住宅反滲透系統(tǒng)以及延緩其反滲透膜堵塞的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了住宅反滲透系統(tǒng)以及延緩其反滲透膜堵塞的方法，其中延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，在住宅反滲透系統(tǒng)中設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置，使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器的反滲透膜進(jìn)行深度處理。本發(fā)明通過設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置，使堵塞反滲透膜的堵塞物與反滲透膜不能牢固結(jié)合，從而使堵塞物在系統(tǒng)沖洗的過程中非常容易從反滲透膜上沖刷下來，使反滲透膜的通水性能得到一定程度的恢復(fù)，進(jìn)而延長反滲透膜的使用壽命，因此非常適合原水水質(zhì)較硬的地區(qū)使用。
【專利說明】住宅反滲透系統(tǒng)以及延緩其反滲透膜堵塞的方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及住宅反滲透系統(tǒng)以及延緩其反滲透膜堵塞的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]住宅反滲透系統(tǒng)，或稱家用反滲透凈水系統(tǒng)，在原水水質(zhì)較硬的地區(qū)使用時，反滲透膜特別容易堵塞。一支50加侖/天的反滲透膜，經(jīng)測試，當(dāng)原水硬度達(dá)到450mg/L以上時約過濾400~500L純水后就會堵塞(指過濾通量下降到初始通量的二分之一)，而當(dāng)原水硬度不大于130mg/L時則至少能夠過濾2000L純水后才會堵塞。所以，反滲透系統(tǒng)在高硬度水地區(qū)使用時，即便是反滲透膜能夠清洗，也給用戶或售后服務(wù)帶來很大麻煩。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的第一個技術(shù)問題是提供一種適合原水水質(zhì)較硬的地區(qū)使用的住宅反滲透系統(tǒng)。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案是:住宅反滲透系統(tǒng)，其尺寸設(shè)計為與標(biāo)準(zhǔn)廚房水池柜尺寸相配合，包括預(yù)處理器和反滲透處理器；所述預(yù)處理器的進(jìn)水管路連通系統(tǒng)的進(jìn)水口 ；所述預(yù)處理器的出水口連通反滲透處理器的進(jìn)水口 ；所述反滲透處理器的純水出水管路連通系統(tǒng)的純水出口 ；所述反滲透處理器內(nèi)設(shè)有反滲透膜；還包括電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置；所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置設(shè)置在反滲透處理器與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)，或者與所述水路設(shè)備成為一體，或作為變化的電磁場水處理裝置設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。
[0005]所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置設(shè)置在預(yù)處理器的外側(cè)，或者設(shè)置在預(yù)處理器與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)。
[0006]所述預(yù)處理器內(nèi)的過濾材料為過濾精度不大于5微米的PP棉。
[0007]所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置的外側(cè)包覆有能夠防止電磁波向環(huán)境發(fā)射的屏蔽層；所述屏蔽層由導(dǎo)電材料制成。
[0008]優(yōu)選的技術(shù)方案:住宅反滲透系統(tǒng)，還包括穩(wěn)恒磁場水處理裝置；所述穩(wěn)恒磁場水處理裝置設(shè)置在預(yù)處理器的外側(cè)，或者設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。
[0009]所述穩(wěn)恒磁場處理裝置產(chǎn)生的磁場由永久磁鐵或者穩(wěn)恒電流產(chǎn)生。
[0010]優(yōu)選的技術(shù)方案:住宅反滲透系統(tǒng)，還包括回流管；所述回流管的一端連通反滲透處理器的濃縮水排放口，另一端連通電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置置所在位置的上游管路。
[0011]所述電磁波發(fā)射裝置為電磁波發(fā)射專用裝置或者為所述住宅反滲透系統(tǒng)的電氣控制裝置的開關(guān)電源。
[0012]所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置和/或變化的磁場發(fā)生裝置。
[0013]所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置時，包括兩個電極；所述電極的形狀可以是板狀，可以是管狀，也可以是桿狀。[0014]所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括一個有很多匝數(shù)的線圈。
[0015]所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括帶電氣元件的線路板和磁路裝置；所述帶電氣元件的線路板與磁路裝置電連接；所述磁路裝置包括線圈、內(nèi)磁芯和/或外磁芯，以及反滲透處理器與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的殼體或者該水路的水管殼體；所述線圈纏繞在所述水路設(shè)備的殼體的外部或所述水管殼體的外部；所述外磁芯呈條狀且設(shè)置在線圈外，外磁芯的兩端靠上或靠近所述設(shè)備的殼體的外壁或所述水管殼體的外壁；所述內(nèi)磁芯設(shè)置在所述水路設(shè)備的殼體的內(nèi)部或所述水管殼體的內(nèi)部。
[0016]所述內(nèi)磁芯通過支撐板固定在所述設(shè)備的殼體內(nèi)或所述水管的殼體內(nèi)，支撐板上留有水流通道從中穿過的缺口，磁力線穿過水流通道并與水流方向相垂直。
[0017]本發(fā)明所要解決的第二個技術(shù)問題是提供一種延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，延長反滲透膜的使用壽命。
[0018]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案是:延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，在住宅反滲透系統(tǒng)中設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置， 使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0019]優(yōu)選的技術(shù)方案: 所述住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后經(jīng)預(yù)處理器預(yù)過濾，然后再經(jīng)反滲透處理器的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0020]優(yōu)選的技術(shù)方案:在住宅反滲透系統(tǒng)中增設(shè)穩(wěn)恒磁場處理裝置，原水先經(jīng)穩(wěn)恒磁場處理裝置處理，再經(jīng)預(yù)處理器預(yù)過濾，然后流入反滲透處理器進(jìn)行深度處理。
[0021]優(yōu)選的技術(shù)方案:所述反滲透處理器的濃縮水經(jīng)回流管流向電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置所在位置的上游管路中，使?jié)饪s水再次經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置處理，然后再經(jīng)反滲透處理器的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0022]采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明具有以下的有益效果:(1)本發(fā)明通過設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置，使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器的反滲透膜進(jìn)行深度處理，使堵塞反滲透膜的堵塞物與反滲透膜不能牢固結(jié)合，從而使堵塞物在系統(tǒng)沖洗的過程中非常容易從反滲透膜上沖刷下來，使反滲透膜的通水性能得到一定程度的恢復(fù)，進(jìn)而延長反滲透膜的使用壽命，因此非常適合原水水質(zhì)較硬的地區(qū)使用。
[0023](2)本發(fā)明通過設(shè)置穩(wěn)恒磁場處理裝置，利用電磁波或變化的電磁場對水的聯(lián)合作用效應(yīng)對原水進(jìn)行預(yù)處理，然后流入反滲透處理器進(jìn)行深度處理，進(jìn)一步提升住宅反滲透系統(tǒng)適應(yīng)硬水水質(zhì)的能力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0025]圖1為本發(fā)明的實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2為圖1未設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。[0027]圖3為圖1的試驗結(jié)果圖。
[0028]圖4為圖2的試驗結(jié)果圖。
[0029]圖5為本發(fā)明的實施例1的變化的磁場發(fā)生裝置的磁路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖6為圖5的A-A剖視圖。圖7為本發(fā)明的實施例2的變化的磁場發(fā)生裝置的磁路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為圖7的B-B剖視圖。
[0031]附圖中的標(biāo)號為:
[0032]預(yù)處理器1、反滲透處理器2、電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3、線圈 31、內(nèi)磁芯32、外磁芯33、支撐板34、穩(wěn)恒磁場水處理裝置4、回流管5。
【具體實施方式】
[0033](實施例1)
[0034]見圖1，本實施例的住宅反滲透系統(tǒng)，其尺寸設(shè)計為與標(biāo)準(zhǔn)廚房水池柜尺寸相配合，包括預(yù)處理器1、反滲透處理器2、電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3、穩(wěn)恒磁場水處理裝置4和回流管5。
[0035]預(yù)處理器I的進(jìn)水管路連通系統(tǒng)的進(jìn)水口。預(yù)處理器I的出水口連通反滲透處理器2的進(jìn)水口。反滲透處理器2的純水出水管路連通系統(tǒng)的純水出口。反滲透處理器2內(nèi)設(shè)有反滲透膜。預(yù)處理器I內(nèi)的過濾材料為過濾精度不大于5微米的PP棉。
[0036]電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3設(shè)置在反滲透處理器2與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)，或者與水路設(shè)備成為一體，或作為變化的電磁場水處理裝置設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器2的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0037]電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3設(shè)置在預(yù)處理器I的外側(cè)，也可以設(shè)置在預(yù)處理器I與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)。這種設(shè)置可以讓住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后經(jīng)預(yù)處理器I預(yù)過濾，然后再經(jīng)反滲透處理器2的反滲透膜進(jìn)行深度處理。電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3的外側(cè)包覆有能夠防止電磁波向環(huán)境發(fā)射的屏蔽層，屏蔽層由導(dǎo)電材料制成。
[0038]穩(wěn)恒磁場水處理裝置4設(shè)置在預(yù)處理器I的外側(cè)，或者設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。穩(wěn)恒磁場處理裝置4產(chǎn)生的磁場由永久磁鐵或者穩(wěn)恒電流產(chǎn)生?；亓鞴?的一端連通反滲透處理器2的濃縮水排放口，另一端連通電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3所在位置的上游管路。
[0039]當(dāng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3為電磁波發(fā)射裝置時，電磁波發(fā)射裝置為電磁波發(fā)射專用裝置或者為住宅反滲透系統(tǒng)的電氣控制裝置的開關(guān)電源。電磁波發(fā)射裝置為住宅反滲透系統(tǒng)的電氣控制裝置的開關(guān)電源的原理是:開關(guān)電源中存在高頻振蕩電路，高頻振蕩電路在運行時會向周圍環(huán)境發(fā)射電磁波，而電磁波很容易穿過塑料材料制成的預(yù)處理器I的殼體進(jìn)入殼體內(nèi)的水中，對殼體內(nèi)的水進(jìn)行處理。
[0040]當(dāng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3為變化的電磁場發(fā)生裝置時，變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置和/或變化的磁場發(fā)生裝置。[0041]當(dāng)變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置時，包括兩個電極。電極的形狀可以是板狀，可以是管狀，也可以是桿狀。在兩個電極上施加變化的電壓，例如高頻電壓，則兩個電極之間的區(qū)域就產(chǎn)生變化的電場，水從該變化的電場區(qū)域流過時就被得到處理。
[0042]當(dāng)變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括一個有很多匝數(shù)的線圈。在線圈的兩端施加變化的電壓，就會在線圈的導(dǎo)線中產(chǎn)生變化的電流，相應(yīng)地線圈的內(nèi)部空間就會產(chǎn)生變化的磁場，水流直接從存在變化磁場的線圈內(nèi)部流過，或者通過磁路將線圈產(chǎn)生的磁場引到待處理的水中，則變化的磁場就會對從中流過的水進(jìn)行磁化處理，組成磁路的材料包括鐵磁材料。
[0043]當(dāng)變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括帶電氣元件的線路板和磁路裝置。帶電氣元件的線路板與磁路裝置電連接。見圖5和圖6，磁路裝置包括線圈31、 外磁芯33，以及反滲透處理器2與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的殼體或者該水路的水管殼體。線圈31纏繞在水路設(shè)備的殼體的外部或水管殼體的外部。外磁芯33呈條狀且設(shè)置在線圈外，外磁芯33的兩端靠上或靠近設(shè)備的殼體的外壁或水管殼體的外壁。
[0044]通過如圖1所示的設(shè)置了電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3的住宅反滲透系統(tǒng)對硬度為400~480mg/L的原水,按照制水I小時沖洗40秒的方式進(jìn)行試驗。試驗的結(jié)果如圖3所示:圖中純水出水流量不是持續(xù)減小的，是先減小，減小到一定程度后流量又逐漸增大，這說明反滲透膜雖然被逐漸堵塞，但是堵塞物與反滲透膜的結(jié)合并不牢固，在反滲透膜的沖洗過程中會被沖刷下來，從而使反滲透的通水性能得到一定程度的恢復(fù)，這就是圖3中出現(xiàn)波浪式曲線的原因。
[0045]通過如圖2所示的未設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3的住宅反滲透系統(tǒng)對硬度為400~480mg/L的原水,按照制水I小時沖洗40秒的方式進(jìn)行試驗。試驗的結(jié)果如圖4所示:圖中顯示純水出水流量是持續(xù)減小的，說明反滲透膜逐漸堵塞，并且堵塞后不能自行恢復(fù)，直到反滲透膜的出水流量減小到初始流量的二分之一以下，這時認(rèn)為反滲透膜已經(jīng)堵塞。
[0046]對比圖3和圖4不難看出，如圖1所示的設(shè)置了電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3的住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜的使用壽命顯著延長
[0047](實施例2)
[0048]見圖7和圖8，本實施例與實施例1基本相同，不同之處在于:當(dāng)變化的電磁場發(fā)生裝置3為變化的磁場發(fā)生裝置時，變化的磁場發(fā)生裝置的磁路裝置還包括內(nèi)磁芯32和支撐板34。
[0049]內(nèi)磁芯32通過支撐板34固定在設(shè)備的殼體內(nèi)或水管的殼體內(nèi)，支撐板上留有水流通道從中穿過的缺口，磁力線穿過水流通道并與水流方向相垂直。
[0050](實施例3)
[0051]本實施例的延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法為:在住宅反滲透系統(tǒng)中設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3，使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器2的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0052](實施例4)
[0053]本實施例與實施例3基本相同，不同之處在于:住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后經(jīng)預(yù)處理器I 預(yù)過濾，然后再經(jīng)反滲透處理器2的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0054](實施例5)
[0055]本實施例與實施例4基本相同，不同之處在于:在住宅反滲透系統(tǒng)中增設(shè)穩(wěn)恒磁場處理裝置4，原水先經(jīng)穩(wěn)恒磁場處理裝置4處理，再經(jīng)預(yù)處理器I預(yù)過濾，然后流入反滲透處理器2進(jìn)行深度處理。
[0056]電磁波或電磁場處理過的水會有一些固體物質(zhì)析出，導(dǎo)致水的渾濁度上升，該固體物質(zhì)中包括結(jié)水垢的物質(zhì)，預(yù)過濾的作用就是濾除這些固體物質(zhì)，使水的渾濁度下降。經(jīng)電磁波或電磁場處理，再經(jīng)預(yù)過濾，可以使水的硬度下降，同時還能夠改變結(jié)垢物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)，即將碳酸鈣的晶體結(jié)構(gòu)從主要由方解石結(jié)構(gòu)組成變?yōu)橹饕晌氖Y(jié)構(gòu)組成。方解石在室溫和標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下是熱力學(xué)最穩(wěn)定的形式且致密，而文石則比較疏松，即使在后續(xù)的處理過程中在反滲透膜上沉積成水垢，也會在沖洗時將其從反滲透膜上清洗下來。此外，磁處理過的水有促使方解石轉(zhuǎn)變?yōu)槲氖内厔?，所以能夠延緩反滲透膜的堵塞。
[0057](實施例6)
[0058]本實施例與實施例3基本相同，不同之處在于:從反滲透處理器2的濃縮水排放口引一根回流管5到電磁波發(fā)射裝置和/或磁處理器所在位置的上游管路中，反滲透處理器 2的濃縮水經(jīng)回流管5流向電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3所在位置的上游管路中，使?jié)饪s水再次經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置3處理，然后再經(jīng)反滲透處理器2的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
[0059]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā) 明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.住宅反滲透系統(tǒng)，其尺寸設(shè)計為與標(biāo)準(zhǔn)廚房水池柜尺寸相配合，包括預(yù)處理器(I)和反滲透處理器(2);所述預(yù)處理器(I)的進(jìn)水管路連通系統(tǒng)的進(jìn)水口 ；所述預(yù)處理器(I)的出水口連通反滲透處理器(2)的進(jìn)水口 ；所述反滲透處理器(2)的純水出水管路連通系統(tǒng)的純水出口 ；所述反滲透處理器(2)內(nèi)設(shè)有反滲透膜；其特征在于:還包括電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3);所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)設(shè)置在反滲透處理器(2)與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)，或者與所述水路設(shè)備成為一體，或作為變化的電磁場水處理裝置設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3 )設(shè)置在預(yù)處理器(I)的外側(cè)，或者設(shè)置在預(yù)處理器(I)與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述預(yù)處理器(I)內(nèi)的過濾材料為過濾精度不大于5微米的PP棉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)的外側(cè)包覆有能夠防止電磁波向環(huán)境發(fā)射的屏蔽層；所述屏蔽層由導(dǎo)電材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:還包括穩(wěn)恒磁場水處理裝置(4);所述穩(wěn)恒磁場水處理裝置(4)設(shè)置在預(yù)處理器(I)的外側(cè)，或者設(shè)置在反滲透處理器的進(jìn)水水路中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述穩(wěn)恒磁場處理裝置(4)產(chǎn)生的磁場由永久磁鐵或者穩(wěn)恒電流產(chǎn)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:還包括回流管(5);所述回流管(5)的一端連通反滲透處理器(2)的濃縮水排放口，另一端連通電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)所在`位置的上游管路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述電磁波發(fā)射裝置為電磁波發(fā)射專用裝置或者為所述住宅反滲透系統(tǒng)的電氣控制裝置的開關(guān)電源。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置和/或變化的磁場發(fā)生裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的電場發(fā)生裝置時，包括兩個電極；所述電極的形狀可以是板狀，可以是管狀，也可以是桿狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括一個有很多匝數(shù)的線圈。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述變化的電磁場發(fā)生裝置為變化的磁場發(fā)生裝置時，包括帶電氣元件的線路板和磁路裝置；所述帶電氣元件的線路板與磁路裝置電連接；所述磁路裝置包括線圈(31)、內(nèi)磁芯(32)和/或外磁芯(33)，以及反滲透處理器(2)與系統(tǒng)進(jìn)水口之間的水路設(shè)備的殼體或者該水路的水管殼體；所述線圈(31)纏繞在所述水路設(shè)備的殼體的外部或所述水管殼體的外部；所述外磁芯(33)呈條狀且設(shè)置在線圈外，外磁芯(33)的兩端靠上或靠近所述設(shè)備的殼體的外壁或所述水管殼體的外壁；所述內(nèi)磁芯(32)設(shè)置在所述水路設(shè)備的殼體的內(nèi)部或所述水管殼體的內(nèi)部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的住宅反滲透系統(tǒng)，其特征在于:所述內(nèi)磁芯(32)通過支撐板(34)固定在所述設(shè)備的殼體內(nèi)或所述水管的殼體內(nèi)，支撐板(34)上留有水流通道從中穿過的缺口，磁力線穿過水流通道并與水流方向相垂直。
14.延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，其特征在于:在住宅反滲透系統(tǒng)中設(shè)置電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)，使住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后再經(jīng)反滲透處理器(2)的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，其特征在于:所述住宅反滲透系統(tǒng)中的原水先經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)產(chǎn)生的電磁波或電磁場處理，然后經(jīng)預(yù)處理器(I)預(yù)過濾，然后再經(jīng)反滲透處理器(2)的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，其特征在于:在住宅反滲透系統(tǒng)中增設(shè)穩(wěn)恒磁場處理裝置(4)，原水先經(jīng)穩(wěn)恒磁場處理裝置(4)處理，再經(jīng)預(yù)處理器(I)預(yù)過濾，然后流入反滲透處理器(2 )進(jìn)行深度處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的延緩住宅反滲透系統(tǒng)的反滲透膜堵塞的方法，其特征在于:所述反滲透處理器(2)的濃縮水經(jīng)回流管(5)流向電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)所在位置的上游管路中，使?jié)饪s水再次經(jīng)電磁波發(fā)射裝置或變化的電磁場發(fā)生裝置(3)處理，然后再經(jīng)反滲透處理器(2)的反滲透膜進(jìn)行深度處理。
【文檔編號】C02F1/44GK103508608SQ201210218282
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】徐立農(nóng), 黃樟焱 申請人:江蘇正本凈化節(jié)水科技實業(yè)有限公司