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一種消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):12570740閱讀:395來源:國知局

本實(shí)用新型屬于化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種消光二氧化硅生產(chǎn)系統(tǒng)。



背景技術(shù):

氣相二氧化硅通過鹵硅烷在氫氧焰中高溫水解縮聚而生成二氧化硅粒子,然后驟冷,顆粒經(jīng)過凝聚、固氣分離、脫酸等后處理工藝而獲得產(chǎn)品。由于鹵硅烷在水解之后的縮聚是不完全的,因此還殘留有許多硅羥基(Si-OH)在二氧化硅表面以及聚集體內(nèi)部,此外在氣相二氧化硅表面還有硅氧基,這就使得氣相二氧化硅表面呈現(xiàn)較強(qiáng)的極性。氣相二氧化硅表面的硅羥基可以分為孤立羥基、鄰位羥基(相鄰羥基)和雙重羥基,一般以孤立和相鄰羥基為主。

二氧化硅表面硅羥基的多寡直接決定著二氧化硅的應(yīng)用性能,親水型和疏水性二氧化硅的性能差異就是因?yàn)楸舜吮砻媪u基數(shù)量的不同,一般來說,親水型氣相二氧化硅的硅羥基數(shù)量在2~3 個(gè)/nm2 之間,而疏水性的二氧化硅的硅羥基數(shù)量在1 個(gè)/nm2 以下。

親水型二氧化硅表面呈親水疏油性,在有機(jī)介質(zhì)中難以浸潤和分散,直接填充到材料中,很難發(fā)揮其作用,這就限制了二氧化硅的應(yīng)用范圍。因此常常需要對(duì)其進(jìn)行表面改性,以拓寬氣相二氧化硅的應(yīng)用領(lǐng)域。表面改性就是使二氧化硅粒子表面的活性羥基與有機(jī)化合物發(fā)生縮合反應(yīng)而在二氧化硅表面覆蓋一層有機(jī)分子,使二氧化硅表面由親水性變?yōu)槭杷?,同時(shí)增大二氧化硅粒子之間的空間位阻,從而能較好地分散到有機(jī)介質(zhì)中,從而改善二氧化硅與有機(jī)物分子之間的浸潤性、分散性、界面結(jié)合強(qiáng)度,提高材料的綜合性能和產(chǎn)品的附加值。

消光涂料用二氧化硅(FM)以企業(yè)自制的高純度氣相二氧化硅為出發(fā)原料與氨水之間不涉及化學(xué)反應(yīng),氣相二氧化硅經(jīng)該工藝處理后粒徑由90nm 增長至1~2μm,成為消光二氧化硅成品。

二氧化硅消光劑應(yīng)該具備以下特點(diǎn):易于分散;消光性能好,低加入量就可以產(chǎn)生強(qiáng)消光性能;對(duì)涂膜的透明性干擾小;對(duì)涂膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能影響??;在液體涂料中懸浮性好,能長時(shí)間貯存,不會(huì)產(chǎn)生硬沉淀;對(duì)涂料流變性影響?。换瘜W(xué)惰性高。

二氧化硅消光劑經(jīng)過粉碎,粉體平均粒徑降低到10Lm左右。壓實(shí)排氣能使0.04—0.05 kg/L的粉體表觀密度由蓬松變?yōu)榫o實(shí)。亞光涂料產(chǎn)生最佳消光效果的關(guān)鍵在二氧化硅消光劑的粒度分布。當(dāng)二氧化硅消光劑的粒徑與亞光涂料的干膜厚度能夠完全配合,消光效果才能達(dá)到最佳。概而言之,二氧化硅消光劑的粒度分布取決于粉碎加工技術(shù),粉碎加工技術(shù)的好壞決定著二氧化硅消光劑的生產(chǎn)效率。所以需要對(duì)消光二氧化硅進(jìn)行充分的粉碎處理,但目前的設(shè)備不能夠很好的實(shí)現(xiàn)消光二氧化硅的粉碎處理。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題,提出了一種消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng),本生產(chǎn)系統(tǒng)能高效的生產(chǎn)消光二氧化硅產(chǎn)品,通過分選及粉碎處理得到高質(zhì)量的消光二氧化硅。

本實(shí)用新型的目的可通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn): 一種消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng),該系統(tǒng)包括:反應(yīng)釜,用于氣相二氧化硅與氨水反應(yīng);與反應(yīng)釜出料端連通的第一儲(chǔ)罐,用于儲(chǔ)存反應(yīng)釜出來的消光二氧化硅半成品;與第一儲(chǔ)罐出料端連通的第一分選機(jī),用于對(duì)半成品的消光二氧化硅進(jìn)行分選;分別與第一分選機(jī)粗、細(xì)出料端口連通的第一粗料粉碎機(jī)及細(xì)料粉碎機(jī),用于對(duì)第一分選機(jī)分選出的半成品消光二氧化硅進(jìn)行粉碎;與粉碎機(jī)出料端連通的固氣分離裝置,用于對(duì)消光二氧化硅粉進(jìn)行除塵處理。

在上述的消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)中,其中第一粗料粉碎機(jī)及細(xì)料粉碎機(jī)的粉碎機(jī)出料端連通第二儲(chǔ)罐,第二儲(chǔ)罐出料端連通第二分選機(jī),第二分選機(jī)細(xì)出料端口連通固氣分離裝置,第二分選機(jī)粗出料端口與第二粗料粉碎機(jī)連通,第二粗料粉碎機(jī)出料端與第二儲(chǔ)罐進(jìn)料端連通。

在上述的消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)中,其中固氣分離裝置出料端連通真空包裝機(jī)。

在上述的消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)中,其中第一粗料粉碎機(jī)為圓盤式氣流粉碎機(jī),細(xì)料粉碎機(jī)為流化床式氣流粉碎機(jī)。

在上述的消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)中,其中第二粗料粉碎機(jī)為振動(dòng)磨粉碎機(jī)。

在上述的消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)中,其中固氣分離裝置為布袋除塵塔。

本消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng)具有以下優(yōu)點(diǎn):

本生產(chǎn)系統(tǒng)能高效的生產(chǎn)消光二氧化硅產(chǎn)品,通過分選及粉碎處理得到高質(zhì)量的消光二氧化硅。

附圖說明

圖1是實(shí)用新型的主體組成原理示意圖。

圖中:反應(yīng)釜1、第一儲(chǔ)罐2、第一分選機(jī)3、第一粗料粉碎機(jī)4、細(xì)料粉碎機(jī)5、第二儲(chǔ)罐6、第二分選機(jī)7、第二粗料粉碎機(jī)8、固氣分離裝置9、真空包裝機(jī)10。

具體實(shí)施方式

以下是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例,并結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述,但本實(shí)用新型并不限于這些實(shí)施例。

實(shí)施例

如圖1所示,一種消光二氧化硅的生產(chǎn)系統(tǒng),該系統(tǒng)包括該系統(tǒng)包括通過輸運(yùn)管路聯(lián)通的如下設(shè)備:用于氣相二氧化硅與氨水反應(yīng)的反應(yīng)釜1;與反應(yīng)釜出料端連通的第一儲(chǔ)罐2,用于儲(chǔ)存反應(yīng)釜出來的消光二氧化硅半成品;與第一儲(chǔ)罐出料端連通的第一分選機(jī)3,用于對(duì)半成品的消光二氧化硅進(jìn)行分選;分別與第一分選機(jī)粗、細(xì)出料端口連通的第一粗料粉碎機(jī)4及細(xì)料粉碎機(jī)5,用于對(duì)第一分選機(jī)分選出的半成品消光二氧化硅進(jìn)行粉碎;第一粗料粉碎機(jī)及細(xì)料粉碎機(jī)的出料端連通第二儲(chǔ)罐6,第二儲(chǔ)罐出料端連通第二分選機(jī)7,第二分選機(jī)細(xì)出料端口連通固氣分離裝置,第二分選機(jī)粗出料端口與第二粗料粉碎機(jī)8連通,第二粗料粉碎機(jī)出料端與第二儲(chǔ)罐進(jìn)料端連通;第二儲(chǔ)罐出料端連通第二分選機(jī),第二分選機(jī)細(xì)出料端口連通固氣分離裝置9,第二分選機(jī)粗出料端口與第二粗料粉碎機(jī)連通,第二粗料粉碎機(jī)出料端與第二儲(chǔ)罐進(jìn)料端連通。其中固氣分離裝置出料端連通真空包裝機(jī)10。其中第一粗料粉碎機(jī)為圓盤式氣流粉碎機(jī),細(xì)料粉碎機(jī)為流化床式氣流粉碎機(jī)。其中第二粗料粉碎機(jī)為振動(dòng)磨粉碎機(jī)。其中固氣分離裝置為布袋除塵塔。

工作時(shí),先用N2 將反應(yīng)釜中的空氣置換出來,再將氣相二氧化硅產(chǎn)品經(jīng)物料泵輸送至反應(yīng)釜,同時(shí)將25%的氨水(約為二氧化硅投入量的5%)通入反應(yīng)釜,采用電加熱器進(jìn)行加熱,溫度維持在180℃左右,待反應(yīng)釜中氨水基本蒸發(fā)干燥后,即得到消光二氧化硅半成品。將半成品泵入第一儲(chǔ)罐儲(chǔ)罐,經(jīng)第一分選機(jī)分選后進(jìn)入第一粗料粉碎機(jī)及細(xì)料粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎,粉碎后的物料進(jìn)入第二儲(chǔ)罐,經(jīng)第二分選機(jī)分選后,粒徑無法達(dá)到要求的消光二氧化硅再次進(jìn)入第二粗料粉碎機(jī)粉碎后回到第二儲(chǔ)罐;粒徑符合要求的消光二氧化硅經(jīng)布袋除塵器固氣分離后進(jìn)入成品儲(chǔ)罐,經(jīng)真空包裝機(jī)包裝后即可入庫。消光二氧化硅為批次生產(chǎn),每生產(chǎn)完一批次后需對(duì)反應(yīng)釜進(jìn)行吹掃、清潔。

本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代,但并不會(huì)偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。

盡管本文較多地使用了一些術(shù)語,但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實(shí)用新型的本質(zhì);把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實(shí)用新型精神相違背的。

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