專利名稱：太陽能晶片及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能晶片及其制備方法，特別是涉及一種具有選擇性發(fā)射極的太陽能電池的太陽能晶片及其制備方法。
背景技術(shù)：
新能源是二十一世紀(jì)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展中最具決定力的五大技術(shù)領(lǐng)域之一。太陽能是一種清潔、高效和永不衰竭的新能源。在新世紀(jì)中，各國政府都將太陽能資源利用作為國家可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要內(nèi)容。而光伏發(fā)電具有安全可靠、無噪聲、無污染、制約少、故障率低、維護(hù)簡便等優(yōu)點。近幾年，國際上光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，太陽能晶片供不應(yīng)求，于是提高太陽能晶片的光電轉(zhuǎn)化效率和太陽能晶片的生產(chǎn)能力成為重要的課題。一般來說太陽能電池制備工藝主要經(jīng)過以下幾個過程，以硅片為例說明1、硅片的表面處理硅片的表面準(zhǔn)備是制造硅太陽電池的第一步主要工藝，它包括硅片的化學(xué)清洗和表面腐蝕。當(dāng)把摻雜好的硅錠按要求切割成符合生產(chǎn)要求的硅片后， 首先要對其表面處理，因為切割后硅片表面可能有塵埃，金屬離子及其他無機(jī)物和油脂等有機(jī)物，在切割時還會產(chǎn)生一定的機(jī)械損傷層。經(jīng)過酸性腐蝕和堿性腐蝕可以去除掉這些污染和損傷，使硅片表面光亮。之后，將硅片放入1. 2% -1. 5%的氫氧化鈉溶液或其它酸性溶液中做金字塔絨面，使入射光在表面多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的效率。2、擴(kuò)散制結(jié)制結(jié)過程是在一塊基體材料上生成導(dǎo)電類型不同的擴(kuò)散層，它和制結(jié)前的表面處理均是電池制造過程中的關(guān)鍵工序。擴(kuò)散是物質(zhì)分子或原子運動的一種現(xiàn)象。熱擴(kuò)散制P-N結(jié)的方法是通過高溫使V族雜質(zhì)滲入P型硅或III族雜質(zhì)滲入N型硅。 硅太陽能電池最常用的V族雜質(zhì)為磷，III族雜質(zhì)最常用的為硼。對擴(kuò)散的要求是獲得適合于太陽能電池P-N結(jié)需要的結(jié)深和擴(kuò)散層方塊電阻。淺結(jié)死層小，電池短波效應(yīng)好，而淺結(jié)引起串聯(lián)電阻增加，只有提高柵電極的密度，才能有效提高電池的填充因子。這樣就增加了工藝難度。結(jié)深太深，死層比較明顯。如果擴(kuò)散濃度太大，則引起重?fù)诫s效應(yīng)，使電池的開路電壓和短路電流下降。在實際的電池制作中，考慮了多個方面的因素，因此太陽能電池的結(jié)深一般控制在0. 3 0. 5微米，方塊電阻平均為20 70歐姆。目前，硅太陽能電池所用的主要熱擴(kuò)散方法是液態(tài)源擴(kuò)散，這種工藝是通過氣體攜帶的方法將雜質(zhì)帶如擴(kuò)散爐內(nèi)實現(xiàn)的。3、去邊在擴(kuò)散過程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層，周邊擴(kuò)散層可以使電池的上下電極形成短路環(huán)，必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池并聯(lián)電阻下降，對電池的影響是致命的。去邊的主要方法有腐蝕法、擠壓法和離子干法刻蝕等。現(xiàn)在工業(yè)上最長使用的是等離子法，通入氮氣、氧氣和四氟化碳高壓下產(chǎn)生輝光，通過氧離子和氟離子交替對硅作用，去掉擴(kuò)散層周邊的導(dǎo)同層。因為擴(kuò)散中生成了 p、p2o5、sp2 和磷硅玻璃，現(xiàn)在用10%的HF溶液清洗2分鐘，達(dá)到出去雜質(zhì)玻璃的目的。4、制作減反射膜光照射到平面的硅片上，其中有一部分被反射，即使已經(jīng)絨面的硅表面，也約有11%的反射損失，在硅表面覆蓋一層減反射膜，可大大降低光的反射。 現(xiàn)在采用的噴涂法，它是利用高溫在硅表面生成二氧化鈦膜；還有一種噴涂的方法，是用 PECVD (等離子體化學(xué)氣相沉淀)系統(tǒng)，它是由電腦控制，在真空、高壓射頻源條件下，使的氨氣和硅烷氣體電離，在硅表面形成氮化硅膜。5、電極制作電極就是與P-N結(jié)兩端形成緊密歐姆接觸的導(dǎo)電材料。這樣的材料應(yīng)該滿足與硅可形成牢固的接觸而且接觸電阻小、導(dǎo)電性優(yōu)良、遮擋面積小、收集效率高等要求。目前商品化電池生產(chǎn)中大量被采用的工藝是銀漿或銀/鋁漿印刷，而且該工藝已經(jīng)走向成熟，柵線的寬高比已經(jīng)大大減小，這與電池電極設(shè)計的原則——讓電池的輸出最大，即電池的串聯(lián)電阻盡可能小且電池的光照作用面積盡可能大是完全一致的。6、電極制作完畢，就到了下一個工序-燒結(jié)。燒結(jié)是太陽能單片電池的最后一道制作工序，此步中良好的溫度曲線是關(guān)鍵，燒結(jié)時間要把握好，首先要低溫讓漿液中的混融劑等物質(zhì)排除，加熱或燒結(jié)到鋁-硅共熔點以上燒結(jié)合金。經(jīng)過合金化以后，隨著降溫，液相中的硅將重新凝固起來，形成含有一定量鋁的再結(jié)晶層，它實際上是一個對硅摻雜的過程，它補(bǔ)償了背面N+層中的施主雜質(zhì)，得到以鋁摻雜的P型層，隨著合金溫度的上升，液相中的鋁的比例增多，在足夠的鋁量合金溫度下，背面甚至能形成與前方相同的電場，成為背電場，目前該工藝已被用于大批量的工業(yè)生產(chǎn)中，從而提高了開路電壓和短路電流，并減小了電極接觸電阻。背結(jié)能否燒穿與基本材料的電阻率、背面擴(kuò)散層的摻雜濃度和厚度、背面厚度或印刷鋁層厚度、燒結(jié)的溫度以及時間和溫度等因素都有關(guān)系。溫度過高會把電池的兩極燒穿，嚴(yán)重?fù)p壞了電池，溫度不夠高不能保證電極的歐姆接觸良好性，所以必須要有一個合適的溫度去燒結(jié)。這樣單片的太陽能電池片就完成了，最后到測試，然后是焊接和封裝工藝。由于熱擴(kuò)散工藝中摻雜離子的濃度無法得到精確控制，導(dǎo)致太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率受到局限，無法高效地進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。而且采用熱擴(kuò)散工藝制備太陽能晶片，其工藝步驟較多，導(dǎo)致生產(chǎn)效率的降低和成本的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)太陽能電池轉(zhuǎn)換效率低、熱擴(kuò)散工藝中摻雜離子的濃度無法得到精確控制且工藝步驟復(fù)雜、成本較高的缺陷，提供一種太陽能晶片及其制備方法。本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的一種太陽能晶片的制備方法，其特點在于，其包括以下步驟S1、在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層；&、加速離子轟擊N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域，并濺射出該N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域的N型原子；所述離子可以為離子濺射工藝中的常用離子，例如利用輝光放電產(chǎn)生氣體正離子，但并不局限于此，只要是被加速至較高能量并在轟擊N型摻雜層的過程中將N型摻雜層中的N型原子濺射出的離子均可被使用；&、在該N型摻雜層上形成一涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜；、、在與N型摻雜層上未被離子轟擊的區(qū)域?qū)?yīng)的涂層上鍍壓金屬電極；S5、將該P(yáng)型基底的晶片在700-950°C的溫度下燒結(jié)，并在燒結(jié)的同時退火，
其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。優(yōu)選地，步驟S1中通過離子注入/退火或者擴(kuò)散生長的方式在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層，此時該N型摻雜層的方塊電阻為20-50 Ω /m2。優(yōu)選地，步驟&中所述離子被加速至500eV-50keV，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。優(yōu)選地，步驟&中離子的轟擊深度不小于N型摻雜層的深度。優(yōu)選地，步驟&中所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150 Ω /m2。優(yōu)選地，步驟&中通過PECVD的方式形成涂層，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx, SiNx 或 Al2O3 薄膜。優(yōu)選地，步驟、中通過印刷電路的方式鍍壓金屬電極。本發(fā)明還提供一種使用如上所述的制備方法制作的太陽能晶片，其特點在于，其包括一 P型基底；一位于該P(yáng)型基底上的N型摻雜層；一位于該N型摻雜層上的涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜；位于該涂層上的金屬電極，其中，該N型摻雜層包括被該金屬電極覆蓋的部分和未被該金屬電極覆蓋的部分，所述被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為未被離子轟擊的N型摻雜層，所述未被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為被離子轟擊的N型摻雜層，其中，該金屬電極與所述未被離子轟擊的N型摻雜層共晶復(fù)合，其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。優(yōu)選地，所述未被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為20-50 Ω/m2，所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150 Ω/m2。優(yōu)選地，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。優(yōu)選地，其中，該涂層的厚度為60-150nm，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx, SiNx或 Al2O3薄膜。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于1、使用離子注入法，可以使摻雜離子的濃度均勻，且能精確地控制摻雜離子的濃度使其為理想值，這樣就可以使太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率更靠近理論設(shè)計值，另外，通過將晶片在700--950°C燒結(jié)幾秒到幾分鐘，使金屬電極元素和晶片中的半導(dǎo)體共晶復(fù)合后，使電極和基底(如硅)達(dá)到良好的接觸，減少了該區(qū)域的電阻。由此，通過精確控制摻雜離子的濃度使得方塊電阻在理想的范圍內(nèi)，并由此提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。并且相對于現(xiàn)有的熱擴(kuò)散工藝而言，離子注入法提供了一種最經(jīng)濟(jì)的制造選擇性發(fā)射極太陽能電池的手段。2、被離子轟擊的N型摻雜層所形成的低摻雜區(qū)域(因為把重?fù)诫s的那一層，即通過離子注入/退火或者擴(kuò)散生長的方式形成的摻雜層，也就是本發(fā)明中首次形成的摻雜層轟擊濺射掉一部分，所以這個區(qū)域變成了低摻雜區(qū))可以降低少數(shù)載流子的體復(fù)合幾率， 并且可以進(jìn)行較好的表面鈍化，降低少數(shù)載流子的表面復(fù)合幾率，從而減小太陽能電池的反向飽和電流，提高太陽能電池的開路電壓Voc和短路電流Isc。另外，由于越靠近太陽電池的表面，光生載流子的產(chǎn)生率越高，而越靠近摻雜區(qū)域光生載流子的收集率越高，故低摻雜區(qū)域可以在獲得較高光生載流子產(chǎn)生率的同時獲得較高的光生載流子的收集率，從而提高太陽能電池的短路電流Isc。


圖1-5為本發(fā)明的制備太陽能晶片的分解步驟示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實施例，以P型基底1的太陽能晶片為例，詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明所述的太陽能晶片的制備方法，其包括以下步驟參考圖1，步驟S1，在P型基底1的晶片的表面形成N型摻雜層2，例如可以通過離子注入/退火或者擴(kuò)散生長的方式在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層2，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實際需要選擇合適的摻雜離子以及摻雜離子的濃度以得到理想的方塊電阻，例如 20-50 Ω/m2。參考圖2，步驟&，加速離子轟擊N型摻雜層2上未被掩模板3覆蓋的區(qū)域22 (例如按圖2中箭頭方向轟擊)，并濺射出該N型摻雜層2上未被掩模板3覆蓋的區(qū)域22的N 型原子，使未被掩模板3覆蓋的區(qū)域22的載流子濃度降低，電阻變大，其中，所述離子被加速至500eV-50keV，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，所述離子可以為離子濺射工藝中的常用離子，例如利用輝光放電產(chǎn)生氣體正離子，但并不局限于此，只要是被加速至較高能量并在轟擊N型摻雜層的過程中將N型摻雜層中的N型原子濺射出的離子均可被使用。較佳地，所述被離子轟擊的N型摻雜層的區(qū)域(即N型摻雜層2上未被掩模板3覆蓋的區(qū)域22)的方塊電阻為60-150 Ω/m2，未被離子轟擊的N型摻雜層的區(qū)域(即N型摻雜層2上被掩模板3覆蓋的區(qū)域21)的方塊電阻為 20-50 Ω /m2 ；較佳地，離子的轟擊深度不小于N型摻雜層的深度。參考圖3，步驟&，在該N型摻雜層2上形成一涂層4，該涂層包括鈍化層和增透膜， 涂層的作用是對硅表面的鈍化和形成抗反射膜，鈍化層可以采用Si0X、SiCX、SiNX、Al203等薄膜，增透膜用于減少太陽能電池表面的光線反射率，采用上述的涂層可以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。另外，可以采用PECVD(等離子體化學(xué)氣相沉淀)的方法形成涂層，該涂層的優(yōu)選厚度為60-150nm，當(dāng)然本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要選擇其他的公知手段。參考圖4，步驟、，在該涂層4上鍍壓金屬電極5，所述金屬電極5是被鍍壓在與N 型摻雜層上未被離子轟擊的區(qū)域?qū)?yīng)的涂層上的，即在圖4中的未被離子轟擊的N型摻雜層的區(qū)域21上方的涂層上鍍壓，可以采用印刷電路的方式鍍壓金屬電極，例如采用銀漿或者銀/鋁漿進(jìn)行金屬電極的制作，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要選擇其他的公知手段以及公知材料制作電極。參考圖5，步驟&，將該P(yáng)型基底的晶片在700-950°C的溫度下燒結(jié)幾秒到幾分鐘， 使金屬電極元素和晶片中的硅共晶復(fù)合后，使金屬電極和基底達(dá)到良好的接觸，達(dá)到減少該區(qū)域的電阻的目的；同時燒結(jié)的溫度可以使通過離子注入或擴(kuò)散生長的方式形成的摻雜層的雜質(zhì)活化，達(dá)到退火的目的。
只需要在上述過程中，調(diào)換基底材料和離子注入或擴(kuò)散生長的方式摻雜的雜質(zhì)材料，則該方法同樣適用于N型太陽能晶片的制作，即所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。在本發(fā)明所述的方法中，也可采用氫離子等不易與基底材料反應(yīng)的離子轟擊N型摻雜層，將摻雜層表面元素濺射出來，可以降低第一次摻雜后的載流子的濃度，使被離子轟擊的區(qū)域的電阻變大。在被離子轟擊的N型摻雜層區(qū)域形成低摻雜(因為把重?fù)诫s即首次形成的N型摻雜層的N型原子轟擊濺射掉一部分，所以被離子轟擊的N型摻雜層區(qū)域變成了低摻雜區(qū))可以降低少數(shù)載流子的體復(fù)合幾率，且可以進(jìn)行較好的表面鈍化，降低少數(shù)載流子的表面復(fù)合幾率，從而減小太陽能電池的反向飽和電流，提高太陽能電池的開路電壓Voc和短路電流Isc。另外，因越靠近太陽電池的表面，光生載流子的產(chǎn)生率越高，而越靠近摻雜區(qū)域光生載流子的收集率越高，故低摻雜區(qū)域可以在獲得較高光生載流子產(chǎn)生率的同時獲得較高的光生載流子的收集率，從而提高太陽能電池的短路電流Isc。高、低摻雜區(qū)域可以通過方塊電阻來表征。參考圖4和圖5，本發(fā)明還提供一種使用如上所述的制備方法制作的太陽能晶片， 其包括一 P 型基底 1 ；一位于該P(yáng)型基底1上的N型摻雜層2 ；一位于該N型摻雜層2上的涂層4，該涂層4包括鈍化層和增透膜；位于該涂層上的金屬電極5，其中，該N型摻雜層2包括被該金屬電極5覆蓋的部分和未被該金屬電極5覆蓋的部分，所述被該金屬電極5覆蓋的部分的N型摻雜層為未被離子轟擊的N型摻雜層，所述未被該金屬電極5覆蓋的部分的N型摻雜層為被離子轟擊的N型摻雜層，其中，該金屬電極5與所述未被離子轟擊的N型摻雜層共晶復(fù)合，其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。優(yōu)選地，所述未被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為20-50 Ω/m2，所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150 Ω/m2。優(yōu)選地，可以采用不易與基底材料發(fā)生反應(yīng)的離子對N型摻雜層進(jìn)行轟擊，例如氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，所述離子并不局限于此，可以為離子濺射工藝中的常用離子，例如利用輝光放電產(chǎn)生氣體正離子，只要是被加速至較高能量并在轟擊N型摻雜層的過程中將N型摻雜層中的N型原子濺射出的離子均可被使用，實施例中就不窮舉了。更具體地，該涂層的厚度為60_150nm，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx、SiNx或Al2O3 薄膜。涂層的作用是對硅表面的鈍化和形成抗反射膜。通過該方法制作用于太陽能電池的選擇性發(fā)射極，不但可以同時適用于P型和N 型的太陽能晶片，而且方法簡單，步驟較少，可以在提高太陽能電池的光伏效率，并且減少了工藝中間環(huán)節(jié)，提高生產(chǎn)線的生產(chǎn)效率。雖然以上描述了本發(fā)明的具體實施方式
，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些僅是舉例說明，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實質(zhì)的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種太陽能晶片的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟 S1、在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層；&、加速離子轟擊N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域，并濺射出該N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域的N型原子；&、在該N型摻雜層上形成一涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜； 、、在與N型摻雜層上未被離子轟擊的區(qū)域?qū)?yīng)的涂層上鍍壓金屬電極； &、將該P(yáng)型基底的晶片在700-950°C的溫度下燒結(jié)，并在燒結(jié)的同時退火， 其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S1中通過離子注入 /退火或者擴(kuò)散生長的方式在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層，此時該N型摻雜層的方塊電阻為20-50 Ω/m2。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟&中所述離子被加速至500eV-50keV，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟&中離子的轟擊深度不小于N型摻雜層的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟&中所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150 Ω/m2。
6.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟&中通過PECVD的方式形成涂層，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx, SiNx或Al2O3薄膜。
7.如權(quán)利要求1-6任意一項所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟、中通過印刷電路的方式鍍壓金屬電極。
8.一種使用如權(quán)利要求1所述的制備方法制作的太陽能晶片，其特征在于，其包括 一 P型基底；一位于該P(yáng)型基底上的N型摻雜層； 一位于該N型摻雜層上的涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜； 位于該涂層上的金屬電極，其中，該N型摻雜層包括被該金屬電極覆蓋的部分和未被該金屬電極覆蓋的部分，所述被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為未被離子轟擊的N型摻雜層，所述未被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為被離子轟擊的N型摻雜層，其中，該金屬電極與所述未被離子轟擊的N型摻雜層共晶復(fù)合， 其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能晶片，其特征在于，所述未被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為20-50 Ω /m2，所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150 Ω /m2。
10.如權(quán)利要求8所述的太陽能晶片，其特征在于，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。
11.如權(quán)利要求8-10任意一項所述的太陽能晶片，其特征在于，其中，該涂層的厚度為 60-150nm,該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx, SiNx或Al2O3薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種太陽能晶片及其制備方法，該方法包括以下步驟S1、在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層；S2、加速離子轟擊N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域，并濺射出該N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域的N型原子；S3、在該N型摻雜層上形成一涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜；S4、在與N型摻雜層上未被離子轟擊的區(qū)域?qū)?yīng)的涂層上鍍壓金屬電極；S5、將該P(yáng)型基底的晶片在700-950℃的溫度下燒結(jié)，并在燒結(jié)的同時退火。本發(fā)明使用離子注入法和離子濺射法，可以使摻雜離子的濃度均勻，且能精確地控制摻雜離子的濃度使其為理想值，并且形成表面低摻雜進(jìn)一步提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
文檔編號H01L31/18GK102412335SQ20101028963
公開日2012年4月11日 申請日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者陳炯 申請人:上海凱世通半導(dǎo)體有限公司