本實(shí)用新型涉及控制電路技術(shù)領(lǐng)域，具體地指一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器,可用于控制機(jī)場(chǎng)驅(qū)鳥(niǎo)炮的發(fā)射。

背景技術(shù)：

在飛機(jī)起飛降落及飛行過(guò)程中，由于高速運(yùn)動(dòng)的飛機(jī)具有巨大的沖擊力，如果與飛行者的鳥(niǎo)類(lèi)發(fā)生相撞，可能對(duì)飛機(jī)造成致命的傷害，業(yè)內(nèi)稱(chēng)為“鳥(niǎo)撞事故”，是一種多發(fā)性、危險(xiǎn)性事件，有可能造成重大經(jīng)濟(jì)損失及人員傷亡，影響民航或部隊(duì)的正常飛行或訓(xùn)練備戰(zhàn)任務(wù)。目前，全世界每年約發(fā)生1萬(wàn)例此類(lèi)事故，國(guó)際航空聯(lián)合會(huì)已把鳥(niǎo)害升級(jí)為“A”類(lèi)航空災(zāi)難。

為保證飛行安全，機(jī)場(chǎng)多采用驅(qū)鳥(niǎo)設(shè)備驅(qū)除鳥(niǎo)害。專(zhuān)利號(hào)為CN201610172667.9的“多功能驅(qū)鳥(niǎo)器”專(zhuān)利提供一種采用反光鏡或閃光燈來(lái)驅(qū)除鳥(niǎo)的設(shè)備，但是該設(shè)備容易被鳥(niǎo)類(lèi)適應(yīng)，而且也不適應(yīng)機(jī)場(chǎng)大面積驅(qū)除鳥(niǎo)害。

現(xiàn)多采用鈦雷炮、二踢腳。鈦雷炮、二踢腳是機(jī)場(chǎng)驅(qū)鳥(niǎo)的專(zhuān)用驅(qū)鳥(niǎo)彈，電控?fù)舭l(fā)、騰空炸響，具有聲、光、振動(dòng)、氣浪沖擊，具有良好的驅(qū)鳥(niǎo)效果。鈦雷炮、二踢腳采用電點(diǎn)火頭為引信，由驅(qū)鳥(niǎo)炮控制系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)點(diǎn)火。但是現(xiàn)有鈦雷炮點(diǎn)火控制電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，實(shí)現(xiàn)成本相對(duì)較高。尤其是隨著當(dāng)驅(qū)鳥(niǎo)炮有很多路時(shí),尤其復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述背景技術(shù)的不足,本實(shí)用新型提供一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器，控制鈦雷炮、二踢腳的點(diǎn)火發(fā)射。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為：

一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器，所述驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器由無(wú)線控制模塊、單片機(jī)系統(tǒng)、點(diǎn)火檢測(cè)電路構(gòu)成，所述點(diǎn)火電路由依次相連的點(diǎn)火電源、N個(gè)點(diǎn)火MOS管、N個(gè)電點(diǎn)火頭、限流電阻構(gòu)成，所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管分別與單片機(jī)系統(tǒng)、所述點(diǎn)火電源、N個(gè)電點(diǎn)火頭相連，N為大于2的整數(shù)；

所述檢測(cè)電路由依次相連的所述點(diǎn)火電源、所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、所述限流電阻、檢測(cè)MOS管構(gòu)成，所述檢測(cè)MOS管分別與所述單片機(jī)系統(tǒng)、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、點(diǎn)火電源相連，電點(diǎn)火頭與限流電阻之間的連線與所述單片機(jī)系統(tǒng)相連；

所述點(diǎn)火電源和所述N個(gè)電點(diǎn)火頭為所述點(diǎn)火電路和所述檢測(cè)電路公用。

所述一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器，所述點(diǎn)火電路由依次相連的點(diǎn)火電源、N個(gè)點(diǎn)火PMOS管、N個(gè)電點(diǎn)火頭、限流電阻構(gòu)成，所述N個(gè)點(diǎn)火PMOS管分別與單片機(jī)系統(tǒng)、所述點(diǎn)火電源、N個(gè)電點(diǎn)火頭相連；

所述檢測(cè)電路由依次相連的所述點(diǎn)火電源、所述N個(gè)點(diǎn)火PMOS管、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、所述限流電阻、檢測(cè)NMOS管構(gòu)成，所述檢測(cè)NMOS管分別與所述單片機(jī)系統(tǒng)、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、點(diǎn)火電源相連，電點(diǎn)火頭與限流電阻之間的連線與所述單片機(jī)系統(tǒng)相連。

所述一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器，所述點(diǎn)火電路由依次相連的點(diǎn)火電源、限流電阻、N個(gè)電點(diǎn)火頭、N個(gè)點(diǎn)火NMOS管構(gòu)成，所述N個(gè)點(diǎn)火NMOS管分別與單片機(jī)系統(tǒng)、所述點(diǎn)火電源、N個(gè)電點(diǎn)火頭相連；

所述檢測(cè)電路由依次相連的所述點(diǎn)火電源、檢測(cè)PMOS管、所述N個(gè)點(diǎn)火NMOS管、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭構(gòu)成，所述檢測(cè)PMOS管分別與所述單片機(jī)系統(tǒng)、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、點(diǎn)火電源相連，電點(diǎn)火頭與限流電阻之間的連線與所述單片機(jī)系統(tǒng)相連。

本實(shí)用新型的有益效果:它提供的一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器，原理清晰，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于工程實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器的原理框圖；

圖2為本實(shí)用新型一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器的實(shí)施例；

圖3為本實(shí)用新型一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器的另一實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路點(diǎn)火控制器，參考圖1，所述驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器由無(wú)線控制模塊、單片機(jī)系統(tǒng)、點(diǎn)火檢測(cè)電路構(gòu)成，所述點(diǎn)火電路由依次相連的點(diǎn)火電源、N個(gè)點(diǎn)火MOS管、N個(gè)電點(diǎn)火頭、限流電阻構(gòu)成，所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管分別與單片機(jī)系統(tǒng)、所述點(diǎn)火電源、N個(gè)電點(diǎn)火頭相連，N為大于2的整數(shù)；

所述檢測(cè)電路由依次相連的所述點(diǎn)火電源、所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管、所述N個(gè)電點(diǎn)火頭、所述限流電阻、檢測(cè)MOS管構(gòu)成，所述檢測(cè)MOS管分別與所述單片機(jī)系統(tǒng)、所述N個(gè)點(diǎn)火頭、點(diǎn)火電源相連，電點(diǎn)火頭與限流電阻之間的連線與所述單片機(jī)系統(tǒng)相連；

所述點(diǎn)火電源和所述N個(gè)電點(diǎn)火頭為所述點(diǎn)火電路和所述檢測(cè)電路公用。

所述單片機(jī)系統(tǒng)I/O控制所述N個(gè)點(diǎn)火MOS和所述檢測(cè)MOS分時(shí)導(dǎo)通。點(diǎn)火時(shí)，所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管分時(shí)導(dǎo)通，大電流流過(guò)所述電點(diǎn)火頭內(nèi)的橋絲，使其點(diǎn)火；檢測(cè)時(shí)，所述檢測(cè)MOS管導(dǎo)通，N個(gè)點(diǎn)火MOS管分時(shí)導(dǎo)通，檢測(cè)電點(diǎn)火頭橋絲是否熔斷，由于限流電阻的存在，橋絲電流在安全電流范圍內(nèi)。各路驅(qū)鳥(niǎo)炮分時(shí)工作，以降低對(duì)點(diǎn)火電源的要求。

所述電點(diǎn)火頭橋絲電阻值為1.3±0.3歐姆，電流點(diǎn)火電流為500mA時(shí)20ms內(nèi)或?yàn)?A時(shí)2ms內(nèi)，可安全工作，一般安全電流為0.25A時(shí)在5s內(nèi)可確保設(shè)備安全。

參考圖2，為本實(shí)用新型一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器的實(shí)施例。在本實(shí)施例中，所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管采用PMOS型MOS管，檢測(cè)MOS管為NMOS型MOS管。PMOS管S極接所述點(diǎn)火電源的電源地，D極接所述的電點(diǎn)火頭的橋絲，G極接所述單片機(jī)系統(tǒng)中的I/O。所述單片機(jī)工作于5V電壓，其I/O高電平在5V，低電平在0V。所述點(diǎn)火電源為3.3V，所述單片機(jī)I/O輸出高電平時(shí)，PMOS管Vgs為正電壓截止。輸出低電平時(shí)，PMOS管Vgs在-3.3V，PMOS管完全導(dǎo)通(導(dǎo)通電阻為毫歐級(jí)，可忽略不計(jì))。檢測(cè)NMOS管D極接電點(diǎn)頭，S極接點(diǎn)火電源地，G極接單片機(jī)I/O。所述單片機(jī)I/O輸出高電平時(shí)，NMOS管導(dǎo)通，PMOS管截止。第N路點(diǎn)火時(shí)，第N路PMOS管G極為低電平，檢測(cè)NMOS管G極為高電平，大電流流過(guò)所述電點(diǎn)火頭內(nèi)的橋絲，使其點(diǎn)火。第N路檢測(cè)時(shí)，第N路PMOS管G極為低電平，檢測(cè)NMOS管G極為低電平，檢測(cè)電點(diǎn)火頭橋絲是否熔斷?？紤]到所述點(diǎn)火電源電壓過(guò)高時(shí)，點(diǎn)火電流過(guò)大，會(huì)增加PMOS的成本，因此所述點(diǎn)火電源電壓可適當(dāng)降低。所述限流電阻的阻值選擇應(yīng)使檢測(cè)電流在安全電流以下。

參考圖3為本實(shí)用新型一種驅(qū)鳥(niǎo)炮多路電點(diǎn)火控制器的另一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，所述N個(gè)點(diǎn)火MOS管采用N型MOS管，檢測(cè)MOS管為P型MOS管。NMOS管S極接所述點(diǎn)火電源的電源地，D極接所述的電點(diǎn)火頭的橋絲，G極接所述單片機(jī)系統(tǒng)中的I/O。檢測(cè)PMOS管S極接所述點(diǎn)火電源，D極接電點(diǎn)火頭，G極接所述單片機(jī)系統(tǒng)中的I/O。所述單片機(jī)工作于5V電壓，其I/O高電平在5V，低電平在0V。所述點(diǎn)火電源為3.3V。當(dāng)所述單片機(jī)I/O輸出高電平時(shí)，NMOS管導(dǎo)通，PMOS管截止。第N路點(diǎn)火時(shí)，所述單片機(jī)I/O輸出低電平，第N路NMOS管的Vgs為0V，第N路NMOS管導(dǎo)通，大電流流過(guò)所述電點(diǎn)火頭內(nèi)的橋絲，使其點(diǎn)火。第N路檢測(cè)時(shí)，第N路NMOS管導(dǎo)通，檢測(cè)PMOS管導(dǎo)通，檢測(cè)電點(diǎn)火頭橋絲是否熔斷?？紤]到點(diǎn)火電源電壓過(guò)高時(shí)，點(diǎn)火電流過(guò)大，增加MOS管的成本，因此所述點(diǎn)火電源的電壓值可適當(dāng)降低。所述限流電阻阻值的選擇應(yīng)使檢測(cè)電流在安全電流以下。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)做任何形式上的限制。凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。