專利名稱：太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于太陽能等級半導(dǎo)體晶片的測試領(lǐng)域，尤其涉及一種通過自動發(fā)送晶片、傳送晶片，快速無接觸式測量、分選，自動收片等流程完成太陽能等級半導(dǎo)體晶片的厚度、總厚度偏差以及彎曲翹曲度的測量與分選的太陽能晶片全自動無接觸式多功能測量與分選系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
太陽能等級晶片的厚度、厚度偏差、彎曲翹曲度、體電阻率以及表面缺陷等多種參數(shù)都需要經(jīng)過測量篩選以達(dá)到應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)，例如太陽能級硅片制造企業(yè)需要在整個工藝流程中的不同環(huán)節(jié)特別對產(chǎn)品硅片的厚度、厚度偏差、體電阻率以及表面缺陷等參數(shù)分別進(jìn)行測試與監(jiān)控，以保證最終出廠的硅片產(chǎn)品滿足太陽能電池工業(yè)或者客戶的技術(shù)要求。 而目前國內(nèi)市場上，盡管有幾種設(shè)備可以分別單獨(dú)測試這些參數(shù)，然而沒有任何一種測試設(shè)備能夠集可靠性、多功能、靈活性、高產(chǎn)能和高性價(jià)比等優(yōu)點(diǎn)于一身，以滿足光伏產(chǎn)業(yè)日益增長的競爭需求。具體來說，傳統(tǒng)的測試方式需要用多種不同的測試儀器分別測試太陽能級晶片的不同參數(shù)。比如，太陽能級硅片厚度的測試一般需要厚度測試工具完成厚度的測試，然后用塞尺工具完成彎曲度參數(shù)的測試，這種傳統(tǒng)方式需要至少兩個步驟來完成，數(shù)據(jù)的記錄與匹配也同樣消耗時間，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性無法得到有效保障，同時，硅片的破損率、碎片率也會明顯提高，這些都大大影響了生產(chǎn)效率。在硅片的等級分選中，還需通過人工把晶片分類，造成了硅片破損、費(fèi)工費(fèi)力、生產(chǎn)效率低下等問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種太陽能晶片全自動無接觸式多功能測量與分選系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效率自動測量太陽能晶片的各項(xiàng)參數(shù)，并根據(jù)測量的厚度、總厚度偏差、彎曲翹曲度等參數(shù)對晶片進(jìn)行自動分類。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其中，包括控制中心，配有系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫；主傳送模塊，包括依次連接的第一步進(jìn)電機(jī)，傳送帶滑輪組和貫穿于整個系統(tǒng)的主傳送帶，帶動晶片從一個位置到另一個位置直至完成所有的測量工作；晶片定位模塊，與所述主傳送模塊連接，包含四個壓縮空氣觸發(fā)的限位器，分別位于晶片的四邊位置，實(shí)現(xiàn)對每片晶片測量前的中心定位功能；晶片測量模塊，與所述主傳送模塊連接，包括三組相互間隔的探頭傳感器，其中， 第一探頭傳感器組位于晶片中心位置上下表面，用以測量晶片中心位置上下表面與上下探頭表面之間的距離，第二探頭傳感器組和第三探頭傳感器組用以測量晶片兩側(cè)邊緣上下表面與上下探頭表面之間的距離，分別位于晶片兩側(cè)邊緣的上下表面；以及，[0011]晶片收發(fā)模塊，包括晶片送片機(jī)構(gòu)和晶片收片機(jī)構(gòu)，所述晶片送片機(jī)構(gòu)和所述晶片收片機(jī)構(gòu)均包括至少一組承載有片盒的自動升降裝置，所述晶片送片機(jī)構(gòu)將晶片從所述片盒中按順序逐一傳送到所述系統(tǒng)的主傳送帶上，所述晶片收片機(jī)構(gòu)按照預(yù)設(shè)的類別與等級將所述主傳送帶上完成測量的晶片收入相應(yīng)的片盒中。上述太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其中，所述第二探頭傳感器組和第三傳感器組被固定在同一根精密同步絲杠上，由第二步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)不同尺寸晶片測量時邊緣距離的自動調(diào)整。上述太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其中，所述第一、第二、 第三探頭傳感器組分別包括兩個光學(xué)傳感器和一個位移式傳感器。上述太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其中，所述晶片送片機(jī)構(gòu)的自動升降裝置上承載125mm規(guī)格或者156mm規(guī)格的太陽能晶片盒。上述太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其中，所述晶片收片機(jī)構(gòu)均配備有7段式計(jì)數(shù)器。本實(shí)用新型太陽能晶片全自動無接觸式多功能測量與分選系統(tǒng)由于采用以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以通過自動傳輸晶片，無接觸式測量厚度，總厚度偏差，彎曲翹曲度，最終把晶片按類別自動分選到對應(yīng)的片藍(lán)，同時還可靈活添加其它測量功能。本實(shí)用新型通過運(yùn)用自動化和無接觸式測量方式，對晶片的損傷大大降低、測量精度大大提
尚ο

圖1是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備的晶片測量模塊結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備厚度計(jì)算方式示意圖；圖4是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備厚度探頭線式采集示意圖；圖5是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備測量模塊采集數(shù)據(jù)實(shí)例流程圖；圖6是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備運(yùn)行實(shí)例流程圖；圖7a是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備180微米晶片厚度測量結(jié)果曲線圖；圖7b是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備230微米晶片厚度測量結(jié)果曲線圖；圖7c是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備358微米晶片厚度測量結(jié)果曲線圖；圖8是本實(shí)用新型申請?jiān)O(shè)備厚度線性對比圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但不作為本實(shí)用新型的限定。本實(shí)用新型太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)概況請參看圖1 中的110視圖，110視圖所示的結(jié)構(gòu)適用于太陽能晶片的厚度、TTV、彎曲翹曲度等參數(shù)的測量，并根據(jù)測量結(jié)果對太陽能晶片的厚度、TTV、彎曲翹曲度等參數(shù)進(jìn)行分選。太陽能晶片用正方形表述為晶片10，通常，晶片10是一片很薄的、接近正方形的高質(zhì)量半導(dǎo)體材料(例如硅、鍺等半導(dǎo)體材料)，晶片10的上、下表面近似于平行，并具備近乎相等的邊長，符合相關(guān)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。在某些情況下，四個角上的弧長可因不同的應(yīng)用需求而各異。根據(jù)圖1所示，110視圖系統(tǒng)一般包含控制中心800、1個或多個晶片送片機(jī)構(gòu)(上料裝置)200、晶片定位模塊201、晶片測量模塊202、主傳送模塊300以及2個或多個晶片收片機(jī)構(gòu)305A-B，晶片送片機(jī)構(gòu)200和晶片收片機(jī)構(gòu)305A-B組成晶片收發(fā)模塊，控制中心800包含中央控制系統(tǒng)807和系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫801，203為備用模塊，所有上述功能模塊通過內(nèi)部局域網(wǎng)絡(luò)連接，并由中央控制系統(tǒng)807實(shí)施控制。中央控制系統(tǒng)807由一臺計(jì)算機(jī)執(zhí)行，用以運(yùn)行應(yīng)用軟件平臺。110系統(tǒng)基于分布式控制構(gòu)架，系統(tǒng)中各功能模塊都擁有各自的子控制系統(tǒng)，執(zhí)行獨(dú)立運(yùn)作，并全部接入系統(tǒng)內(nèi)部局域網(wǎng)216內(nèi)，每個功能模塊的所有控制指令與數(shù)據(jù)信息通過系統(tǒng)內(nèi)部局域網(wǎng)216，并搭載TCP/IP通訊協(xié)議實(shí)現(xiàn)快速傳輸。晶片送片機(jī)構(gòu)200配合晶片盒12，可以將片盒12中的晶片10按照順序逐一傳輸?shù)街鱾魉蛶?08A-B上，系統(tǒng)主傳送帶 208A-B經(jīng)由主傳送模塊300控制，依次將晶片從一個功能模塊傳輸?shù)搅硪粋€功能模塊。晶片定位模塊201包含四個壓縮空氣觸發(fā)的限位器301a-d，分別位于晶片10的四邊位置，以主傳送帶208A-B為橫向和縱向參考，對晶片10執(zhí)行對中心操作，晶片10的中心定位操作可以有效確保晶片10經(jīng)過下一個測量模塊202后測量數(shù)據(jù)的重復(fù)性。晶片測量模塊202 配備有三組成對的探頭傳感器，用以執(zhí)行對晶片三個不同位置的線式測量，每組探頭動態(tài)測量傳感器表面與晶片上下表面之間的距離，這些測得的數(shù)據(jù)隨后被發(fā)送到中央控制系統(tǒng) 807。中央控制系統(tǒng)807接收到來自測量模塊202的表面距離測量數(shù)據(jù)后，會依此計(jì)算出晶片厚度、TTV、彎曲翹曲度等參數(shù)。根據(jù)上述計(jì)算出的各參數(shù)數(shù)值，并通過對比在中央控制系統(tǒng)807中預(yù)先設(shè)置好的各種分選范圍依據(jù)，實(shí)現(xiàn)對晶片的等級分類，最后根據(jù)等級分類結(jié)果，主傳送帶300將晶片移動到相應(yīng)的晶片收片機(jī)構(gòu)305A-B中。如圖2所示，晶片測量模塊202包括一根由第二步進(jìn)電機(jī)101驅(qū)動的直線絲杠 102，第二探頭傳感器組103與第三探頭傳感器組107裝備在上面，第一探頭傳感器組109 為固定裝配方式，探頭傳感器組103、107與109同位于一條垂直于運(yùn)動方向的直線上。第一探頭傳感器組109位于晶片10中心位置，第二探頭傳感器組103位于靠近晶片10上邊緣的位置，第三探頭傳感器組107位于靠近晶片10另一邊，即下邊緣的位置。由于探頭組 103與107—同裝配在直線驅(qū)動系統(tǒng)102上，因此這兩組探頭可以實(shí)現(xiàn)在垂直方向上的同步反向運(yùn)動。第二探頭傳感器組103包含光學(xué)傳感器103a、位移式探頭傳感器10 和光學(xué)傳感器103c，它們被分別裝配在同一條水平線上。同樣地，第三探頭傳感器組107包含光學(xué)傳感器107a、位移式探頭傳感器107b和光學(xué)傳感器107c ；第一探頭傳感器組109包含光學(xué)傳感器109a、位移式探頭傳感器109b和光學(xué)傳感器109c。在測量過程中，主傳送帶208A-B 將晶片10傳輸并經(jīng)過測量模塊202，系統(tǒng)將采集到貫穿整個晶片的所有距離數(shù)據(jù)信息。如圖4所示，當(dāng)晶片10被主傳送帶以R方向運(yùn)動時，探頭傳感器l(X3b、107b、109b 在運(yùn)動方向上對不同的數(shù)據(jù)點(diǎn)距離信號進(jìn)行周期性采集，一般每組探頭將得到多于40個測試點(diǎn)的測量數(shù)據(jù)以運(yùn)算線式掃描的各項(xiàng)數(shù)據(jù)。位移式探頭傳感器的精度與準(zhǔn)確度決定了被測量的太陽能晶片的厚度與彎曲翹曲度數(shù)據(jù)的精度與準(zhǔn)確度。控制中心800是一臺普通的臺式電腦，或者大型計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、分布式網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)或其它適合的角色，并與網(wǎng)絡(luò)部件216進(jìn)行通訊，包含一個專門用以執(zhí)行控制軟件的中央處理器，控制軟件可以由諸如Visual C等多種適合的編程平臺進(jìn)行開發(fā)?？刂浦行?800同時包含數(shù)據(jù)存儲以及輸入、輸出接口等其它各項(xiàng)配置，經(jīng)由局域網(wǎng)設(shè)備216，并利用TCP/IP傳輸協(xié)議與其它所有功能模塊進(jìn)行聯(lián)網(wǎng)。通常，系統(tǒng)的通訊信息由指令和數(shù)據(jù)流組成，充分運(yùn)用標(biāo)準(zhǔn)的TCP/IP傳輸協(xié)議以及一整套完善的、自定義的通訊總線系統(tǒng)，使得110 系統(tǒng)具備良好的可擴(kuò)展性，允許用戶在任何必要的情況下，進(jìn)行增加其它的功能模塊。在圖1中，主傳送模塊300包含第一步進(jìn)電機(jī)310，傳送帶滑輪組311，以及主傳送帶208A-B，主傳送模塊300傳輸晶片10貫穿整個系統(tǒng)。主傳送帶208A-B支持不同尺寸的太陽能晶片，例如125mm χ 125mm、156mm χ 156mm等規(guī)格，可以以不同速度、不同加速度、 不同減速度以及不同距離等方式運(yùn)行。太陽能晶片10通常被存置于某種存儲部件中，例如便攜式片盒12，正如業(yè)界所熟知，一定數(shù)量的晶片被一片片地放置于片盒12相互平行的片槽中。晶片發(fā)送裝置200自動下降，直到感應(yīng)到晶片10，隨后，晶片10被傳輸?shù)街鱾魉蛶?208A-B上，并由主傳送帶208A-B傳輸，逐一經(jīng)過后續(xù)各功能模塊。晶片收片機(jī)構(gòu)305A-B各包含一個晶片收納裝置(收片藍(lán))306A-B，在晶片接收過程中，位于主傳送帶208A-B上的晶片10被升降手臂抬起，升降手臂上的0型皮帶將晶片10運(yùn)送到收片藍(lán)306A-B中。如圖6和圖1所示，當(dāng)系統(tǒng)正常運(yùn)轉(zhuǎn)開始時，在第601步中，相關(guān)的設(shè)置菜單803 被載入到中央控制系統(tǒng)807中，設(shè)置菜單803包含一些具體的配置，例如需要測量的參數(shù)、 晶片的尺寸、分選設(shè)置以及收片臺編號等信息，如804列表中所示。當(dāng)設(shè)置菜單803通過確認(rèn)后，系統(tǒng)將開始運(yùn)轉(zhuǎn)并進(jìn)入流程602。在第603步中，操作員將一盒通常裝滿25片晶片的片盒12放置在晶片送片機(jī)構(gòu)200上，晶片送片機(jī)構(gòu)200上可以放置125mm和156mm兩種規(guī)格的太陽能晶片盒。在604步中，當(dāng)晶片送片機(jī)構(gòu)200感應(yīng)到片盒12時，即開始自動向下移動，當(dāng)傳感器感應(yīng)到片盒12中的晶片10時，即停止向下運(yùn)動。該晶片10隨即被抽出片盒12并放置于主傳送帶208A-B上。完成上述出片動作后，晶片送片機(jī)構(gòu)200即向控制中心800發(fā)送動作完成指令，中央控制系統(tǒng)807隨后保持跟蹤位于主傳送帶208A-B上的晶片 10，并同時向主傳送控制系統(tǒng)300發(fā)送指令將該晶片傳送到下一個位置。在第605步中，主傳送帶208A-B將晶片10移動一個步長，完成對晶片10移動一個步長的動作后，主傳送控制系統(tǒng)300向主控制系統(tǒng)807發(fā)送移動完成指令。當(dāng)收到傳送控制系統(tǒng)的完成移動指令后， 主控制系統(tǒng)807隨即向所有功能模塊發(fā)送廣播指令，令相應(yīng)的功能模塊對晶片執(zhí)行各自的操作。在第606步中，晶片定位模塊201通過驅(qū)動四個限位器301a-d，對晶片10執(zhí)行一次定位操作，該定位操作可以使晶片10被定位于相對于主傳送帶208A-B的橫向和縱向中心， 晶片定位操作對于后續(xù)測量模塊測量參數(shù)的一致性意義重大。當(dāng)晶片定位模塊201完成定位操作后，會向控制系統(tǒng)807發(fā)送定位完成指令。當(dāng)收到晶片定位模塊201發(fā)送的定位完成指令后，控制系統(tǒng)807即指示主傳送控制系統(tǒng)300將晶片10向右移動到下一個工位。在第607步中，晶片10被傳送并通過晶片測量模塊202。在第608步中，探頭的距離數(shù)據(jù)被系統(tǒng)采集。暫時跳轉(zhuǎn)到圖5所示，在第502步中，系統(tǒng)將檢測緩存空間是否足夠，如果緩存空間已滿，系統(tǒng)不會采集任何數(shù)據(jù)，而直接跳轉(zhuǎn)至512，等待主控制系統(tǒng)807要求發(fā)送數(shù)據(jù)指令。如果緩存空間未滿，則繼續(xù)執(zhí)行到503，以檢查光學(xué)傳感器103 c并確定晶片是否到位。如果確認(rèn)晶片10到位，則繼續(xù)執(zhí)行504，在該步中，系統(tǒng)將采集晶片表面與探頭傳感器表面距離的電壓信號。在第505步中，采集到的電壓信號被儲存在緩存器中。在第506步中，系統(tǒng)將檢查光學(xué)傳感器109 c并確定晶片是否到位。如果晶片10判斷到位則繼續(xù)到 507步，系統(tǒng)將采集晶片表面與探頭傳感器表面距離的電壓信號。在第508步中，采集到的
6電壓信號被儲存在緩存器中。到第509步時，系統(tǒng)將檢查光學(xué)傳感器107 c并確定晶片是否到位。如果晶片10判斷到位則繼續(xù)到510步，系統(tǒng)將采集晶片表面與探頭傳感器表面距離的電壓信號。在第511步中，采集到的電壓信號被儲存在緩存器中。到了第512步，系統(tǒng)檢測主控制系統(tǒng)807是否要求發(fā)送數(shù)據(jù)。如果沒有檢測到主控制系統(tǒng)807要求發(fā)送數(shù)據(jù)的信號，則程序跳回到502步。如果檢測到主控制系統(tǒng)807要求發(fā)送數(shù)據(jù)的信號，則繼續(xù)執(zhí)行 513步，并利用TCP/IP通訊協(xié)議，通過系統(tǒng)內(nèi)部局域網(wǎng)216發(fā)送數(shù)據(jù)。當(dāng)數(shù)據(jù)完成發(fā)送后， 繼續(xù)執(zhí)行514步，以清空現(xiàn)有緩存并回到第502步?；氐綀D6，在第609步中，厚度參數(shù)將按照如下公式進(jìn)行計(jì)算(參照圖3)厚度 =D - (A+B)，其中D代表校準(zhǔn)后的兩探頭間距，A代表上探頭表面至晶片上表面的距離，B代表下探頭表面至晶片下表面的距離。通過對所有測試點(diǎn)厚度值的計(jì)算，可以得到總厚度偏差(TTV)的數(shù)據(jù)。彎曲翹曲度數(shù)據(jù)經(jīng)由公式(B-A)/2進(jìn)行運(yùn)算，它反應(yīng)了被測晶片形貌的變化程度。通過上述運(yùn)算得到的上述厚度、TTV和彎曲翹曲度數(shù)據(jù)即依據(jù)晶片10的確切位置，被存儲于系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫801中。當(dāng)厚度、TTV、彎曲翹曲度數(shù)據(jù)運(yùn)算完成后，系統(tǒng)將依據(jù)預(yù)先設(shè)置好的分選要求確定晶片等級。通常情況下，系統(tǒng)操作員會預(yù)先設(shè)置好不同范圍的厚度、TTV以及彎曲翹曲度的要求，并以每組滿足所有范圍要求的晶片劃分為一個等級。在圖6中，僅示范了第一和第二等級的范圍要求，而實(shí)際操作中，操作員可以指定多種范圍的多種等級設(shè)置，已滿足不同的分選需求。操作員可以結(jié)合等級一及等級二的分選參數(shù)確定是否要求所有晶片厚度、TTV、彎曲翹曲度數(shù)據(jù)完全滿足要求，或者晶片厚度、TTV、彎曲翹曲度分選要求僅部分滿足即可。在后者情況下，如果厚度、TTV及彎曲翹曲度測量結(jié)果不滿足任何范圍要求，則操作員可以決定下一步分選工作如何進(jìn)行，例如重新測量該晶片或者放棄該晶片。任何情況下，分選流程都會持續(xù)進(jìn)行，在第610a步中，系統(tǒng)將確定晶片的實(shí)測厚度、TTV、彎曲翹曲度是否完全滿足等級一中對厚度、TTV、彎曲翹曲度的范圍要求。如果完全滿足，在611a步中，晶片將滿足等級一要求的晶片歸為第一類。當(dāng)晶片的類別確定好之后， 主控制系統(tǒng)807向主傳送控制系統(tǒng)300發(fā)送移動晶片的指令，并在滿足條件的晶片到達(dá)位置時，向收片模塊305A發(fā)送接收晶片指令。當(dāng)晶片10完成接收動作后，系統(tǒng)運(yùn)作流程會返回604步，將下一片晶片發(fā)送到主傳送帶208A-B上。綜上所述，110構(gòu)架式的系統(tǒng)能夠完全滿足太陽能晶片產(chǎn)業(yè)需求，為產(chǎn)業(yè)提供低價(jià)位、高產(chǎn)能、全自動化測量晶片厚度、TTV及彎曲翹曲度的高效測量與分選解決方案。根據(jù)圖 7a、圖7b、圖7c、圖8中的實(shí)際測量結(jié)果可以證明，110構(gòu)架系統(tǒng)完全能夠在不犧牲精度、準(zhǔn)確性或者重復(fù)性的測量指標(biāo)下滿足上述要求。圖7a、圖7b、圖7c所示的曲線圖中，體現(xiàn)了利用110構(gòu)架系統(tǒng)，分別針對厚度為180微米、230微米和358微米的三種不同厚度的晶片， 各進(jìn)行10次中心厚度的重復(fù)測量所得到的結(jié)果，正如圖中所示，每種厚度的各次測量結(jié)果偏差全部小于0.25微米。圖8體現(xiàn)了厚度范圍從180微米至358微米的線性度表現(xiàn)。盡管幾種晶片的厚度跨度很大，但測量結(jié)果與參考值之間的線性相關(guān)性依然能夠做到相關(guān)度為1，而偏移量僅僅為0. 248微米。根據(jù)多種工藝研究的經(jīng)驗(yàn)可以確定以上闡述的分選方式可以應(yīng)用到許多不同的領(lǐng)域。例如太陽能晶片制造企業(yè)可以利用上述分選模式，使多批次晶片合并為厚度、TTV 及彎曲翹曲度等參數(shù)高度一致性的整批晶片進(jìn)行出廠安排。雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何
7本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)力要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其特征在于，包括控制中心，配有系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫；主傳送模塊，包括依次連接的第一步進(jìn)電機(jī)，傳送帶滑輪組和貫穿于整個系統(tǒng)的主傳送帶，帶動晶片從一個位置到另一個位置直至完成所有的測量工作；晶片定位模塊，與所述主傳送模塊連接，包含四個壓縮空氣觸發(fā)的限位器，分別位于晶片的四邊位置，實(shí)現(xiàn)對每片晶片測量前的中心定位功能；晶片測量模塊，與所述主傳送模塊連接，包括三組相互間隔的探頭傳感器，其中，第一探頭傳感器組位于晶片中心位置上下表面，用以測量晶片中心位置上下表面與上下探頭表面之間的距離，第二探頭傳感器組和第三探頭傳感器組用以測量晶片兩側(cè)邊緣上下表面與上下探頭表面之間的距離，分別位于晶片兩側(cè)邊緣的上下表面；以及，晶片收發(fā)模塊，包括晶片送片機(jī)構(gòu)和晶片收片機(jī)構(gòu)，所述晶片送片機(jī)構(gòu)和所述晶片收片機(jī)構(gòu)均包括至少一組承載有片盒的自動升降裝置，所述晶片送片機(jī)構(gòu)將晶片從所述片盒中按順序逐一傳送到所述系統(tǒng)的主傳送帶上，所述晶片收片機(jī)構(gòu)按照預(yù)設(shè)的類別與等級將所述主傳送帶上完成測量的晶片收入相應(yīng)的片盒中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其特征在于，所述第二探頭傳感器組和第三傳感器組被固定在同一根精密同步絲杠上，由第二步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)不同尺寸晶片測量時邊緣距離的自動調(diào)整。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其特征在于，所述第一、第二、第三探頭傳感器組分別包括兩個光學(xué)傳感器和一個位移式傳感ο
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片送片機(jī)構(gòu)的自動升降裝置上承載125mm規(guī)格或者156mm規(guī)格的太陽能晶片品.ο
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片收片機(jī)構(gòu)均配備有7段式計(jì)數(shù)器。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種太陽能晶片全自動無接觸式多功能測試和分選系統(tǒng)，系統(tǒng)包括控制中心，主傳送模塊，包括依次連接的第一步進(jìn)電機(jī)，傳送帶滑輪組和貫穿于整個系統(tǒng)的主傳送帶；晶片定位模塊，實(shí)現(xiàn)對每片晶片測量前的中心定位功能；晶片測量模塊，與所述主傳送模塊連接，包括三組相互間隔的探頭傳感器；以及，晶片收發(fā)模塊，包括晶片送片機(jī)構(gòu)和晶片收片機(jī)構(gòu)；所述主傳送模塊將從所述晶片送片機(jī)構(gòu)接收到的晶片依次運(yùn)送經(jīng)過所述晶片定位模塊和所述晶片測量模塊后由所述晶片收片機(jī)構(gòu)收回，所述控制中心通過內(nèi)部通訊機(jī)制實(shí)現(xiàn)與上述各個功能模塊的數(shù)據(jù)互傳，同時將所有接收到的數(shù)據(jù)保存到所述系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫中。本全自動測試和分選系統(tǒng)具有無接觸、多功能測量、靈活、快速、準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號B07C5/36GK201940376SQ20102059948
公開日2011年8月24日 申請日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月10日
發(fā)明者周海, 朱洪偉, 李福榮, 鄧超明, 陳罡 申請人:上海星納電子科技有限公司