本發(fā)明涉及一種可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，將膠合劑以噴射方式膠合于一具有待膠合處的加工件，尤其涉及一種可以應(yīng)用于晶片組合件的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)。

背景技術(shù)：

為了減小封裝體積并提高電氣效能，半導(dǎo)體制程已發(fā)展出一種立體堆疊技術(shù)來制造三維集成電路(3D IC)。借由三維集成電路的制程可以減小電子產(chǎn)品的體積。在三維集成電路的組裝技術(shù)中，晶片之間的堆疊(Stacking)技術(shù)是重要的關(guān)鍵。

在三維集成電路的組裝技術(shù)中，通過特定的連接方式與晶片薄化的技術(shù)，能有效增加空間與密集度，并縮短傳輸距離，提高電路系統(tǒng)的效能與減少能耗。三維集成電路的接合型式包括芯片到晶片(Chip to Wafer，C2W)、芯片到芯片(Chip to Chip，C2C)、晶片到晶片(Wafer to Wafer，W2W)等三種型式。

晶片到晶片接合的方法簡要的說，包括氧化物熔融接合(Oxide Fusion Bonding)、金屬對(duì)金屬接合(Metal-Metal Bonding)以及聚合物黏著接合(Polymer Adhesive Bonding)等技術(shù)。之后，利用點(diǎn)膠機(jī)將二片晶片的周圍縫隙封住以進(jìn)行下一步的制程。

接合后的二片晶片可稱為晶片組合件，晶片組合件的待膠合處位于二片晶片之間而具有極小的縫隙。傳統(tǒng)從豎直方向調(diào)整點(diǎn)膠位置比較不方便適用于三維集成電路的需求。若將膠滴以非豎直方式噴射于晶片組合件上，膠滴的路徑會(huì)因重力而呈拋物線，稍有偏差就可能使膠合劑落在晶片上，而影響點(diǎn)膠品質(zhì)，甚至損壞晶片組合件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，將待加工件傾斜的擺放，并控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，另外在于提供一種可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，調(diào)整一噴射點(diǎn)膠頭的初始射出角度，以配合待加工件的傾斜角度，借此控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。

為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，朝向一晶片組合件進(jìn)行點(diǎn)膠，該晶片組合件的待膠合處具有一識(shí)別缺口區(qū)及一圓周區(qū)，該可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)包括：

一固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置，包括一固持單元以固持該晶片組合件及一角度調(diào)整單元以調(diào)整該晶片組合件呈一傾斜角度以及一轉(zhuǎn)動(dòng)單元以轉(zhuǎn)動(dòng)該晶片組合件；

一噴射點(diǎn)膠頭，朝向該晶片組合件的多個(gè)待膠合處噴射多個(gè)膠滴；以及

一點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)，以承載該噴射點(diǎn)膠頭并控制該噴射點(diǎn)膠頭的初始射出角度；

其中該晶片組合件的該傾斜角度的斜率等于所述多個(gè)膠滴在一預(yù)定區(qū)間內(nèi)的路徑的斜率；其中該預(yù)定區(qū)間為沿著該晶片組合件的直徑經(jīng)過該晶片組合件的圓周并穿過該識(shí)別缺口區(qū)的底部的最短距離。

本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明可以將待加工件傾斜的擺放，并控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。另外，本發(fā)明也可調(diào)整一噴射點(diǎn)膠頭的初始射出角度，以配合待加工件的傾斜角度，借此控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成既定目的所采取的技術(shù)、方法及功效，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明、附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得以深入且具體的了解，然而所附附圖與附件僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

圖1為相關(guān)背景技術(shù)的呈水平狀態(tài)的晶片組合件及噴射點(diǎn)膠頭的側(cè)視示意圖。

圖2為相關(guān)背景技術(shù)的呈水平狀態(tài)的晶片組合件及噴射點(diǎn)膠頭的俯視示意圖。

圖3為相關(guān)背景技術(shù)的噴射點(diǎn)膠頭沿一初始射出角度射出膠滴的側(cè)視示意圖。

圖4為本發(fā)明的可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)的側(cè)視示意圖。

圖5為本發(fā)明的晶片組合件置于固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置的側(cè)視示意圖。

圖6為本發(fā)明的可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)呈傾斜狀的側(cè)視示意圖。

圖6A至圖6D為本發(fā)明呈水平狀的噴射點(diǎn)膠頭針對(duì)一傾斜的晶片組合件的膠合過程的示意圖。

圖7A至圖7D為本發(fā)明呈傾斜狀的噴射點(diǎn)膠頭針對(duì)一傾斜的晶片組合件的膠合過程的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

100 點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)

10 轉(zhuǎn)接單元

11 膠膜

12 承載板

20 噴射點(diǎn)膠頭

30 點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)

40 固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置

42 固持單元

44 角度調(diào)整單元

46 轉(zhuǎn)動(dòng)單元

60 預(yù)對(duì)準(zhǔn)器

80 信息處理模塊

9 晶片組合件

90 圓心

91 圓周區(qū)

92 識(shí)別缺口區(qū)

P1 位置

P2 位置

P3 位置

P4 位置

P5 位置

y1 位置

y2 位置

C 攝像模塊

C1 側(cè)視鏡頭

C2 俯視鏡頭

D 預(yù)定區(qū)間

G 膠滴

θi 初始射出角度

θ1 傾斜角度

θ2 傾斜角度

S1 斜率

S2 斜率

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1及圖2，晶片組合件9呈水平狀態(tài)擺放并旋轉(zhuǎn)，并將噴射點(diǎn)膠頭20沿水平方向射出膠滴，晶片組合件9的待膠合處包含圓周區(qū)91(包含P1、P5等位置)以及識(shí)別缺口區(qū)92(包含P2、P3、P4等位置)。此處以扇形狀的識(shí)別缺口區(qū)92為例，然而本發(fā)明不限制于此，例如也可以應(yīng)用于具有其他形狀的識(shí)別缺口區(qū)。水平射出的膠滴G原本準(zhǔn)確的噴在圓周區(qū)91的位置P1，然而當(dāng)晶片組合件9的識(shí)別缺口區(qū)92被轉(zhuǎn)動(dòng)朝向該噴射點(diǎn)膠頭20時(shí)，膠滴G的路徑因?yàn)橹亓Χ蕭佄锞€，可能偏離在識(shí)別缺口區(qū)92內(nèi)的待膠合處(如P2、P3、P4的位置)內(nèi)。

請(qǐng)參閱圖3，顯示噴射點(diǎn)膠頭20沿一初始射出角度θi射出膠滴。類似的，膠滴G的路徑也會(huì)因?yàn)橹亓Χ蕭佄锞€。

本實(shí)施例觀察上述的狀況，多個(gè)膠滴G的路徑在一小段預(yù)定區(qū)間內(nèi)的路徑的斜率可以是視為直線，假如膠滴G的噴出速率更大，可視為直線的預(yù)定區(qū)間可以再適當(dāng)?shù)匮娱L。以圖2為例，當(dāng)多個(gè)膠滴G經(jīng)過一預(yù)定區(qū)間D，可以視為一段的傾斜直線且具有一斜率(slope)S1。該預(yù)定區(qū)間D是經(jīng)過該晶片組合件9的圓周區(qū)91并穿過該識(shí)別缺口區(qū)92的底部(亦即P3位置)的最短距離。因此若將該晶片組合件9以傾斜角度擺設(shè)而呈一斜率，將晶片組合件9的斜率等于多個(gè)膠滴G在該預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑的斜率，多個(gè)膠滴G可以 準(zhǔn)確噴在該識(shí)別缺口區(qū)92的待膠合處。以下具體舉例說明可以達(dá)成本發(fā)明的構(gòu)想的具體機(jī)構(gòu)。

請(qǐng)參考圖4，為本發(fā)明的可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)的示意圖。本發(fā)明提供一種可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，以下簡稱點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)100。該點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)100朝向晶片組合件9進(jìn)行點(diǎn)膠。該點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)100包括噴射點(diǎn)膠頭20、點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30及固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置40。

該噴射點(diǎn)膠頭20用以朝向該晶片組合件9的多個(gè)待膠合處(包含圓周區(qū)91以及識(shí)別缺口區(qū)92)噴射多個(gè)膠滴。噴射點(diǎn)膠頭20為一種非接觸式的噴射頭，針對(duì)膠黏劑液體，例如密封膠、底部填充膠、紫外膠、表面涂敷材料等，提供高速及大容量地控制性點(diǎn)膠。

該點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30用以承載該噴射點(diǎn)膠頭20并控制該噴射點(diǎn)膠頭20的初始射出角度。

該固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置40包括一固持單元42用以固持該晶片組合件9、一角度調(diào)整單元44用以調(diào)整該晶片組合件9呈一傾斜角度以及一轉(zhuǎn)動(dòng)單元46用以轉(zhuǎn)動(dòng)該晶片組合件9。

如圖4所示，為了適當(dāng)?shù)墓坛志M合件9以進(jìn)行點(diǎn)膠的過程，本實(shí)施例還包括一轉(zhuǎn)接單元10可分離地結(jié)合于該晶片組合件9。該轉(zhuǎn)接單元10包含一膠膜11及一承載板12。該膠膜11貼附于該晶片組合件9的一側(cè)，膠膜11可以是晶片在切割過程用的保護(hù)膜。該承載板12貼附于該膠膜11。其中轉(zhuǎn)接單元10的尺寸可以略小于晶片組合件9的尺寸，以免轉(zhuǎn)接單元10突出至晶片組合件9的外圍而影響點(diǎn)膠作業(yè)。

如圖5所示，接著，將晶片組合件9連同轉(zhuǎn)接單元10，移至該固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置40。其中該固持單元42結(jié)合于該承載板12。該固持單元42結(jié)合于該承載板12的方式可以是利用真空吸附、或磁力吸附等。

本實(shí)施例較佳地，還包括一預(yù)對(duì)準(zhǔn)器(pre-aligner)60。當(dāng)晶片組合件9置放于該固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置40之后，預(yù)對(duì)準(zhǔn)器60用以校對(duì)并定位晶片組合件9于正確的加工位置。借由提供晶片組合件9放置的偏心率和方向的準(zhǔn)確性的非接觸式測(cè)量，以克服傳輸過程中的振動(dòng)而造成的定位誤差。預(yù)對(duì)準(zhǔn)器60的操作，包括晶片位移的測(cè)量，必要補(bǔ)償?shù)挠?jì)算和凹槽(或平邊)與所需角度的定向。

然后，如圖6所示，其中該角度調(diào)整單元44傾斜該承載板12以調(diào)整該晶片組合件9呈一傾斜角度。該轉(zhuǎn)動(dòng)單元46以轉(zhuǎn)動(dòng)該固持單元42并帶動(dòng)該晶片組合件9。借由上述安排，使得該晶片組合件9的傾斜角度θ1的斜率等于多個(gè)膠滴G在一預(yù)定區(qū)間內(nèi)的路徑的斜率S1。

本實(shí)施例進(jìn)一步包括一攝像模塊C，該攝像模塊C包含一置于該晶片組合件9的側(cè)面且鄰近該噴射點(diǎn)膠頭20的側(cè)視鏡頭C1，此外，攝像模塊C較佳地還可以包括一俯視鏡頭C2，其位于晶片組合件9的上方。該側(cè)視鏡頭C1的功用，首先可以確認(rèn)該噴射點(diǎn)膠頭20的多個(gè)膠滴G是否準(zhǔn)確落在該晶片組合件9的圓周區(qū)91，此外，還可以用以拍攝該噴射點(diǎn)膠頭20的多個(gè)膠滴G的影像以獲得位置信息。

本實(shí)施例進(jìn)一步包括一信息處理模塊80電性連接該攝像模塊C的側(cè)視鏡頭C1，借由側(cè)視鏡頭C1連續(xù)拍攝多個(gè)膠滴G而獲得多個(gè)膠滴G的軌跡，并將上述側(cè)視鏡頭C1分時(shí)拍攝的多個(gè)膠滴G的多張影像重疊于于同一張影像，并進(jìn)行影像處理及計(jì)算，借此以取得多個(gè)膠滴G的路徑的斜率。借此本實(shí)施例可以量測(cè)出多個(gè)膠滴G在不同特定區(qū)間相對(duì)于水平面的傾斜角度，進(jìn)而獲得多個(gè)膠滴G的路徑的斜率信息。該信息處理模塊80還電性連接該固持轉(zhuǎn)動(dòng)裝置40，以控制該角度調(diào)整單元44。借由信息處理模塊80以調(diào)整該晶片組合件9的斜率，使之等于多個(gè)膠滴G在一預(yù)定區(qū)間內(nèi)的路徑的斜率。

請(qǐng)參閱圖6A至圖6D，顯示本實(shí)施例呈水平狀的噴射點(diǎn)膠頭針對(duì)一傾斜的晶片組合件的膠合過程。其中該噴射點(diǎn)膠頭20的初始射出方向平行于水平面。

本實(shí)施例可以借由俯視鏡頭C2，以確認(rèn)多個(gè)膠滴G的路徑通過一垂直于該晶片組合件9并且經(jīng)過該晶片組合件9的圓心90的平面XY。上述預(yù)定區(qū)間會(huì)因著晶片組合件9的尺寸等因素而不同。如圖6C所示，本實(shí)施例的預(yù)定區(qū)間D為沿著晶片組合件9的直徑，經(jīng)過該晶片組合件9的圓周并穿過該識(shí)別缺口區(qū)92的底部(P3位置)的最短距離。

如圖6A所示，此實(shí)施例的噴射點(diǎn)膠頭20呈水平狀擺設(shè)，過程中固定于一固定的高度，如圖6A中的Y軸的y1位置。晶片組合件9沿著平面XY呈剖視圖。膠滴G初步沿著水平方向噴射出去后，因重力因素而呈一拋物線。晶片組合件9呈一傾斜角度θ1傾斜，且沿著一穿過其圓心90的軸心轉(zhuǎn)動(dòng)。 晶片組合件9的圓周區(qū)91以位置P1為代表，略低于Y軸的y1位置。

如圖6B所示，顯示晶片組合件9經(jīng)過轉(zhuǎn)動(dòng)，識(shí)別缺口區(qū)92朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ1的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D(如圖6C所示)內(nèi)的路徑的斜率S1。因此，多個(gè)膠滴G可以準(zhǔn)確的噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P2。

本實(shí)施例的攝像模塊C較佳還可以利用設(shè)于該晶片組合件9上方的俯視鏡頭C2，用以拍攝多個(gè)待膠合處位置的圖像。該識(shí)別缺口區(qū)92的輪廓線比一般圓弧狀的圓周區(qū)91周邊較長，膠合的密度需要更高。當(dāng)俯視鏡頭C2拍攝的圖像經(jīng)過判別，該識(shí)別缺口區(qū)92被轉(zhuǎn)動(dòng)到朝向該噴射點(diǎn)膠頭20，此時(shí)，可以通過信息處理模塊80，較佳地開始驅(qū)動(dòng)該噴射點(diǎn)膠頭20更頻繁地噴出膠滴G。換言之，其中該噴射點(diǎn)膠頭20的膠滴以第一噴出頻率噴在該圓周區(qū)91，并以第二噴出頻率噴在該識(shí)別缺口區(qū)92，其中該第二噴出頻率大于該第一噴出頻率。借此加強(qiáng)在識(shí)別缺口區(qū)92的膠滴的密度。

如圖6C所示，顯示晶片組合件9的識(shí)別缺口區(qū)92的底部(以P3位置為代表)朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ1的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑的斜率S1。因此，多個(gè)膠滴G可以噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P3。

如圖6D所示，顯示晶片組合件9的識(shí)別缺口區(qū)92漸漸偏離該噴射點(diǎn)膠頭20，但仍部分朝向該噴射點(diǎn)膠頭20，改為位置P4朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ1的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑的斜率S1。因此，多個(gè)膠滴G可以噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P4。換言之，在晶片組合件9轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中，識(shí)別缺口區(qū)92的上述位置P1、P2、P3、P4(待膠合處的不同點(diǎn))都位于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑上，因此多個(gè)膠滴G可以準(zhǔn)確的落在識(shí)別缺口區(qū)92的待膠合處。

請(qǐng)參閱圖7A至圖7D，為本發(fā)明的另一種實(shí)施方式。顯示本實(shí)施例呈傾斜狀的噴射點(diǎn)膠頭針對(duì)一傾斜的晶片組合件的膠合過程。其中該噴射點(diǎn)膠頭50的初始射出方向傾斜于水平面。

如圖7A所示，此實(shí)施例的噴射點(diǎn)膠頭20呈傾斜狀擺設(shè)，過程中固定于一固定的高度，如圖7A中的Y軸的y2位置。晶片組合件9沿著平面XY呈剖視圖。膠滴G初步沿著一初始射出角度θi傾斜的噴射出去后，因重力因 素而呈一拋物線。晶片組合件9呈一傾斜角度θ2傾斜，且沿著一穿過其圓心90的軸心轉(zhuǎn)動(dòng)。晶片組合件9的圓周區(qū)以位置P1為代表，略低于Y軸的y2位置。

上述噴射點(diǎn)膠頭20呈傾斜狀擺設(shè)，可以借由信息處理模塊80達(dá)成控制。該信息處理模塊80電性連接該點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30。依所獲得的多個(gè)膠滴G的路徑的斜率信息，該信息處理模塊80控制該點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30以調(diào)整該噴射點(diǎn)膠頭20的初始射出角度θi。將多個(gè)膠滴G在上述預(yù)定區(qū)間(如圖7C的D)內(nèi)的路徑的斜率，調(diào)整相同于晶片組合件9的傾斜角度θ2。其中該晶片組合件9的傾斜角度范圍可以是小于正負(fù)30度。

如圖7B所示，顯示晶片組合件9經(jīng)過轉(zhuǎn)動(dòng)，識(shí)別缺口區(qū)92朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ2的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D(如圖7C所示)內(nèi)的路徑的斜率S2。因此，多個(gè)膠滴G可以噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P2。類似于上一實(shí)施例，借由俯視鏡頭C2拍攝多個(gè)待膠合處的位置圖像信息，以判別該識(shí)別缺口區(qū)92是否已經(jīng)被轉(zhuǎn)動(dòng)到朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。該噴射點(diǎn)膠頭20的膠滴以第一噴出頻率噴在該圓周區(qū)91，并以第二噴出頻率噴在該識(shí)別缺口區(qū)92，其中該第二噴出頻率大于該第一噴出頻率。借此加強(qiáng)在識(shí)別缺口區(qū)92的膠滴的密度。

如圖7C所示，顯示晶片組合件9的識(shí)別缺口區(qū)92的底部(以P3位置為代表)朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ2的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑的斜率S2。因此，多個(gè)膠滴G可以準(zhǔn)確的噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P3。

如圖7D所示，顯示晶片組合件9的識(shí)別缺口區(qū)92漸漸偏離該噴射點(diǎn)膠頭20，但仍部分朝向該噴射點(diǎn)膠頭20，改為位置P4朝向該噴射點(diǎn)膠頭20。由于該晶片組合件9的傾斜角度θ2的斜率等于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑的斜率S2。因此，多個(gè)膠滴G可以噴在識(shí)別缺口區(qū)92的位置P4。換言之，在晶片組合件9轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中，識(shí)別缺口區(qū)92的上述位置P1、P2、P3、P4(待膠合處的不同點(diǎn))都位于多個(gè)膠滴G在預(yù)定區(qū)間D內(nèi)的路徑上，因此多個(gè)膠滴G可以準(zhǔn)確的落在識(shí)別缺口區(qū)92的待膠合處。

補(bǔ)充說明本實(shí)施例另一種更為準(zhǔn)確的方式，依本案由圖6A轉(zhuǎn)到圖6B的過程，當(dāng)晶片組合件9面對(duì)該噴射點(diǎn)膠頭20的待膠合處由位置P1改為位 置P2，待膠合處的位置沿著Y軸，降低了P2-P1(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，降低P2-P1(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴也可以更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P2。

當(dāng)由圖6B轉(zhuǎn)到圖6C的過程，晶片組合件9的待膠合處的位置沿著Y軸，降低了P3-P2(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，降低P3-P2(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P3。

當(dāng)由圖6C轉(zhuǎn)到圖6D的過程，晶片組合件9的待膠合處的位置沿著Y軸，升高P4-P3(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，升高P4-P3(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P4。

上述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之一在于，晶片組合件9是傾斜擺置，因此在識(shí)別缺口區(qū)92內(nèi)的待膠合處的高度變化更為明顯，噴射點(diǎn)膠頭20在高度調(diào)整上更為容易。

依上述類似的操作方式，噴射點(diǎn)膠頭20也可以是傾斜噴膠，如圖7A至圖7D所示。

當(dāng)晶片組合件9由圖7A轉(zhuǎn)到圖7B的過程，晶片組合件9的待膠合處由位置P1改為位置P2，待膠合處的位置沿著Y軸，降低了P2-P1(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，降低P2-P1(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P2。

當(dāng)由圖7B轉(zhuǎn)到圖7C的過程，晶片組合件9的待膠合處的位置沿著Y軸，降低了P3-P2(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，降低P3-P2(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P3。

當(dāng)由圖7C轉(zhuǎn)到圖7D的過程，晶片組合件9的待膠合處的位置沿著Y軸，升高P4-P3(Y軸分量)的垂直距離。此時(shí)，本實(shí)施例可以借由控制點(diǎn)膠頭承載機(jī)臺(tái)30，將噴射點(diǎn)膠頭20沿著Y軸，升高P4-P3(Y軸分量)的垂直高度，借此膠滴更為準(zhǔn)確地落在待膠合處的位置P4。

本發(fā)明的特點(diǎn)及功能在于，可調(diào)整點(diǎn)膠角度的點(diǎn)膠機(jī)構(gòu)，將待加工件傾斜的擺放，并控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。另外，本發(fā)明也可調(diào)整一噴射點(diǎn)膠頭的初始射出角度，以配合待加工件的傾斜角度，借此控制膠滴準(zhǔn)確地噴射至待加工件的待膠合處。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。