專利名稱：節(jié)能耐用蒸餾釜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
節(jié)能耐用蒸餾釜技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種節(jié)能耐用蒸餾釜，屬于化工設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
[0002]目前，不管是化工單位還是其他的生產(chǎn)型單位，蒸餾釜是一種使用頻率較高的化工設(shè)備，現(xiàn)有的蒸餾釜大部分使用外側(cè)碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊對其釜內(nèi)物質(zhì)加熱，而目前各個企業(yè)使用的蒸餾釜均為一個控制開關(guān)控制釜體外所有碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊的加熱。[0003]理論上是沒有問題的，然而在使用過程中，剛開始蒸餾時，蒸餾釜體內(nèi)物料是占大部分體積的，需要整個蒸餾釜加溫，然而經(jīng)過一段時間后，蒸餾釜體內(nèi)的物料被蒸發(fā)大半時，蒸餾釜內(nèi)只剩下一小半物料了，這時候就不需要對整個蒸餾釜進(jìn)行加熱了。如果對整個蒸餾釜進(jìn)行加熱，首先是浪費(fèi)能源，不利于節(jié)能減排的政府要求，同時在高溫下蒸餾釜體內(nèi)壁也很容易氧化，從而降低了蒸餾釜的使用壽命。發(fā)明內(nèi)容[0004]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種節(jié)能耐用蒸餾釜，分段對蒸餾釜進(jìn)行加熱，節(jié)約能源，增長蒸餾釜的使用壽命。[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種節(jié)能耐用蒸餾釜，包括:蒸餾釜體和碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊，蒸餾釜體外側(cè)均勻設(shè)置有碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊，其特征在于所述碳化硅Sic遠(yuǎn)紅外輻射塊均勻的分為上下兩段，并且分別連接控制面板。[0006]所述的蒸餾釜體內(nèi)壁設(shè)置有防腐層。[0007]通過導(dǎo)熱系數(shù)極高的碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊作載熱體，同時，碳化硅在受熱后產(chǎn)生較強(qiáng)的遠(yuǎn)紅外輻射光線，使被加熱產(chǎn)品對其得以充分吸收，并且被加熱產(chǎn)品受遠(yuǎn)紅外輻射時，分子間產(chǎn)生劇烈震動產(chǎn)生熱能；由于分子間快速運(yùn)動，對熱能實(shí)施快速傳遞，提高了傳遞速度，節(jié)約了能耗。[0008]使用時，當(dāng)蒸餾釜體內(nèi)物料較多時，通過控制面板開啟上下兩段碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外福射塊，對物料進(jìn)行加熱，隨著加熱時間的增長，物料逐漸減少，當(dāng)物料減少至不當(dāng)一半時，則通過控制面板關(guān)閉上段碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊，只使用下端碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊對蒸餾釜內(nèi)物料進(jìn)行加熱，這樣`既減少了能源消耗，同時還避免了上端蒸餾釜體內(nèi)壁的高溫氧化。[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:通過這樣的設(shè)置既減少了能源消耗，同時還避免了上端蒸餾釜體內(nèi)壁的高溫氧化，增長了蒸餾釜的使用壽命；同時內(nèi)壁還設(shè)置有防腐層，減少了物料對蒸餾釜體的腐蝕，更加延長了蒸餾釜的使用壽命。


[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0011]圖中I為蒸餾釜體；2為碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊；3為控制面板；4為防腐層。
具體實(shí)施方式
[0012]
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例做進(jìn)一步描述:[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型包括:蒸餾釜體I和碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊2，蒸餾釜體I外側(cè)均勻設(shè)置有碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊2，所述碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊2均勻的分為上下兩段，并且分別連接控制面板3。[0014]蒸餾釜體 I內(nèi)壁設(shè)置有防腐層4。
權(quán)利要求1.一種節(jié)能耐用蒸餾釜，包括:蒸餾釜體(I)和碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊(2)，蒸餾釜體(I)外側(cè)均勻設(shè)置有碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊(2)，其特征在于所述碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊(2)均勻的分為上下兩段，并且分別連接控制面板(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的節(jié)能耐用蒸餾釜，其特征在于所述的蒸餾釜體(I)內(nèi)壁設(shè)置有防腐層(4)。 ·
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種節(jié)能耐用蒸餾釜，屬于化工設(shè)備領(lǐng)域，蒸餾釜體和碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊，蒸餾釜體外側(cè)均勻設(shè)置有碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊，所述碳化硅SIC遠(yuǎn)紅外輻射塊均勻的分為上下兩段，并且分別連接控制面板。通過這樣的設(shè)置既減少了能源消耗，同時還避免了上端蒸餾釜體內(nèi)壁的高溫氧化，增長了蒸餾釜的使用壽命；同時內(nèi)壁還設(shè)置有防腐層，減少了物料對蒸餾釜體的腐蝕，更加延長了蒸餾釜的使用壽命。
文檔編號B01D3/02GK203090509SQ201320052888
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月30日
發(fā)明者李剛, 徐金峰 申請人:山東錦隆達(dá)化工科技股份有限公司