專利名稱：：陶瓷納米粒子的制造方法陶瓷納米粒子的制造方法技術區(qū)域本發(fā)明涉及陶瓷納米粒子的制造方法。
背景技術：
：專利文獻1:日本特開2002-255656號公報專利文獻2:日本特開平8-12323號公報專利文獻3:日本特開2005-263590號公報陶瓷通常是通過金屬元素和非金屬元素的組合所形成的離子鍵或共價鍵而形成。為此，其最大特征在于，化合物的種類多，除了本質上的耐熱性及耐蝕性出色以外，還具有電的、力學的、磁的、光學的、機械的、熱的、生物化學的、原子力關聯(lián)功能等各種功能。因此，陶瓷被廣泛地用作絕緣襯板材料、電子傳導材料、離子傳導材料、超導材料、介質功能材料、壓電功能材料、CMP漿料等。另外，陶瓷構造部件通過將粉狀體成形、燒成而制造，燒成溫度高。降低燒成溫度不僅僅能夠達到節(jié)能效果，從燒成爐的管理等各種各樣的成本的觀點出發(fā)也很重要。關于降低該燒成溫度，已知陶瓷的納米粒子具有出色的低溫燒結性(日本特開2002-255656號公報/專利文獻1)。通常，陶瓷粒子是通過將醇鹽系或金屬鹽系的陶瓷原料加水分解而得到，但陶瓷納米粒子聚合力強，不可能使用一般的陶瓷成形方法。因此，作為實際獲得陶瓷納米粒子的方法，有在高速旋轉剪斷攪拌下供給陶瓷原料與水的方法(日本特開平8-12323號公報/專利文獻2)以及在加水分解快的陶瓷原料的水溶液中添加乙二醇及/或二乙二醇來調節(jié)加水分解速度的方法(日本特開2005-263590號公報/專利文獻3)。但是，在高速旋轉剪斷攪拌下供給陶瓷原料與水的方法中，有時還是會產(chǎn)生陶瓷的粗大粒子；在調節(jié)加水分解速度的方法中，雖然能獲得粒子直徑分布均勻的、單分散的陶瓷粒子，但需要很長的反應時間。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明是在薄膜流體中對陶瓷原料進行加水分解從而獲得陶瓷納米粒子的制造方法，上述薄膜流體形成于處理用面之間，上述處理用面可接近或分離地相互面對配置，并且至少有一方相對于另一方旋轉，本發(fā)明的課題是提供一種陶瓷納米粒子的制造方法，該陶瓷納米粒子的制造方法由于可以自由改變該薄膜中的雷諾數(shù)，所以可根據(jù)其目的制作出單分散的陶瓷納米粒子，由于自我排出性而不會產(chǎn)生生成物的堵塞，不需要很大的壓力，并且生產(chǎn)效率也高。本發(fā)明為一種陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，在薄膜流體中加水分解陶瓷原料，上述薄膜流體形成于處理用面之間，上述處理用面可接近或分離地相互面對配置，并且至少有一方相對于另一方旋轉。另外，本發(fā)明為上述技術方案1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，上述的陶瓷納米粒子為氧化鋁、氧化鋯、鈦酸鋇、氧化鈦中的任意一種。另外，本發(fā)明為上述技術方案1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，作為上述陶瓷納米粒子的陶瓷原料，使用從Al、Ba、Mg、Ca、La、Fe、Si、Ti、Zr、Pb、Sn、Zn、Cd、As、Ga、Sr、Bi、Ta、Se、Te、Hf、Mg、Ni、Mn、Co、S、Ge、Li、B、Ce中選取的至少1種金屬的醇鹽或金屬鹽。另外，本發(fā)明為上述技術方案1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，在加水分解上述陶瓷原料時進行PH控制。另外，本發(fā)明為上述技術方案14項中的任何一項所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，所得到的陶瓷納米粒子的粒度分布的CV值為540%。另外，本發(fā)明為上述技術方案15項中的任何一項所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，上述的加水分解反應具有流體壓力施加機構，該流體壓力施加機構向被處理流體施加規(guī)定壓力；至少2個處理用構件，該至少2個處理用構件為第1處理用構件以及能夠相對于該第1處理用構件接近或分離的第2處理用構件；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使上述第1處理用構件和第2處理用構件相對旋轉；在上述各處理用構件上的互相相對的位置上，設置第1處理用面及第2處理用面至少2個處理用面，上述各處理用面構成上述規(guī)定壓力的被處理流體流過的被密封的流路的一部分，在上述兩處理用面間，均一混合至少2種以上的被處理流體并使其積極地發(fā)生反應，上述2種以上的被處理流體中的任意一個中都含有反應物，在上述第1處理用構件和第2處理用構件中，至少第2處理用構件包括受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由上述第2處理用面構成，該受壓面受到上述流體壓力施加機構施加給被處理流體的壓力，從而產(chǎn)生使第2處理用面相對第1處理用面向分離的方向移動的力，通過將上述規(guī)定壓力的被處理流體導入可接近或分離且相對旋轉的第1處理用面和第2處理用面之間，上述被處理流體一邊形成規(guī)定膜厚的流體膜一邊從兩處理用面間通過，另外，具有獨立于上述所定壓力的被處理流體流過的流路的另外的導入路，上述第1處理用面和第2處理用面的至少任意一方中包括至少一個與上述導入路相通的開口部，將從上述導入路輸送來的至少一種被處理流體導入上述兩處理用面之間，通過在上述流體膜內(nèi)的均一攪拌所形成的混合，至少包含在上述的各被處理流體的任意一方中上述的反應物和不同于上述被處理流體的被處理流體能夠達到所希望的反應狀態(tài)。本發(fā)明是一種陶瓷納米粒子的制造方法，該陶瓷納米粒子的制造方法通過在處理用面之間形成的薄膜流體中加水分解陶瓷原料而獲得陶瓷納米粒子，上述處理用面可接近和分離地相互面對配置且至少一方相對于另一方旋轉，與根據(jù)以往的反應方法所得到的陶瓷納米粒子相比，能夠獲得平均粒子直徑小、單分散的陶瓷納米粒子。另外，本發(fā)明是能連續(xù)性高效地得到陶瓷納米粒子的、制造效率很好的、可對應生產(chǎn)的、適宜的陶瓷納米粒子的制造方法。另外，本發(fā)明是可按照需要的生產(chǎn)量采用一般的按比例增加的概念來進行機體的大型化的陶瓷納米粒子的制造方法。圖1(A)是表示用于實施本申請發(fā)明的裝置的概念的簡略縱剖面圖，(B)是表示上述裝置的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(C)是表示上述裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(D)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖面4圖。圖2(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖3(A)是圖2(C)所示裝置的主要部分的簡略仰視圖，(B)是上述裝置的其他實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(C)是另外的其他實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(D)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖，(E)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖，(F)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖。圖4(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖5(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖6(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖7(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖8(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖9(A)(C)分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖10(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖11(A)及(B)分別表示上述圖1所示裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(C)為圖1所示裝置的主要部分的簡略仰視圖。圖12(A)是關于圖1(A)所示裝置的受壓面的、表示其他實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖，(B)是該裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖13是關于圖12(A)所示裝置的連接觸表面壓力施加機構4的、其他實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖14是關于圖12(A)所示裝置上的、設置了溫度調節(jié)用封套的、其他實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖15是關于圖12(A)所示裝置的接觸表面壓力施加機構4的，其他實施方式的主要部的簡略縱剖面圖。圖16(A)是圖12(A)所示裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略橫剖面圖，(B)(C)(E)(G)是該裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略橫剖面圖，(D)是該裝置的另一其他實施方式的局部的主要部分的簡略縱剖面圖。圖17是圖12(A)所示裝置的另一其他實施方式的主要部的簡略縱剖面圖。圖18(A)是表示用于本申請發(fā)明的實施中的裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(B)是該裝置的局部的主要部分說明圖。圖19(A)是圖12所示上述裝置的第1處理用構件1的俯視圖，(B)是其主要部分的縱剖面圖。圖20(A)是圖12所示裝置的第1及第2處理用構件1、2的主要部分的縱剖面圖，(B)是隔開微小間隔的上述第1及第2處理用構件1、2的主要部的縱剖面圖。圖21(A)是上述第1處理用構件1的其他實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖面圖。圖22(A)是上述第1處理用構件1的另一其他實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖面圖。圖23(A)是上述第1處理用構件1的另一其他實施方式的俯視圖，(B)是上述第1處理用構件1的再另一其他實施方式的俯視圖。圖24(A)(B)(C)分別是關于處理后的被處理物的分離方法的、表示上述以外的實施方式的說明圖。圖25是說明本申請發(fā)明裝置的概要的縱剖面的概略圖。圖26(A)是圖25所示裝置的第1處理用面的簡略俯視圖，(B)是圖25所示裝置的第1處理用面的主要部分的擴大圖。圖27(A)是第2導入通道的剖面圖，(B)是用于說明第2導入通道的處理用面的主要部分的擴大圖。圖28(A)及(B)分別是為了說明設置于處理用構件的傾斜面的主要部分擴大剖面圖。圖29是用于說明設置于處理用構件的受壓面的圖，(A)是第2處理用構件的仰視圖，(B)是主要部分的擴大剖面圖。圖30是微粒子的TEM照片。具體實施例方式作為本發(fā)明所使用的在薄膜流體中均勻攪拌和混合的方法，可以利用例如本發(fā)明申請人所提出的日本特開2004-49957號公報中所記載的同一原理的裝置，上述薄膜流體形成于可接近和分離地相對配置且至少一方可相對于另一方旋轉的處理用面之間。以下，對適于實施該方法的流體處理裝置進行說明。如圖1(A)所示，該裝置具有相對的第1及第2二個處理用構件10、20，至少其中一方的處理用構件旋轉。兩處理用構件10、20的相對的面分別作為處理用面，在兩處理用面之間進行被處理流體的處理。第1處理用構件10具有第1處理用面l，第2處理用構件20具有第2處理用面2。兩處理用面1、2連接于被處理流體的流路，構成被處理流體的流路的一部分。更詳細而言，該裝置構成至少2個被處理流體的流路，同時，使各流路合流。S卩，該裝置與第l被處理流體的流路相接接，在形成該第l被處理流體的流路的一部分的同時，形成有別于第l被處理流體的第2被處理流體的流路的一部分。并且，該裝置使兩流路合流，在處理用面1、2之間，混合兩流體而進行反應。圖1(A)所示的實施方式中，上述各流路是液密(被處理流體為液體的場合)或氣密(被處理流體為氣體的場合)的密閉流路。具體地說明如下，如圖1(A)所示，該裝置具有上述第1處理用構件10、上述第2處理用構件20、保持第1處理用構件10的第1托架ll，保持第2處理用構件20的第2托架21、接觸表面壓力施加機構4、旋轉驅動部、第1導入部dl、第2導入部d2、流體壓力施加機構Pl、第2流體供給部p2及殼體3。另外，圖中省略了旋轉驅動部的圖示。第1處理用構件10和第2處理用構件20的至少其中任一方可相對于另一方接近和分離，從而使兩處理用面1、2可接近和分離。在本實施方式中，第2處理用構件20可相對于第1處理用構件IO接近和分離。但是，與之相反，也可以是第1處理用構件10相對于第2處理用構件20接近和分離，或者兩處理用構件10、20相互接近和分離。第2處理用構件20配置在第1處理用構件10的上方，第2處理用構件20的朝向下方的面、即下表面，為上述第2處理用面2，第1處理用構件10的朝向上方的面、即上面，為上述的第l處理用面l。如圖1(A)所示，在本實施方式中，第1處理用構件10及第2處理用構件20分別為環(huán)狀體，即圓環(huán)。以下，根據(jù)需要，稱第1處理用構件10為第1圓環(huán)10，稱第2處理用構件20為第2圓環(huán)20。在本實施方式中，兩圓環(huán)10、20是金屬制的一個端面被鏡面研磨的構件，以該鏡面作為第1處理用面1及第2處理用面2。S卩，第1圓環(huán)10的上端面作為第1處理用面1，被鏡面研磨，第2圓環(huán)20的下端面作為第2處理用面2，被鏡面研磨。至少一方的托架可通過旋轉驅動部相對于另一方的托架相對地旋轉。圖1(A)的50表示旋轉驅動部的旋轉軸。在旋轉驅動部中可采用電動機。通過旋轉驅動部，可使一方的圓環(huán)的處理用面相對于另一方的圓環(huán)的處理用面相對地旋轉。在本實施方式中，第1托架11通過旋轉軸50接受來自旋轉驅動部的驅動力，相對于第2托架21旋轉，這樣，和第1托架10形成一體的第1圓環(huán)10相對于第2圓環(huán)20旋轉。在第1圓環(huán)10的內(nèi)側，旋轉軸50以如下方式設置在第1托架11上，即，俯視時，其中心與圓形的第1圓環(huán)10的中心同心。第1圓環(huán)10的旋轉以圓環(huán)10的軸心為中心。雖未圖示，但是，軸心指圓環(huán)10的中心線，是假想線。如上所述，在本實施方式中，第1托架11使第1圓環(huán)10的第1處理用面1朝向上方，并保持第1圓環(huán)10，第2托架21使第2圓環(huán)20的第2處理用面2朝向下方，并保持第2圓環(huán)20。具體為，第1及第2托架11、21分別具有凹狀的圓環(huán)收容部。在本實施方式中，第1圓環(huán)11嵌合于第1托架11的圓環(huán)收容部，并且，第1圓環(huán)10固定于圓環(huán)收容部，從而不能從第1托架11的圓環(huán)收容部出沒。SP，上述第1處理用面1從第1托架11露出，面向第2托架21側。第1圓環(huán)10的材質除了金屬以外，還可采用陶瓷、燒結金屬、耐磨鋼、實施過硬化處理的其他金屬、或者涂敷、包覆、電鍍有硬質材料的材料。特別是，因為旋轉，最好用輕質的原料形成第1處理部10。關于第2圓環(huán)20的材質，也可以采用與第1圓環(huán)10相同的材質。另一方面，第2托架21所具有的圓環(huán)收容部41可出沒地收容第2圓環(huán)20的處理7用構件2。該第2托架21所具有的圓環(huán)收容部41是收容第2圓環(huán)20的、主要是與處理用面2側相反側部位的凹部，在俯視時呈圓形，即形成環(huán)狀的槽。圓環(huán)收容部41的尺寸比第2圓環(huán)20大，與第2圓環(huán)20之間有足夠的間隔，收容第2圓環(huán)20。通過該間隔，在該圓環(huán)收容部41內(nèi)，該第2圓環(huán)20可在環(huán)狀的圓環(huán)收容部41的軸方向以及在與該軸方向交叉的方向位移。換言之，通過該間隔，該第2圓環(huán)20能夠以改變與上述圓環(huán)收容部41的軸方向的平行關系的方式使圓環(huán)20的中心線相對于圓環(huán)收容部41位移。以下，將第2托架21的被第2圓環(huán)20圍繞的部位稱為中央部分22。對于上述說明，換言之，該第2圓環(huán)20以如下方式收容在圓環(huán)收容部41內(nèi)，即，能夠在圓環(huán)收容部41的推力方向即上述出沒方向位移，另外，能夠在相對于圓環(huán)收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第2圓環(huán)20以如下方式被收容，即，相對于圓環(huán)收容部41，在圓環(huán)20的圓周方向的各位置，能夠以從圓環(huán)收容部41出沒的幅度分別不同的方式位移，即，能夠中心振擺。雖然第2圓環(huán)20具有上述3個位移的自由度，即，與圓環(huán)收容部41相對的第2圓環(huán)20的軸方向、偏心方向、中心振擺方向的自由度，但第2圓環(huán)20以不隨第1圓環(huán)10旋轉的方式保持在第2托架21上。雖未圖示，但有關這一點，只要在圓環(huán)收容部41和第2圓環(huán)20上分別相對于圓環(huán)收容部41設置適當?shù)耐怀霾考纯桑瑥亩拗圃谄鋱A周方向的旋轉。但是，該突出部不得破壞上述3個位移的自由度。上述接觸表面壓力施加機構4沿使第1處理用面1和第2處理用面2接近的方向對處理用構件施加力。在本實施方式中，接觸表面壓力施加機構4設置在第2托架21上，將第2圓環(huán)20向第1圓環(huán)10彈壓。接觸表面壓力施加機構4將第2圓環(huán)20的圓周方向的各位置、即處理用面2的各位置均等地向第1圓環(huán)10彈壓。接觸表面壓力施加機構4的具體結構在后面再進行詳細敘述。如圖1(A)所示，上述殼體3配置在兩圓環(huán)10、20外周面的外側，收容生成物，該生成物在處理用面1、2間生成并排出到兩圓環(huán)10、20的外側。如圖1(A)所示，殼體3是收容第1托架10和第2托架20的液密的容器。第2托架20可以作為該殼體的一部分而與殼體3—體地形成。如上所述，不必說形成殼體3的一部分的情況，即使在與殼體3分體地形成的情況下，第2托架21也同樣不可動，從而不會影響兩圓環(huán)10、20間的間隔，即，兩處理用面1、2間的間隔。換言之，第2托架21不會對兩處理用面1、2間的間隔產(chǎn)生影響。在殼體3上，殼體3的外側設有用于排出生成物的排出口32。第1導入部dl向兩處理用面1、2間供給第1被處理流動物。上述流體壓力施加機構pl直接或間接地與該第1導入部dl連接，對第1被處理流體施加流體壓力。在流體壓力施加機構pl中，可采用壓縮機等其他泵。在該實施方式中，第1導入部dl是設置在第2托架21的上述中央部分22內(nèi)部的流體通道，其一端在第2托架21的俯視為圓形的第2圓環(huán)20的中心位置開口。另外，第1導入部dl的另一端在第2托架21的外部、即殼體3的外部與上述流體壓力施加機構pi相連接。第2導入部d2向處理用面用1、2間供給與第1被處理流體反應的第2流體。在該實施方式中，第2導入部為設置在第2圓環(huán)內(nèi)部的流體通道，其一端在第2處理用面2開口，其另一端與第2流體供給部p2相連接。在第2流體供給部p2中，可采用壓縮機等其他泵。通過流體壓力施加機構pi加壓的第1被處理流體從第1導入部dl被導入兩圓環(huán)10、20的內(nèi)側的空間，通過第1處理用面1和第2處理用面2之間，從兩圓環(huán)10、20的外側穿過。此時，承受第1被處理流體的輸送壓力的第2圓環(huán)20克服接觸表面壓力施加機構4的彈壓，遠離第1圓環(huán)IO，使兩處理用面間分開微小的間隔。關于因兩處理用面1、2的接近或分離而形成的兩處理用面1、2間的間隔，后面再詳細敘述。在兩處理用面1、2間，從第2導入部d2供給第2被處理流體并與第1被處理流體合流，利用處理用面的旋轉促進反應。然后，兩流體的反應所生成的反應生成物從兩處理用面1、2之間排出到兩圓環(huán)10、20的外側。在圓環(huán)10、20外側排出的反應生成物最終通過殼體的排出口排出到殼體的外部。上述被處理流體的混合及反應通過與第2處理用構件20相對的第1處理用構件10的由驅動部5所產(chǎn)生的旋轉，在第1處理用面1與第2處理用面2進行。在第1及第2處理用面1、2之間，第2導入部d2的開口部m2的下游側形成反應室，該反應室使上述第1被處理流體和第2被處理流體反應。具體而言，在兩處理用面1、2間，在表示第2圓環(huán)20的底面的圖11(C)中以斜線表示的第2圓環(huán)20直徑的內(nèi)外方向rl上，第2導入部的開口部m2、即第2開口部m2的外側區(qū)域H具有作為上述處理室、即反應室的功能。因此，該反應室在兩處理用面1、2間位于第1導入部dl和第2導入部d2的兩開口部ml、m2的下游側。從第2開口部m2導入至兩處理用面1、2之間的第2被處理流體，在上述形成反應室的區(qū)域H內(nèi)，與從第1開口部ml經(jīng)過圓環(huán)內(nèi)側的空間的導入至兩處理用面1、2之間的第1被處理流體混合，兩被處理流體反應。流體通過流體壓力施加機構pl而受到輸送壓力，并在兩處理用面1、2間的微小間隔中朝著圓環(huán)的外側移動，但是，由于第1圓環(huán)IO旋轉，所以，在上述反應區(qū)域H內(nèi)，被混合的流體并不是在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上從內(nèi)側向外側直線地移動，而是在俯視處理用面的狀態(tài)下，以圓環(huán)的旋轉軸為中心，螺旋狀地從圓環(huán)的內(nèi)側向外側移動。這樣，在進行混合反應的區(qū)域H，通過螺旋狀地從圓環(huán)的內(nèi)側向外側移動，從而可以確保在兩處理用面1、2之間的微小間隔中具有充分反應所需要的區(qū)間，并可促進其均勻的反應。另外，反應產(chǎn)生的生成物在上述微小的第1及第2處理用面1、2間形成均質的反應物，特別是在結晶或析出的情況下形成微粒。至少，在上述流體壓力施加機構pl負荷的輸送壓力、上述接觸表面壓力施加機構4的作用力、以及圓環(huán)的旋轉所產(chǎn)生的離心力的均衡的基礎上，可使兩處理用面1、2間的間隔均衡并成為優(yōu)選的微小間隔，并且，承受流體壓力施加機構pl負荷的輸送壓力及圓環(huán)的旋轉所產(chǎn)生的離心力的被處理流體，螺旋狀地在上述處理用面1、2間的微小間隔中移動，9促進反應。上述反應通過流體壓力施加機構pi所負荷的輸送壓力及圓環(huán)的旋轉而強制地進行。即，利用處理用面1、2，一邊強制地均勻混合，一邊引起反應，上述處理用面1、2可接近或分離的相互相對設置，并且至少有一方相對于另一方旋轉。所以，特別是，通過流體壓力施加機構pl所負荷的輸送壓力的調整及圓環(huán)的旋轉速度、即圓環(huán)的轉速的調整這種比較容易控制的方法，可控制反應的生成物的結晶或析出。這樣，該處理裝置通過輸送壓力及離心力的調整，進行影響生成物的大小的處理用面1、2間的間隔的控制，并且，在影響生成物的均勻生成的上述反應區(qū)域H內(nèi)的移動距離的控制方面極為優(yōu)異。另外，上述的反應處理的生成物并不局限于析出的物質，也包括液體。再者，旋轉軸50并不限于垂直配置，也可以配置在水平方向，也可傾斜的配置。處理中，圖示為兩處理用面1、2間的微小間隔內(nèi)進行反應的情況，實質上可以排除重力的影響。圖1(A)中所表示的第1導入部dl表示如下機構，即，在第2托架21中，與第2圓環(huán)20的軸心一致，朝上下鉛直延伸的機構。但是，第1導入部dl并不僅限于與第2圓環(huán)20的軸心一致的機構，只要是能夠向兩圓環(huán)10、20所圍成的空間供給第1被處理流體的機構即可，也可以設置在第2托架21的中央部分22的其他位置，另外，也可以是非垂直的傾斜的延伸的裝置。圖12(A)表示上述裝置的更優(yōu)選的實施方式。如圖所示，第2處理用構件20具有上述第2處理用面2，并且具有受壓面23，該受壓面23位于第2處理用面2的內(nèi)側并與該第2處理用面2鄰接。以下，該受壓面23又稱為分離用調整面23。如圖所示，該分離用調整面23為傾斜面。如前所述，在第2托架21的底部、即下部，形成圓環(huán)收容部41，該圓環(huán)收容部41內(nèi)收容有第2處理用構件20。另外，雖沒有圖示，通過旋轉阻止裝置，使第2處理用構件20相對于第2托架21不旋轉地被收容。上述第2處理用面2從第2托架21中露出。在該實施方式中，處理用面1、2間的、第1處理用構件10及第2處理用構件20的內(nèi)側為被處理物的流入部，第1處理用構件10及第2處理用構件20的外側為被處理物的流出部。上述接觸表面壓力施加機構4推壓第2處理用面2，使其相對于第1處理用面1處于壓接或接近的狀態(tài)，通過該接觸表面壓力與流體壓力等使兩處理用面1、2間分離的力的平衡，產(chǎn)生上述預定膜厚的流體膜。換言之，通過上述力的平衡，兩處理用面1、2間的間隔保持為預定的微小間隔。具體而言，在該實施方式中，接觸表面壓力施加機構4由以下部分構成上述圓環(huán)收容部41;發(fā)條收容部42，該發(fā)條收容部42設置在圓環(huán)收容部41的內(nèi)部即圓環(huán)收容部41的最深處；彈簧43;以及，空氣導入部44。但是，接觸表面壓力施加機構4也可只具有上述圓環(huán)收容部41、上述發(fā)條收容部42、彈簧43以及空氣導入部44中的至少任意一個。圓環(huán)收容部41與第2處理用構件20間隙配合，從而圓環(huán)收容部41內(nèi)的第2處理用構件20的位置或深或淺地位移，即可上下位移。上述彈簧43的一端與發(fā)條收容部42的內(nèi)部抵接，彈簧43的另一端與圓環(huán)收容部41內(nèi)的第2處理用構件20的前部即上部抵接。在圖1中，彈簧43雖僅顯示1個，但是優(yōu)選通過多個彈簧43來推壓第2處理用構件20的各個部分。即，通過增加彈簧43的數(shù)目，可以賦予第2處理用構件20更加均等的推壓力。所以，優(yōu)選第2托架21為安裝數(shù)個至數(shù)十個彈簧43的復合型。在該實施方式中，還可通過上述空氣導入部44向圓環(huán)收容部41內(nèi)導入空氣。通過這樣的空氣的導入，將圓環(huán)收容部41與第2處理用構件20之間作為加壓室，將彈簧43與空氣壓力一起作為推壓力施加于第2處理用構件20上。因此，通過調整從空氣導入部44導入的空氣壓力，可調整運轉中第2處理用面2相對于第1處理用面1的接觸表面壓力。并且，代替利用空氣壓力的空氣導入部44，也可利用通過油壓等其他的流體壓力產(chǎn)生推壓力的機構。接觸表面壓力施加機構4除了供給并調節(jié)上述推壓力即接觸表面壓力的一部分之外，還兼作位移調整機構和緩沖機構。詳細而言，接觸表面壓力施加機構4作為位移調整機構，通過空氣壓的調整而追隨啟動時及運轉中軸方向的伸展或磨耗所引起的軸向位移，可維持初期的推壓力。另外，如上所述，接觸表面壓力施加機構4由于采用可位移地保持第2處理用構件20的浮動機構，也具有作為微振動及旋轉定位的緩沖機構的功能。接著，關于采用上述結構的處理裝置的使用狀態(tài)，根據(jù)圖1(A)進行說明。首先，第1被處理流體承受來自流體壓力施加機構pl的輸送壓力，通過第1導入部dl導入密閉殼體的內(nèi)部空間。另一方面，通過由旋轉驅動部所產(chǎn)生的旋轉軸50的旋轉，第1處理用構件10旋轉。由此，使第1處理用面1與第2處理用面2在保持微小間隔的狀態(tài)下相對地旋轉。第1被處理流體在保持微小間隔的兩處理用面1、2間形成流體膜，從第2導入部d2導入的第2被處理流體在兩處理用面1、2間與該流體膜合流，同樣構成流體膜的一部分。通過該合流，第1及第2被處理流體混合，兩流體發(fā)生反應，并促進均勻反應，形成其反應生成物。由此，在伴有析出的情況下，可較均勻地形成微小粒子，即使在不伴有析出的情況下，仍可實現(xiàn)均勻的反應。另外，析出的反應生成物由于第1處理用面1的旋轉而在其與第2處理用面2間受到剪切，有時會被進一步微小化。在此，通過將第1處理用面1與第2處理用面2的間隔調整為1ym至lmm、特別是1ym至10ym的微小間隔，從而能夠實現(xiàn)均勻的反應，同時，可生成數(shù)nm單位的超微粒子。生成物從兩處理用面1、2間排出，通過殼體3的排出口33排出到殼體外部。排出后的生成物通過周知的減壓裝置在真空或減壓后的環(huán)境內(nèi)形成霧狀，在碰到環(huán)境內(nèi)的其他部分后成為流體流下，可以作為除氣后的液態(tài)物被回收。此外，在該實施方式中，處理裝置雖具有殼體，但也可以不設置這樣的殼體。例如，可以設置除氣用的減壓槽，即真空槽，并在其內(nèi)部配置處理裝置。在該情況下，在處理裝置上當然不具有上述排出口。如上所述，可將第1處理用面1與第2處理用面2的間隔調整為機械的間隔設定不可能達到的ym單位的微小間隔，其結構說明如下。第1處理用面1與第2處理用面2可相對地接近或分離，并且相對地旋轉。在該11例中，第1處理用面1旋轉，第2處理用面2在軸方向滑動，相對于第1處理用面1接近或分離。因此，在該例中，第2處理用面2的軸方向位置通過力的平衡，即上述的接觸表面壓力與分離力的平衡，設定為ym單位的精度，從而進行處理用面1、2間的微小間隔的設定。如圖12(A)所示，作為接觸表面壓力，可以舉出以下例子在接觸表面壓力施加機構4中，從空氣導入部44施加的空氣壓、即施加正壓情況下的該壓力；以及，彈簧43的推壓力。此外，在圖1315所示的實施方式中，為避免圖面的繁雜，省略了第2導入部d2的描繪。關于這一點，也可以看成是未設置第2導入部d2的位置的剖面。另外，圖中，U表示上方，S表示下方。另一方面，作為分離力，可以舉出以下例子作用在分離側的受壓面、即第2處理用面2及分離用調整面23上的流體壓力；第1處理用構件1的旋轉所產(chǎn)生的離心力；以及，對空氣導入部44施加負壓的情況下的該負壓。再者，在對裝置進行清洗時，通過增大施加于上述空氣導入部44的負壓，可加大兩處理用面1、2的分離，可容易地進行清洗。并且，通過這些力的平衡，使第2處理用面2安定地處于相對于第1處理用面1隔開預定的微小間隔的位置，從而實現(xiàn)Pm單位精度的設定。對分離力進一步詳細地說明如下。首先，關于流體壓力，密封流路中的第2處理用構件20承受來自于流體壓力施加機構P的被處理流體的送入壓力，即流體壓力。此時，與流路中的第1處理用面相對的面、即第2處理用面2和分離用調整面23成為分離側的受壓面，流體壓力作用在該受壓面上，產(chǎn)生因流體壓所引起的分離力。其次，關于離心力，如果第1處理用構件10高速旋轉，則離心力作用于流體，該離心力的一部分成為分離力，該分離力作用在兩處理用面1、2相互遠離的方向上。此外，當從上述空氣導入部44向第2處理用構件20施加負壓時，該負壓作為分離力起作用。以上，在本申請發(fā)明的說明中，將使第1與第2處理用面1、2相互分離的力作為分離力進行說明，并非將上述表示的力從分離力中排除。如上所述，在密封的被處理流體的流路中，經(jīng)由處理用面1、2間的被處理流體，形成分離力與接觸表面壓力施加機構4所賦予的接觸表面壓力達到平衡的狀態(tài)，從而，在兩處理用面1、2間實現(xiàn)均勻反應，同時，形成適合進行微小反應生成物的結晶或析出的流體膜。這樣，該裝置通過在兩處理用面1、2間強制地介入流體膜，可維持兩處理用面1、2之間的間隔為以往的機械的裝置中不可能實現(xiàn)的微小間隔，從而實現(xiàn)高精度地生成作為反應生成物的微粒子。換言之，處理用面1、2間的流體膜的膜厚通過上述分離力與接觸表面壓力的調整而調整至預定的厚度，能夠實現(xiàn)所需的均勻反應并進行微小的生成物的生成處理。所以，在要形成小的流體膜厚度的情況下，只要調整接觸表面壓力或分離力，從而使接觸表面壓力相對于分離力增大即可，相反地，在要形成大的流體膜厚度的情況下，只要調整接觸表面壓力或分離力，從而使分離力相對于接觸表面壓力增大即可。在增加接觸表面壓力的情況下，在接觸表面壓力施加機構4中，從空氣導入部44賦予空氣壓、即正壓，或者，將彈簧43變更為推壓力大的彈簧或增加其個數(shù)即可。在增加分離力的情況下，可以增加流體壓力施加機構pl的送入壓力，或者增加第2處理用面2、分離用調整面23的面積，除此之外，還可以調整第2處理用構件20的旋轉從而增大離心力，或者減低來自空氣導入部44的壓力?；蛘?，可以賦予負壓。彈簧43是作為在伸長方向產(chǎn)生推壓力的推力發(fā)條，但是，也可以是作為在收縮方向產(chǎn)生力的拉力發(fā)條，可形成接觸表面壓力施加機構4的結構的一部分或全部。在減小分離力的情況下，可以減少流體壓力施加機構pl的送入壓力，或者減少第2處理用面2或分離用調整面23的面積，除此之外，還可以調整第2處理用構件20的旋轉從而減少離心力，或者增大來自空氣導入部44的壓力。或者也可以賦予負壓。另外，作為接觸表面壓力以及分離力的增加減少的要素，除上述以外，還可加入粘度等被處理流體的特性，這樣的被處理流體的特性的調整也可作為上述要素的調整來進行。再者，分離力之中，作用于分離側的受壓面即第2處理用面2以及分離用調整面23上的流體壓力可理解為構成機械密封的開啟力。在機械密封中，第2處理用構件20相當于密封環(huán)，在對該第2處理用構件20施加流體壓力的情況下，當作用使第2處理用構件20與第1處理用構件10分離的力作用時，該力為開啟力。更詳細而言，如上述的第1實施方式那樣，當在第2處理用構件20中僅設置分離側的受壓面、即第2處理用面2以及分離用調整面23的情況下，送入壓力的全部構成開啟力。并且，當在第2處理用構件20的背面?zhèn)纫苍O置受壓面時，具體而言，在后述的圖12(B)及圖17的情況下，在送入壓力之中，作為分離力作用的力與作為接觸表面壓力作用的力的差形成開啟力。在此，使用圖12(B)對第2處理用構件20的其他實施方式進行說明。如圖12(B)所示，在從該第2處理用構件20的圓環(huán)收容部41露出的部位并且在內(nèi)周面?zhèn)?，設置面向第2處理用面2的相反側即上方側的接近用調整面24。即，在該實施方式中，接觸表面壓力施加機構4由圓環(huán)收容部41、空氣導入部44以及上述接近用調整面24構成。但是，接觸表面壓力施加機構4也可以只具備上述圓環(huán)收容部41、上述發(fā)條收容部42、彈簧43、空氣導入部44以及上述接近用調整面24中的至少任意一個。該接近用調整面24承受施加在被處理流體上的預定的壓力，產(chǎn)生使第2處理用面2朝與第1處理用面1接近的方向移動的力，作為接近用接觸表面壓力施加機構4的一部分，擔當接觸表面壓力的供給側的作用。另一方面，第2處理用面2與上述的分離用調整面23承受施加在被處理流體上的預定的壓力，產(chǎn)生使第2處理用面2朝與第1處理用面1分離的方向移動的力，擔當分離力的一部分的供給側的作用。接近用調整面24、第2處理用面2以及分離用調整面23均為承受上述被處理流體的輸送壓力的受壓面，根據(jù)其方向，實現(xiàn)產(chǎn)生上述接觸表面壓力與產(chǎn)生分離力的不同的作用。接近用調整面24的投影面積Al與合計面積A2的面積比Al/A2稱為平衡比K，對上述的開啟力的調整非常重要，其中，接近用調整面24的投影面積A1是在與處理用面的接近、分離的方向、即第2圓環(huán)20的出沒方向正交的假想平面上投影的接近用調整面24的投影面積，合計面積A2是在該假想平面上投影的第2處理用構件20的第2處理用面2及分離側受壓面23的投影面積的合計面積。接近用調整面24的前端與分離側受壓面23的前端一同被限定在環(huán)狀的第2調整用部20的內(nèi)周面25即前端線Ll上。因此，通過決定接近用調整面24的基端線L2的位置，可進行平衡比的調整。S卩，在該實施方式中，在利用被處理用流體的送出壓力作為開啟力的情況下，通過使第2處理用面2以及分離用調整面23的合計投影面積大于接近用調整面24的投影面積，可產(chǎn)生與其面積比率相對應的開啟力。對于上述開啟力，變更上述平衡線，即變更接近用調整面24的面積A1，由此，能夠通過被處理流體的壓力、即流體壓力進行調整?；瑒用鎸嶋H表面壓力P、即接觸表面壓力中的流體壓力所產(chǎn)生的表面壓力可用下式計算。P=P1X(K-k)+Ps式中，Pl表示被處理流體的壓力、即流體壓力，K表示上述平衡比，k表示開啟力系數(shù)，Ps表示彈簧及背壓力。通過該平衡線的調整來調整滑動面實際表面壓力P，由此使處理用面1、2間形成所希望的微小間隔量，形成被處理流體所產(chǎn)生的流體膜，使生成物變微小，進行均勻的反應處理。通常，如果兩處理用面1、2間流體膜的厚度變小，則可使生成物更微小。相反，如果流體膜的厚度變大，處理變得粗糙，單位時間的處理量增加。所以，通過上述滑動面實際表面壓力P的調整，能夠調整兩處理用面1、2間的間隔，可以在實現(xiàn)所期望的均勻反應的同時獲得微小的生成物。以下，稱滑動面實際表面壓力P為表面壓力P。歸納該關系，在上述生成物較粗的情況下，可以減小平衡比，減小表面壓力P，增大間隔，增大上述膜厚。相反，在上述生成物較小的情況下，可以增大平衡比，增大表面壓力P，減小上述間隔，減小上述膜厚。這樣，作為接觸表面壓力施加機構4的一部分，形成接近用調整面24，通過其平衡線的位置，可以實施接觸表面壓力的調整，即可調整處理用面間的間隔。在上述間隔的調整中，如上所述，還可以考慮通過改變上述彈簧43的推壓力及空氣導入部44的空氣壓力來進行。并且，流體壓力即被處理流體的輸送壓力的調整、及成為離心力的調整的第1處理用構件10即第1托架11的旋轉的調整，也是重要的調整要素。如上所述，該裝置以如下方式構成，即，對于第2處理用構件20及相對于第2處理用構件20旋轉的第1處理用構件10，通過取得被處理流體的送入壓力、該旋轉離心力以及接觸表面壓力的壓力平衡，在兩處理用面上形成預定的流體膜。并且，圓環(huán)的至少一方為浮動構造，從而吸收芯振動等的定位，排除接觸所引起的磨耗等的危險性。該圖12(B)的實施方式中，對于具備上述調整用面以外的結構，與圖1(A)所示的實施方式一樣。另外，在圖12(B)所示的實施方式中，如圖17所示，可以不設置上述分離側受壓面23。如圖12(B)及圖17所示的實施方式那樣，在設置接近用調整面24的情況下，通過使接近用調整面24的面積A1大于上述面積A2，從而不產(chǎn)生開啟力，相反，施加在被處理流體上的預定的壓力全部作為接觸表面壓力而起作用。也可進行這樣的設定，在該情況下，通過增大其他的分離力，可使兩處理用面1、2均衡。通過上述的面積比決定了作用在使第2處理用面2從第1處理用面1分離方向的力，該力作為從流體所受到的力的合力。上述實施方式中，如上所述，彈簧43為了對滑動面即處理用面賦予均勻的應力，安裝個數(shù)越多越好。但是，該彈簧43也可如圖13所示那樣，采用單巻型彈簧。其為如圖所示的、中心與環(huán)狀的第2處理用構件20同心的1個螺旋式彈簧。第2處理用構件20與第2托架21之間以成為氣密的方式密封，該密封可采用眾所周知的機構。如圖14所示，第2托架21中設有溫度調整用封套46，該溫度調整用封套46冷卻或加熱第2處理用構件20，可調節(jié)其溫度。并且，圖14的3表示上述的殼體，在該殼體3中，也設有同樣目的的溫度調節(jié)用封套35。第2托架21的溫度調節(jié)用封套46是水循環(huán)用空間，該水循環(huán)用空間形成于在第2托架21內(nèi)的圓環(huán)收容部41的側面，并與連通至第2托架21外部的通道47、48相連接。通道47、48的其中一方向溫度調整用封套46導入冷卻或加熱用的介質，其中另一方排出該介質。另外，殼體3的溫度調整用封套35是通過加熱用水或冷卻水的通道，其通過設置在覆蓋殼體3的外周的覆蓋部34而設置在殼體3的外周面與該覆蓋部34之間。在該實施方式中，第2托架21及殼體3具備上述溫度調整用封套，但是，第1托架11中也可設置這樣的封套。作為接觸表面壓力施加機構4的一部分，除上述以外，也可設置如圖15所示的汽缸機構7。該汽缸機構7具有汽缸空間部70，該汽缸空間部70設置在第2托架21內(nèi)；連接部71，該連接部71連接汽缸空間部70與圓環(huán)收容部41;活塞體72，該活塞體72收容在汽缸空間部70內(nèi)且通過連接部71與第2處理用構件20相連接；第1噴嘴73，該第1噴嘴73與汽缸空間部70的上部相連接；第2噴嘴74，該第2噴嘴74位于汽缸空間部70的下部；推壓體75，該推壓體75為介于汽缸空間部70上部與活塞體72之間的發(fā)條等。活塞體72可在汽缸空間部70內(nèi)上下滑動，通過活塞體72的該滑動，第2處理用構件20上下滑動，從而可變更第1處理用面1與第2處理用面2之間的間隔。雖未圖示，具體為，將壓縮機等壓力源與第1噴嘴73相連接，通過從第1噴嘴73向汽缸空間部70內(nèi)的活塞體72的上方施加空氣壓力，即正壓，使活塞體72向下方滑動，從而，第2處理用構件20可使第1與第2處理用面1、2間的間隔變窄。另外，雖未圖示，將壓縮機等壓力源與第2噴嘴74相連接，通過從第2噴嘴74向汽缸空間部70內(nèi)的活塞體72的下方施加空氣壓力，即正壓，使活塞體72向上方滑動，從而可使第2處理用構件20朝著擴大第1與第2處理用面1、2間的間隔的方向即打開的方向移動。這樣，利用從噴嘴73、74獲得的空氣壓，可調整接觸表面壓力。即使圓環(huán)收容部41內(nèi)的第2處理用構件20的上部與圓環(huán)收容部41的最上部之間有足夠的空間，通過與汽缸空間部70的最上部70a抵接地設定活塞體72，該汽缸空間部70的最上部70a也限定了兩處理用面1、2間的間隔的寬度的上限。即，活塞體72與汽缸空間部70的最上部70a作為抑制兩處理用面1、2分離的分離抑制部而發(fā)揮作用，換言之，作為限制兩處理用面1、2間的間隔的最大分開量的機構發(fā)揮作用。另外，即使兩處理用面1、2彼此未抵接，通過與汽缸空間部70的最下部70b抵接地設定活塞體72，該汽缸空間部70的最下部70b限定了兩處理用面1、2間的間隔寬度的下限。即，活塞體72與汽缸空間部70的最下部70b作為抑制兩處理用面1、2接近的接近抑制部而發(fā)揮作用，更換言之，作為限制兩處理用面1、2間的間隔的最小分開量的機構而發(fā)揮作用。這樣，一邊限定上述間隔的最大及最小的分開量，一邊可通過上述噴嘴73、74的空氣壓來調整汽缸體7與汽缸空間部70的最上部70a的間隔zl，換言之，調整汽缸體7與汽缸空間部70的最下部70b的間隔z2。噴嘴73、74可以與另一個壓力源連接，也可以通過切換或轉接連接于一個壓力源。并且，壓力源可以是供給正壓或供給負壓的任一種裝置。在真空等負壓源與噴嘴73、74相連接的情況下，形成與上述動作相反的動作。取代上述的其他接觸表面壓力施加機構4或者作為上述的接觸表面壓力施加機構4的一部分，設置這樣的汽缸機構7，根據(jù)被處理流體的粘度及其特性，進行與噴嘴73、74相連接的壓力源的壓力及間隔zl、z2的設定，使流體液膜的厚度達到所期望的值，施以剪切力，實現(xiàn)均勻的反應，可生成微小的粒子。特別是，通過這樣的汽缸機構7，可以在清洗及蒸汽滅菌等時候進行滑動部的強制開閉，可提高清洗及滅菌的可靠性。如圖16(A)(C)所示，可以在第1處理用構件10的第1處理用面1上形成槽狀凹部13...13，該槽狀凹部13...13從第1處理用構件10的中心側朝向外側延伸，即在徑向上延伸。在該情況下，如圖16(A)所示，凹部13...13可作為在第1處理用面1上彎曲或螺旋狀延伸的部分來實施，如圖16(B)所示，也可以實施為各個凹部13彎曲為L字型的槽，并且，如圖16(C)所示，凹部13...13也可實施為呈直線放射狀延伸的槽。另外，如圖16(D)所示，優(yōu)選圖16(A)(C)的凹部13以成為朝向第1處理用面1的中心側逐漸加深的凹部的方式傾斜而形成。并且，槽狀的凹部13除了可以是連續(xù)的槽之外，也可是間斷的槽。通過形成這樣的凹部13，具有應對被處理流體的排出量的增加或發(fā)熱量的減少、空蝕控制以及流體軸承等效果。在上述圖16所示各實施方式中，凹部13雖然形成在第1處理用面1上，但也可實施為形成在第2處理用面2上，并且，也可實施為形成在第1及第2處理用面1、2雙方上。在處理用面上未設置上述凹部13或錐度的情況下，或者，在使它們偏置于處理用面的一部分的情況下，處理用面1、2的表面粗糙度對被處理流體施加的影響比形成上述凹部13的裝置大。所以，在這樣的情況下，如果要使被處理流體的粒子變小，就必須降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特別是，在以均勻反應為目的的情況下，對于其處理用面的表面粗糙度，在以實現(xiàn)均勻的反應并獲得微粒子為目的的情況下，前述鏡面、即施加了鏡面加工的面有利于實現(xiàn)微小的單分散的反應物的結晶或析出。在圖13至圖17所示的實施方式中，特別明示以外的結構與圖1(A)或圖11(C)所示實施方式相同。另外，在上述各實施方式中，殼體內(nèi)全部密封，但是，除此以外，也可實施為，僅第1處理用構件10及第2處理用構件20的內(nèi)側被密封，其外側開放。即，直到通過第1處理用面1及第2處理用面2之間為止，流路被密封，被處理流體承受全部輸送壓力，但是，在通過后，流路被打開，處理后的被處理流體不承受輸送壓力。在流體壓力施加機構pl中，作為加壓裝置，如上所述，優(yōu)選使用壓縮機實施，但是，只要能一直對被處理流體施加預定的壓力，也可使用其他的裝置實施。例如，可以通過如下裝置實施，即，利用被處理流體的自重，一直對被處理流體施加一定的壓力的裝置。概括上述各實施方式中的處理裝置，其特征為，對被處理流體施加預定的壓力，在承受該預定壓力的被處理流體所流動的被密封的流體流路中，連接第1處理用面1及第2處理用面2至少2個可接近或分離的處理用面，施加使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，通過使第1處理用面1與第2處理用面2相對地旋轉，利用被處理流體產(chǎn)生機械密封中用于密封的流體膜，與機械密封相反(不是將流體膜用于密封)，使該流體膜從第1處理用面1及第2處理用面2之間漏出，在兩面1、2間成為膜的被處理流體間，實現(xiàn)反應處理并回收。通過上述劃時代的方法，可將兩處理用面1、2間的間隔調整為1ym至lmm，尤其是可進行110ii的調整。在上述實施方式中，裝置內(nèi)構成被密封的流體的流路，利用在處理裝置的(第l被處理流體的)導入部側設置的流體壓力施加機構P，對被處理流體加壓。另外，也可以不用這樣的流體壓力施加機構p進行加壓，而是通過被處理流體的流路被打開的裝置來實施。圖18至圖20表示這樣的處理裝置的一個實施方式。另外，在該實施方式中，示例有作為處理裝置的、具有除氣功能的裝置，S卩，具有從作為處理物而生成的物質中除去液體，最終僅確保作為目的的固體(結晶)的機能的裝置。圖18(A)為處理裝置的簡略縱剖面圖，圖18(B)是其局部擴大剖面圖。圖19是備有圖18所示的處理裝置的第1處理用構件1的俯視圖。圖20是上述處理裝置的第1及第2處理用構件1、2的主要部分的局部縱剖面圖。該圖18至圖20中所示的裝置如上所述，在大氣壓下，投入作為處理對象的流體，即被處理流體或搬送這樣處理對象物的流體。另外，圖18(B)及圖20中，為避免圖面的繁雜，省略了第2導入部d2的描畫(也可看成剖面處于不設有第2導入部d2位置)。如圖18(A)所示，該處理裝置具備反應裝置G及減壓泵Q。該反應裝置G具備作為旋轉構件的第1處理用構件101;保持該處理用構件101的第1托架111;作為相對于殼體被固定的構件的第2處理用構件102;固定該第2處理用構件102的第2托架121;彈壓機構103;動壓發(fā)生機構104(圖19(A));使第1處理用構件101與第1托架111一同旋轉的驅動部；殼體106;供給(投入)第1被處理流體的第1導入部dl;向減壓泵Q排出流體的排出部108。關于驅動部省略其圖示。上述第1處理用構件101及第2處理用構件102分別是具有挖空圓柱中心的形狀的環(huán)狀體。兩處理用構件101、102是分別把兩處理用構件101、102所呈圓柱的一個底面作為處理用面110、120的構件。上述處理用面110U20具有被鏡面研磨的平坦部。在該實施方式中，第2處理用構件102的處理用面120是整個面都實施了鏡面研磨的平坦面。另外，雖然使第1處理用構件IOI的處理用面110的整個面成為與第2處理用構件102相同的平坦面，但是，如圖19(A)所示，在平坦面中，有多個溝槽112...112。該溝槽112...112以第1處理用構件101所呈圓柱的中心為中心側，向圓柱的外周方向放射狀地延伸。有關上述第1及第2處理用構件101、102的處理用面110、120的鏡面研磨，優(yōu)選表面粗糙度為RaO.011.0iim。更優(yōu)選該鏡面研磨達到RaO.030.3ym。有關處理用構件101、102的材質，采用硬質且可以鏡面研磨的材料。有關處理用構件101U02的該硬度，優(yōu)選為至少維式硬度1500以上。并且，優(yōu)選采用線膨脹系數(shù)小的原料或熱傳導高的原料。這是由于，在處理時產(chǎn)生熱量的部分與其他部分之間，如果膨脹率的差較大，就會發(fā)生變形，從而影響適當間隔的確保。作為上述處理用構件101U02的原料，尤其優(yōu)選采用以下物質等SIC即碳化硅，其維式硬度為20002500;表面以DLC即類鉆碳涂層的SIC，其中類鉆碳的維式硬度為30004000;WC即碳化鎢，其維式硬度為1800;表面施加了DLC涂層的WC、ZrB2或以BTC、B4C為代表的硼系陶瓷，維式硬度為40005000。圖18所示的殼體106雖省略了底部的圖示，但是為有底的筒狀體，上方被上述第2托架121覆蓋。第2托架121在其下表面固定上述第2處理用構件102，在其上方設有上述導入部dl。導入部dl備有料斗170，該料斗170用于從外部投入流體或被處理物。雖未圖示，上述的驅動部具備電動機等動力源以及從該動力源接受動力供給而旋轉的軸50。如圖18(A)所示，軸50配置于殼體106的內(nèi)部朝上下延伸。并且，軸50的上端部設有上述第1托架111。第1托架111是保持第1處理用構件101的裝置，通過設置在上述軸50上，使第1處理用構件101的處理用面110與第2處理用構件102的處理用面120相對應。第1托架111為圓柱狀體，在其上表面中央固定有第1處理用構件101。第1處理用構件101與第1托架111成為一體地被固定，相對于第1托架111不改變其位置。另一方面，在第2托架121的上表面中央形成有收容第2處理用構件102的收容凹部124。上述收容凹部124具有環(huán)狀的橫剖面。第2處理用構件102以與收容凹部124同心的方式收容在圓柱狀的收容凹部124內(nèi)。該收容凹部124的結構與圖1(A)所示的實施方式相同(第1處理用構件101對應第1圓環(huán)IO，第1托架111對應第1托架ll，第2處理用構件102對應第2圓環(huán)20，第2托架121對應第2托架21)。并且，該第2托架121具備上述彈壓機構103。優(yōu)選彈壓機構103使用彈簧等彈性體。彈壓機構103與圖1(A)的接觸表面壓力施加機構4對應，采用同樣結構。S卩，彈壓機構103推壓與第2處理用構件102的處理用面120相反側的面、即底面，對位于第1處理用構件101偵U、即下方的第2處理用構件102的各位置均等地彈壓。另一方面，收容凹部124的內(nèi)徑大于第2處理用構件102的外徑，由此，當如上所述同心地配置時，在第2處理用構件102的外周面102b與收容凹部124的內(nèi)周面之間，如圖18(B)所示那樣，設定間隔tl。同樣，在第2處理用構件102的內(nèi)周面102a與收容凹部124的中心部分22的外周面之間，如圖18(B)所示那樣，設定間隔t2。上述間隔tl、t2分別用于吸收振動及偏心舉動，其大小以如下方式設定，即，大于等于能夠確保動作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第1處理用構件101的直徑為100mm至400mm的情況下，優(yōu)選該間隔tl、t2分別為0.050.3mm。第1托架111被一體地固定在軸50上，與軸50—起旋轉。另外，雖未圖示，利用制動器，第2處理用構件102不會相對于第2托架121旋轉。但是，在兩處理用面110U20間，為了確保處理所必需的0.110微米的間隔，即如圖20(B)所示的微小間隔t，在收容凹部124的底面、即頂部以及面向第2處理用構件102的頂部124a的面、即上面之間，設有間隔t3。對于該間隔t3，與上述間隔一起，考慮軸150振動及伸長而設定。如上所述，通過間隔tlt3的設定，第1處理用構件101不僅在相對于第2處理用構件102接近或分離的方向上可變，其處理用面110的中心及朝向即方向zl、z2也為可變。S卩，在該實施方式中，彈壓機構103和上述間隔tlt3構成浮動機構，通過該浮動機構，至少第2處理用構件102的中心及傾斜可以在從數(shù)微米至數(shù)毫米左右的很小量的范圍內(nèi)變動。由此，吸收旋轉軸的芯振動、軸膨脹、第1處理用構件101的面振動和振動。對第1處理用構件101的研磨用面110所備有的上述溝槽112，進一步詳細地說明如下。溝槽112的后端到達第1處理用構件101的內(nèi)周面101a，其前端朝著第1處理用構件101的外側y即外周面?zhèn)妊由?。該溝?12如圖19(A)所示，其橫截面積從環(huán)狀的第1處理用構件101的中心x側朝著第1處理用構件101的外側y即外周面?zhèn)戎饾u減少。溝槽112的左右兩側面112a、112b的間隔wl從第1處理用構件101的中心x側朝著第1處理用構件101的外側y即外周面?zhèn)戎饾u減小。并且，溝槽112的深度w2如圖19(B)所示，從第1處理用構件101的中心x側朝著第1處理用構件101的外側y即外周面?zhèn)戎饾u減小。即，溝槽112的底112c從第1處理用構件101的中心x側朝著第1處理用構件101的外側y即外周面?zhèn)戎饾u變淺。這樣，溝槽112的寬度及深度都朝著外側y即外周面?zhèn)戎饾u減小，從而使其橫截面積朝著外側y逐漸減小。并且，溝槽112的前端即y側成為終點。即，溝槽112的前端即y側不到達第1處理用構件101的外周面101b，在溝槽112的前端與外周面101b之間，隔著外側平坦面113。該外側平坦面113為處理用面110的一部分。在該圖19所示的實施方式中，上述溝槽112的左右兩側面112a、112b及底112c構成流路限制部。該流路限制部、第1處理用構件101的溝槽112周圍的平坦部以及第2處理用構件102的平坦部構成動壓發(fā)生機構104。但是，也可僅對溝槽112的寬度及深度的其中任一方采用上述結構，減小其截面積。上述的動壓發(fā)生機構104通過在第1處理用構件101旋轉時穿過兩處理用構件101、102間的流體，在兩處理用構件101、102間可確保所希望的微小間隔，在使兩處理用構件101、102分離的方向上產(chǎn)生作用力。通過上述動壓的發(fā)生，可在兩處理用面H0、120間產(chǎn)生O.110iim的微小間隔。這樣的微小間隔，雖可以根據(jù)處理的對象進行調整選擇，但是，優(yōu)選16iim，更優(yōu)選12iim。在該裝置中，通過上述微小間隔，可以實現(xiàn)以往不可能的均勻反應，并生成微粒子。溝槽112...112能夠以如下方式實施，S卩，筆直地從中心x側朝向外側y延伸。但是，在該實施方式中，如圖19(A)所示，對于第1處理用構件IOI的旋轉方向r，溝槽112的中心x側以比溝槽112的外側y先行的方式、即位于前方的方式彎曲，使溝槽112延伸。通過上述溝槽112...112彎曲地延伸，可更有效地通過動壓發(fā)生機構104產(chǎn)生分離力。下面，對該裝置的動作進行說明。從料斗17投入的、通過第1導入部dl的第1被處理流體R通過環(huán)狀的第2處理用構件102的中空部，受到第1處理用構件101的旋轉所產(chǎn)生的離心力作用的流體進入兩處理用構件101、102之間，在旋轉的第1處理用構件101的處理用面110與第2處理用構件102的處理用面120之間，進行均勻的反應及微小粒子的生成處理，隨后，來到兩處理用構件101U02的外側，通過排出部108排出至減壓泵Q側。以下，根據(jù)需要將第1被處理流體R僅稱為流體R。在上述中，進入到環(huán)狀第2處理用構件102的中空部的流體R如圖20(A)所示，首先，進入旋轉的第1處理用構件101的溝槽112。另一方面，被鏡面研磨的、作為平坦部的兩處理用面110U20即使通過空氣或氮氣等氣體也維持其氣密性。所以，即使受到旋轉所產(chǎn)生的離心力的作用，在該狀態(tài)下，流體也不能夠從溝槽112進入由彈壓機構103壓合的兩處理用面110、120之間。但是，流體R與作為流路限制部而形成的溝槽112的上述兩側面112a、112b及底112c慢慢地碰撞，產(chǎn)生作用于使分離兩處理用面110、120分離的方向上的動壓。如圖20(B)所示，由此，流體R從溝槽112滲出到平坦面上，可確保兩處理用面110、120間的微小間隔t即間隙。另外，在上述鏡面研磨后的平坦面間，進行均勻的反應及微小粒子的生成處理。并且，上述溝槽112的彎曲更為切實地對流體作用離心力，更有效地產(chǎn)生上述的動壓。如上所述，該處理裝置通過動壓與彈壓機構103所產(chǎn)生的彈壓力的平衡，能夠在兩鏡面即處理用面110、120之間確保微小且均勻的間隔即間隙。而且，通過上述結構，該微小間隔可形成為1Pm以下的超微小間隔。另外，通過采用上述浮動機構，處理用面110U20間的定位的自動調整成為可能，對于因旋轉及發(fā)熱所引起的各部分的物理變形，能夠抑制處理用面110U20間的各個位置的間隔的偏差，可維持該各個位置的上述微小間隔。再者，在上述實施方式中，浮動機構是僅在第2托架121上設置的機構。除此以外，還可以取代第2托架121，在第1托架111上也設置浮動機構，或者在第1托架111與第2托架121上都設置浮動機構。圖21至圖23表示上述的溝槽112的其他實施方式。如圖21(A)(B)所示，溝槽112作為流路限制部的一部分，可在其前端具備平坦的20壁面112d。并且，在該圖14所示的實施方式中，在底112c上，在第l壁面112d與內(nèi)周面101a之間設有臺階112e，該臺階112e也構成流路限制部的一部分。如圖22(A)(B)所示，溝槽112可實施為，具有多個分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通過縮小其寬度而具有流路限制部。在圖14及圖15的實施方式中，特別是對于沒有示出的結構，與圖1(A)、圖ll(C)、圖18至圖20中所示的實施方式相同。并且，在上述各實施方式中，對于溝槽112的寬度及深度的至少其中一方，從第1處理用構件101的內(nèi)側朝向外側，逐漸減小其尺寸，由此構成流路限制部。此外，如圖23(A)及圖23(B)所示，通過不變化溝槽112的寬度及深度在溝槽112中設置終端面112f，該溝槽112的終端面112f也可以形成流路限制部。如圖19、圖21及圖22表示的實施方式所示，動壓產(chǎn)生以如下方式進行，即，通過溝槽112的寬度及深度如前述那樣變化，使溝槽112的底及兩側面成為傾斜面，由此，該傾斜面成為相對于流體的受壓部，產(chǎn)生動壓。另一方面，在圖23(A)(B)所示實施方式中，溝槽112的終端面成為相對于流體的受壓部，產(chǎn)生動壓。另外，在該圖23(A)(B)所示的情況下，也可同時使溝槽112的寬度及深度的至少其中一方的尺寸逐漸減小。再者，關于溝槽112的結構，并不限定于上述圖19、圖21至圖23所示的結構，也可實施為具有其他形狀的流路限制部的結構。例如，在圖19、圖21至圖23所示結構中，溝槽112并不穿透到第1處理用構件101的外側。即，在第1處理用構件101的外周面與溝槽112之間，存在外側平坦面113。但是，并不限定于上述實施方式，只要能產(chǎn)生上述的動壓，溝槽112也可到達第1處理用構件101的外周面?zhèn)?。例如，在圖23(B)所示的第1處理用構件101的情況下，如虛線所示，可實施為，使剖面面積小于溝槽112的其他部位的部分形成于外側平坦面113上。另外，如上所述，以從內(nèi)側向外側逐漸減小截面積的方式形成溝槽112，使溝槽112的到達第1處理用構件101外周的部分(終端)形成最小截面積即可(未圖示)。但是，為有效地產(chǎn)生動壓，如圖19、圖21至圖23所示，優(yōu)選溝槽112不穿透第1處理用構件101外周面?zhèn)?。在此，對上述圖18至圖23所示的各種實施方式進行總結。該處理裝置使具有平坦處理用面的旋轉構件與同樣具有平坦處理用面的固定構件各自的平坦處理用面同心地相對，在旋轉構件的旋轉下，一邊從固定構件各自的開口部供給被反應原料，一邊從兩構件的相對的平面處理用面間進行反應處理，在該處理裝置中，不是機械地調整間隔，而是在旋轉構件中設置增壓機構，能夠通過其產(chǎn)生的壓力來保持間隔，并且形成機械的間隔調整所不可能達到的16ym的微小間隔，使生成粒子的微小化能力及反應的均勻化能力得到顯著提高。即，在該處理裝置中，旋轉構件與固定構件在其外周部具有平坦處理用面，該平坦處理用面具有面上的密封機能，能夠提供高速旋轉式處理裝置，該高速旋轉式處理裝置產(chǎn)生流體靜力學的力即流體靜力、流體動力學的力即流體動力、或者空氣靜力學-空氣動力學的力。上述的力使上述密封面之間產(chǎn)生微小的間隔，并可提供具有如下功能的反應處理裝置，即，非接觸、機械安全、高度微小化及反應均勻化。能形成該微小間隔的要因，一個是旋轉構件的轉速，另一個是被處理物(流體)的投入側與排出21側的壓力差。在投入側設置壓力施加機構的情況下，在投入側未設置壓力施加機構的情況即在大氣壓下投入被處理物(流體)的情況下，由于無壓力差，必須只依靠旋轉構件的轉速來產(chǎn)生密封面間的分離。這就是為人熟知的流體動力學的力或空氣動力學的力。圖18(A)所示裝置中，雖表示為將減壓泵Q連接在上述反應裝置G的排出部，但也可如前面所述那樣實施為，不設置殼體106，且不設置減壓泵Q，而是如圖24(A)所示，將處理裝置作為減壓用的容器T，在該容器T中配設反應裝置G。在該情況下，通過使容器T內(nèi)減壓至真空或接近真空的狀態(tài)，反應裝置G中生成的被處理物成霧狀地噴射到容器T內(nèi)，通過回收碰到容器T的內(nèi)壁而流下的被處理物，或，回收相對于上述流下的被處理物作為氣體(蒸汽)被分離的、充滿容器T上部的物質，可獲得處理后的目的物。另外，在使用減壓泵Q的情況下，如圖24(B)所示，處理裝置G經(jīng)由減壓泵Q連接氣密的容器T，在該容器T內(nèi)，處理后的被處理物形成霧狀，可進行目的物的分離或抽出。此外，如圖24(C)所示，減壓泵Q直接連接于處理裝置G，在該容器T內(nèi)，連接減壓泵Q以及與減壓泵Q分開的流體R的排出部，可進行目的物的分離。在該情況下，對于氣化部，液體R(液狀部)被減壓泵Q吸引聚集，通過排出部排出，而不從汽化部排出。在上述各實施方式中，示出了如下裝置，即，將第1及第2兩種被處理流體分別從第2托架21、121及第2圓環(huán)20、102導入，使之混合并反應的裝置。下面，對被處理流體向裝置導入的其他實施方式按順序進行說明。如圖1(B)所示，可實施為，在圖1(A)所示的處理裝置中，設置第3導入部d3，將第3被處理流體導入兩處理用面1、2之間，使其與第2被處理流體同樣地與第1被處理流體混合并反應。第3導入部d3向處理用面1、2供給與第1被處理流體混合的第3流體。在該實施方式中，第3導入部d3是設在第2圓環(huán)20內(nèi)部的流體通道，其一端在第2處理用面2上開口，其另一端連接第3流體供給部p3。在第3流體供給部p3中，可采用壓縮機、其他的泵。第3導入部d3在第2處理用面2上的開口部與第2導入部d2的開口部相比位于第1處理用面1的旋轉中心的外側。即，在第2處理用面2上，第3導入部d3的開口部較第2導入部d2的開口部位于下游側。在第3導入部d3的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向上隔開間隔。該圖1(B)所示裝置中，第3導入部d3以外的構成與圖1(A)所示的實施方式相同。并且，在該圖1(B)及下面說明的圖1(C)、圖1(D)、圖2圖11中，為避免圖面的繁雜，省略了殼體3。并且，在圖9(B)(C)、圖10、圖11(A)(B)中，描繪了殼體3的一部分。另外，如圖1(C)所示，可實施為，在圖1(B)所示處理裝置中，設置第4導入部d4，將第4被處理流體導入兩處理用面1、2之間，使其與第2及第3被處理流體同樣地與第1被處理流體混合并反應。第4導入部d4向處理用面1、2供給與第1被處理流體混合的第4流體。在該實施方式中，第4導入部d4是設在第2圓環(huán)20內(nèi)部的流體通道，其一端在第2處理用面2上開口，其另一端連接第4流體供給部p4。在第4流體供給部p4中，可采用壓縮機、其他的泵。第4導入部d4在第2處理用面2上的開口部較第3導入部d3開口部位于第1處理用面1的旋轉中心的外側。即，在第2處理用面2上，第4導入部d4的開口部較第3導入部d3的開口部位于下游側。對于圖1(C)所示裝置的第4導入部d4以外的結構，與圖1(B)所示的實施方式相同。并且，雖未圖示，也可實施為，另外設置第5導入部、第6導入部等5個以上的導入部，分別使5種以上的被處理流體混合并反應。另外，如圖1(D)所示，可實施為，在圖1(A)的裝置中，將設置在第2托架21上的第1導入部dl與第2導入部d2同樣地設置在第2處理用面2上，以取代將其設置在第2托架21上。在該情況下，在第2處理用面2上，第1導入部dl的開口部也較第2導入部d2位于旋轉的中心側即上游側。在上述圖1(D)所示裝置中，第2導入部d2的開口部與第3導入部d3的開口部一起配置在第2圓環(huán)20的第2處理用面2上。但是，導入部的開口部并不限于上述相對于處理用面進行的配置。特別是，可實施為，如圖2(A)所示，將第2導入部d2的開口部設置在第2圓環(huán)20的內(nèi)周面的、與第2處理用面鄰接的位置。在該圖2(A)所示裝置中，第3導入部d3的開口部雖與圖1(B)所示裝置同樣地配置在第2處理用面2上，但是，也可通過將第2導入部d2的開口部配置在上述第2處理用面2的內(nèi)側，即與第2處理用面2鄰接的位置，從而將第2被處理流體直接導入到處理用面上。如上所述，通過將第1導入部dl的開口部設置在第2托架21上，將第2導入部d2的開口部配置在第2處理用面2的內(nèi)側，即與第2處理用面2鄰接的位置(在該情況下，設置上述第3導入部d3不是必須的)，從而，特別是在使多個被處理流體反應的情況下，能夠將從第1導入部dl導入的被處理流體與從第2導入部d2導入的被處理流體在不反應的狀態(tài)下導入兩處理用面1、2之間，并且可使兩者在兩處理用面1、2間初次發(fā)生反應。因此，上述結構特別適合于使用反應性高的被處理流體的情況。再者，上述的"鄰接"并不僅限于以下情況，即，將第2導入部d2的開口部如圖2(A)所示地以與第2圓環(huán)20的內(nèi)側側面接觸的方式設置。從第2圓環(huán)20至第2導入部d2的開口部為止的距離為以下程度即可，即，在多個的被處理流體被導入兩處理用面1、2之間以前，不被完全混合或反應的程度，例如，也可以設置在接近第2托架21的第2圓環(huán)20的位置。并且，也可以將第2導入部d2的開口部設置在第1圓環(huán)10或第1托架11側。另外，在上述的圖1(B)所示裝置中，在第3導入部d3的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向隔開間隔，但也可實施為，如圖2(A)所示，不設置上述間隔，將第2及第3被處理流體導入兩處理用面1、2間，立刻使兩流體合流。根據(jù)處理的對象選擇上述圖2(A)所示裝置即可。另外，在上述的圖1(D)所示裝置中，第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環(huán)20直徑的內(nèi)外方向隔開了間隔，但也可實施為，不設置該間隔，而將第1及第2被處理流體導入兩處理用面1、2間，立刻使兩流體合流。根據(jù)處理的對象選擇這樣的開口部的配置即可。在上述的圖1(B)及圖1(C)所示實施方式中，在第2處理用面2上，將第3導入部d3的開口部配置在第2導入部d2的開口部的下游側，換言之，在第2圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向上，配置在第2導入部d2的開口部的外側。此外，如圖2(C)及圖3(A)所示，可實施為，在第2處理用面2上，將第3導入部d3的開口部配置于在第2圓環(huán)20的周方向r0上與第2導入部d2開口部不同的位置。在圖3中，ml表示第1導入部dl的開口部即第1開口部，m2表示第2導入部d2的開口部即第2開口部，m3表示第3導入部d3的開口部(第3開口部)，rl為圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向。并且，第1導入部dl設置在第2圓環(huán)上的情況也可實施為，如圖2(D)所示，在第2處理用面2上，將第1導入部dl的開口部配置于在第2圓環(huán)20的周方向與第2導入部d2的開口部不同的位置。在上述圖2(B)所示裝置中，在第2圓環(huán)20的處理用面2上，2個導入部的開口部被配置在周方向r0的不同位置，但是，也可實施為，如圖3(B)所示，在圓環(huán)的周方向r0的不同位置配置3個導入部的開口部，或如圖3(C)所示，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置配置4個導入部的開口部。另外，在圖3(B)(C)中，m4表示第4導入部的開口部，在圖3(C)中，m5表示第5導入部的開口部。并且，雖未圖示，也可實施為，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置配置5個以上的導入部的開口部。在上述圖2(B)(D)以及圖3(A)(C)所示裝置中，第2導入部至第5導入部分別可導入不同的被處理流體，即第2、第3、第4、第5被處理流體。另一方面，可實施為，從第2第5的開口部m2m5，將全部同類的、即第2被處理流體導入處理用面之間。雖未圖示，在該情況下，可實施為，第2導入部至第5導入部在圓環(huán)內(nèi)部連通，并連接到一個流體供給部，即第2流體供給部p2。另外，可以通過組合以下裝置來實施，S卩，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置設置多個導入部的開口部的裝置，以及，在圓環(huán)直徑方向即直徑的內(nèi)外方向rl的不同位置設置多個導入部的開口部的裝置。例如，如圖3(D)所示，在第2處理用面2上設有8個導入部的開口部m2m9，其中的4個m2m5設置在圓環(huán)的周方向r0的不同位置并且設置在直徑方向rl上的相同位置，其他4個m5m8設置在圓環(huán)的周方向r0的不同位置并且設置在直徑方向rl上的相同位置。并且，該其他的開口部m5m8在直徑方向r上配置在上述4個開口部m2m5的直徑方向的外側。并且，該外側的開口部雖可分別設置于在圓環(huán)的圓周方向rO上與內(nèi)側的開口部相同的位置，但是，考慮圓環(huán)的旋轉，也可實施為，如圖3(D)所示，設置在圓環(huán)的周方向rO的不同位置。另外，在該情況下，開口部可為圖3(D)所示的配置及數(shù)量。例如，如圖3(E)所示，也可將徑方向外側的開口部配置在多邊形的頂點位置，即該情況下的四邊形的頂點位置，將徑方向內(nèi)側的開口部配置在該多邊形的邊上。當然，也可采用其他的配置。另外，在第1開口部ml以外的開口部都將第2被處理流體導入處理用面間的情況下，可以實施為，各導入第2被處理流體的該開口部不是在處理用面的周方向r0上散布，而是如圖3(F)所示，在周方向r0上形成連續(xù)的開口部。再者，根據(jù)處理的對象，如圖4(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示裝置中，將設置在第2圓環(huán)20上的第2導入部d2與第1導入部dl同樣地設置在第2托架21的中央部分22。在該情況下，相對于位于第2圓環(huán)20的中心的第1導入部dl的開口部，第2導入部d2的開口部位于其外側，并隔開間隔。并且，如圖4(B)所示，可實施為，在圖4(A)所示裝置24中，將第3導入部d3設置于第2圓環(huán)20。如圖4(C)所示，可實施為，在圖3(A)所示裝置中，第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口部之間不設置間隔，將第2及第3被處理流體導入第2圓環(huán)20內(nèi)側的空間后，立即使兩流體合流。另外，根據(jù)處理的對象，可實施為，如圖4(D)所示，在圖3(A)所示裝置中，和第2導入部d2相同，第3導入部d3也設置在第2托架21上。雖未圖示，但是，也可實施為，在第2托架21上設置4個以上的導入部。并且，根據(jù)處理的對象，如圖5(A)所示，可實施為，在圖4(D)所示的裝置中，在第2圓環(huán)20上設置第4導入部d4，將第4被處理流體導入兩處理用面1、2之間。如圖5(B)所示，可實施為，在圖1(A)所示裝置中，將第2導入部d2設置于第1圓環(huán)10，在第1處理用面1上備有第2導入部d2的開口部。如圖5(C)所示，可實施為，在圖5(B)所示裝置中，第1圓環(huán)10上設有第3導入部d3，在第1處理用面1上，第3導入部d3的開口部配置在與第2導入部d2的開口部在第1圓環(huán)10的周方向上不同的位置。如圖5(D)所示，可實施為，在圖5(B)所示裝置中，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，在第2圓環(huán)20上設置第1導入部dl，在第2處理用面2上配置第1導入部dl的開口部。在該情況下，第1及第2導入部dl、d2的兩開口部在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上配置在相同位置。另外，如圖6(A)所示，也可實施為，在圖1(A)所示裝置中，第3導入部d3設置于第1圓環(huán)IO，第3導入部d3的開口部設置在第1處理用面1上。在該情況下，第2及第3導入部d2、d3的兩開口部在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上配置在相同位置。但是，也可以將上述兩開口部在圓環(huán)的直徑的內(nèi)外方向上配置于不同的位置。圖5(C)所示裝置中，雖然在第1圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上設置在相同的位置，同時在第1圓環(huán)10的周方向即旋轉方向上設置在不同的位置，但是，也可實施為，在該裝置中，如圖6(B)所示，將第2及第3導入部d2、d3的兩開口部在第1圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上設置在不同的位置。在該情況下，可實施為，如圖6(B)所示，在第2及第3導入部d2、d3的兩開口部之間，在第1圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上預先隔開間隔，另外，雖未圖示，也可實施為，不隔開該間隔，立即使第2被處理流體與第3被處理流體合流。另外，可實施為，如圖6(C)所示，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，而是與第2導入部d2—起，將第1導入部dl設置在第1圓環(huán)10上。在該情況下，在第1處理用面1中，第1導入部dl的開口部設置在第2導入部d2的開口部的上游側(第1圓環(huán)11的直徑的內(nèi)外方向的內(nèi)側)。在第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口部之間，在第1圓環(huán)11的直徑的內(nèi)外方向上預先隔開間隔。但是，雖未圖示，也可不隔開該間隔地實施。另外，可實施為，如圖6(D)所示，在圖6(C)所示裝置的第1處理用面1中，在第1圓環(huán)10的周方向的不同位置，分別配置第1導入部dl及第2導入部d2的開口部。另外，雖未圖示，在圖6(C)(D)所示的實施方式中，可實施為，在第1圓環(huán)10上設置3個以上的導入部，在第2處理用面2上的周方向的不同位置，或者，在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向的不同位置，配置各開口部。例如，也可在第1處理用面1中采用第2處理用面2中所采用的圖3(B)圖3(F)所示開口部的配置。如圖7(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示裝置中，取代在第2圓環(huán)20上設置第2導入部d2，在第1托架11上設置第2導入部。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環(huán)10所包圍的部位中，優(yōu)選在第1圓環(huán)10的旋轉的中心軸的中心配置第2導入部d2的開口部。如圖7(B)所示，在圖7(A)所示的實施方式中，可將第3導入部d3設置于第2圓環(huán)20，將第3導入部d3的開口部配置在第2處理用面2上。另外，如圖7(C)所示，可實施為，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，在第1托架11上設置第1導入部dl。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環(huán)10所包圍的部位中，優(yōu)選在第1圓環(huán)10的旋轉的中心軸上配置第1導入部dl的開口部。另外，在該情況下，如圖所示，可將第2導入部d2設置于第1圓環(huán)IO，將其開口部配置在第1處理用面1上。另外，雖未圖示，在該情況下，可將第2導入部d2設置于第2圓環(huán)20，在第2處理用面2上配置其開口部。并且，如圖7(D)所示，可實施為，將圖7(C)所示的第2導入部d2與第1導入部dl一起設置在第1托架11上。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環(huán)10所包圍的部位中，配置第2導入部d2的開口部。另外，在該情況下，在圖7(C)中，也可把第2圓環(huán)20上設置的第2導入部d2作為第3導入部d3。在上述圖1圖7所示的各實施方式中，第1托架11及第1圓環(huán)10相對于第2托架21及第2圓環(huán)20旋轉。此外，如圖8(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示裝置中，在第2托架2上設置接受來自旋轉驅動部的旋轉力而旋轉的旋轉軸51，使第2托架21在與第1托架11相反的方向上旋轉。旋轉驅動部也可以與使第1托架11的旋轉軸50旋轉的裝置分開設置，或者作為如下裝置實施，即，該裝置通過齒輪等動力傳遞機構，從使第l托架11的旋轉軸50旋轉的驅動部接受動力。在該情況下，第2托架2與上述殼體分體地形成，并與第1托架11同樣地可旋轉地收容在該殼體內(nèi)。并且，如圖8(B)所示，可實施為，在圖8(A)所示裝置中，與圖7(B)的裝置同樣，在第1托架11上設置第2導入部d2，以取代在第2圓環(huán)20上設置第2導入部d2。另外，雖未圖示，也可實施為，圖8(B)所示裝置中，在第2托架21上設置第2導入部d2，以取代在第1托架11上設置第2導入部d2。在該情況下，第2導入部d2與圖7(A)的裝置相同。如圖8(C)所示，也可實施為，在圖8(B)所示裝置中，在第2圓環(huán)20上設置第3導入部d3，將該導入部d3的開口部設置在第2處理用面2上。并且，如圖8(D)所示，也可實施為，不使第1托架11旋轉，僅旋轉第2托架21。雖未圖示，也可實施為，在圖1(B)圖7所示的裝置中，第2托架21與第1托架11都旋轉，或僅第2托架21單獨旋轉。如圖9(A)所示，第2處理用構件20為圓環(huán)，第1處理用構件10不是圓環(huán)，而是與其他的實施方式的第1托架11同樣的、直接具有旋轉軸50并旋轉的構件。在該情況下，將第1處理用構件10的上表面作為第1處理用面l，該處理用面不是環(huán)狀，即不具備中空部分，形成一樣的平坦面。并且，在圖9(A)所示裝置中，與圖1(A)的裝置同樣，第2圓環(huán)20上設有第2導入部d2，其開口部配置在第2處理用面2上。如圖9(B)所示，可實施為，在圖9(A)所示裝置中，第2托架21與殼體3獨立，在殼體3與該第2托架21之間，設置接觸表面壓力施加機構4，該接觸表面壓力施加機構4是使第2托架21向設有第2圓環(huán)20的第1處理用構件10接近或分離的彈性體等。在該情況下，如圖9(C)所示，第2處理用構件20不形成圓環(huán)，作為相當于上述第2托架21的構件，可將該構件的下表面作為第2處理用面2。并且，如圖10(A)所示，可實施為，在圖9(C)所示裝置中，第1處理用構件10也不形成圓環(huán)，與圖9(A)(B)所示裝置一樣，在其他的實施方式中，將相當于第1托架11的部位作為第1處理用構件IO，將其上表面作為第1處理用面1。在上述各實施方式中，至少第1被處理流體是從第1處理用構件10與第2處理用構件20即第1圓環(huán)10與第2圓環(huán)20的中心部供給的，通過利用其他的被處理流體所進行的處理，即混合及反應后，被排出至其直徑的內(nèi)外方向的外側。此外，如圖10(B)所示，也可實施為，從第1圓環(huán)10及第2圓環(huán)20的外側朝向內(nèi)側供給第1被處理流體。在該情況下，如圖所示，以殼體3密封第1托架11及第2托架21的外側，將第1導入部dl直接設置于該殼體3，在殼體的內(nèi)側，該導入部的開口部配置在與兩圓環(huán)10、20的對接位置相對應的部位。并且，圖1(A)的裝置中，在設有第l導入部dl的位置，即成為第l托架11的圓環(huán)1的中心的位置，設有排出部36。另外，夾著托架的旋轉的中心軸，在殼體的該開口部的相反側配置第2導入部d2的開口部。但是，第2導入部d2的開口部與第1導入部dl的開口部相同，只要是在殼體的內(nèi)側并且配置在與兩圓環(huán)10、20的對接位置相對應的部位即可，而不限定為上述那樣的形成在第1導入部dl的開口部的相預先設置處理后的生成物的排出部36。在該情況下，兩圓環(huán)10、20的直徑的外側成為上游側，兩圓環(huán)10、20的內(nèi)側成為下游側。如圖10(C)所示，可實施為，在圖10(B)所示裝置中，改變設置于殼體3的側部的第2導入部d2的位置，將其設置于第1圓環(huán)ll，并將其開口部配置在第1處理用面1上。在該情況下，如圖10(D)所示，可實施為，第1處理用構件10不形成圓環(huán)，與圖9(B)、圖9(C)及圖10(A)所示裝置相同，在其他的實施方式中，將相當于第1托架11的部位作為第1處理用構件IO，將其上表面作為第1處理用面1，并且，將第2導入部d2設置于該第1處理用構件10內(nèi)，將其開口部設置在第1處理用面1上。如圖11(A)所示，可實施為，在圖10(D)所示裝置中，第2處理用構件20不形成圓環(huán)，在其他的實施方式中，將相當于第2托架21的構件作為第2處理用構件20，將其下表面作為第2處理用面2。而且，可以實施為，將第2處理用構件20作為與殼體3獨立的構件，在殼體3與第2處理用構件20之間，與圖9(C)(D)以及圖10(A)所示裝置相同，設有接觸表面壓力施加機構4。另外，如圖11(B)所示，也可實施為，將圖11(A)所示裝置的第2導入部d2作為第3導入部d3，另外設置第2導入部d2。在該情況下，在第2處理用面2中，將第2導入部d2的開口部相比第3導入部d3的開口部配置在上游側。上述圖4所示的各裝置、圖5(A)、圖7(A)(B)(D)、圖8(B)(C)所示裝置是其他被處理流體在到達處理用面1、2間之前與第1被處理流體合流的裝置，不適合結晶及析出的反應快速的物質。但是，對于反應速度慢的物質則可采用這樣的裝置。關于適合本申請所涉及的方法發(fā)明的實施的處理裝置，歸納如下。如上所述，該處理裝置具有流體壓力施加機構，該流體壓力施加機構對被處理流體施加預定壓力；第1處理用構件10和第2處理用構件20至少2個處理用構件，該第1處理用構件10設置在該預定壓力的被處理流體流動的被密封的流體流路中，該第2處理用構27件20相對于第1處理部10能夠相對地接近或分離；該第1處理用面1及第2處理用面2至少2個處理用面，第1處理用面1及第2處理用面2至少2個處理用面在上述處理用構件10、20中設置在相互面對的位置；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用構件10與第2處理用構件20相對地旋轉；在兩處理用面1、2間，進行至少2種被處理流體的混合及反應的處理。在第1處理用構件10和第2處理用構件20中，至少第2處理用構件20具有受壓面，并且該受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，受壓面承受流體壓力施加機構賦予被處理流體的至少一方的壓力，在第2處理用面2從第1處理用面1分離的方向上，產(chǎn)生使其移動的力。而且，在該裝置中，在可接近或分離且相對地旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間，流過受上述壓力作用的被處理流體，由此，各被處理流體一邊形成預定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2之間，從而，在該被處理流體間產(chǎn)生所希望的反應。另外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用具備緩沖機構的裝置，該緩沖機構調整第1處理用面1及第2處理用面2的至少一方的微振動及定位。另外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用具備位移調整機構的結構，該位移調整機構調整第1處理用面1及第2處理用面2的一方或雙方的、由磨耗等導致的軸方向的位移，可維持兩處理用面1、2間的流體膜的膜厚。并且，在該處理裝置中，作為上述的流體壓力施加機構，可采用對被處理流體施加一定的送入壓力的壓縮機等加壓裝置。而且，上述加壓裝置采用能進行送入壓力的增減的調整的裝置。該加壓裝置需能將設定的壓力保持一定，但是，作為調整處理用面間的間隔的參數(shù)，也有必要能進行調整。另外，在該處理裝置中，可以采用具有分離抑制部的結構，該分離抑制部規(guī)定上述第1處理用面1與第2處理用面2之間的最大間隔，抑制最大間隔以上的兩處理用面1、2分離。此外，在該處理裝置中，可以采用具有接近抑制部的結構，接近抑制部規(guī)定上述第l處理用面1與第2處理用面2之間的最小間隔，抑制最小間隔以下的兩處理用面1、2的接近。并且，在該處理裝置中，可以采用以下結構，S卩，第1處理用面1與第2處理用面2雙方朝著相互相反的方向旋轉。另外，在該處理裝置中，可以采用具有溫度調整用的封套的結構，該溫度調整用的封套調整上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方的溫度。此外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用以下結構，即，上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方的至少一部分進行了鏡面加工。在該處理裝置中，可以采用以下結構，即，上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方具有凹部。并且，在該處理裝置中，優(yōu)選采用以下結構，S卩，作為使一方的被處理流體反應的另一方的被處理流體的供給手段，具有與一方的被處理流體的通道獨立的另外的導入路，在上述第1處理用面1與第2處理用面2的至少任意一方上，具有與上述另外的導入路相通的開口部，可以將從該另外的導入路送來的另一方的被處理流體導入上述一方的被處理流體。另外，實施本申請發(fā)明的處理裝置具有流體壓力施加機構，該流體壓力施加機構對被處理流體施加預定的壓力；第1處理用面1及第2處理用面2至少2個可相對的接近或分離的處理用面，第1處理用面1及第2處理用面2與該預定壓力的被處理流體流動的被密封的流體流路連接；接觸表面壓力施加機構，該接觸表面壓力施加機構對兩處理用面1、2施加接觸表面壓力；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用面1及第2處理用面2相對旋轉；由于具有上述結構，在兩處理用面1、2之間，進行至少2種的被處理流體的反應處理，實施本申請發(fā)明的處理裝置可以采用以下結構，即，在被施加接觸表面壓力的同時相對旋轉的第1處理用面1及第2處理用面2之間，流過從流體壓力施加機構施加壓力的至少1種被處理流體，并且，通過流過另一種被處理流體，從流體壓力施加機構被施加壓力的上述l種被處理流體一邊形成預定膜厚的流體膜，一邊通過兩處理用面1、2之間，此時，該另一種被處理流體被混合，在被處理流體間，發(fā)生所希望的反應。該接觸表面壓力施加機構可以構成上述裝置的調整微振動及定位的緩沖機構或位移調整機構。并且，作為實施本申請發(fā)明的處理裝置，可以采用以下裝置，S卩，該裝置具有第1導入部，該第1導入部將反應的2種被處理流體中的至少一方的被處理流體導入該裝置；流體壓力施加機構P，該流體壓力施加機構P連接于第1導入部并向該一方的被處理流體施加壓力；第2導入部，該第2導入部將反應的2種被處理流體中的至少其他一方的被處理流體導入該裝置；至少2個處理用構件，該至少2個處理用構件為設置于該一方的被處理流體流動的被密封的流體流路的第1處理用構件10和相對于第1處理用構件10可相對接近或分離的第2處理用構件；第1處理用面1及第2處理用面2至少2個處理用面，第1處理用面1及第2處理用面2在這些處理用構件10、20中設置在相互對向的位置；托架21，該托架21以第2處理用面2露出的方式收容第2處理用構件20;旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用構件10與第2處理用構件20相對旋轉；接觸表面壓力施加機構4，該接觸表面壓力施加機構4推壓第2處理用面2，使第2處理用面2相對于第1處理用面1處于壓接或接近的狀態(tài)；在兩處理用面1、2之間，進行被處理流體間的反應處理，上述托架21是不可動體，在具有上述第1導入部的開口部的同時，對處理用面1、2間的間隔施加影響，第1處理用構件10與第2導入部20的至少一方具有上述第2導入部的開口部，第2處理用構件20為環(huán)狀體，第2處理用面2相對于托架21滑動，與第1處理用面1接近或分離，第2處理用構件20具有受壓面，受壓面受到流體壓力施加機構p施加于被處理流體的壓力的作用，在使第2處理用面2從第1處理用面1分離的方向上產(chǎn)生使其移動的力，上述受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，在可接近或分離且相對旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間，被施加了壓力的一方的被處理流體通過，同時，通過將另外一方的被處理流體供給到兩處理用面1、2之間，兩被處理流體一邊形成預定膜厚的流體膜一邊從兩處理用面1、2間通過，通過中的被處理流體混合，從而促進被處理流體間的所希望的反應，通過接觸表面壓力施加機構4的接觸表面壓力與流體壓力施加機構p所施加的流體壓力的使兩處理用面1、2之間分離的力的平衡，在兩處理用面1、2間保持產(chǎn)生上述預定膜厚的流體膜的微小間隔。該處理裝置也可實施為，第2導入部也與連接于第1導入部一樣地連接于另外的流體壓力施加機構，從而被加壓。并且，也可實施為，從第2導入部導入的被處理流體不是被另外的流體壓力施加機構加壓，而是被第2導入部中產(chǎn)生的負壓吸引并供給到兩處理用29面1、2間，上述負壓是由第1導入部所導入的被處理流體的流體壓力所產(chǎn)生的。并且，也可實施為，該另一方的被處理流體在第2導入部內(nèi)通過其自重移動，即從上方流向下方，從而被供給至處理用面1、2之間。如上所述，不僅限于將第1導入部的開口部設置在第2托架上，也可將第1導入部的該開口部設置在第1托架上，上述第1導入部的開口部成為一方的被處理流體的向裝置內(nèi)的供給口。另外，也可實施為，將第1導入部的該開口部形成在兩處理用面的至少一方。但是，在以下情況下，即，根據(jù)反應，有必要從第1導入部供給必須先導入處理用面1、2間的被處理流體的情況下，形成另一方的被處理流體的裝置內(nèi)的供給口的第2導入部的開口部無論位于哪一個處理用面，相比上述第1導入部的開口部都必須配置在下游側的位置。并且，作為用于實施本申請發(fā)明的處理裝置，可采用以下的裝置。該處理裝置具有多個的導入部，該多個的導入部分別導入反應的2種以上的被處理流體；流體壓力施加機構P，該流體壓力施加機構對該2種以上的被處理流體的至少一種施加壓力；至少2個處理用構件，該至少2個處理用構件是設置在該被處理流體流動的被密封的流體流路中的第1處理用構件10與可相對于第1處理用構件10接近或分離的第2處理用構件20;第1處理用面1及第2處理用面2至少2個處理用面1、2，該第1處理用面1及第2處理用面2設置在這些處理用構件10、20中相互面對的位置；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用構件10與第2處理用構件20相對旋轉；在兩處理用面1、2間，進行被處理流體間的反應處理，在第1處理用構件10與第2處理用構件20中，至少第2處理用構件20具有受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，受壓面受到流體壓力施加機構施加于被處理流體的壓力，在使第2處理用面2從第1處理用面1分離方向上產(chǎn)生使其移動的力，并且，第2處理用構件20具有朝向與第2處理用面2相反側的接近用調整面24，接近用調整方面24受到施加在被處理流體上的預定的壓力，在使第2處理用面2向第1處理用面1接近的方向上產(chǎn)生使其移動的力，通過上述接近用調整面24的接近或分離方向的投影面積與上述受壓面的接近或分離方向的投影面積的面積比，決定第2處理用面2相對于第1處理用面1向分離方向移動的力，該力作為從被處理流體所受到的全壓力的合力，被賦予了壓力的被處理流體在可接近或分離且相對旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間通過，在該被處理流體中反應的其他被處理流體在兩處理用面間混合，混合的被處理流體一邊形成預定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2之間，從而在通過處理用面間的過程中獲得希望的反應生成物。另外，對本申請發(fā)明的處理方法歸納如下。該處理方法為賦予第1被處理流體預定的壓力，將第1處理用面1及第2處理用面2至少2個可相對接近或分離的處理用面連接于接受上述預定壓力的被處理流體所流動且被密封的流體流路，施加使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，使第1處理用面1與第2處理用面2相對地旋轉，且將被處理流體導入該處理用面1、2之間，通過與上述分開的流路，將與該被處理流體反應的第2被處理流體導入上述處理用面1、2之間，使兩被處理流體反應，至少將施加于第l被處理流體的上述預定的壓力作為使兩處理用面1、2分離的分離力，通過使該分離力與上述接觸表面壓力經(jīng)由處理用面1、2間的被處理流體達到平衡，從而在兩處理用面1、2之間維持預定的微小間隔，被處理流體成為預定厚度的流體膜并通過兩處理用面1、2之間，在該通過過程中均勻地進行兩被處理流體的反應，在伴有析出的反應的情況下，可結晶或析出希望的反應生成物。以下，對本申請發(fā)明的其他實施方式進行說明。圖25是在可接近或分離的、至少一方相對于另一方旋轉的處理用面間使反應物反應的反應裝置的簡略化剖面圖。圖26的(A)為圖25所示裝置的第1處理用面的簡略化俯視圖，(B)為圖25所示裝置的處理用面的主要部分的放大圖。圖27的(A)為第2導入通道的剖面圖，(B)是用于說明第2導入通道的處理用面的主要部分的放大圖。在圖25中，U表示上方，S表示下方。圖26(A)、圖27(B)中，R表示旋轉方向。在圖27(B)中，C表示離心力的方向(半徑方向)。該裝置使用至少2種流體，其中至少1種流體含有至少1種反應物，在可接近或分離的相互面對地配設并且至少一方相對于另一方旋轉的處理用面之間，使上述各流體合流并形成薄膜流體，在該薄膜流體中使上述反應物反應。如圖25所示，該裝置具有第1托架11、在第1托架11上方配置的第2托架21、流體壓力施加機構P、及接觸表面壓力施加機構。接觸表面壓力施加機構由彈簧43及空氣導入部44構成。在第1托架11上設有第1處理用構件10及旋轉軸50。第1處理用構件10是稱為配合環(huán)的環(huán)狀體，具有被鏡面加工的第1處理用面1。旋轉軸50以螺栓等固定件81固定在第1托架11的中心，其后端與電動機等旋轉驅動裝置82(旋轉驅動機構)連接，將旋轉驅動裝置82的驅動力傳遞給第1托架ll，從而使該第1托架11旋轉。第1處理用構件10與上述第1托架11一體地旋轉。在第1托架11的上部，設有可以收容第1處理用構件10的收容部，通過嵌入該收容部內(nèi)，第1處理用構件10安裝在第1托架11上。并且，第1處理用構件10通過止轉銷83固定，從而不相對于第1托架11旋轉。但是，也可以取代止轉銷83，以熱壓配合等方法固定，從而使其不旋轉。上述第1處理用面1從第1托架11露出，朝向第2托架21。第1處理用面的材質采用陶瓷或燒成金屬；耐磨鋼；對其他金屬實施了硬化處理的材料；或者，涂敷、包覆、電鍍有硬質材料的材料。在第2托架21上設有第2處理用構件20;從處理用構件內(nèi)側導入流體的第1導入部dl;作為接觸表面壓力施加機構的彈簧43;以及，空氣導入部44。第2處理用構件20是稱為壓縮環(huán)的環(huán)狀體，具有被鏡面加工過的第2處理用面2以及受壓面23(以下稱其為分離用調整面23)，該受壓面23位于第2處理用面2的內(nèi)側并與該第2處理用面2鄰接。如圖所示，該分離用調整面23為傾斜面。對第2處理用面2所施加的鏡面加工采用與第1處理用面1相同的方法。另外，第2處理用構件20的材質采用與第1處理用構件10相同的材質。分離用調整面23與環(huán)狀的第2處理用構件20的內(nèi)周面25鄰接。在第2托架21的底部(下部)，形成圓環(huán)收容部41，0形圓環(huán)與第2處理用構件20同時被收容在該圓環(huán)收容部41內(nèi)。并且，通過止轉銷84，第2處理用構件20相對于第2托架21不旋轉地被收容。上述第2處理用面2從第2托架21露出。在該狀態(tài)下，第2處理用面2與第1處理用構件10的第1處理用面1面對。該第2托架21所具有的圓環(huán)收容部41是收容第2圓環(huán)20的、主要是處理用面2側的相反側的部位的凹部，在俯視時，為形成環(huán)狀的溝槽。圓環(huán)收容部41以大于第2圓環(huán)20的尺寸的方式形成，在其與第2圓環(huán)20之間具有充分的間隔，收容第2圓環(huán)20。通過該間隔，該第2處理用構件20以能夠在收容部41的軸向以及在與該軸向交叉的方向位移的方式收容在該圓環(huán)收容部41內(nèi)。并且，該第2處理用構件20以能夠以如下方式位移的方式被收容，即，相對于圓環(huán)收容部41，使第2處理用構件20的中心線(軸方向)與上述圓環(huán)收容部41的軸方向不平行。至少在第2托架21的圓環(huán)收容部41中設有作為處理用構件彈壓部的彈簧43。彈簧43將第2處理用構件20朝著第1處理用構件10彈壓。并且，作為其他的彈壓方法，也可使用空氣導入部44等供給空氣壓或其他流體壓力的加壓機構，將第2托架21保持的第2處理用構件20朝著接近第1處理用構件10的方向彈壓。彈簧43及空氣導入部44等接觸表面壓力施加機構將第2處理用構件20的周方向的各位置(處理用面的各位置)均等地朝著第1處理用構件10彈壓。在該第2托架21的中央設有上述第1導入部dl，從第1導入部dl朝著處理用構件外周側被壓送的流體首先被導入以下空間內(nèi)，即，該第2托架21保持的第2處理用構件20、第1處理用構件10及保持該第1處理用構件10的第1托架11所圍的空間內(nèi)。并且，在使第2處理用構件20克服彈壓部的彈壓而從第1處理用構件10分離的方向上，在第2處理用構件20中設置的受壓面23上，受到來自流體壓力施加機構P所產(chǎn)生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。在其他位置，為簡略說明，雖僅對受壓面23加以說明，但是，正確而言，如圖29(A)(B)所示，與上述受壓面23—起，在與后述溝槽狀凹部13的第2處理用構件20相對應的軸方向投影面中，將未設有上述受壓面23的部分23X也作為受壓面，受到流體壓力施加機構P所產(chǎn)生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。也可實施為，不設置上述受壓面23。在該情況下，如圖26(A)所示，也可使用通過第1處理用面1旋轉而獲得的處理用面間的被處理流體的導入效果(微泵效果)，上述第1處理用面1具有溝槽狀凹部13，該溝槽狀凹部13具有接觸表面壓力施加機構的功能。這里的微泵效果是指，通過第1處理用面1的旋轉，凹部內(nèi)的流體具有速度地向凹部的外周方向前端前進，接著，送入凹部13的前端的流體另外受到來自凹部13的內(nèi)周方向的壓力，最終形成使處理用面分離的方向上的壓力，同時具有將流體導入處理用面間的效果。并且，即使在不旋轉的情況下，設置于第1處理用面1的凹部13內(nèi)的流體所受壓力最終作用在第2處理用面2上，該第2處理用面2作為作用于分離側的受壓面。對于設置于處理用面的凹部13，可對應于含有反應物及生成物的流體的物理性能實施其深度、相對于處理用面在水平方向的總面積、條數(shù)、及形狀。并且，可實施為，將上述受壓面23與上述凹部13—同設置在一個裝置內(nèi)。該凹部13的深度是1iim50iim，優(yōu)選為3iim至20iim，并且為設置在上述處理用面上的凹部，相對于處理用面在水平方向的總面積占處理用面整體為5%50%，優(yōu)選為15%25%，并且，設置在上述處理用面上的凹部的條數(shù)為350條，優(yōu)選為824條，形狀為在處理用面上的彎曲或螺旋狀延伸的形狀，或者為呈L字形彎折的形狀，并且，其深度具有坡度，從高粘度區(qū)域到低粘度區(qū)域，即使在利用微泵效果導入的流體含有固體的情況下，也可將流體穩(wěn)定地導入處理用面之間。并且，在導入側即處理用面內(nèi)側，設置在處理用面上的各凹部可以彼此連接，也可以彼此斷開。如上所述，受壓面23為傾斜面。該傾斜面(受壓面23)以如下方式形成，即，以被處理流體的流動方向為基準的上游側端部的、與設有凹部13的處理用構件的處理用面相對的軸方向的距離，比下游側端部的同一距離大。而且，優(yōu)選該傾斜面的以被處理流體的流動方向為基準的下游側端部設置在上述凹部13的軸方向投影面上。具體來說，如圖28(A)所示，使上述傾斜面(受壓面23)的下游側端部60設置在上述凹部13的軸方向投影面上。優(yōu)選上述傾斜面相對于第2處理用面2的角度ei在o.r至85°的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在IO。至55°的范圍內(nèi)，進一步優(yōu)選在15。至45°的范圍內(nèi)。該角度9l可根據(jù)被處理物處理前的特性予以適當變更。并且，上述傾斜面的下游側端部60設置在以下區(qū)域內(nèi)，即，從向下游側與第1處理用面1上設置的凹部13的上游側端部13-b離開0.05mm的位置開始，到向上游側與下游側端部13_c離開0.5mm的位置為止的區(qū)域內(nèi)。更優(yōu)選的是，設置在以下區(qū)域內(nèi)，即，從向下游側與上游側端部13-b離開0.05mm的位置開始，到向上游側與下游側端部13-c離開l.Omm的位置為止的區(qū)域內(nèi)。與上述傾斜面的角度相同，對于該下游側端部60的位置，可對應被處理物的特性予以適當變更。并且，如圖28(B)所示，傾斜面(受壓面23)可實施為弧形面。由此，可更均勻地進行被處理物的導入。凹部13除如上述那樣連接之外，也可實施為間斷的形式。在間斷的情況下，間斷的凹部13的、第1處理用面1的最內(nèi)周側的上游側端部形成上述13-b;同樣，第1處理用面1的最外周側的上游側端部形成上述13-c。另外，雖然在上述說明中將凹部13形成在第1處理用面1上，將受壓面23形成在第2處理用面2上，但是，相反地，也可實施為，將凹部13形成在第2處理用面2上，將受壓面23形成在第l處理用面l上。另外，通過將凹部13形成在第1處理用面1與第2處理用面2兩方，并將凹部13與受壓面23交替地設置在各處理用面1、2的周方向上，從而，第1處理用面1上形成的凹部13與第2處理用面2上形成的受壓面23能夠相對，同時，第1處理用面1上形成的受壓面23與第2處理用面2上形成的凹部13能夠相對。在處理用面中，也可實施與凹部13不同的溝槽。具體的例子為，如圖16(F)及圖16(G)所示，在較凹部13的徑向外側(圖16(F))或徑向內(nèi)側(圖16(G))，可實施放射狀延伸的新的凹部14。其有利于想延長在處理用面間的停留時間的情況，以及處理高粘稠物的流體的情況。再者，關于與凹部13不同的溝槽，并不對形狀、面積、條數(shù)、深度作特別限定?？筛鶕?jù)目的實施該溝槽。在上述第2處理用構件20中，與被導入上述處理用面的流體的流路相獨立，形成具有通至處理用面間的開口部d20的第2導入部d2。具體為，第2導入部d2如圖27(A)所示，從上述第2處理用面2的開口部d20開始的導入方向相對于第2處理用面2以預定的仰角(91)傾斜。該仰角(91)被設定為大于0度小于90度，并且，在反應速度為迅速反應的情況下，優(yōu)選設置為1度以上45度以下。另外，如圖27(B)所示，從上述第2處理用面2的開口部d20開始的導入方向在沿上述第2處理用面2的平面內(nèi)具有方向性。該第2流體的導入方向的處理用面的半徑方向的成分為從中心遠離的外方向，并且，與旋轉的處理用面間的流體的旋轉方向相對的成分為正向。換言之，以通過開口部d20的半徑方向、即外方向的線段作為基準線g，從該基準線g向旋轉方向R具有預定的角度(92)。該仰角(e1)被設定為大于0度小于90度，并且，在反應速度快的反應的情況下，優(yōu)選設置為l度以上45度以下。另外，角度(92)也設定為大于0度小于90度，朝向圖27(B)的網(wǎng)線部分，從開口部d20排出。并且，在反應速度快的反應的情況下，優(yōu)選該角度(92)設定為較小角度，在反應速度慢的反應的情況下，優(yōu)選該角度(92)設定為較大角度。另外，該角度可根據(jù)流體的種類、反應速度、粘度、處理用面的旋轉速度等各種條件變更實施。開口部d20的口徑優(yōu)選為0.2iim3000iim，更優(yōu)選為10iim1000iim。并且，開口部d20口徑較大時，第2導入部d2的直徑為0.2iim3000iim，最優(yōu)選為10ymlOOOym，實質上，在開口部d20的直徑不影響流體的流動的情況下，第2導入部d2的直徑設置在該范圍內(nèi)即可。另外，在要求直線傳播性的情況下，及要求擴散性的情況下，優(yōu)選使開口部d20的形狀等變化，可根據(jù)流體的種類、反應速度、粘度、處理用面的旋轉速度等各種條件變更實施。并且，上述另外的流路的開口部d20可設置在以下點的外徑側，即，利用設置在第1處理用面1的凹部的微泵效果導入時的流動方向變換為在處理用面間形成的螺旋狀層流的流動方向的點。即，圖26(B)中，優(yōu)選從第l處理用面l上設置的凹部的處理用面徑向最外側開始的、向徑向外側的距離n為0.5mm以上。并且，在對相同流體設置多個開口部的情況下，優(yōu)選設置在同心圓上。另外，在對不同流體設置多個開口部的情況下，優(yōu)選設置在半徑不同的同心圓上。如以(1)A+B—C(2)C+D—E的順序進行反應，有效地使A+B+C—F這樣本來不應該同時反應的反應及反應物不接觸，從而有效地避免反應不進行的問題。另外，可實施為，將上述處理用構件浸入流體中，將在上述處理用面間反應得到的流體直接投入到處理用構件外部的液體或空氣以外的氣體中。并且，也可將超聲波能施加在剛剛從處理用面間或處理用面排出的被處理物上。接著，為了在上述第1處理用面1與第2處理用面2之間，即在處理用面間產(chǎn)生溫度差，第1處理用構件10及第2處理用構件20的至少其中之一設置調溫機構(溫度調節(jié)機構)Jl、J2，下面對此進行說明。雖然該調溫機構沒有特別的限定，但是，在以冷卻為目的的情況下，將冷卻部設置于處理用構件10、20。具體為，將作為調溫用介質的冰水或各種冷媒所通過的配管或者珀爾帖元件等能夠電氣或化學地進行冷卻作用的冷卻元件安裝于處理用構件10、20。在以加熱為目的的情況下，在處理用構件10、20中設有加熱部。具體為，將作為調溫用介質的蒸汽或各種熱媒所通過的配管或電氣加熱器等能夠電氣或化學地進行加熱作用的發(fā)熱元件安裝于處理用構件10、20。另外，也可在圓環(huán)收容部設置可與處理用構件直接接觸的新的調溫用介質用的收容部。由此，利用處理用構件的熱傳導，可以進行處理用面的調溫。并且，將冷卻元件或發(fā)熱元件埋入處理用構件10、20中并通電，或埋入冷熱媒通過用通道并使調溫用介質(冷熱媒)通過該通道，從而能夠從內(nèi)側對處理用面進行調溫。而且，圖25所示的調溫機構Jl、J2為其一例，是設置在各處理用構件10、20內(nèi)部的調溫用介質通過的配管(封套)。34利用上述調溫機構J1、J2，使一方的處理用面的溫度高于另一方的處理用面溫度，在處理用面間產(chǎn)生溫度差。例如，第1處理用構件10以上述任意的方法加溫至6(TC，第2處理用構件20以上述任意的方法加溫至15°C。此時，導入處理用面間的流體的溫度從第1處理用面1朝向第2處理用面2從6(TC變化至15°C。即，該處理用面間的流體產(chǎn)生溫度梯度。而且，處理用面間的流體由于該溫度梯度開始對流，產(chǎn)生相對于處理用面垂直的方向的流動。并且，上述"垂直的方向的流動"是指流動的方向成分中，至少含有垂直上述處理用面的成分。即使在第1處理用面1或第2處理用面2旋轉的情況下，由于相對于該處理用面垂直的方向的流動持續(xù)，因此，可對處理用面旋轉所產(chǎn)生的處理用面間的螺旋狀層流的流動附加垂直方向的流動。該處理用面間的溫度差可實施為rC40(TC，優(yōu)選為5°CIO(TC。而且，本裝置的旋轉軸50并不限定為鉛直地配置。例如，也可為傾斜地配置。在處理中，通過在兩處理用面1、2間形成的流體的薄膜，實質上可排除重力的影響。如圖25(A)所示，第1導入部dl在第2托架21中與第2圓環(huán)20的軸心一致，并上下垂直地延伸。但是，第1導入部dl并不限于與第2圓環(huán)20的軸心一致，只要能向兩圓環(huán)10、20所圍空間供給第1被處理流體，在第2托架21的中央部分22中，也可設置在上述軸心以外的位置，并且，也可為非鉛直而是斜向延伸。無論在哪個配置角度的情況下，通過處理用面間的溫度梯度，可產(chǎn)生相對于處理用面垂直的流動。上述處理用面間的流體的溫度梯度中，如果該溫度梯度小，則僅對流體進行熱傳導，但是，溫度梯度一旦超過某臨界值，流體中會產(chǎn)生所謂的貝納德對流現(xiàn)象。在處理用面間的距離為L、重力加速度為g、流體的體積熱膨脹率為13、流體的動粘度系數(shù)為v、流體的溫度傳導率為a、處理用面間的溫度差為AT時，該現(xiàn)象被以下式定義的作為無量綱數(shù)的瑞利數(shù)Ra所支配。Ra=L3gPAT/(av)開始產(chǎn)生貝納德對流的臨界瑞利數(shù)根據(jù)處理用面與被處理物流體的分界面的性質而不同，但大約為1700。大于該臨界值時產(chǎn)生貝納德對流。并且，當該瑞利數(shù)Ra滿足大于1(T附近的值的條件時，流體為紊流狀態(tài)。S卩，通過調節(jié)該處理用面間的溫度差AT或處理用面的距離L，并且以使瑞利數(shù)Ra為1700以上的方式調節(jié)本裝置，可在處理用面間產(chǎn)生相對于處理用面垂直的方向的流動，可實施上述反應操作。但是，上述貝納德對流在110iim左右的處理用面間的距離中不容易產(chǎn)生。嚴密來說，上述瑞利數(shù)適用于lOym以下的間隔中的流體，當研究貝納德對流的發(fā)生條件時，如果為水，則其溫度差必須為數(shù)千t:以上，現(xiàn)實中很難實現(xiàn)。貝納德對流是由流體的溫度梯度的密度差所形成的對流，即與重力相關的對流。10ym以下的處理用面之間為微重力場的可能性高，在這樣的場合，浮力對流被抑制。即，在該裝置中現(xiàn)實地產(chǎn)生貝納德對流的場合是處理用面間的距離超過10iim的場合。當處理用面間的距離為110iim左右時，并非通過密度差產(chǎn)生對流，而是通過溫度梯度所產(chǎn)生的流體的表面張力差來產(chǎn)生對流。這樣的對流為馬蘭哥尼對流，在處理用面間的距離為L、流體的動粘度系數(shù)為v、流體的溫度傳導率為a、處理用面間的溫度差為AT、流體的密度為P、表面張力的溫度系數(shù)(表面張力的溫度梯度)為o時，被以下式定義的作為無量綱數(shù)的馬蘭哥尼數(shù)Ma所支配。瑞利數(shù)Ra的計算使用以下的公式。數(shù)式lv，aAT=(T「T。)產(chǎn)pL:處理用面間的距離[m]，13:體積熱膨脹率[1/K]，g:重力加速度[m/S2]V:動粘度系數(shù)[m7s]，a:溫度傳導率[(m2/S)]，AT:處理用面間的溫度差[K]P:密度[kg/m3]，Cp:定壓比熱[J/kgK]，k:熱傳導率[W/mK]1\:處理用面的高溫側的溫度[K]，T。處理用面的低溫側的溫度[K]在以開始產(chǎn)生貝納德對流時的瑞利數(shù)為臨界瑞利數(shù)Ra。的情況下，此時的溫度差可以如下方式求得。數(shù)式2馬蘭哥尼數(shù)Ra的計算使用以下的公式。數(shù)式3AT=(T「T。)L:處理用面間的距離[m]，V:動粘度系數(shù)[m7s]，a:溫度傳導率[(m2/S)]AT:處理用面間的溫度差[K]，P:密度[kg/m3]，Cp:定壓比熱[J/kgK]k:熱傳導率[W/mK]，ot:表面張力溫度系數(shù)[N/mK]1\:處理用面的高溫側的溫度[K]，T。處理用面的低溫側的溫度[K]在開始產(chǎn)生馬蘭哥尼對流時的馬蘭哥尼數(shù)為臨界馬蘭哥尼數(shù)Ma。的情況下，此時36的溫度差AT^可以如下方式求得。數(shù)式4A7^=——^"^";-可相互接近和分離的相對配置的、至少一方可相對于另一方旋轉的處理用面的材質并不作特別的限制，可通過以下材料制成，即，陶瓷、燒結金屬、耐磨鋼，以及施加過硬化處理的其他金屬、或涂敷、包覆、電鍍有硬質材料的材料。本發(fā)明的可相互接近和分離的相對配置的、至少一方可相對于另一方旋轉的處理用面1、2之間的距離為0.liim100iim，特別優(yōu)選為110iim。以下，對本發(fā)明的陶瓷納米粒子生成的反應進行更詳細地說明。在如圖1(A)所示裝置的、可接近或分離的相互對向地配設且至少一方相對于另一方旋轉的處理用面1、2間，該反應一邊強制地均勻混合一邊發(fā)生。首先，通過作為一個流路的第1導入部dl，將作為第1流體的含有pH調整劑的流體導入處理用面1、2之間，在該處理用面間生成第1流體膜，上述處理用面1、2可接近或分離，相互對向配置，并且至少一方相對于另一方旋轉。然后，通過作為另一個流路的第2導入部d2，將作為第2流體的含有作為反應物的陶瓷原料的流體直接導入上述處理用面1、2間生成的上述第1流體膜中。如上所述，在通過流體的供給壓力與施加在旋轉的處理用面間的壓力的壓力平衡，從而在固定了距離的處理用面1、2之間將第1流體與第2流體混合，陶瓷原料被加水分解，可進行陶瓷納米粒子生成的反應。并且，由于能夠在處理用面1、2之間進行上述反應即可，因此，與上述相反，也可通過第1導入部dl導入第2流體，通過第2導入部d2導入第1流體。S卩，各溶劑的所謂第1、第2的稱謂，是表示多個存在的溶劑的第n個，只是為了識別的記號而已，也可以存在第3以上的溶劑。獲得的陶瓷納米粒子的粒子直徑和單分散度以及結晶型的控制可通過以下方式調節(jié)，即，改變處理用面1、2的轉速及處理用面1、2間的距離，改變薄膜流體的流速或原料濃度，或者改變溫度等。利用本發(fā)明所得到的陶瓷納米粒子的粒度分布的CV值為540%，優(yōu)選為1020%。利用本發(fā)明的陶瓷納米粒子的制造方法所得到的陶瓷納米粒子并不特別限定，例如，可為由氧化鋁、氧化鋯、鈦酸鋇組成的陶瓷納米粒子。作為其他的陶瓷，也可為沸石、氧化鈰等。在本發(fā)明的陶瓷納米粒子的制造方法中所使用的陶瓷原料并不特別限定，例如，可使用從Al、Ba、Mg、Ca、La、Fe、Si、Ti、Zr、Pb、Sn、Zn、Cd、As、Ga、Sr、Bi、Ta、Se、Te、Hf、Mg、Ni、Mn、Co、S、Ge、Li、B、Ce中所選取的至少1種金屬的醇鹽或金屬鹽。例如，作為氧化鋁納米粒子的原料，可用異丙醇鋁那樣的烷醇鋁或硝酸鋁、醋酸鋁那樣的鋁鹽、鋁酸鈉那樣的鋁酸堿等。作為溶解陶瓷原料的溶劑或制作pH調整劑的溶劑，并不作特別限定，除離子交換水、RO水、超純水等水及甲醇和乙醇、異丙醇等酒精以外，也可為甲苯及二甲苯等有機溶劑。另外，在本發(fā)明中，對陶瓷原料和混合的陶瓷原料并不作特別限定，可使用Mg(OR)2、Ca(OR)2、La(OR)2、Fe(OR)2、Si(OR)4、Ti(OR)4、Zr(OR)4(R表示烴基)等那樣的金屬醇化物，另外，也可使用Ce(NO^及In(NO丄那樣的金屬鹽等。另外，在本發(fā)明中，加水分解陶瓷原料時控制pH的pH調整劑并不作特別限定，在酸性的情況下，可使用鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸，或者檸檬酸、醋酸等有機酸等，在堿性的情況下，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀或氨水溶液等。根據(jù)情況，可將上述示例的pH調整劑在上述溶劑中稀釋或溶解后使用。如上所述，除第1導入部dl、第2導入部d2以外，也可在處理裝置上設置第3導入部d3。在該情況下，例如可從各導入部將pH調整劑、陶瓷原料的溶液、加水分解速度的調節(jié)劑分別導入至處理裝置中。這樣，可分別管理各溶液的濃度和壓力，能更精密地控制生成陶瓷納米粒子的反應。在設置了第4以上的導入部的情況下，能夠如上述那樣地將導入到處理裝置的流體細分化。實施例以下舉出關于本發(fā)明的實施例進行更詳細的說明。但是，本發(fā)明并不只限于這些實施例。并且，在以下的實施例中，所謂"從中央"是指，從前述的圖1(A)所示處理裝置的"第1導入部dl"，第1流體是指前述的第1被處理流體，第2流體是指從上述的圖1(A)所示處理裝置的"第2導入部d2"導入的前述的第2被處理流體。(實施例l)使用如圖1(A)所示的反應裝置，使用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液與含有陶瓷原料的IPA水溶液在薄膜中合流，在薄膜中一邊均勻混合一邊進行加水分解反應，上述反應裝置能夠在處理用面1、2間形成的薄膜流體中進行均勻的攪拌混合，上述處理用面1、2可接近和分離的相互對向配設，且至少一方相對于另一方旋轉。以供給壓力/背壓力=0.30MPa/0.01MPa、轉速1000rpm，從中央輸送作為第1流體的用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液，同時將作為第2流體的4X異丙醇鋁/IPA溶液以10ml/min的流速導入處理用面1、2之間。氧化鋁納米粒子分散體從處理用面間被排出。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(株)公司生產(chǎn)，商品名microtracUPA150)測定粒度分布，平均粒子直徑為llnm，其粒度分布的CV值為18%。(實施例2)以供給壓力/背壓力=0.10MPa/0.01MPa、轉速1000rpm，從中央輸送作為第1流體的用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液，同時，將作為第2流體的4%異丙醇鋁/IPA溶液以10ml/min的流速導入處理用面1、2之間。氧化鋁納米粒子分散體從處理用面被排出。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(株)公司制品，商品名microtracUPA150)測定粒度分布，平均粒子直徑為10nm，其粒度分布的CV值為17%。(實施例3)以供給壓力/背壓力=o.30MPa/0.01MPa、轉速2000rpm從中央輸送作為第1流體的用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液，同時將作為第2流體的4X異丙醇鋁/IPA溶液以10ml/min的流速導入處理用面1、2之間。氧化鋁納米粒子分散體從處理用面被吐出。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(株)公司制品，商品名microtracUPA150)測定粒度分布，平均粒子直徑為14nm，其粒度分布的CV值為15%。(實施例4)以供給壓力/背壓力=o.30MPa/0.01MPa、轉速1000rpm從中央輸送作為第1流體的用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液，同時將作為第2流體的10%異丙醇鋁/IPA溶液，以10ml/min的流速導入處理用面1、2之間。氧納米粒子分散體從處理用面間被吐出。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品，商品名microtracUPA150)測定粒度分布，平均粒子直徑為llnm，其粒度分布的CV值為19%。(比較例1)在燒杯內(nèi)，以轉速140rpm攪拌用鹽酸水溶液調制成的pH值為2的水溶液20g，同時，直接投入4%異丙醇鋁/IPA溶液20g。獲得氧化鋁納米粒子分散體。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(株)公司制品，商品名microtracUPA150)測定其粒度分布，平均粒子直徑為3200nm，其粒度分布的CV值為140%。(比較例2)在燒杯內(nèi)，以轉速140rpm攪拌用鹽酸水溶液調制成pH值為2的水溶液20g，同時直接投入10%異丙醇鋁/IPA溶液20g。獲得氧化鋁納米粒子分散體。使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品，商品名microtracUPA150)測定其粒度分布，平均粒子直徑為5500nm，其粒度分布的CV值為150%。上述結果如表1所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>然后，使用在如圖1(A)所示反應裝置，使硝酸鋅乙醇溶液在薄膜中與KOH乙醇溶液合流，在薄膜中一邊均勻混合一邊進行析出反應，上述反應裝置在處理用面1、2間形成的薄膜流體中進行均勻地攪拌混合，上述處理用面1、2可接近或分離的相互對向配設且至少一方相對于另一方旋轉。(實施例5)以供給壓力/背壓力=0.0.6MPa/0.005MPa、轉速1000rpm、送液溫度23°C，從中央輸送作為第1流體的BYK-190/0.08NKOH乙醇溶液，同時，將作為第2流體的硝酸鋅六水合物乙醇溶液以6ml/min的流量導入處理用面1、2之間。微粒子分散液從處理用面1、2間被排出。其次，將獲得的微粒子分散液在100萬GX10分鐘的條件下離心分離，反復進行除去比微粒子輕的雜質的操作。接著，用純水洗凈后，使用透過式電子顯微鏡(TEM)觀察微粒子。從其中隨機選出IOO個粒子，測定平均一次粒子直徑，為llnm。所獲得的微粒子的TEM照片如圖30所示。另外，將獲得的微粒子分散液凍結干燥，使用X射線回折裝置(PANalytivacl公司制造的全自動多目的X射線回折裝置，X'PertPROMPD)解析所獲得的微粒子粉體，確認了所獲得的微粒子為氧化鋅微粒子。并且，將所得到的氧化鋅微粒子粉體再次投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術公司制品)攪拌，再次得到氧化鋅微粒子分散物，其平均一次粒子直徑與真空凍結干燥前相同，平均一次粒子直徑為llnm，確認了所獲得的氧化鋅微粒子粉狀體具有良好的再分散性。(比較例3)在燒杯內(nèi)，以溶液溫度23°C、轉速300rpm的條件攪拌BYK-190/0.08NKOH乙醇溶液100g，同時，投入硝酸鋅六水合物乙醇溶液20g。獲得氧化鋅微粒子分散液。其次，將獲得的氧化鋅微粒子分散液以100萬GX10分鐘的條件進行離心分離，反復進行除去比氧化鋅微粒子輕的雜質操作。接著，用純水洗凈后，使用透過式電子顯微鏡(TEM)觀察微粒子。從其中任意選出IOO個粒子，測定其平均一次粒子直徑，為381nm。以上事實證明，使用如下反應裝置所獲得的氧化鋅微粒子不僅為納米尺寸的微粒子，還具有優(yōu)良的再分散性，上述反應裝置在形成于處理用面間的薄膜流體中進行均勻的攪拌"混合，上述處理用面可接近或分離地相互面對地配設且至少一方相對于另一方旋轉。權利要求一種陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，在處理用面之間形成的薄膜流體中，加水分解陶瓷原料，上述處理用面可接近和分離地相互相對向配置，且至少一方相對于另一方旋轉。2.如權利要求1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，上述的陶瓷納米粒子為氧化鋁、氧化鋯、鈦酸鋇、氧化鈦中的任意一種。3.如權利要求1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，作為上述陶瓷納米粒子的陶瓷原料，使用從Al、Ba、Mg、Ca、La、Fe、Si、Ti、Zr、Pb、Sn、Zn、Cd、As、Ga、Sr、Bi、Ta、Se、Te、Hf、Mg、Ni、Mn、Co、S、Ge、Li、B、Ce中所選取的至少1種金屬的醇鹽或金屬鹽。4.如權利要求1所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，在加水分解上述陶瓷原料時控制pH值。5.如權利要求14項中的任何一項所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，所得到的陶瓷納米粒子的粒度分布的CV值為540%。6.如權利要求15項中的任何一項所記載的陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，上述的加水分解反應具有流體壓力施加機構，流體壓力施加機構對被處理流體施加規(guī)定壓力；第1處理用構件和第2處理用構件至少2個處理用構件，上述第2處理用構件可相對于該第1處理用構件接近或分離；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使上述第1處理用構件和第2處理用構件相對旋轉；在上述各處理用構件的互相相對的位置上，設置第1處理用面及第2處理用面至少2個處理用面，上述各處理用面構成上述規(guī)定壓力的被處理流體流過的被密封的流路的一部分，在上述兩處理用面間，均勻混合2種以上的被處理流體并使其積極地發(fā)生反應，上述2種以上的被處理流體中的至少任意一個含有反應物，在上述第1處理用構件和第2處理用構件中，至少第2處理用構件具有受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由上述第2處理用面構成，該受壓面受到上述流體壓力施加機構施加給被處理流體的壓力，從而產(chǎn)生使第2處理用面相對于第1處理用面向分離的方向移動的力，使上述規(guī)定壓力的被處理流體通過可接近或分離且相對旋轉的第1處理用面和第2處理用面之間，從而，上述被處理流體一邊形成規(guī)定膜厚的流體膜一邊從兩處理用面間通過，并且，具有獨立于上述預定壓力的被處理流體流過的流路的另外的導入路，上述第1處理用面和第2處理用面中的至少任意一方包括至少一個與上述導入路相通的開口部，將從上述導入路輸送來的至少一種被處理流體導入上述兩處理用面之間，至少上述各被處理流體的任意一方中所含有的上述反應物和與上述被處理流體不同的被處理流體，通過在上述流體膜內(nèi)均勻攪拌而混合，從而達到所希望的反應狀態(tài)。全文摘要提供一種陶瓷納米粒子的制造方法，其特征在于，在可接近和分離的對向配置且至少一方相對于另一方旋轉的處理用面間形成的薄膜流體中，加水分解陶瓷原料。文檔編號B01F3/08GK101784484SQ20088010418公開日2010年7月21日申請日期2008年7月4日優(yōu)先權日2007年7月6日發(fā)明者榎村真一申請人:M技術株式會社