技術(shù)特征：

1.一種濾膜，所述濾膜包含通過(guò)使具有由下式表示的結(jié)構(gòu)的化合物聚合而形成的聚合物：

其中n選自1、2和3；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；以及

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中將所述膜澆鑄到支撐結(jié)構(gòu)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的膜，其中所述膜還包含第二聚合物，所述第二聚合物選自聚砜、磺化聚砜、聚醚砜、磺化聚醚砜、聚苯胺、聚苯胺共聚物、聚丙烯腈、聚氨酯、醋酸纖維素、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚三氟乙烯、聚全氟烷基乙烯基醚、聚六氟丙烯、醋酸纖維素、聚氨酯、醋酸纖維素、聚氨酯或其混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的膜，其中所述膜還包含聚砜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-0中任一項(xiàng)所述的膜，其中所述聚合物以從約0.1重量％至約35重量％的量存在。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-0中任一項(xiàng)所述的膜，其中所述膜具有小于約40°的純水平衡接觸角。

7.一種濾膜，所述濾膜包含聚合物，所述聚合物包含由下式表示的結(jié)構(gòu)：

其中每個(gè)Z獨(dú)立地選自氫和

其中n為選自1、2和3的整數(shù)；

其中p獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中q獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中，對(duì)于每個(gè)x而言，p+q＝1；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；以及

其中至少一個(gè)Z為由下式表示的結(jié)構(gòu)：

并且

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫。

8.一種通過(guò)使具有由下式表示的結(jié)構(gòu)的化合物聚合而形成的聚合物：

其中n選自1、2和3；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；以及

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聚合物，其中n為2。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的聚合物，其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)為氫。

11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中R^2a和R^2b中的每個(gè)為氫。

12.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中R^3a和R^3b中的每個(gè)為氫，并且R^3c為─OR⁴¹。

13.根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)為氫。

14.根據(jù)權(quán)利要求8-13中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)為OR⁴⁵。

15.根據(jù)權(quán)利要求8-14中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中R⁴⁵在存在時(shí)為氫。

16.根據(jù)權(quán)利要求8-15中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中所述聚合物包含至少一個(gè)通過(guò)使具有由下式表示的結(jié)構(gòu)的化合物聚合而形成的殘基：

其以至少0.1重量％的量存在。

17.一種包含由下式表示的結(jié)構(gòu)的聚合物：

其中每個(gè)Z獨(dú)立地選自氫和

其中n為選自1、2和3的整數(shù)；

其中p獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中q獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中，對(duì)于每個(gè)x而言，p+q＝1；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；并且

其中至少一個(gè)Z為由下式表示的結(jié)構(gòu)：

并且

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的聚合物，其中每個(gè)Z為由下式表示的結(jié)構(gòu)：

并且

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫。

19.一種制備濾膜的方法，所述方法包括以下步驟：提供通過(guò)使具有由下式表示的結(jié)構(gòu)的化合物聚合而形成的聚合物：

其中n選自1、2和3；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；并且

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；以及

澆鑄所述聚合物的溶液或懸浮液。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中將所述溶液或所述懸浮液澆鑄到支撐結(jié)構(gòu)上。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)為非織造支撐織物。

22.根據(jù)權(quán)利要求19-21中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述膜選自超濾膜、納濾膜、反滲透膜、正滲透膜和不具有薄膜涂層的壓力延遲滲透膜。

23.根據(jù)權(quán)利要求19-21中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述膜為超濾膜。

24.根據(jù)權(quán)利要求19-23中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述聚合物為溶劑溶液。

25.根據(jù)權(quán)利要求19-23中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述聚合物為懸浮液。

26.根據(jù)權(quán)利要求19-25中任一項(xiàng)所述的方法，還包括澆鑄第二聚合物的溶液的步驟，所述第二聚合物選自聚砜、磺化聚砜、聚氨酯、醋酸纖維素、聚醚砜、磺化聚醚砜、聚苯胺、聚苯胺共聚物、聚丙烯腈、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚三氟乙烯、聚全氟烷基乙烯基醚、聚六氟丙烯、醋酸纖維素、聚氨酯或其混合物。

27.根據(jù)權(quán)利要求19-26中任一項(xiàng)所述的方法，還包括將薄膜聚合到所述膜表面上從而提供滲透膜的步驟。

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述滲透膜選自反滲透膜和正滲透膜。

29.一種制備濾膜的方法，所述方法包括以下步驟：提供包含由下式表示的結(jié)構(gòu)的聚合物：

其中每個(gè)Z獨(dú)立地選自氫和

其中n為選自1、2和3的整數(shù)；

其中p獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中q獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中，對(duì)于每個(gè)x而言，p+q＝1；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；并且

其中至少一個(gè)Z為由下式表示的結(jié)構(gòu)：

并且

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫；以及

澆鑄所述聚合物的溶液或懸浮液。

30.一種用于純化水的方法，所述方法包括通過(guò)包含聚合物的膜過(guò)濾水的步驟，所述聚合物通過(guò)使具有由下式表示的結(jié)構(gòu)的化合物聚合而形成：

其中n選自1、2和3；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；并且

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基。

31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中過(guò)濾包括對(duì)水施加壓力。

32.根據(jù)權(quán)利要求30或權(quán)利要求31所述的方法，其中所述膜還包含所述膜表面上的薄膜，其中所述薄膜包含第三聚合物，并且其中過(guò)濾為反滲透過(guò)濾。

33.根據(jù)權(quán)利要求30-32中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述水還包含至少一種溶質(zhì)。

34.一種用于純化水的方法，所述方法包括通過(guò)包含聚合物的膜過(guò)濾水的步驟，所述聚合物包含由下式表示的結(jié)構(gòu)：

其中每個(gè)Z獨(dú)立地選自氫和

其中n為選自1、2和3的整數(shù)；

其中p獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中q獨(dú)立地為0、0.5或1；

其中，對(duì)于每個(gè)x而言，p+q＝1；

其中R^1a、R^1b、R^1c和R^1d中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─NR^22aR^22bH⁺、─SO₂R²³、─(C＝O)R²⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR²⁰、─OR²¹、─NR^22aR^22b、─SO₂R²³和─(C＝O)R²⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^2a和R^2b中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─NR^32aR^32bH⁺、─SO₂R³³、─(C＝O)R³⁴以及用0、1、2或3個(gè)選自鹵素、─CN、─SR³⁰、─OR³¹、─NR^32aR^32b、─SO₂R³³和─(C＝O)R³⁴的基團(tuán)取代的C1-C3烷基；

其中R^3a、R^3b和R^3c中的每個(gè)獨(dú)立地選自氫、鹵素、─CN、─SR⁴⁰、─OR⁴¹、─NR^42aR^42b、─NR^42aR^42bH⁺、─SO₂R⁴³和─(C＝O)R⁴⁴；

其中R²⁰、R²¹、R^22a、R^22b、R³⁰、R³¹、R^32a、R^32b、R⁴⁰、R⁴¹、R^42a和R^42b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R²³和R²⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR²⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^26aR^26b；

其中R²⁵、R^26a和R^26b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R³³和R³⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR³⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^36aR^36b；

其中R³⁵、R^36a和R^36b中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；

其中R⁴³和R⁴⁴中的每個(gè)在存在時(shí)獨(dú)立地選自─O^-、─OR⁴⁵、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基、C1-C3多鹵烷基和─NR^46aR^46b；

其中R⁴⁵、R^46a和R^46b中的每個(gè)在存在時(shí)選自氫、C1-C3烷基、C1-C3單鹵烷基和C1-C3多鹵烷基；以及

其中至少一個(gè)Z為由下式表示的結(jié)構(gòu)：

并且

其中R^2a、R^2b、R^3a、R^3b和R^3c中的至少一個(gè)不為氫。