1.一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，包括殼體(1)，所述殼體(1)限定出一反應腔(2)；進氣口(11)和出氣口(12)，分別設置在所述殼體(1)的兩端，并與所述反應腔(2)連通；多個呈陣列設置的等離子體發(fā)生單元(3)，相鄰陣列的等離子體發(fā)生單元(3)交叉設置；和控制單元，所述控制單元與所述等離子體發(fā)生單元(3)連接，其中，
所述等離子體發(fā)生單元(3)包括相對且間隔設置的正電極部(31)和負電極部(32)，所述正電極部(31)包括位于所述反應腔(2)內的第一放電體(312c)，所述負電極部(32)包括位于所述反應腔(2)內的第二放電體(322c)，所述第一放電體(312c)和第二放電體(322c)交錯設置，
所述控制單元用于控制所述第一放電體(312c)和第二放電體(322c)相對于所述殼體(1)的旋轉。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述進氣口(11)和出氣口(12)限定出氣體的流動方向，在所述殼體(1)位于所述氣體的流動方向兩側的側面上各開設n個通孔(51,52)，所述n個通孔(51,52)用于固定所述正電極部(31)和負電極部(32)。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述正電極部(31)包括第一絕緣套筒(311)和正電極(312)，所述第一絕緣套筒(311)套于第一通孔(51)內，所述正電極(312)穿過所述第一絕緣套筒(311)并將所述第一放電體(312c)伸入所述反應腔(2)內；
所述負電極部(32)包括第二絕緣套筒(321)和負電極(322)，所述第二絕緣套筒(321)套于第二通孔(52)內，所述負電極(322)穿過所述第二絕緣套筒(321)并將所述第二放電體(322c)伸入所述反應腔(2)內；
所述第一通孔(51)和第二通孔(52)相對的設置在所述殼體(1)的兩個側面上。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述正電極(312)包括正電極棒(312a)和設置在所述正電極棒(312a)端部的正放電頭(312b)，所述正放電頭(312b)呈L形，所述L形正放電頭(312b)的長邊與所述正電極棒(312a)連接，其短邊向所述反應腔(2)的中軸線方向垂直延伸，所述第一放電體(312c)設置在所述L形正放電頭(312b)的短邊端部。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述負電極(322)包括負電極棒(322a)和設置在所述負電極棒(322a)端部的負放電頭(322b)，所述負放電頭(322b)呈L形，所述L形負放電頭(322b)的長邊與所述負電極棒(322a)連接，其短邊向所述反應腔(2)的中軸線方向垂直延伸，所述第二放電體(322c)設置在所述L形負放電頭(322b)的短邊端部，且所述第一放電體(312c)與第二放電體(322c)的連線與所述反應腔(2)的中軸線呈一定角度。
6.根據(jù)權利要求5所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述控制單元包括第一變頻電機和第二變頻電機，所述第一變頻電機的輸出軸與所述正電極棒(312a)連接，所述第二變頻電機的輸出軸與所述負電極棒(322a)連接，通過改變所述第一變頻電機和第二變頻電機的轉動頻率來調節(jié)所述第一放電體(312c)和第二放電體(322c)相對于所述殼體(1)的轉速。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述第一變頻電機和第二變頻電機的轉動頻率相同。
8.根據(jù)權利要求6所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述第一放電體(312c)和第二放電體(322c)的轉動方向一致。
9.根據(jù)權利要求3所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述第一絕緣套筒(311)和第二絕緣套筒(321)的材質為SiO2或陶瓷。
10.根據(jù)權利要求3所述的一種等離子體氣體處理裝置，其特征在于，所述第一絕緣套筒(311)與所述第一通孔(51)過盈配合，所述第二絕緣套筒(321)與所述第二通孔(52)過盈配合。