專利名稱：直浸式配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種直浸式配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置，屬
于C30B單晶生長領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
有許多的國內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)開展配合物小晶體的合成探索及其結(jié)構(gòu)分析研究 工作，這樣的研究具有雙重意義， 一方面，有助于進(jìn)一步深入地探求相關(guān)科學(xué) 規(guī)律，另一方面，某些具有潛在應(yīng)用前景的新型晶體也有望在這一過程中得以
揭不o
這類研究中，首先要做的事情，是探査新晶體的合成條件，其中，室溫或 近室溫條件下的溶劑揮發(fā)法因其溫和的方式而通常被優(yōu)先關(guān)注。
由于存在諸多的可能影響配合物小晶體生長速率及晶體品質(zhì)的條件因素， 因而，篩查性的合成實(shí)驗(yàn)通常是必須的，這一類篩查性實(shí)驗(yàn)一般選擇同時使用 許多的一百毫升燒杯展開平行的合成探查，優(yōu)先選擇這種尺寸的燒杯是由這類 實(shí)驗(yàn)的劑量以及與這種劑量相適應(yīng)的溶劑揮發(fā)合成手段決定的。
上述實(shí)驗(yàn)通常只涉及數(shù)毫升至數(shù)十毫升濾清反應(yīng)液這樣一種較小的反應(yīng)劑 量。大體的合成步驟是，先將按設(shè)計配制的各濾清反應(yīng)液分別置于不同的燒杯 里，在各燒杯的杯口處包覆開有一些微小空洞的聚乙烯膜，然后，將各燒杯靜 置于室內(nèi)通風(fēng)處，各燒杯內(nèi)的溶劑經(jīng)由各聚乙烯覆膜上的微小空洞緩慢揮發(fā)， 逐漸反應(yīng)、濃縮并進(jìn)而形成相關(guān)配合物小晶體。
本案設(shè)計人注意到，由于存在晝夜溫差，夜間低溫時緩慢增長的小晶體， 在白天溫度稍高時會重新部分溶解，這樣的一種夜間生長而日間消融的生長狀 態(tài)，給雜質(zhì)的介入提供了較多的機(jī)會，并且，晶體的生長連續(xù)性也受到影響，在這種條件下長成的晶體，其內(nèi)部容易包裹有較多的雜質(zhì)，晶體質(zhì)量可能因此 嚴(yán)重不足。
實(shí)驗(yàn)中存在的上述缺陷導(dǎo)致合成探査實(shí)驗(yàn)效率低下，合成探査實(shí)驗(yàn)時間因 此拖長，試劑消耗量相應(yīng)地額外增加，而且，由于晶體品質(zhì)的不足，晶體衍射 數(shù)據(jù)的解析處理也會比較困難，其后提交給專業(yè)數(shù)據(jù)庫的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)也可能因此 有了某種不完美的因素。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，針對上述的配合物小晶體批量篩查合 成實(shí)驗(yàn)中存在的晝夜溫差干擾問題，研發(fā)一種適用于配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究 的恒溫培育裝置。
本實(shí)用新型通過如下方案解決所述技術(shù)問題，該方案提供一種直浸式配合 物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置，包括一個盤狀水槽，在盤狀水槽的側(cè)壁 上裝設(shè)有進(jìn)水接口以及出水接口 ，進(jìn)水接口以及出水接口與盤狀水槽內(nèi)部聯(lián)通， 以及，帶有許多孔洞的蓋板，該蓋板是活動的蓋板，本案要點(diǎn)是，該裝置的結(jié) 構(gòu)還包括環(huán)形彈性件，該環(huán)形彈性件與所述孔洞的邊沿貼附地裝設(shè)在一起，每 一個所述孔洞對應(yīng)裝設(shè)一個所述環(huán)形彈性件，盤狀水槽的側(cè)壁的橫斷面形狀呈 曲柄形狀，盤狀水槽的邊沿包繞在蓋板的邊沿之外。所述環(huán)形彈性件的材料是 彈性材料，彈性材料一詞的技術(shù)含義是公知的，所述彈性材料例如各種橡膠材 料以及具有一定彈性的塑料材料。
所述環(huán)形彈性件的內(nèi)徑尺寸可以是任何的根據(jù)實(shí)際需要選定的尺寸，但是， 鑒于該類實(shí)驗(yàn)多數(shù)情況下選用一百毫升燒杯作為反應(yīng)容器，優(yōu)選的所述環(huán)形彈
性件的內(nèi)徑尺寸是介于4. 5厘米到5. 0厘米之間。所述優(yōu)選的環(huán)形彈性件的內(nèi) 徑尺寸是與一百毫升燒杯的外徑尺寸相適應(yīng)的尺寸，該尺寸適合于握力適中地 將常見尺寸的一百毫升燒杯握定于其中，握力適中的意思指的是在適當(dāng)用力下 可將常見尺寸的一百毫升燒杯塞入所述環(huán)形彈性件的環(huán)內(nèi)進(jìn)行定位，并且，也可以在適當(dāng)用力下將己置于所述環(huán)內(nèi)的常見尺寸的一百毫升燒杯提拉脫離其固 定位置。所述環(huán)形彈性件的所述內(nèi)徑尺寸范圍的相應(yīng)上限值以及相應(yīng)下限值以 及相應(yīng)中間值都是可取的適當(dāng)?shù)某叽缰怠?br> 方案中的許多一詞，意指較多的數(shù)量，所述許多例如十個、二十個、三十 個、四十個、五十個、六十個，等等。本案裝置當(dāng)然還可以包括一些附件，所 述附件例如超級恒溫槽，所述盤狀水槽的側(cè)壁上裝設(shè)的進(jìn)水接口以及出水接口 可以分別與超級恒溫槽的進(jìn)出水接口聯(lián)通，所述超級恒溫槽的技術(shù)含義是公知 的，所述附件也可以進(jìn)一步包括必要時裝設(shè)在恒溫水流通管路上的過濾器，以 及，必要時裝設(shè)在恒溫水流通管路上的用于調(diào)節(jié)流量的閥門，等等。
在該裝置的結(jié)構(gòu)中，每一個環(huán)形彈性件對應(yīng)含有一個環(huán)內(nèi)孔位，實(shí)際使用 狀況下，結(jié)構(gòu)中數(shù)量較多的環(huán)形彈性件的環(huán)內(nèi)孔位可能出現(xiàn)富余，此情形下， 可以方便地用相應(yīng)數(shù)量的空的一百毫升燒杯填塞所述富余的孔位。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，該裝置克服了所述晝夜溫差干擾問題，提供了一種 溫度條件相當(dāng)穩(wěn)定的晶體生長條件，有助于晶體的完美生長，有助于高效率地 展開合成探査實(shí)驗(yàn)，有助于節(jié)約試劑，有助于減少實(shí)驗(yàn)時間消耗，還有助于降 低晶體衍射數(shù)據(jù)的解析處理難度。

圖1是本案實(shí)施例示意圖，該圖示意地描述其主要工作區(qū)的垂向斷面結(jié)構(gòu)， 圖中并且額外地添加了若干個塞置于環(huán)形彈性件的環(huán)內(nèi)孔位的燒杯，為進(jìn)一步 明晰其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，該圖還對結(jié)構(gòu)的局部進(jìn)行放大展示。
圖中，1是蓋板，2是橫斷面形狀呈曲柄形狀的側(cè)壁，3、 5分別是在盤狀 水槽的側(cè)壁的不同位置上裝設(shè)的一個進(jìn)水接口和一個出水接口，該進(jìn)水接口和 出水接口是等效的并且可以互換使用的接口， 4是盤狀水槽，6是環(huán)形彈性件， 7是示意地塞置于環(huán)形彈性件的環(huán)內(nèi)孔位的燒杯。
具體實(shí)施方式
在圖1所展示的本案實(shí)施例中，裝置的結(jié)構(gòu)包括一個盤狀水槽4，在盤狀 水槽4的側(cè)壁2的不同位置上裝設(shè)有進(jìn)水接口以及出水接口，所述進(jìn)水接口以 及出水接口是分別標(biāo)注為3和5的兩個接口，分別標(biāo)注為3和5的兩個接口是 可以互換使用的兩個接口，分別標(biāo)注為3和5的兩個接口均與盤狀水槽4內(nèi)部 聯(lián)通，以及，帶有許多孔洞的蓋板1，蓋板1是活動的蓋板，該裝置的結(jié)構(gòu)還 包括環(huán)形彈性件6，環(huán)形彈性件6與孔洞的邊沿貼附地裝設(shè)在一起，每一個孔 洞對應(yīng)裝設(shè)一個環(huán)形彈性件6，盤狀水槽的側(cè)壁2的橫斷面形狀呈曲柄形狀， 盤狀水槽4的邊沿包繞在蓋板1的邊沿之外。該例結(jié)構(gòu)中環(huán)形彈性件的內(nèi)徑其 優(yōu)選尺寸介于4. 5厘米到5. 0厘米之間，該優(yōu)選尺寸范圍的相應(yīng)上限值以及相 應(yīng)下限值以及相應(yīng)中間值以及介于其間的其它值都是可取的適當(dāng)?shù)某叽缰担瑘D 例中未標(biāo)注出相關(guān)優(yōu)選尺寸值。分別標(biāo)注為3和5的進(jìn)水接口以及出水接口可 以分別與超級恒溫槽的進(jìn)出水接口聯(lián)通。該例結(jié)構(gòu)中，每一個環(huán)形彈性件6對 應(yīng)含有一個環(huán)內(nèi)孔位，實(shí)際使用狀況下，結(jié)構(gòu)中數(shù)量較多的環(huán)形彈性件6的環(huán) 內(nèi)孔位可能出現(xiàn)富余，此情形下，可以方便地用相應(yīng)數(shù)量的空的一百毫升燒杯 填塞所述富余的孔位。蓋板1是可拆卸的活動的構(gòu)件。
本案裝置憑借著可與其連接的超級恒溫槽的波動微小的精細(xì)的溫度控制， 可以為晶體生長提供一個穩(wěn)定的溫度環(huán)境。并且，利用這一裝置，可以設(shè)定在 水浴可操作的全部溫區(qū)范圍內(nèi)的任意指定溫點(diǎn)進(jìn)行生長溫度高度穩(wěn)定的配合物 小晶體批量篩査合成實(shí)驗(yàn)，不再受限于室溫條件。
權(quán)利要求1.直浸式配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置，包括一個盤狀水槽，在盤狀水槽的側(cè)壁上裝設(shè)有進(jìn)水接口以及出水接口，進(jìn)水接口以及出水接口與盤狀水槽內(nèi)部聯(lián)通，以及，帶有許多孔洞的蓋板，該蓋板是活動的蓋板，其特征是，該裝置的結(jié)構(gòu)還包括環(huán)形彈性件，該環(huán)形彈性件與所述孔洞的邊沿貼附地裝設(shè)在一起，每一個所述孔洞對應(yīng)裝設(shè)一個所述環(huán)形彈性件，盤狀水槽的側(cè)壁的橫斷面形狀呈曲柄形狀，盤狀水槽的邊沿包繞在蓋板的邊沿之外。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的直浸式配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置， 其特征在于，環(huán)形彈性件的內(nèi)徑介于4.5厘米到5.0厘米之間。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種直浸式配合物晶體合成實(shí)驗(yàn)研究用恒溫培育裝置，屬于單晶生長領(lǐng)域。配合物小晶體合成條件篩查工作中普遍存在晝夜溫差干擾問題，本案旨在解決這一問題。本案裝置包括一個盤狀水槽，在盤狀水槽的側(cè)壁上裝設(shè)有進(jìn)水接口以及出水接口，進(jìn)水接口以及出水接口與盤狀水槽內(nèi)部聯(lián)通，以及，帶有許多孔洞的蓋板，該蓋板是活動的蓋板，本案要點(diǎn)是，該裝置的結(jié)構(gòu)還包括環(huán)形彈性件，該環(huán)形彈性件與所述孔洞的邊沿貼附地裝設(shè)在一起，每一個所述孔洞對應(yīng)裝設(shè)一個所述環(huán)形彈性件，盤狀水槽的側(cè)壁的橫斷面形狀呈曲柄形狀，盤狀水槽的邊沿包繞在蓋板的邊沿之外。本案克服了所述問題，其應(yīng)用可以為相關(guān)篩查實(shí)驗(yàn)提供溫度受到精細(xì)控制的較理想條件。
文檔編號B01L7/02GK201321504SQ20082018400
公開日2009年10月7日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者劉曉利, 姜晶晶, 孔祖萍, 岳 宋, 李榕生, 欣 楊 申請人:寧波大學(xué)