技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于PIN?PMN?PT三元系壓電單晶的一維超聲相控陣探頭及其制備方法,該相控探頭包括從下至上依次層疊的下電極、1?3復(fù)合的鈮銦酸鉛?鈮鎂酸鉛?鈦酸鉛壓電單晶陣列、上電極陣列和柔性電路板；上電極陣列的陣元與其壓電單晶陣列的陣元一一對(duì)應(yīng)，柔性電路板上的印刷電路通道與上電極陣列的陣元對(duì)應(yīng)；其制備方法包括采用光刻、刻蝕法進(jìn)行切槽以形成1?3復(fù)合的鈮銦酸鉛?鈮鎂酸鉛?鈦酸鉛壓電單晶陣列，并通過濺射工藝在鈮銦酸鉛?鈮鎂酸鉛?鈦酸鉛壓電單晶陣列下底面的壓電片上形成下電極，在該壓電單晶陣列的上表面形成上電極，并采用柔性電路板為電極提供連接外部電路的引線；本發(fā)明提供的一維超聲相控陣探頭可承受更高的工作溫度和電場(chǎng)。

技術(shù)研發(fā)人員：朱本鵬;吳鵬飛;朱宇航;楊曉非;陳實(shí);歐陽君;張悅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710161580
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.06.27