一種清洗介質收集裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬半導體晶圓工藝技術領域，具體為一種清洗介質收集裝置，當晶圓進行清洗工藝時，對清洗后的清洗介質進行收集。
【背景技術】
[0002]在隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段，集成電路晶圓制造工藝中所要求的晶圓表面的潔凈度越來越苛刻，為了保證晶圓材料表面的潔凈度，集成電路的制造工藝中存在數(shù)百道清洗工序，清洗工序占了整個制造過程的30%。
[0003]在清洗工藝中，隨著清洗工藝的提高，清洗設備也從最初的槽式清洗發(fā)展到了更為復雜，同時精度也更高的單片清洗。在晶圓單片清洗的過程中，利用旋轉體帶動晶圓轉動，可以將晶圓表面的藥液或者超純水等清洗介質甩出，進行回收利用或者是排出。一般而言，在清洗設備的旋轉體周圍會設置有液體收集結構，當清洗介質從晶圓表面甩出，接觸到液體收集結構的側壁時，會沿著側壁流下，匯聚在一起，由液體回收管路或者排出管路排出。
[0004]然而，在這一過程中，由于高速甩出的液體顆粒帶有很高的動能，在撞擊液體收集結構的側壁時，會有可能發(fā)生反彈，導致化學試劑及清洗產物回濺至晶圓的邊緣，甚至是晶圓背面，而造成污染。如果不能及時去除這種污染，會使晶圓背面和邊緣造成缺陷，尤其在后續(xù)的高溫處理工藝過程中，會使背面及邊緣的污染物擴散到正面，嚴重影響晶圓的質量。另外，液體清洗介質的回濺也會造成藥液的浪費，增加生產成本。因此，本領域技術人員亟需提供一種清洗介質收集裝置，能夠有效防止液體清洗介質回濺，使得晶圓的質量進一步提高，同時提高清洗介質的回收效率。

【發(fā)明內容】

[0005]針對現(xiàn)有技術的不足之處，本發(fā)明的目的是提供一種清洗介質收集裝置，能夠有效防止液體清洗介質回濺，使得晶圓的質量進一步提高，同時提高清洗介質的回收效率。
[0006]本發(fā)明目的通過下述技術方案來實現(xiàn):本發(fā)明提供一種清洗介質收集裝置，當承載在旋轉體上的晶圓進行清洗工藝時，對清洗后的清洗介質進行收集，包括:
[0007]清洗介質收集結構，包括環(huán)形腔體、壓電陶瓷超聲霧化裝置、排氣組件、排液組件以及冷凝回收裝置；其中，所述環(huán)形腔體至少為一層，設于所述旋轉體的周緣；所述壓電陶瓷超聲霧化裝置設于所述環(huán)形腔體的側壁上，并與外部電路連接，以對所述環(huán)形腔體內的液相清洗介質進行霧化；所述排氣組件設于所述環(huán)形腔體的一端，用于將霧化后的清洗介質抽離所述環(huán)形腔體；所述排液組件設于所述環(huán)形腔體的另一端，用于將未霧化的清洗介質排出所述環(huán)形腔體；所述冷凝回收裝置與所述排氣組件連通，將霧化后的清洗介質冷凝至液相后排出；
[0008]工藝腔體底環(huán)，設于所述環(huán)形腔體的下方，所述旋轉體的邊緣設有向下突起的液體滴落沿結構，所述液體滴落沿結構用于改變所述旋轉體上的液體流向，使所述旋轉體上的液體滴落至所述工藝腔體底環(huán)內，并通過所述工藝腔體底環(huán)的排液管排出。
[0009]優(yōu)選的，所述排氣組件包括排氣孔陣列、排氣口以及排氣管路；所述排氣孔陣列設于所述環(huán)形腔體的側壁上，并依次與所述排氣口以及排氣管路連通。
[0010]優(yōu)選的，所述排氣管路上設有排氣裝置，以使所述環(huán)形腔體內霧化后的清洗介質排出所述環(huán)形腔體。
[0011]優(yōu)選的，所述排液組件包括排液孔陣列、排液口以及排液管路；所述排液孔陣列設于所述環(huán)形腔體側壁的最低處，并依次與所述排液口以及排液管路連通。
[0012]優(yōu)選的，所述環(huán)形腔體為兩層，上下層疊的設置在所述旋轉體的周緣。
[0013]優(yōu)選的，所述冷凝回收裝置還包括氣體出口以及液體出口，所述液體出口用于排出冷凝后的液相清洗介質，所述氣體出口用于排出剩余的氣體。
[0014]優(yōu)選的，所述壓電陶瓷超聲霧化裝置的表面涂覆有耐腐蝕涂層，以防止清洗介質對壓電陶瓷超聲霧化裝置的腐蝕。
[0015]優(yōu)選的，所述耐腐蝕涂層的厚度在I μπι?100 μm之間。
[0016]優(yōu)選的，所述壓電陶瓷超聲霧化裝置通過設于所述環(huán)形腔體的側壁上的接線柱與外部電路連接。
[0017]本發(fā)明提供一種清洗介質收集裝置，首先在旋轉體的周緣設置環(huán)形腔體，利用壓電陶瓷超聲霧化裝置的高頻振動性能，在清洗工藝過程中，對甩出的液相清洗介質進行霧化，防止液相清洗介質產生回濺，避免二次污染的發(fā)生，使得晶圓的質量進一步提高；同時，對霧化后的清洗介質通過排氣組件和冷凝回收裝置進行回收，對未霧化的清洗介質通過排液組件進行回收，大大提高了清洗介質的回收效率，節(jié)約成本。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本發(fā)明中清洗介質收集裝置的優(yōu)選實施例的結構立體圖；
[0020]圖2為本發(fā)明中清洗介質收集裝置的優(yōu)選實施例的結構剖面圖；
[0021]圖3為本發(fā)明中液體滴落沿結構的結構放大示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明中壓電陶瓷超聲霧化裝置的結構放大示意圖；
[0023]圖5為圖4中A區(qū)域的結構放大示意圖；
[0024]圖6為圖4中B區(qū)域的結構放大示意圖。
[0025]圖中標號說明如下:
[0026]1-晶圓，2-環(huán)形腔體，3-壓電陶瓷超聲霧化裝置，4-冷凝回收裝置，5-旋轉體，6-工藝腔體底環(huán)，7-液體滴落沿結構，8-工藝腔體底環(huán)的排液管，9-排氣孔陣列，10-排氣口，11-排氣管路，12-排液孔陣列，13-排液口，14-排液管路，15-氣體出口，16-液體出口，17-耐腐蝕涂層，18-接線柱，19-夾持件，20-電機。
【具體實施方式】
[0027]為使本發(fā)明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發(fā)明的內容作進一步說明。當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本發(fā)明的限定。
[0028]需要說明的是，在下述的實施例中，利用圖1?6的結構示意圖對按本發(fā)明中的清洗介質收集裝置進行了詳細的表述。在詳述本發(fā)明的實施方式時，為了便于說明，各示意圖不依照一般比例繪制并進行了局部放大及省略處理，因此，應避免以此作為對本發(fā)明的限定。
[0029]如圖2所示，晶圓在進行清洗工藝時，晶圓I通常由夾持件19固定在旋轉體5上，在電機20的帶動下做旋轉運動，晶圓I的轉速可根據(jù)具體的清洗工藝需求進行編程，由計算機下發(fā)至電機20。
[0030]如圖1、2所示，本發(fā)明提供了一種清洗介質收集裝置，當承載在旋轉體5上的晶圓I進行清洗工藝時，對清洗后的清洗介質進行收集，包括:清洗介質收集結構，包括環(huán)形腔體2、壓電陶瓷超聲霧化裝置3、排氣組件、排液組件以及冷凝回收裝置4。其中，環(huán)形腔體2至少為一層，設于旋轉體5的周緣；壓電陶瓷超聲霧化裝置3設于所述環(huán)形腔體2的側壁上，并與外部電路連接，以對環(huán)形腔體2內的液相清洗介質進行霧化；排氣組件設于環(huán)形腔體2的一端，用于將霧化后的清洗介質排出環(huán)形腔體2 ;排液組件設于環(huán)形腔體2的另一端，用于將未霧化的清洗介質抽離環(huán)形腔體2 ;冷凝回收裝置4與排氣組件連通，將霧化后的清洗介質冷凝至液相后排出。
[0031]本發(fā)明中，清洗介質收集結構的數(shù)量可根據(jù)實際情況而定，可層疊設置一層、兩層或兩層以上，本實施例提供了具有兩層環(huán)形腔體2的清洗介質收集結構，兩層環(huán)形腔體2上下層疊的設置在旋轉體5的周緣，以下內容將對清洗介質收集裝置進行詳細說明。
[0032]以其中一層清洗介質收集結構為例進行介紹，環(huán)形腔體2的側壁上設有壓電陶瓷超聲霧化裝置3，固定方式優(yōu)選為黏貼或螺栓固定連接，壓電陶瓷超聲霧化裝置3通