本發(fā)明涉及包含氨泄漏催化劑(ASC)的制品和制造和使用這種制品來減少氨泄漏的方法。發(fā)明背景柴油機、固定燃氣渦輪機和其他系統(tǒng)中的烴燃燒產(chǎn)生了廢氣，其必須經(jīng)處理來除去氮氧化物(NOx)，氮氧化物包括NO(一氧化氮)和NO2(二氧化氮)，并且NO是形成的NOx的主要部分。已知NOx引起了人們的許多健康問題以及引起了許多有害的環(huán)境效應(yīng)，包括形成煙霧和酸雨。為了減輕廢氣中的NOx導(dǎo)致的人和環(huán)境影響，需要消除這些不期望的組分，優(yōu)選通過不產(chǎn)生其他有害或有毒物質(zhì)的方法。在貧燃和柴油發(fā)動機中產(chǎn)生的廢氣通常是氧化性的。NOx需要在被稱作選擇性催化還原(SCR)的方法中用催化劑和還原劑來選擇性還原，其將NOx轉(zhuǎn)化成單質(zhì)氮(N2)和水。在SCR方法中，在廢氣接觸催化劑之前，將氣態(tài)還原劑，典型地是無水氨、氨水或尿素添加到廢氣流中。將還原劑吸收到催化劑上，并且在氣體經(jīng)過催化基底之中或之上時，NOx被還原。為了使NOx的轉(zhuǎn)化率最大化，經(jīng)常必須向氣流中添加多于化學(xué)計量量的氨。但是，過量的氨釋放到大氣中將危害人的健康和環(huán)境。另外，氨是苛性的，特別是在它的水溶液形式時。在廢氣催化劑下游的排氣管線區(qū)域中，氨和水的縮合會產(chǎn)生能損壞排氣系統(tǒng)的腐蝕性混合物。所以，應(yīng)當(dāng)消除廢氣中氨的釋放。在許多常規(guī)的排氣系統(tǒng)中，氨氧化催化劑(也稱作氨泄漏催化劑或”ASC”)安裝在SCR催化劑下游，來通過將氨轉(zhuǎn)化成氮而從廢氣中除去氨。使用氨泄漏催化劑可以使得在典型的柴油機驅(qū)動周期中NOx轉(zhuǎn)化率大于90％。需要具有提供用于通過SCR除去NOx和將氨選擇性轉(zhuǎn)化成氮二者的催化劑制品，其中氨轉(zhuǎn)化在車輛驅(qū)動周期的寬溫度范圍發(fā)生，并且形成了最少的氮氧化物副產(chǎn)物。技術(shù)實現(xiàn)要素：在一方面中，本發(fā)明涉及一種催化劑制品，其用于處理含有一種或多種氮氧化物的氣體和用于減少氨泄漏量。一種催化劑制品包含：(a)高孔隙率基底，在該高孔隙率基底的壁中包含鉑、鈀或其混合物，和(b)在該高孔隙率基底壁上的SCR催化劑涂層，其中鉑、鈀或其混合物作為金屬，或者作為負載的鉑、鈀或其混合物存在于該高孔隙率載體的壁中。在另一方面中，本發(fā)明涉及生產(chǎn)催化劑制品的方法，該制品可用于選擇性催化還原氮氧化物和用于使用該方法減少氨泄漏量。在又一方面中，本發(fā)明涉及一種在還原劑存在下選擇性還原包含氮氧化物的氣態(tài)混合物中的氮氧化物的方法，以及使用本文所述的催化劑制品來減少氨泄漏。附圖說明圖1的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速60,000h-1時氨到氮的轉(zhuǎn)化百分比。圖2的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速60,000h-1時的N2選擇性。圖3的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速120,000h-1時氨到氮的轉(zhuǎn)化百分比。圖4的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速120,000h-1時的N2選擇性。圖5的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速60,000h-1時，在測試系統(tǒng)出口處的N2O濃度(ppm)。圖6的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速120,000h-1時，在測試系統(tǒng)出口處的N2O濃度(ppm)。圖7的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速60,000h-1時，在測試系統(tǒng)出口處的NOx濃度(ppm)。圖8的圖顯示了使用實施例1-5的制品，在空速120,000h-1時，在測試系統(tǒng)出口處的NOx濃度(ppm)。具體實施方式作為本說明書和所附權(quán)利要求書中所用的，單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該”包括復(fù)數(shù)指代對象，除非上下文另有明確指示。因此，例如提及“一種催化劑”時包括兩種或更多種催化劑的混合物等。作為本文使用的，術(shù)語“氨泄漏”表示經(jīng)過SCR催化劑的未反應(yīng)的氨的量。作為本文使用的，術(shù)語“煅燒”表示將材料在空氣或氧氣中加熱。這個定義與IUPAC煅燒定義一致。(IUPAC.CompendiumofChemicalTerminology，第2版(“GoldBook”)。由A.D.McNaught和A.Wilkinson編纂。BlackwellScientificPublications，牛津(1997)。XML在線修正版：http://goldbook.iupac.org(2006-)，由M.Nic，J.Jirat，B.Kosata創(chuàng)建；由A.Jenkins編纂更新。ISBN0-9678550-9-8.doi:10.1351/goldbook)。進行煅燒來分解金屬鹽，和促進催化劑內(nèi)的金屬離子的交換，以及促進催化劑粘附到基底。煅燒所用溫度取決于待煅燒材料的組分，通常是在約400℃-約900℃進行約1-8小時。在一些情況中，煅燒可以在至多約1200℃的溫度進行。在包括本文所述方法的應(yīng)用中，煅燒通常在約400℃-約700℃的溫度進行約1-8小時，優(yōu)選在約400℃-約650℃的溫度進行約1-4小時。作為本文使用的，術(shù)語“約”表示大概，并且指的是與該術(shù)語相關(guān)的值的任選±25％，優(yōu)選±10％，更優(yōu)選±5％，或最優(yōu)選±1％的范圍。當(dāng)提供不同數(shù)值的范圍時，該范圍可以包括該值，除非另有規(guī)定。作為本文使用的，術(shù)語“N2選擇性”表示氨到氮的轉(zhuǎn)化百分比。在一方面中，一種催化劑制品包含：(a)高孔隙率基底，在該高孔隙率基底的壁中包含鉑、鈀或其混合物，和(b)在該高孔隙率基底的壁上的SCR催化劑涂層，其中鉑、鈀或其混合物作為金屬，或者作為負載的鉑、鈀或其混合物存在于該高孔隙率載體的壁中。鉑、鈀或其混合物，或者負載的鉑、鈀或其混合物也可以作為涂層存在于該高孔隙率載體的壁上。高孔隙率基底用于催化劑的基底可以是任何通常用于制備汽車催化劑的材料，該催化劑包含陶瓷蜂窩結(jié)構(gòu)或擠出的載體。術(shù)語“高孔隙率基底”指的是孔隙率是約40-約80％的基底。高孔隙率基底的孔隙率可以優(yōu)選是至少約45％，更優(yōu)選至少約50％。高孔隙率基底的孔隙率可以優(yōu)選小于約75％，更優(yōu)選小于約70％。作為本文使用的，孔隙率指的是總孔隙率，優(yōu)選用汞孔隙率法測量?？梢允褂萌魏魏线m的基底，例如整料流通式基底。優(yōu)選基底具有多個細的平行氣體流道，其從基底的入口延伸到出口面，以使得通道開口以流體流動。這種整料載體可以包含至多約700或更多個流道(或“腔室”)/平方英寸橫截面，不過可以使用更少的。例如，載體可以具有約7-600個，更通常約100-400個腔室/平方英寸(“cpsi”)。從通道的流體入口到它們的流體出口基本上是直線路徑的通道通過壁來限定，SCR催化劑作為“載體涂層(washcoat)”涂覆于該壁上，以使得流過通道的氣體與催化材料接觸。整料基底的流道是薄壁通道，其可以是任何合適的橫截面形狀，例如梯形、矩形、正方形、三角形、正弦曲線形、六邊形、橢圓形、圓形等。本發(fā)明不限于具體基底類型、材料或幾何形狀。陶瓷基底可以由任何合適的難熔材料制成，例如堇青石、堇青石-α氧化鋁、α氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氧化鋯、莫來石、鋰輝石、氧化鋁-二氧化硅氧化鎂、硅酸鋯、硅線石、硅酸鎂、鋯石、透鋰長石、鋁硅酸鹽及其混合物。壁流式基底也可以由陶瓷纖維復(fù)合材料形成，例如由堇青石和碳化硅形成的那些。這種材料能夠經(jīng)受在處理廢氣流時遇到的環(huán)境，特別是高溫。高孔隙率基底包含在該高孔隙率基底壁中的鉑、鈀或其混合物，其中鉑、鈀或其混合物作為金屬，或者作為負載的鉑、鈀或其混合物存在于該高孔隙率載體的壁中。鉑、鈀或其混合物，或者負載的鉑、鈀或其混合物也可以作為涂層存在于高孔隙率載體的壁上。制品可以包含約0.1重量％-約1重量％的鉑，或約0.1重量％-約2重量％的鈀。鉑在制品中的量可以是約0.1重量％，約0.2重量％，約0.3重量％，或約0.4重量％。鉑在制品中的量可以是最大約1重量％，約0.9重量％，約0.8重量％，約0.7重量％，約0.6重量％或約0.5重量％。鈀在制品中的量可以是約0.1重量％，約0.2重量％，約0.3重量％，約0.4重量％，約0.5重量％，約0.6重量％，約0.7重量％，約0.8重量％，約0.9重量％，或約1.0重量％。鈀在制品中的量可以是最大約2重量％，約1.8重量％，約1.6重量％，約1.4重量％，約1.2重量％，約1.0重量％，或約0.8重量％。當(dāng)使用鉑和鈀二者時，每種金屬的量可以從僅使用這些金屬之一時的用量減少。這些金屬每種可以使用的量將取決于許多因素，包括氨泄漏量和催化劑操作溫度。SCR催化劑SCR催化劑可以賤金屬的氧化物、分子篩、金屬交換的分子篩或其混合物。賤金屬可以選自釩(V)、鉬(Mo)和鎢(W)、鉻(Cr)、鈰(Ce)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)和銅(Cu)及其混合物。由負載在難熔金屬氧化物例如氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、二氧化鈦、氧化鈰及其組合上的釩組成的SCR組合物是公知的，并且在商業(yè)上廣泛用于移動應(yīng)用。典型的組合物描述在美國專利4,010,238和4,085,193中，其全部內(nèi)容在此通過參考引入。商業(yè)上，特別是移動應(yīng)用中所用的組合物包含TiO2，在其上已經(jīng)分別以5-20重量％和0.5-6重量％的濃度分散有WO3和V2O5。這些催化劑可以包含其他無機材料例如SiO2和ZrO2，其充當(dāng)粘合劑和促進劑。當(dāng)SCR催化劑是賤金屬時，催化劑制品可以進一步包含至少一種賤金屬促進劑。作為本文使用的，“促進劑”被理解為表示當(dāng)添加到催化劑時增加催化劑活性的物質(zhì)。賤金屬促進劑可以是金屬、金屬氧化物或其混合物的形式。至少一種賤金屬催化劑促進劑可以選自釹(Nd)、鋇(Ba)、鈰(Ce)、鑭(La)、鐠(Pr)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、錳(Mn)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鉭(Ta)、鍶(Sr)及其氧化物。至少一種賤金屬催化劑促進劑可以優(yōu)選是MnO2、Mn2O3、Fe2O3、SnO2、CuO、CoO、CeO2及其混合物。至少一種賤金屬催化劑促進劑可以以在水溶液中的鹽例如硝酸鹽或醋酸鹽的形式添加到催化劑中。至少一種賤金屬催化劑促進劑和至少一種賤金屬催化劑例如銅可以從水溶液浸漬到氧化物載體材料上，可以添加到包含氧化物載體材料的載體涂層中，或者可以浸漬到事先用載體涂層涂覆的載體中。SCR催化劑可以包含分子篩或金屬交換的分子篩。作為本文使用的，“分子篩”被理解為表示含有精確和均勻尺寸的微孔的亞穩(wěn)材料，其可以用作氣體或液體的吸附劑。足夠小以穿過孔的分子被吸附，同時不吸附較大分子。分子篩可以是沸石分子篩、非沸石分子篩或其混合物。沸石分子篩是微多孔鋁硅酸鹽，其具有在國際沸石協(xié)會(IZA)出版的沸石結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫中所列骨架結(jié)構(gòu)中的任何一種。骨架結(jié)構(gòu)包括但不限于CHA、FAU、BEA、MFI、MOR類型的那些。具有這些結(jié)構(gòu)的沸石的非限定性例子包括菱沸石、八面沸石、沸石Y、超穩(wěn)定沸石Y、β沸石、絲光沸石、硅質(zhì)巖、沸石X和ZSM-5。鋁硅酸鹽沸石的二氧化硅/氧化鋁摩爾比(SAR，定義為SiO2/Al2O3)可以是至少約5，優(yōu)選至少約20，并且有用的范圍是約10-200。作為本文使用的，術(shù)語“非沸石分子篩”指的是共角四面體骨架，其中四面體位置的至少一部分被非硅或鋁的元素占據(jù)。非沸石分子篩的具體的非限定性例子包括硅鋁磷酸鹽，例如SAPO-34、SAPO-37和SAPO-44。SCR催化劑可以包括小孔、中孔或大孔分子篩，或者其組合。SCR催化劑可以包括選自以下的小孔分子篩：鋁硅酸鹽分子篩、金屬取代的鋁硅酸鹽分子篩、鋁磷酸鹽(AlPO)分子篩、金屬取代的鋁磷酸鹽(MeAlPO)分子篩、硅鋁磷酸鹽(SAPO)分子篩和金屬取代的硅鋁磷酸鹽(MeAPSO)分子篩及其混合物。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的小孔分子篩：ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生物。優(yōu)選小孔分子篩選自以下的骨架類型：CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、SFW、KFI、DDR和ITE。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的中孔分子篩：AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、OBW、-PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、-SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、WEI和WEN及其混合物和/或共生物。優(yōu)選中孔分子篩選自MFI、FER和STT的骨架類型。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的大孔分子篩：AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、-RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY和VET及其混合物和/或共生物。優(yōu)選大孔分子篩選自MOR、OFF和BEA的骨架類型。金屬交換的分子篩可以具有選自以下的至少一種金屬：周期表的第VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB或IIB族之一，其沉積在外表面上的骨架外位置上，或者在分子篩的通道、腔室或籠內(nèi)。金屬可以是幾種形式之一，該形式包括但不限于零價金屬原子或簇、分離的陽離子、單核或多核氧陽離子(oxycation)、或作為延長的金屬氧化物。優(yōu)選金屬可以是鐵、銅及其混合物或組合物。金屬可以使用金屬前體在適宜溶劑中的混合物或溶液來與沸石合并。術(shù)語“金屬前體”表示可以分散在沸石上來產(chǎn)生催化活性金屬組分的任何化合物或絡(luò)合物。優(yōu)選溶劑是水，這是由于使用其他溶劑的經(jīng)濟性和環(huán)境方面二者。當(dāng)使用銅，一種優(yōu)選的金屬時，合適的絡(luò)合物或化合物包括但不限于無水和水合硫酸銅、硝酸銅、醋酸銅、乙酰丙酮化銅、氧化銅、氫氧化銅和銅胺的鹽(例如[Cu(NH3)4]2+)。本發(fā)明不限于具體類型、組成或純度的金屬前體。分子篩可以添加到金屬組分的溶液中來形成懸浮液，然后使其反應(yīng)以使得金屬組分分布到沸石上。金屬可以分布在孔通道中以及分子篩的外表面上。金屬可以以離子形式或作為金屬氧化物來分布。例如，銅可以作為銅(II)離子、銅(I)離子或者作為銅氧化物來分布。含有金屬的分子篩可以與懸浮液的液相分離，清洗和干燥。形成的含金屬的分子篩然后可以煅燒來將金屬固定在分子篩中。金屬交換的分子篩可以包含約0.10％-約10％重量的第VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB或IIB族金屬，其位于外表面上的骨架外位置上或在分子篩的通道、腔室或籠中。優(yōu)選骨架外金屬的存在量可以是約0.2％-約5％重量。金屬交換的分子篩可以是銅(Cu)負載的小孔分子篩，其具有基于催化劑的總重量計約0.1-約20.0重量％的銅。優(yōu)選銅以催化劑總重量的約1重量％-約6重量％，更優(yōu)選催化劑總重量的約1.8重量％-約4.2重量％存在。金屬交換的分子篩可以是鐵(Fe)負載的小孔分子篩，其具有基于催化劑的總重量計約0.1-約20.0重量％的鐵。優(yōu)選鐵以催化劑總重量的約1重量％-約6重量％，更優(yōu)選催化劑總重量的約1.8重量％-約4.2重量％存在。當(dāng)使用SuperFlowSF-1020在200cfm或更大的流量測試時，與未處理的高孔隙率基底的背壓相比，催化劑制品的背壓增加小于或等于未處理的高孔隙率基底背壓的100％。背壓的增加可以是至少約75％，至少約80％，至少約85％，至少約90％或至少約95％。當(dāng)制品在90psi的壓力經(jīng)歷來自于AirTX固定流量噴嘴的空氣流時，催化劑制品在高孔隙率載體的壁上的SCR催化劑涂層損失小于2％，其中將制品置于距離噴嘴的面12.7mm處，并且噴嘴以6.7mm/s的速度跨過制品?？梢钥邕^催化劑制品進行3.1mm間距的一系列送過。在高孔隙率載體的壁上SCR催化劑涂層的損失可以是約1％，約0.5％，約0.4％，約0.3％，約0.2％，約0.1％，約0.05％或約0.01％。與包含孔隙率小于高孔隙率基底的基底的相當(dāng)?shù)闹破废啾?，高孔隙率催化劑制品的N2選擇性會增加。相當(dāng)?shù)闹破返目紫堵士梢孕∮诩s40％，優(yōu)選小于或等于35％。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，增加量可以取決于所用的SCR催化劑和測試條件。在另一方面中，制備催化劑制品的方法包括：(a)將鉑、鈀、負載的鉑、負載的鈀或其混合物施用到高孔隙率基底上，和(b)將載體涂層中的SCR催化劑施用到含有鉑、鈀、負載的鉑、負載的鈀或其混合物的高孔隙率基底。鉑、鈀或其混合物可以通過用鉑、鈀或其混合物的鹽的溶液，優(yōu)選水溶液浸漬高孔隙率基底，來施用到該高孔隙率載體。鉑、鈀或其混合物可以在懸浮液中施用到高孔隙率基底上。鉑、鈀或其混合物也可以作為負載的鉑、負載的鈀或其混合物施用到高孔隙率載體上。鉑或鈀可以作為鉑或鈀前體來施用。術(shù)語“鉑前體”表示通過煅燒或加熱來分解或以其他方式轉(zhuǎn)化成催化活性形式的任何化合物或絡(luò)合物。合適的鉑絡(luò)合物或化合物包括但不限于鉑氯化物(例如[PtCl4]2-、[PtCl6]2-的鹽)、鉑氫氧化物(例如[Pt(OH)6]2-的鹽)、鉑胺(例如[Pt(NH3)4]2+、[Pt(NH3)4]4+的鹽)、鉑水合物(例如[Pt(OH2)4]2+的鹽)、鉑雙(乙酰丙酮物)，和混合的化合物或絡(luò)合物(例如[Pt(NH3)2(Cl)2])。術(shù)語“鈀前體”如上面用于術(shù)語“鉑前體”所述的相同方式來使用。本發(fā)明不限于具體類型、組成或純度的鉑或鈀前體。術(shù)語“負載的鉑”和“負載的鈀”表示包含在載體上的鉑、鈀或其前體的組合物。不同類型的載體是本領(lǐng)域已知的，例如氧化鋁、二氧化鈦、二氧化硅、氧化鋯、氧化鈰、分子篩及其混合物。鉑或鈀前體的混合物或溶液可以通過浸漬或通過將鉑或鈀前體與載體共沉淀來添加到該載體中。負載的鉑、負載的鈀或其混合物可以在載體涂層中施用到高孔隙率基底。載體涂層是包含催化劑、添加劑和溶劑優(yōu)選水的懸浮液。載體涂層優(yōu)選的固含量范圍是20-60重量％，更優(yōu)選25-50重量％，最優(yōu)選30-40重量％。水優(yōu)選以40-80重量％，更優(yōu)選50-75重量％，最優(yōu)選60-70重量％存在。固含量包含催化劑和任何添加劑。通常，固體包含50-99重量％，更優(yōu)選60-95重量％和最優(yōu)選75-85重量％的催化劑。添加劑可以包括玻璃顆粒、氧化鋁、二氧化硅、二氧化硅-氧化鋁、陶瓷、分子篩、沸石、粘土、無機氧化物、礦物、聚合物或其他材料，構(gòu)成固含量的余量。優(yōu)選固體包含1-50重量％，更優(yōu)選5-40重量％，最優(yōu)選15-25重量％的添加劑。載體涂層組分以任何期望的順序合并，并且混合直到產(chǎn)生均勻的懸浮液。優(yōu)選使用高剪切混合。當(dāng)負載的鉑、負載的鈀或其混合物在載體涂層中施用到高孔隙率基底時，負載的鉑、負載的鈀或其混合物的一部分可以位于該高孔隙率基底的壁內(nèi)，并且一部分可以位于該高孔隙率基底的壁上。催化劑制品可以具有存在于高孔隙率基底一側(cè)的至少一部分之上或之中的鉑、鈀或其混合物。優(yōu)選鉑、鈀或其混合物存在于高孔隙率基底一側(cè)的至少一半之上或之中，更優(yōu)選鉑、鈀或其混合物存在于高孔隙率基底一側(cè)的基本上全部之上。作為本文使用的，術(shù)語“基本上全部”表示至少90％，優(yōu)選至少95％，更優(yōu)選至少99％。催化劑制品可以具有存在于高孔隙率基底兩側(cè)的至少一部分之上或之中的鉑、鈀或其混合物。當(dāng)鉑、鈀或其混合物存在于基底兩側(cè)之上或之中時，它可以存在于該高孔隙率基底至少一側(cè)的至少一半之中。當(dāng)鉑、鈀或其混合物存在于基底兩側(cè)之上或之中時，它可以存在于該高孔隙率基底兩側(cè)的至少一半之中。SCR催化劑涂層存在于高孔隙率基底的壁的至少部分之上，該基底包含鉑、鈀或其混合物。當(dāng)鉑、鈀或其混合物位于基底的壁的兩側(cè)上時，SCR催化劑涂層位于包含鉑、鈀或其混合物的該高孔隙率基底的壁的至少部分上的兩個壁上。當(dāng)鉑、鈀或其混合物位于基底的壁的僅一側(cè)上時，SCR催化劑涂層可以位于該高孔隙率基底的兩個壁上，其中包含鉑、鈀或其混合物的壁的至少部分用SCR催化劑涂覆。具有鉑、鈀、負載的鉑、負載的鈀或其混合物的高度多孔基底然后可以干燥，和在400℃-1200℃，優(yōu)選450℃-700℃和更優(yōu)選500℃-650℃的溫度煅燒。煅燒優(yōu)選在干燥條件下進行，但是它也可以水熱進行，即在一些水分含量存在下進行。煅燒可以進行約30分鐘-約4小時，優(yōu)選約30分鐘-約2小時，更優(yōu)選約30分鐘-約1小時的時間。SCR催化劑然后在載體涂層中施用到含有鉑、鈀、負載的鉑、負載的鈀或其混合物的高孔隙率基底上。對高孔隙率基底施用一次或多次含有SCR催化劑的載體涂層。載體涂層如上所述來干燥和煅燒。在又一方面中，一種凈化含NOx廢氣的方法包括：使含NOx廢氣與催化劑制品接觸，該制品包含：(a)高孔隙率基底，在該高孔隙率基底的壁中包含鉑、鈀或其混合物，和(b)在該高孔隙率基底壁上的SCR催化劑涂層，其中鉑、鈀或其混合物作為金屬，或者作為負載的鉑、鈀或其混合物存在于該高孔隙率載體的壁中。廢氣包含氨或氨前體，例如尿素、碳酸銨、氨基甲酸銨、碳酸氫銨和甲酸銨。優(yōu)選氨和尿素，并且特別優(yōu)選氨。高孔隙率基底的孔隙率可以是約40％-約80％。鉑、鈀或其混合物，或者負載的鉑、鈀或其混合物也可以作為涂層存在于高孔隙率載體的壁上。制品可以包含約0.1重量％-約1重量％的鉑，或約0.1重量％-約2重量％的鈀。SCR催化劑可以是賤金屬的氧化物、分子篩、金屬交換的分子篩或其混合物。SCR催化劑可以包含選自以下的賤金屬：釩(V)、鉬(Mo)和鎢(W)、鉻(Cr)、鈰(Ce)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)和銅(Cu)及其混合物。SCR催化劑可以包含分子篩或金屬交換的分子篩。分子篩或金屬交換的分子篩可以是小孔、中孔、大孔或其混合物。催化劑制品可以進一步包含至少一種賤金屬促進劑。至少一種賤金屬促進劑可以選自釹(Nd)、鋇(Ba)、鈰(Ce)、鑭(La)、鐠(Pr)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、錳(Mn)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鉭(Ta)、鍶(Sr)及其氧化物。金屬交換的分子篩可以是銅(Cu)負載的小孔分子篩，其具有相對于催化劑的總重量計約0.1-約20.0重量％的銅。SCR催化劑可以包含選自以下的小孔分子篩：鋁硅酸鹽分子篩、金屬取代的鋁硅酸鹽分子篩、鋁磷酸鹽(AlPO)分子篩、金屬取代的鋁磷酸鹽(MeAlPO)分子篩、硅鋁磷酸鹽(SAPO)分子篩和金屬取代的硅鋁磷酸鹽(MeAPSO)分子篩及其混合物。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的小孔分子篩：ACO、AEI、AEN、AFN、AFT、AFX、ANA、APC、APD、ATT、CDO、CHA、DDR、DFT、EAB、EDI、EPI、ERI、GIS、GOO、IHW、ITE、ITW、LEV、KFI、MER、MON、NSI、OWE、PAU、PHI、RHO、RTH、SAT、SAV、SIV、THO、TSC、UEI、UFI、VNI、YUG和ZON及其混合物和/或共生物。SCR催化劑可以優(yōu)選包括選自以下骨架類型的小孔分子篩：CHA、LEV、AEI、AFX、ERI、SFW、KFI、DDR和ITE。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的中孔分子篩：AEL、AFO、AHT、BOF、BOZ、CGF、CGS、CHI、DAC、EUO、FER、HEU、IMF、ITH、ITR、JRY、JSR、JST、LAU、LOV、MEL、MFI、MFS、MRE、MTT、MVY、MWW、NAB、NAT、NES、OBW、-PAR、PCR、PON、PUN、RRO、RSN、SFF、SFG、STF、STI、STT、STW、-SVR、SZR、TER、TON、TUN、UOS、VSV、WEI和WEN及其混合物和/或共生物。SCR催化劑優(yōu)選包括選自以下骨架類型的中孔分子篩：MFI、FER和STT。SCR催化劑可以包括選自以下骨架類型的大孔分子篩：AFI、AFR、AFS、AFY、ASV、ATO、ATS、BEA、BEC、BOG、BPH、BSV、CAN、CON、CZP、DFO、EMT、EON、EZT、FAU、GME、GON、IFR、ISV、ITG、IWR、IWS、IWV、IWW、JSR、LTF、LTL、MAZ、MEI、MOR、MOZ、MSE、MTW、NPO、OFF、OKO、OSI、-RON、RWY、SAF、SAO、SBE、SBS、SBT、SEW、SFE、SFO、SFS、SFV、SOF、SOS、STO、SSF、SSY、USI、UWY和VET及其混合物和/或共生物。SCR催化劑優(yōu)選包括選自以下骨架類型的大孔分子篩：MOR、OFF和BEA。凈化廢氣的方法可以使得當(dāng)使用SuperFlowSF-1020在200cfm或更大的流量測試時，跨過高孔隙率載體的背壓的增加小于或等于未處理的高孔隙率基底的背壓的100％。背壓的增加可以是至少約75％，至少約80％，至少約85％，至少約90％或至少約95％。當(dāng)制品在90psi的壓力經(jīng)歷來自于AirTX固定流量噴嘴的空氣流時，凈化廢氣的方法在高孔隙率載體的壁上的SCR催化劑涂層的損失可以小于2％，其中將制品置于距離噴嘴的面12.7mm處，并且噴嘴以6.7mm/s的速度跨過制品?？梢钥邕^催化劑制品進行3.1mm間距的一系列送過。在高孔隙率載體的壁上SCR催化劑涂層的損失可以≤1％，≤0.5％，≤0.4％，≤0.3％，≤0.2％，≤0.1％，≤0.05％或≤0.01％。該方法可以在350℃-450℃的溫度提供超過90％的氨到氮的轉(zhuǎn)化率(N2選擇性)，和在550℃可以提供超過80％的氨到氮的轉(zhuǎn)化率。與包含孔隙率小于高孔隙率基底的基底的相當(dāng)?shù)闹破废啾?，該方法可以在約250℃-約550℃的溫度范圍提供增加的氨到氮的轉(zhuǎn)化率。相當(dāng)?shù)闹破返目紫堵士梢孕∮诩s40％，優(yōu)選小于或等于35％。氨到氮的轉(zhuǎn)化率的增量(N2選擇性)可以是至少約2.5，優(yōu)選至少約5％，更優(yōu)選至少約7.5％。含NOx廢氣可以與上述催化劑制品在約150℃-約550℃的溫度，優(yōu)選在約200℃-約550℃的溫度，更優(yōu)選在約250℃-約550℃的溫度接觸。下面的實施例僅說明本發(fā)明；本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到在本發(fā)明主旨和權(quán)利要求書范圍內(nèi)的許多變化。實施例如下所述來制備五種不同的催化劑制品，每個具有頂層和底層。實施例1使用低孔隙率(35％)蜂窩體壁流式基底(“LP過濾器”)，實施例2-5使用高孔隙率(約50％)蜂窩體壁流式基底(“HP過濾器”)。實施例1：低孔隙率基底-對比例如下來制備催化劑制品：通過將載體涂料施涂到基底上，然后使用真空將載體涂料吸引到基底中，來將包含氧化鋁、琥珀酸和硝酸鉑溶液的載體涂料漿料涂覆到低孔隙率蜂窩體壁流式基底上，以便首先在低孔隙率基底(Corning300/5，35％孔隙率)上形成底層。載體涂料漿料包含7.20重量％的固體，和粒度分布d50是約6.0μm。制品上的鉑負載量是1.99g/ft3。將基底干燥來除去水分，然后在約500℃煅燒約1小時。通過將載體涂層施涂到基底上，然后使用真空將載體涂料吸引到基底中，來將包含氧化鋁、羥乙基纖維素和含銅CHA沸石(3.33％CU)的載體涂料漿料作為頂層施涂到鉑浸漬的基底上。載體涂料漿料包含31.21重量％的固體，和粒度分布d50是約6.0μm。漿料以2.48g/in3的負載量施用，形成的銅負載量是124g/ft3。在頂涂層施用之后，將制品干燥，和在約500℃煅燒約1小時。實施例2：標(biāo)準(zhǔn)高孔隙率基底如下來制備催化劑制品：通過將包含氧化鋁、琥珀酸和硝酸鉑的載體涂料漿料浸涂到HP基底上，來首先在高孔隙率蜂窩體壁流式基底(“HP基底”)(NGK300/6.5材料D，孔隙率約50％)(這種基底用于實施例2-5)上形成底層。載體涂料漿料包含8.61重量％的固體。將具有底層的高孔隙率蜂窩體壁流式基底(“HP基底”)在約500℃煅燒約1小時。將頂層如實施例1所述施用到基底。制品在底層中的鉑負載量是1.97g/ft3，和在頂層中的銅負載量是125.5g/ft3。在施用了載體涂層之后，將制品如上在實施例1所述干燥和煅燒。實施例3：鉑浸漬到基底中-無底層通過用硝酸鉑溶液首先浸漬高孔隙率蜂窩體壁流式基底，以在制品上產(chǎn)生1.97g/ft3的鉑負載量，來制備催化劑制品。將基底干燥來除濕，然后在約500℃煅燒約30分鐘-約1小時。將頂層如實施例1所述施用到基底。漿料以2.48g/in3的負載量施用，形成的銅負載量是125g/ft3。在施用了載體涂層之后，將制品如上在實施例1所述干燥和煅燒。實施例4：底層中SiO2上的鉑如下來制備催化劑制品：通過將包含二氧化硅和硝酸鉑的載體涂料漿料浸涂到HP基底上，來首先在高孔隙率蜂窩體壁流式基底(“HP基底”)上形成底層。載體涂料漿料包含8.61重量％的固體。制品的鉑負載量是1.99g/ft3。將頂層如實施例1所述施用到基底。漿料以2.52g/in3的負載量施用，形成的銅負載量是127g/ft3。在施用了載體涂層之后，將制品如上在實施例1所述干燥和煅燒。實施例5：底層中SiO2-TiO2上的鉑如下來制備催化劑制品：將包含二氧化硅和硝酸鉑的載體涂料漿料浸涂到HP基底上，來首先在高孔隙率蜂窩體壁流式基底(“HP基底”)上形成底層。載體涂料漿料包含8.61重量％的固體。制品的鉑負載量是2.01g/ft3。將頂層如實施例1所述施用到基底。漿料以2.52g/in3的負載量施用，形成的銅負載量是127g/ft3。在施用了載體涂層之后，將制品如上在實施例1所述干燥和煅燒。實施例6通過使用以下氣體組成，在150、200、250、300、350、450和550℃測量每個制品的穩(wěn)態(tài)NH3氧化活性，來評價實施例1-5的每個制品的催化活性：氣體O2NH3COC3H6H2OCO2N2濃度10％200ppm0ppm0ppm4.5％4.5％余量使用FTIR測定氨、NO、NO2和N2O的濃度。評價60,000h-1和120,000h-1的空速。圖1的圖顯示了對于實施例1-5的制品，在空速60,000h-1時氨到氮的轉(zhuǎn)化百分比。對于全部五種制品來說，氨在300℃-550℃的溫度的轉(zhuǎn)化率相同。實施例1-5的制品在250℃的溫度提供了約88％-約96％的氨轉(zhuǎn)化率，并且實施例1-4的制品提供了90％-96％的氨轉(zhuǎn)化率。圖2的圖顯示了實施例1-5在空速60,000h-1時的N2選擇性。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在250℃-550℃的整個溫度范圍內(nèi)提供了較低的氨到氮的轉(zhuǎn)化率(N2選擇性)。每個高孔隙率基底制品提供了相對于低孔隙率基底來說增加的N2選擇性，具有約4％-約10％的更大選擇性，這取決于制品和溫度，并且二氧化硅載體上的鉑一貫地提供了約5％-10％的增加的選擇性。圖3的圖顯示了實施例1-5在空速120,000h-1時氨到氮的轉(zhuǎn)化百分比。高孔隙率基底制品在300℃-550℃的溫度提供了相同或更好的氨到氮的轉(zhuǎn)化率。圖4的圖顯示了實施例1-5在空速120,000h-1時的N2選擇性。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在250℃-550℃的整個溫度范圍內(nèi)提供了較低的氨到氮的轉(zhuǎn)化率(N2選擇性)。含有高孔隙率基底的制品提供了比由低孔隙率基底提供的轉(zhuǎn)化率高出達約8％的轉(zhuǎn)化率。圖5的圖顯示了在空速60,000h-1時，在系統(tǒng)出口處的N2O濃度。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在250℃-約350℃的溫度提供了高濃度的N2O。高孔隙率制品，特別是具有在二氧化硅上的鉑的制品，提供了比由低孔隙率基底提供的更少的N2O形成。圖6的圖顯示了在空速120,000h-1時，在系統(tǒng)出口處的N2O濃度。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在250℃-約350℃的溫度提供了高濃度的N2O。高孔隙率制品，特別是具有在二氧化硅上的鉑的制品，提供了比由低孔隙率基底提供的更少的N2O形成。圖7的圖顯示了在空速60,000h-1時，在系統(tǒng)出口處的NOx濃度。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在高于約300℃的溫度提供了更高濃度的NOx。在約400℃-約550℃的溫度，高孔隙率制品提供了比由低孔隙率基底提供的少約10ppm的NOx。圖8的圖顯示了在空速120,000h-1時，在系統(tǒng)出口處的NOx濃度。相對于每個高孔隙率制品，低孔隙率基底在高于約300℃的溫度提供了更高濃度的NOx。在約450℃-約550℃的溫度，高孔隙率制品提供了比由低孔隙率基底提供的少約10ppm的NOx，和在約400℃的溫度，提供了比由低孔隙率基底提供的少約5ppm的NOx。實施例7使用SuperFlowSF-1020，在200cfm的流量測定催化劑制品、未處理的低孔隙率基底和未處理的高孔隙率基底中的每個的背壓。相對于未處理的相應(yīng)的基底的背壓增加百分比顯示在表1中。表1與具有110％的背壓增加的低孔隙率基底相比，高孔隙率制品提供了小于100％的背壓增加。高孔隙率制品的背壓增加也小于95％和小于90％。在一些實施例中，背壓增加小于85％和小于80％實施例8可以通過將每個制品在90psi的壓力經(jīng)歷來自于AirTX固定流量噴嘴的空氣流，來測定催化劑制品的壁上的SCR催化劑涂層的損失，其中將制品置于距離噴嘴的面12.7mm處，并且噴嘴以6.7mm/s的速度跨過制品?？梢钥邕^催化劑制品進行3.1mm間距的一系列送過。高孔隙率基底上的每個催化劑制品的損失可以≤1％，≤0.5％，≤0.4％，≤0.3％，≤0.2％，≤0.1％，≤0.05％或≤0.01％。前述實施例僅意在示例；所附權(quán)利要求書定義了本發(fā)明的范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3