎn)管理有限公司