專利名稱：在信息層包含聚合網(wǎng)絡的光學數(shù)據(jù)載體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在信息層具有基于有機染料的聚合網(wǎng)絡的光學數(shù)據(jù)儲存器及其制造方法、用途，以及層狀聚合網(wǎng)絡及其制備和使用。
背景技術：
DE-A-10115227描述一種可一次書寫的光學數(shù)據(jù)載體，在其信息層包含具有至少兩個發(fā)色中心的吸光化合物。這樣的化合物可以是例如合適的均聚物、共聚物或接枝聚合物或樹枝狀聚合物(dendrimer)。
然而，這樣的數(shù)據(jù)載體存在某些缺陷。
因此，DE-A-10115227的聚合物染料的形變性太高。而且，使用相同溶劑進行施涂時，施涂的第一層染料會被后面旋轉(zhuǎn)涂布的層再溶解，因此而不能通過使用這些聚合物染料或其它染料進行多次連續(xù)旋轉(zhuǎn)涂布來構(gòu)成多重信息層。如果各層分別由不同染料構(gòu)成，這會導致不均勻的層厚度以及不希望的不同層中染料的混合。
有機染料或聚合物染料的薄膜在沒有保護涂層時，其表面機械強度和抗劃性常不足。為此，基于有機染料或聚合物染料的信息層對于“第一表面記錄/讀”原則的光學數(shù)據(jù)儲存器是不適合的或僅有有限的適用性。在此，信息在數(shù)據(jù)載體層上面上或之下上直接書寫或讀取。透鏡或書寫/讀取頭的孔表面與數(shù)據(jù)載體表面間的距離小于在真空下使用的波長λ(近場光學)。為此原因，經(jīng)常發(fā)生寫/讀頭與數(shù)據(jù)載體層的機械接觸。結(jié)果，表面機械強度低和抗劃性低的信息層受到損壞或變得不能使用。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明目的是提供比現(xiàn)有技術改進并不再有上述缺陷的光學數(shù)據(jù)載體。
本發(fā)明提供的光學數(shù)據(jù)載體具有至少一層包含共價鍵合的吸光化合物的聚合網(wǎng)絡。
本發(fā)明的數(shù)據(jù)載體較好的具有一層信息層，該信息層具有高的表面機械強度和抗劃性，因此適用于“第一表面記錄/讀取”。
具體實施例方式
本發(fā)明的聚合網(wǎng)絡宜以層的形式作為數(shù)據(jù)載體上的信息層或信息層的一部分。
信息層較好是光可寫和光可讀的層。所述光較好是藍光，紅光或紅外光，特別是激光。
對藍光，波長范圍優(yōu)選380-450nm，特別是390-420nm，對紅光，優(yōu)選630-680nm，特別635-660nm，對紅外光，優(yōu)選750-830nm，特別770-800nm。
在光學數(shù)據(jù)載體上可施用一層或多層信息層。然而，由于如CD-R、DVD-R和BD-R的格式，較好在數(shù)據(jù)載體的兩面都有一層信息層。
還可以在數(shù)據(jù)載體上相繼施涂多層聚合網(wǎng)絡。
在CD-R、DVD-R和BD-R情況下，為寫或讀信息層，優(yōu)選遠場光學。為在第一表面記錄/讀取上書寫和讀信息層，優(yōu)選使用通過例如固體浸沒透鏡或直徑小于真空中使用時的激光波長λ的孔來實現(xiàn)的近場光學。
當使用遠場光學用于寫和讀時，光學數(shù)據(jù)載體上的信息層的厚度較好為 更好為 描述使用的遠場光學的場深度(J.-Ph.Perez，Optik，Spektrum akademischer Verlag)。λ是真空中的激光波長，NA是透鏡的數(shù)值孔徑，n是位于透鏡和信息層之間并有光通過的底層材料或覆層材料的折射率。
當使用近場光學寫和讀時，光學數(shù)據(jù)載體上的各信息層的厚度較好為1至λ·(1/5)nm，更好為λ·(1/10)nm。
λ記為nm。因為信息層所在的底材的表面一般有凹槽狀結(jié)構(gòu)的預刻槽，因此可以固定光學數(shù)據(jù)載體上的信息層厚度。為此原因，當通過旋轉(zhuǎn)涂布施用能固化形成信息層的染料時，并不是所有的數(shù)據(jù)載體表面都具有相同厚度的信息層。
聚合網(wǎng)絡較好在340-820nm具有最大吸收。
這種聚合網(wǎng)絡基于至少一種含至少一個能吸收光的基團的單體。
優(yōu)選的單體是在340-410nm范圍有最大吸收λmax1的單體，或在400-650nm范圍有最大吸收λmax2的單體，或在630-820nm范圍有最大吸收λmax3的單體，波長λ1/2為在波長Xmax1、λmax2或λmax3的最大吸收的長波長側(cè)，或在λmax2或λmax3的最大吸收的短波長側(cè)該波長λ1/2的吸收值為λmax1、λmax2或λmax3的吸收值的一半，波長λ1/10為在波長λmax1、λmax2或λmax3的最大吸收的長波長側(cè)，或在λmax或λmax3的最大吸收的短波長側(cè)該波長λ1/10的吸收值為λmax1、λmax2或λmax3的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10較好的相距不大于80nm。
單體的吸光基團較好的應能熱變化。熱變化較好的發(fā)生在＜600℃，更好在＜400℃，最好在＜300℃，特別優(yōu)選＜200℃。這樣的變化可以是例如單體的發(fā)色中心的分解或化學變化。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式中，單體的最大吸收λmax1在340-410nm范圍，較好為345-400nm，更好為350-380nm，最好為360-370nm，在λmax1的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/2所具有的吸收值是λmax1的吸收值的一半，在λmax1的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/10所具有的吸收值是λmax1的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距不大于50nm。這樣，單體較好的沒有大至500nm，較好大至550nm，最好大至600nm的更長的最大波長λmax2。
這樣的單體中，按上面定義的λ1/2與λ1/10相差較好不大于40nm，更好不大于30nm，最好不大于10nm。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，單體的最大吸收λmax2在420-550nm范圍，較好在410-510nm，更好420-510nm，最好在430-500nm，在λmax2的最大吸收的短波長側(cè)的波長λ1/2所具有的吸收值是λmax2的吸收值的一半，在λmax2的最大吸收的短波長側(cè)的波長λ1/10所具有的吸收值是λmax2的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距必須不大于50nm。這樣的吸光化合物較好的沒有小至350nm，較好320nm，最好290nm的更短的最大波長λmax1。
這樣的單體中，按上面定義的λ1/2與λ1/10相差較好不大于40nm，更好不大于30nm，最好不大于20nm。
在本發(fā)明的另一個實施方式中，單體的最大吸收λmax2在500-650nm范圍，較好在530-630nm，更好550-620nm，最好在580-610nm，在λmax2的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/2所具有的吸收值是λmax2的吸收值的一半，在λmax2的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/10所具有的吸收值是λmax2的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距必須不大于50nm。這樣的吸光化合物較好的沒有大至750nm，較好800nm，最好850nm的更長的最大波長λmax3。
這樣的單體中，按上面定義的λ1/2與λ1/10相差較好不大于40nm，更好不大于30nm，最好不大于10nm。
在本發(fā)明的另一個實施方式中，單體的最大吸收λmax3在630-800nm范圍，較好在650-770nm，更好670-750nm，最好在680-720nm，在λmax3的最大吸收的短波長側(cè)的波長λ1/2所具有的吸收值是λmax3的吸收值的一半，在λmax3的最大吸收的短波長側(cè)的波長λ1/10所具有的吸收值是λmax3的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距必須不大于50nm。這樣的吸光化合物較好的沒有小至600nm，較好550nm，最好500nm的更短的最大波長λmax2。
這樣的單體中，按上面定義的λ1/2與λ1/10相距較好不大于40nm，更好不大于30nm，最好不大于20nm。
在本發(fā)明的又一個實施方式中，單體的最大吸收λmax3在650-810nm范圍，較好在660-790nm，更好670-760nm，最好在680-740nm，在λmax3的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/2所具有的吸收值是λmax3的吸收值的一半，在λmax3的最大吸收的長波長側(cè)的波長λ1/10所具有的吸收值是λmax3的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距較好不大于50nm。
這樣的單體中，按上面定義的λ1/2與λ1/10相距較好不大于40nm，更好不大于30nm，最好不大于20nm。
在最大吸收λmax1、λmax2或λmax3，單體的摩爾消光系數(shù)ε較好＞10000l/mol cm，更好＞15000l/mol cm，最好＞20000l/mol cm，優(yōu)選＞25000l/mol cm，更優(yōu)選＞30000l/mol cm，特別優(yōu)選＞40000l/mol cm。
ε值是溶液型參數(shù)，除此之外，同樣的物理性能也可應用于該聚合網(wǎng)絡。
可能的聚合網(wǎng)絡是通過聚合、縮聚或加成聚合反應制備的聚合網(wǎng)絡。
聚合網(wǎng)絡較好基于下面組分A)多官能單體，和視需要的話，B)單官能單體；其中，使用的至少50重量％的單體具有吸光化合物的基團。
為此目的，多官能指具有多個能用作合適反應，即聚合、縮聚或聚加成反應中的活性中心的基團。相應的，在單官能單體中只有一個這樣的基團。
對制備聚合網(wǎng)絡的聚合反應，這些活性中心較好是可聚合的C-C雙鍵和特定的雜環(huán)結(jié)構(gòu)如醚、硫醚、酯和縮醛，特別是能通過自由基或陽離子機理聚合的C-C雙鍵或環(huán)氧乙烷環(huán)。
為本發(fā)明目的，“基于”指還可以使用除A)和B)外的其它組分來制備聚合網(wǎng)絡。但是，優(yōu)選大于90重量％，更好大于95重量％，最好大于98重量％的A)型，和視需要的話B)反應物。
在聚合反應中，組分A)較好包含雙官能或更高官能單體。
對加成聚合或縮聚反應，使用的組分A)聚合由下面組分構(gòu)成A1)至少一種雙官能單體，和A2)至少三官能或更高官能單體。為此目的，當然單體還包含可用于本專利申請的聚合反應的官能預聚物。組分A)的優(yōu)選多官能單體是下式(II)的單體KkBbFf(II)式中，F(xiàn)是發(fā)色中心，所有f個發(fā)色中心可以不同，K是可聚合的基團，所有k個可聚合的基團可以不同，B是二價橋基，b個二價橋基可以不同，k是2-1000的整數(shù)，b，f獨立地是1-1000的值。較好使用A)和B)的混合進行聚合反應，混合物中組分B)最多占90重量％。特別優(yōu)選相應于式III-VI的單體(K-B1-)nF (III)(K-B1-)nF-B2-(-B1-K)n(IV)B3[F(-B1-K)n]m(V)[(K-)(m-1)B3-]nF(VI)式中，B1和B2各自是二價橋基，B3是m-價橋基，n是1-8的整數(shù)，m是3或4。
還特別優(yōu)選可聚合單體，尤其是相應于式VII和VIII的那些單體...-[-F(B1-K)n-B2]p(0)-... (VII)...{-P[-B1-F(B2-K1)n-1]-}p(0)...(VIII)式中，P-是聚合鏈的重復單元，特別優(yōu)選由基團K的聚合反應形成其主鏈的化合物，p(0)是通常對聚合物的平均聚合度，可以是3-1000，優(yōu)選3-100，K1是不同于可聚合的基團K的可聚合的基團。
同樣，特別優(yōu)選具有側(cè)鏈可聚合的基團的含發(fā)色團的共聚物(式IX至XI)...{-P1[-B1-F1(B2-K1)n-1]-}p(1)-...-{-P2[-B4-F2]-}p(2)-}...(IX)...{-P1[-B1-F1(B2-K1)n-1]-}p(1)-...-{-P2[-B4-F2(-B5-K1)l-1]-}p(2)-}... (X)...{-P1[-B1-F]}-}p(1)-...-{-P2B3[-K1]m-1}p(2)-}...(XI)式中P1和P2-是聚合主鏈上相同或不同的重復單元，特別優(yōu)選通過聚合相同或不同的基團K形成其主鏈化合物，B4和B5按照對B1和B2的定義，p(1)和p(2)是對聚合度的相應貢獻，它們在一起相應于通常對聚合物的平均聚合度，可以是3-1000。
優(yōu)選制備信息層的單體是式(III)至(XI)的單體，其中，B1、B2、B4、B5各自是-Q1-T1-Q2-，B3是 或 Q1至Q4各自獨立地是直接鍵，或-O-、-S-、-NR1-、-C(R2R3)-、-(C＝O)-、-(CO-O)-、-(CO-NR1)-、-(SO2)-、-(SO2-O)-、-(SO2-NR1)-、-(C＝NR4)-、-(CNR1-NR4)-、-(CH2)p-、-(CH2CH2O)p-CH2CH2-、o-、m-或p-亞苯基，其中，在其所有可能的異構(gòu)體中，鏈-(CH2)p-可以被-O-、-NR1-或-OSiR52O-，或1，2-、1，3-或1，4-環(huán)己環(huán)中斷，所述環(huán)己環(huán)可有最多3個甲基取代基，T1是直接鍵，或-(CH2)p-，或o-、m-或p-亞苯基，其中，在其所有可能的異構(gòu)體中，鏈-(CH2)p-可以被-O-、-NR1-或-OSiR52O-，或1，2-、1，3-或1，4-環(huán)己環(huán)中斷，所述環(huán)己環(huán)可有最多3個甲基取代基，T2是 其中的鏈-(CH2)p-，-(CH2)r-和/或-(CH2)s-可以被被-O-、-NR1-或-OSiR52O-中斷，
T3是 T5是CR6、N或下式的三價基團， 或 T6是C、Si(O-)4、 或下式的三價基團 或 p是1-12的整數(shù)，q，r，s和t各自獨立地是0-12的整數(shù)，u是2-4的整數(shù)，R1是氫、C1-C12烷基、C3-C10環(huán)烷基、C2-C12鏈烯基、C6-C10-芳基、C1-C12-烷基-(C＝O)-、C3-C10-環(huán)烷基-(C＝O)-、C2-C12-鏈烯基-(C＝O)-、C6-C10-芳基-(C＝O)-、C1-C12-烷基-(SO2)-、C3-C10-環(huán)烷基-(SO2)-、C2-C12鏈烯基-(SO2)-C6-C10-芳基-(SO2)-，R2至R4和R6各自獨立地是，氫、C1-C12烷基、C3-C10環(huán)烷基、C2-C12鏈烯基、C6-C10-芳基，R5是甲基或乙基，其余基團按照上面定義。
K和K1各自獨立地是可聚合的基團。較好是丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、2-氯丙烯酰氧基、和2-溴丙烯酰氧基、o-、m-或p-苯乙烯基、丙烯酰胺和甲基丙烯酰胺、N-烷基丙烯酰胺和N-烷基甲基丙烯酰胺、乙烯氧基和乙烯氧基羰基、環(huán)氧乙烷基(oxiranyl)、2-和3-氧雜環(huán)丁基、2-和3-四氫呋喃基、乙烯基膦酰基和乙烯基磺?；?、2-、3-、4-乙烯基吡啶鎓和N-乙烯基咪唑鎓基。特別優(yōu)選是丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基和環(huán)氧乙烷基。
優(yōu)選的式(VII)-(XI)的官能化聚合物和共聚物是其聚合鏈具有相同或不同結(jié)構(gòu)單元P、P1和P2的那些聚合物或共聚物，其中，P、P1和P2各自獨立地是下列的一種結(jié)構(gòu)單元聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酰胺、聚硅氧烷、聚-α-環(huán)氧乙烷、聚醚、聚酰胺、聚氨酯、聚脲、聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或聚馬來酸衍生物。優(yōu)選聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯基醚和聚酯，以及聚(α-環(huán)氧乙烷)。同樣還優(yōu)選包含丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯和丙烯酰胺單元的共聚物。特別優(yōu)選聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯。這些情況下，P、P1和P2各自獨立地是 其中，R是氫或甲基，(*)鍵引向間隔基B1、B3、B4。
具有吸光基團的單體的發(fā)色中心可以是例如下面結(jié)構(gòu)類型的基團(例如，G.Ebner和D.Schulz，Textilfarberei und Farbstoffe，Springer-Verlag，BerlinHeidelberg，1989；H.Zollinger，Color Chemistry，VCH Verlagsgesellschaft mbHWeinheim，1991)偶氮染料、蒽醌染料、靚類染料、聚甲炔染料、芳基碳鎓染料、硝基染料、苝、香豆素、甲、橋接或未橋接(雜)肉桂酸衍生物、(雜)茋、甲川(methines)、菁族、半菁族(hemicyanines)、中性甲川(neutromethines)(merocyanines)、nullmethines、偶氮甲川(azomethines)、腙、吖嗪染料、三酚二噁嗪(triphenodioxazine)、焦寧、吖啶、若丹明、吲達胺、靚酚、二苯基甲烷或三苯基甲烷、芳基和雜芳基偶氮染料、醌型染料、酞菁、萘菁(naphthocyanines)、次酞菁(subphthalocyanines)、卟啉、四氮雜卟啉和金屬配合物。
用于制備聚合網(wǎng)絡的吸光基團和聚合網(wǎng)絡本身的吸光基團源自吸光化合物。
優(yōu)選的在340-410nm范圍有最大吸收λmax1的吸光化合物(相應于有這些基團的單體)例如是下面通式的那些化合物。通過藍光或紅光，特別是藍激光或紅激光可讀和寫在信息層上的相應光學數(shù)據(jù)儲存，所述光學數(shù)據(jù)儲存具有基于源自這些化合物的吸光基團的相應單體的聚合網(wǎng)絡


式中，AR101和Ar102各自獨立地是C6-C10芳基或五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團取代，Y101和Y102各自獨立地是N或C-R101，或Y101＝Y(jié)102，可以是直接鍵，R101和R104各自獨立地是，氫、C1-C16烷基、氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、C1-C16鏈烷酰基或Ar102，或R101是連接到Ar101的橋基，R102和R103各自獨立地是，氰基、硝基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、氨基羰基或、C1-C16鏈烷?；?，或R102是氫、鹵素、C1-C16烷基或下式的基團 或R103是Ar102、CH2-COO-烷基或P(O)(O-C1-C12-烷基)2或C1-C16烷基或R102；R103與連接它的碳原子一起形成一個五元或六元碳環(huán)或芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以被苯并或萘并和/或被被非離子基團取代，或R103形成與AR101或環(huán)A101的橋基，AR101或A101可含有一個雜原子和/或被非離子基團取代，R100是氫、C1-C16烷基、C7-C16芳烷基或R101，或NR100R100是吡洛烷基、哌啶子基并或嗎啉代，或R100和R104一起形成一個-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-橋基，R105是氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、氨基羰基、C1-C16鏈烷?；駻r101，或R104；R105與連接它的碳原子一起形成一個五元或六元碳環(huán)或芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以被苯并或萘并和/或被被非離子基團取代，X101、X102、X103、X104、X106、X109和X100各自獨立地是O、S或N-R100，或X102、X104或X106還可以是CH或CR100R100，A101、B101、C101、F101、G101和H101各自獨立地是一個五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以被苯并或萘并和/或被被非離子基團取代，X105和X108各自獨立地是N，E101是直接雙鍵、＝CH-CH＝、＝N-CH＝或＝N-N＝，E102是直接鍵、-CH＝CH-、-N＝CH-或-N＝N-，Ar103和Ar104各自獨立地是，2-羥基苯基，可以被苯并稠合和/或被羥基、C1-C16烷氧基或C6-C10芳氧基取代，R106和R107各自獨立地是，氫、C1-C16烷基或C6-C10芳基，或一起形成-CH＝CH-CH＝CH-或o-C6H4-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R108是C1-C16烷基、CHO、CN、CO-C1-C8-烷基、CO-C6-C10-芳基或CH＝C(CO-C1-C8-烷基)-CH2-CO-C1-C8-烷基，R109是羥基或C1-C16烷氧基，R110和R111各自是氫，或一起形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R112是氫、C1-C16烷基或氰基，R113是，氫、氰基、C1-C4烷氧基羰基、C6-C10芳基、噻吩-2-基、吡啶-2-基或吡啶-4-基，吡唑-1-基或1，2，4-三唑-1-或-4-基，它們各自可被苯并或萘并和/或被非離子基團取代，R114是氫、C1-C16烷氧基、1，2，3-三唑-2-基，可帶有非離子基團作為取代基，C1-C16鏈烷?；被?、C1-C8鏈烷磺酰氨基或C6-C10芳基磺酰氨基，Ar105和Ar106各自獨立地是，C6-C10芳基、或一個五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以被苯并或萘并和/或被非離子基團和/或磺基取代，a、b和c各自獨立地是0-2的整數(shù)，X107是N或N+-R100An-，An-是陰離子，E103是N、CH、C-CH3或C-CN，R115和R116各自獨立地是氫或C1-C16烷基，R117和R118各自獨立地是氫、C1-C16烷基、氰基或C1-C16烷氧基羰基，
R119是氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基，或一個噻吩環(huán)上的2個R119基團各自是式-O-CH2-CH2-O-的二價基團，Y103和Y104各自獨立地是O或N-CN，R120至R123各自獨立地是氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基，氰基、C1-C16烷氧基羰基、鹵素、Ar101、Ar102，或R120與R121和/或R122與R123一起形成-CH＝CH-CH＝CH-或o-C6H4-CH＝CH-CH＝CH-橋基，所述橋基可被非離子基團取代，R124是C1-C16烷基、C1-C16烷氧基，氰基、C1-C16烷氧基羰基、羧基、C1-C16-烷基-氨基羰基或C1-C16-二烷基氨基羰基，R125和R126各自獨立地是，氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基，氰基、C1-C16烷氧基羰基、羥基、羧基或C6-C10芳氧基，e、f和g各自獨立地是1-4的整數(shù)，其中，當e、f或g＞1時，基團可以不同，X111是N或C-Ar102，R127是氫、C1-C16烷基或C6-C10芳基，R128和R129各自獨立地是，氫、C1-C16烷基、C6-C10芳基或C7-C15芳烷基，或NR128R129是嗎啉代，哌啶子基或吡咯烷基，R130是C1-C16烷基、C7-C15芳羥基或Ar1，R131和R132各自獨立地是，氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基，氰基、C1-C16烷氧基羰基、鹵素或C6-C10芳基，或一起形成式-CO-N(F130)-CO-的橋基，和式(CCCIX)的基團M300、R360至R309和w至z在下面說明，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R100至R132，M300，R306至R309或通過取代AR101至AR106和環(huán)A101至H101的非離子基團。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
非離子基團較好是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、鹵素、氰基、硝基、C1-C4-烷氧基羰基、C1-C4烷硫基、C1-C4鏈烷?；被?、苯甲酰氨基、單或二-C1-C4烷基氨基。
烷基、烷氧基、芳基和雜環(huán)基如果合適還帶有諸如下列的基團烷基、鹵素、硝基、氰基、CO-NH2、烷氧基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基或苯基，所述的烷基和烷氧基可以是直鏈或支鏈，烷基可以部分鹵化或全鹵化，烷基和烷氧基可以被乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化，在芳基或雜環(huán)基上的相鄰烷基和/或烷氧基可以一起形成三元或四元橋基，雜環(huán)基可以苯并稠合和/或季堿化(quaternized)。
特別優(yōu)選式(CI)至(CXXI)，(CIIIa)和(CCCIX)的吸光化合物，
其中，Ar101和Ar102各自獨立地是，苯基、萘基、苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、噻唑啉-2-基、吡洛啉-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吡咯-2-或-3-基、噻吩-2-或-3-基、呋喃-2-或-3-基、吲哚-2-或-3-基、苯并噻吩-2-基、苯并呋喃-2-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基或二丁基氨基，Y101和Y102各自獨立地是N或C-R101，或Y101＝Y(jié)102可以是直接鍵，R101和R104各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基、氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、乙酰基、丙酰基，或Ar102或Ar101和R101一起形成下式的環(huán)， 它們可以被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基，其中星號(*)標注引出雙鍵的環(huán)原子，R102、R103和R105各自獨立地是，氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、甲氧基乙氧基羰基、乙酰基、丙?；蚨□；騌102是氫，或下式的基團， 或R103是Ar102，或R105是Ar101，或R102；R103或R104；R105與連接它的碳原子一起形成下面式的環(huán)，
它們各自可以是苯并、萘并稠合和/或被非離子基團取代，其中的星號(*)標注引出雙鍵的環(huán)原子，或R103是-CH2-，-C(CH3)2-，-O-，-NH-，-N(CH3)-，-N(C2H5)-，-N(COCH3)-，N(COC4H9)-或-N(COC6H5)-橋基，它們連接在Ar101或環(huán)A101的2位(根據(jù)取代基位置)，R100是氫、甲基、乙基、丙基、丁基或芐基，或NR100R100是吡咯烷基，嗎啉代或哌啶子基，或R100和R104一起形成CH2-CH2-橋基，或式(CVII)或(CXIII)的兩個R100形成-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-橋基，A101，B101和G101各自獨立地是，苯并亞噻唑-2-基、苯并亞噁唑-2-基、苯并亞咪唑-2-基、亞噻唑-2-基、亞噻唑啉-2-基、亞吡咯啉-2-基、亞異噻唑-2-基、亞咪唑-2-基、1，3，4-亞噻二唑-2-基、1，3，4-亞三唑-2-基、亞吡啶-2-或-4-基、亞喹啉-2-或-4-基、亞吡咯-2-或-3-基、亞噻吩-2-或-3-基、亞呋喃-2-或-3-基、亞吲哚-2-或-3-基、苯并亞噻吩-2-基、苯并亞呋喃-2-基或3，3-二甲基亞假吲哚-2-基，A和B還可以是1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基或苯并-1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，C101和F101各自獨立地是，苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、噻唑啉-2-基、吡咯啉-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吡咯-2-或-3-基、噻吩-2-或-3-基、呋喃-2-或-3-基、吲哚-2-或-3-基、苯并噻吩-2-基、苯并呋喃-2-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，其中，X101、X102、X103、X104、X106、X109和X110各自獨立地是，O、S或N-R100，X102、X104或X106還可以CH或CR100R100，X105和X108各自獨立地是N，X107是N或N+-R100An-，和An-是陰離子，E101是一直接雙鍵或＝N-N＝，Ar103和Ar104各自獨立地是，2-羥基苯基，可被羥基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或苯氧基取代，R106和R107各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基，或一起形成-CH＝CH-CH＝CH-或o-C6H4-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R108是甲基、乙基、丙基、丁基、CHO、CN、乙酰基、丙?；虮郊柞；?，R109是羥基、甲氧基、乙氧基或丁氧基，R110和R111各自是氫，或一起形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R112是氫或甲基，R113是氫、氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、苯基、噻吩-2-基、吡啶-2-或-4-基、吡唑-1-基或1，2，4-三唑-1-或-4-基，它們各自可被甲基、甲氧基或氯取代，R114是氫、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、有甲基和/或苯基作為取代基的1，2，3-三唑-2-基、乙酰氨基、甲磺酰氨基或苯磺酰氨基，Ar105和Ar106各自獨立地是，苯基、苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、噻唑啉-2-基、吡咯啉-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、噻吩-2-或-3-基、呋喃-2-或-3-基、苯并噻吩-2-基苯并呋喃-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基或磺基，a，b和c各自獨立地是0-1的整數(shù)，E102是直接鍵、-CH＝CH-或-N＝CH-，E103是N或C-CN，R115和R116各自獨立地是氫、甲基或乙基，R117和R118各自獨立地是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、氰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，R119是氫、甲基、甲氧基、乙氧基，或噻吩環(huán)上的兩個R119基團形成式-O-CH2CH2-O-的二價基團，Y103和Y104各自獨立地是O或N-CN，R120至R123各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、氯、溴，或R120與R121和/或R122與R123一起形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R124是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，R125和R126各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基或羥基，其中至少一個R126基團位于環(huán)的1或3位，并是甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基，e，f和g各自獨立地是1或2，當e，f或g＞1時，基團可以不同，X111是N或C-Ar102，R127是氫、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基，R128和R129各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基或芐基，或NR128R129是嗎啉代、哌啶子基或吡咯烷基，R130是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、甲氧基丙基、芐基或苯乙基或Ar1，R131和R132各自獨立地是，氫、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰、甲氧基羰基、乙氧基羰基、氯或溴，或一起形成式-CO-N(R130)-CO-的橋基，M300是2個H原子、Al、Si、Ge、Zn、Mg或TiIV，當M300是Al、Si、Ge或TiIV時，M300還有一個或兩個取代基，或相對于酞菁平面軸向排列的配體R313和/或R314，R306和R309各自獨立地是，甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基或氯，w至z各自獨立地是0-4的整數(shù)，R313和R314各自獨立地是，甲基、乙基、苯基、羥基、氟、氯、溴、甲氧基、乙氧基、苯氧基、甲苯氧基、氰基或＝O，基團R306至R309、M300和w至z還將在下面進一步說明，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R100至R132，通過取代Ar101至Ar106和環(huán)A101至H101的基團通過R306至R309，R313或R314。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
下面的例子用于說明目的









用于制備聚合網(wǎng)絡的單體的吸光基團以及聚合網(wǎng)絡本身的吸光基團源自吸光化合物。
優(yōu)選的在400-650nm范圍有最大吸收λmax2的吸光化合物(相應于有這些基團的單體)例如是下面通式的那些化合物通過藍光或紅光，特別是藍激光或紅激光可讀和寫在信息層上的相應光學數(shù)據(jù)儲存，所述光學數(shù)據(jù)儲存具有基于源自這些化合物的吸光基團的相應單體的聚合網(wǎng)絡



Ar201、Ar202、Ar204、Ar205和Ar206各自獨立地是C6-C10芳基或五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，Ar203是C6-C10的芳族雙官能基團，或五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)基的雙官能基團，所述環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，兩個這樣的雙官能基團還可以通過一個雙官能橋基連接，Y201是N或C-R201，R201是，氫、C1-C16烷基、氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、C1-C16鏈烷?；駻r202，或連接Ar201或R200的橋基，R202和R203各自獨立地是氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、氨基羰基或C1-C16鏈烷?；?、或R202是氫、鹵素或下式基團 或R203是Ar202、CH2-COO-烷基或P(O)(O-C1-C12-烷基)2或C1-C16烷基，或R202；R203與連接它的碳原子一起形成一個五元或六元碳環(huán)、或芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化的雜環(huán)，所述環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團取代，E201是直接鍵、-CH＝CH-、-CH＝C(CN)-或-C(CN)＝C(CN)-，o是1或2，R204是氫、C1-C16烷基或C7-C16芳烷基，或連接到Ar201或Ar202或E201或Ar205或E207的橋基，或NR204R204是吡咯烷基、哌啶子基或嗎啉代，X201、X202、X204和X206各自獨立地是O、S或N-R200，或X202、X204或X206還可以是CH或CR200R200，A201、B201、C201和J201各自獨立地是五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化的雜環(huán)，所述環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團取代，X203和X205各自獨立地是N，R200是氫、C1-C16烷基或C7-C16芳烷基，或形成到E202、E203、E205或E206的環(huán)，E202是直接雙鍵、＝CH-CH＝、＝N-CH＝或＝N-N＝，E203、E204、E205、E206和E207各自獨立地是N或C-R201，-E203＝E204-或-E206＝E207-可以是直接鍵，并且兩個R201基團一起形成二元、三元或四元橋基，可含有雜原子和/或被非離子基團取代和/或苯并稠合，R205和R205’各自是氫，或一起形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R206是氫、氰基或C1-C4烷基-SO2-，R207是氫、氰基、C1-C4烷氧基羰基或Ar201，R208是NR222R223、哌啶子基、嗎啉代或吡咯烷基，R213、R218、R219、R222和R223各自獨立地是，氫、C1-C16烷基或C7-C16芳烷基或C6-C10芳基，X207是O、S、N-R200或C(CH3)2，Y202和Y204各自獨立地是OR222、SR222或NR222R223，Y203和Y205各自獨立地是O、S或N+R222R223An-，An-是陰離子，R209和R219各自獨立地是，氫、C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、鹵素，Y202或Y204，或與R216和/或R217一起形成一個橋基，或兩個相鄰基團R209或R210形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，h和i各自獨立地是0-3的整數(shù)，R211是氫、C1-C4烷基或Ar201，Y210和Y211各自獨立地是O、S或N-CN，X208和X209各自獨立地是O、S或N-R213，R212是氫、鹵素、C1-C16烷基或C7-C16芳烷基或C6-C10芳基，R214和R215各自獨立地是氫、C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、鹵素、氰基、硝基或NR222R223，或兩個相鄰R214或R215形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，而該橋基又可被R214或R215取代，R214或R215中至少一個是NR222R223，j和m各自獨立地是1-4的整數(shù)，D201、E201、G201和H201各自獨立地是五元或六元芳族、假芳族碳環(huán)，或芳族、假芳族或部分氫化的雜環(huán)，所述各環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，Y206和Y207各自獨立地是-O-、NR224-、CO-O-、-CO-NR224、-SO2-O-或-SO2-NR224-，Y208、Y209和Y210各自獨立地是N或CH，Y211是O或-NR224，R224是氫、C1-C16烷基、氰基、C1-C16烷氧基羰基、C1-C16鏈烷?；?、C1-C16烷基磺?；6-C10芳基、C6-C10芳基羰基或C6-C10芳基磺酰基，M200和M201各自獨立地是至少一個二價金屬，M200和M201還可以帶有取代基和/或配體，M201還可以代表兩個氫原子，F(xiàn)201是五元或六元芳族、假芳族或部分氫化的雜環(huán)，所述各環(huán)還可以含有雜原子和/或苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，R220和R221各自獨立地是氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基、氰基、C1-C16烷氧基羰基、鹵素、C6-C10芳基、NR222R223，或一起形成一個下式的二價基團，
X210是N、CH、C1-C6烷基、C-Ar201、C-Cl或C-N(C1-C6烷基)2，Y212是N-R204、N-AR201、N-N＝CH-AR201、CR202R203An-或CH-CR202R203，Y213是NH-R214、NH-Ar201、NH-N＝CH-Ar201、CR202R203An-或CH＝CR202R203，其中，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R200至R224，或通過取代Ar201至Ar205和環(huán)A201至J201的非離子基團。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
非離子基團較好是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、鹵素、氰基、硝基、C1-C4-烷氧基羰基、C1-C4烷硫基、C1-C4鏈烷酰基氨基、苯甲酰氨基、單或二-C1-C4烷基氨基。
烷基、烷氧基、芳基和雜環(huán)基還可帶有諸如下列的基團烷基、鹵素、硝基、氰基、COOH、CO-NH2、烷氧基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基、苯基或SO3H，所述的烷基和烷氧基可以是直鏈或支鏈，烷基可以部分鹵化或全鹵化，烷基和烷氧基可以被乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化，在芳基或雜環(huán)基上的相鄰烷基和/或烷氧基可以一起形成三元或四元橋基，雜環(huán)基可以苯并稠合和/或季化。
特別優(yōu)選式(CCI)至(CCXXVI)和(CCIVa)的吸光化合物，其中，Ar201、Ar202、Ar204、Ar205和Ar206各自獨立地是，苯基、萘基、苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、噻唑啉-2-基、吡咯啉-2-基、異噻唑3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吡咯-2-或-3-基、噻吩-2-或-3-基、呋喃-2-或-3-基、吲哚-2-或-3-基、苯并噻吩-2-基、苯并呋喃-2-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、羥基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、吡咯烷基、哌啶子基、嗎啉代、COOH或SO3H，Ar203是亞苯基、亞萘基、1，3，4-噻二唑-2，5-二基、1，3，4-噁二唑-2，5-二基、1，3，4-三唑-2，5-二基或下式之一的雙官能基團， 或 它們各自可以被下面基團取代氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、嗎啉代、COOH或SO3H，Y210是Cl、OH、NHR200或NR2002，Y201是N或C-R201，R201是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、乙酰基、丙?；駻r202，R202和R203各自獨立地是，氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、甲氧基乙氧基羰基、乙酰基、丙?；蚨□；?，或R202是氫或下式基團， 或R203是Ar202，或R202；R203與連接它的碳原子一起形成一個下式的環(huán)，
它們各自可以被苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或離子基團取代，其中星號(*)標注引出雙鍵的環(huán)原子，E201是直接鍵或-CH＝CH-，
R204是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、芐基，或AR201-N-R204或AR205-N-R204是通過N連接的吡咯、吲哚或咔唑環(huán)，并可以被下面基團取代甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基或甲氧基羰基，或NR204R204是吡咯烷基、哌啶子基或嗎啉代，A201是苯并亞噻唑-2-基、苯并亞噁唑-2-基、苯并亞咪唑-2-基、亞噻唑-2-基、亞噻唑啉-2-基、亞吡咯-2-基、亞異噻唑-2-基、亞咪唑-2-基、1，3，4-亞噻二唑-2-基、1，3，4-亞三唑-2-基、亞吡啶-2-或-4-基、亞喹啉-2-或-4-基、亞吡咯-2-或-3-基、亞噻吩-2-或-3-基、亞呋喃-2-或-3-基、亞吲哚-2-或-3-基、苯并亞噻吩-2-基、苯并亞呋喃-2-基、1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基、苯并-1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基或3，3-二甲基亞假吲哚-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、甲基芐基氨基、甲基苯基氨基、吡咯烷基或嗎啉代，B201是苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、噻唑啉-2-基、吡咯啉-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吲哚-3-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、甲基芐基氨基、甲基苯基氨基、吡咯烷基或嗎啉代，C201是苯并亞噻唑-2-基、苯并亞噁唑-2-基、苯并亞咪唑-2-基、亞噻唑-2-基、亞噻唑-5-基、亞噻唑啉-2-基、亞吡咯-2-基、亞異噻唑-2-基、亞咪唑-2-基、1，3，4-亞噻二唑-2-基、1，3，4-亞三唑-2-基、亞吡啶-2-或-4-基、亞喹啉-2-或-4-基、亞吲哚-3-基、或3，3-二甲基亞假吲哚-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、甲基芐基氨基、甲基苯基氨基、吡咯烷基哌啶子基或嗎啉代，其中，X201、X202、X204和X206各自獨立地是O、S或N-R200，X202、X204和X206還可以是CR200R200，X203和X205各自獨立地是N，An-是陰離子，R200是氫、甲基、乙基、丙基、丁基或芐基，R200’是甲基、乙基、丙基、丁基或芐基，E202是＝CH-CH＝、＝N-CH＝或＝N-N＝，-E203＝E204-E205＝是-CR201’＝CR201’＝、-N＝N-N＝、-N＝CR201’-CR201’＝、-CR201’＝N-CR201’＝、-CR201’＝CR201’-N＝、-N＝N-CR201’＝或-CR201’＝N-N＝，E206＝E207是CR201’＝N-CR201’、N＝N、N＝CR201’、CR201’＝N或直接鍵，R201’是氫、甲基或氰基，或兩個R201’基團形成-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-或-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R205和R205’各自是氫，或一起形成-CH＝-CH-CH＝CH-橋基，R206是氰基或甲基-SO2-，R207是氫、氰基、C1-C4-烷氧基羰基或Ar201，R208是NR222R223、哌啶子基、嗎啉代或吡咯烷基，R213、R218、R222、R222和R223各自獨立地是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、芐基、苯乙基、苯丙基或苯基、它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、COOH或SO3H，X207是O、S或N-R200，Y202和Y204各自獨立地是NR222R223，Y203和Y205各自獨立地是O或N+R222R223An-，R209和R210各自獨立地是氫、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、氯或溴或R209；R222、R209；R223、R210；R222和/或R210；R223形成-CH2-CH2-或-CH2-CH2-CH2-橋基，或兩個相鄰R209或R210形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，a和b各自獨立地是0-3的整數(shù)，R211是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或苯基、它們各自可以被1-3個選自下面的基團取代羥基、甲基、甲氧基、氯、溴、COOH、甲氧基羰基、乙氧基羰基和SO3H，Y210和Y209各自獨立地是O或N-CN，
X208和X209各自獨立地是O或N-R213，R212是氫或氯，R214和R215各自獨立地是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基或NR222R223，或兩個相鄰R214和R215形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R214或R215中至少一個，較好兩個是NR222R223，d和e各自獨立地是1-3的整數(shù)，D201和E201各自獨立地是苯基、萘基、吡咯、吲哚、吡啶、喹啉、吡唑或嘧啶，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、氰基、硝基、羥基、NR222R223、乙酰氨基、丙酰氨基或苯甲酰氨基，Y206和Y207各自獨立地是-O-、-NR224-、-CO-O-或-CO-NR224-，Y208＝Y(jié)209是N＝N或CH＝N，Y210是N或CH，R224是氫、甲基、甲?；?、乙酰基、丙?；⒓谆酋；蛞一酋；?，M200是Cu、Fe、Co、Ni、Mn或Zn，M201是2個H原子、CuII、CoII、CoIII、NiII、Zn、Mg、Cr、Al、Ca、Ba、In、Be、Cd、Pb、Ru、Be、PdII、PtII、Al、FeII、FeIII、MnII、VIV、Ge、Sn、Ti或Si，其中當M201是CoIII、FeII、FeIII、Al、In、Ge、Ti、VIV或Si時，它還有一個或兩個取代基或相對于卟啉環(huán)平面軸向排列的配體R225和/或R226，R225和R226各自獨立地是甲基、乙基、苯基、羥基、氟、氯、溴、甲氧基、乙氧基、苯氧基、甲苯氧基、氰基或＝O，F(xiàn)201是吡咯-2-基、咪唑-2-或-4-基、吡唑-3-或-5-基、1，3，4-三唑-2-基、噻唑-2-或-4-基、噻唑啉-2-基、吡咯啉-2-基、噁唑-2-或-4-基、異噻唑-3-基、異噁唑-3-基、吲哚-2-基、苯并咪唑-2-基、苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并異噻唑-3-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，2，4-噻二唑-3-或-5-基、1，3，4-噁二唑-2-基、吡啶-2-基、喹啉-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二環(huán)己基氨基、苯氨基、N-甲基苯氨基、二乙醇氨基、N-甲基乙醇氨基、吡咯烷基、嗎啉代或哌啶子基，G201是下式的環(huán)，
它們各自可以苯并或萘并和/或被非離子基團取代，其中的星號(*)指引出單鍵Y210的環(huán)原子，(～)指引出連接到M的單鍵的氧原子(＝Y(jié)206)，和Y206是-O-，H201是下式的環(huán)，
它們各自可以苯并或萘并和/或被非離子基團取代，其中的星號(*)指引出雙鍵到Y(jié)210的環(huán)原子，和Y211是＝O，E201是直接鍵，R204是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、芐基或AR201-N-R204或AR205-N-R204是通過N連接的吡咯、吲哚或咔唑環(huán)，它們可以被下面基團取代甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基或甲氧基羰基，R220和R221各自獨立地是氫、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氰基、甲氧基羰基、氯、溴、苯基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、苯氨基，或一起形成下式的二價基團， X210是N或CH，Y212是N-R204、N-AR201或CR202R203，Y213是NH-R204、NH-AR201或CR202R203An-，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R200至R214，或通過取代Ar201至Ar205和環(huán)A201至H201的非離子基團。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
下面例子用于說明目的


















用于制備聚合網(wǎng)絡的單體的吸光基團以及聚合網(wǎng)絡本身的吸光基團源自吸光化合物。
優(yōu)選在630-820nm有最大吸收λmax3的吸光化合物(相應于有這些基團的單體)是下面通式的化合物通過紅光或紅外光，特別是紅激光或紅外激光可讀和寫在信息層上的相應光學數(shù)據(jù)儲存，所述光學數(shù)據(jù)儲存具有基于源自這些化合物的吸光基團的相應單體的聚合網(wǎng)絡

其中，Ar301和AR302各自獨立地是C6-C10芳基，或五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述各環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，AR303是C6-C10芳環(huán)的雙官能基團，或五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)的雙官能基團，所述各環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團或磺基取代，兩個這樣的雙官能基團可以通過一個雙官能橋基連接，E301是N、C-AR302或N+-AR302An-，An-是陰離子，R302和R303各自獨立地是氰基、羧基、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基羰基、氨基羰基或C1-C16鏈烷?；騌303是AR302或R302；R303與連接它的碳原子一起形成五元或六元碳環(huán)，或芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述各環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子或離子基團取代，E303至E309各自獨立地是C-R310或N，其中，E303至E309的兩個單元的R310基團一起形成2元或4元橋基，所述橋基含雜原子或被非離子基團取代和/或苯并，E305-E306和/或E307-E308可以是直接鍵，R310是氫、C1-C16烷基、氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、C1-C16鏈烷酰基，AR302、-CH＝CH-Ar302、-(CH＝CH)2-Ar302或下式基團 X301、X302、X304和X306各自獨立地是O、S或N-R300，X302、X304和X306還可以是CR300R300，A301、B301和C301各自獨立地是五元或六元芳環(huán)、假芳環(huán)或部分氫化雜環(huán)，所述各環(huán)可以苯并或萘并稠合和/或被非離子基團取代，X303和X305各自獨立地是N，或(X303)+-R300是O+或S+和/或X305-R300是O或S，R300是氫、C1-C16烷基或C7-C16芳烷基，或形成連接到E302、E303或E307的環(huán)，E302是＝CH＝CH-、＝N-CH-、＝N-N＝，或下式的二價基團， 或
其中，六元環(huán)可以比非離子基團取代和/或苯并稠合，Y301是N或C-R301，R301是氫、C1-C16烷基、氰基、羧基、C1-C16烷氧基羰基、C1-C16鏈烷?；駻r302，或是連接到R303或Ar303的橋基，v是1或2，X307是O、S或N-R311，R311和R312各自獨立地是氫、C1-C16烷基、C7-C16芳烷基或C6-C10芳基，Y302是NR31R312，Y303是CR302R303，R304和R305各自獨立地是氫、C1-C16烷基、C1-C16烷氧基羰基、C6-C10芳氧基，或兩個相鄰基團R304或R305形成-CH＝CH-CH＝CH橋基，h和i各自獨立地是0-3的整數(shù)，M300是2個H原子，或至少二價金屬或非金屬，其中M還可以較好有2個取代基或配體R313和/或R314，R306至R309各自獨立地是C1-C16烷基、C1-C16烷氧基、C1-C16烷硫基，C6-C10芳氧基、鹵素、COOH、-CO-OR311、-CO-NR311R312、-SO3H、-SO2-NR311R312，或兩個相鄰基團R306、R307、R308或R309形成-CH＝CH-CH＝CH橋基，w至z各自獨立地是0-4的整數(shù)，其中，當w、x、y或z＞1時，R306、R307、R308或R309可以有不同定義，R313和R314各自獨立地是C1-C16烷氧基、C6-C10芳氧基、羥基、鹵素、氰基、硫氰酸基、C1-C12烷基異腈基、C6-C10芳基、C1-C16烷基、C1-C12烷基-CO-O-、C1-C12烷基-SO2-O-、C6-C10芳基-CO-O-、C6-C10芳基-SO2-O-、三C1-C12烷基甲硅烷氧基或NR311R312，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R300至R314，或通過取代Ar301至Ar303和環(huán)A301至C301的非離子基團。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
在式(CCCIX)的酞菁情況，還包括相應的單氮雜至四氮雜衍生物和其季銨鹽。
非基團例如可以是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、鹵素、氰基、硝基、C1-C4-烷氧基羰基、C1-C4烷硫基、C1-C4鏈烷?；被?、苯甲酰氨基、單或二-C1-C4烷基氨基。
烷基、烷氧基、芳基和雜環(huán)基還帶有諸如下列的基團烷基、鹵素、硝基、氰基、COOH、CO-NH2、烷氧基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基、苯基或SO3H，所述的烷基和烷氧基可以是直鏈或支鏈，烷基可以部分鹵化或全鹵化，烷基和烷氧基可以被乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化，在芳基或雜環(huán)基上的相鄰烷基和/或烷氧基可以一起形成三元或四元橋基，雜環(huán)基可以苯并稠合和/或季堿化。
特別優(yōu)選式(CCCI)至(CCCIX)的吸光化合物。
Ar301和Ar302各自獨立地是苯基、萘基、苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吡咯-2-或-3-基、噻吩-2-或-3-基、呋喃-2-或-3-基、吲哚-2-或-3-基、苯并噻吩-2-基、苯并呋喃-2-基、1，2-二硫雜環(huán)戊二烯-3-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、羥基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基、苯甲酰氨基、氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基或二丁基氨基、吡咯烷基、哌啶子基、嗎啉代、COOH或SO3H，Ar301還可以是下面式的環(huán)， 它們各自可以是苯并、萘并稠合和/或被非離子基團取代，其中的星號(*)標注引出單鍵的環(huán)原子，Ar303是亞苯基、亞萘基、噻唑-2，5-基、噻吩-2，5-二基或呋喃-2，5-二基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、羥基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，E301是N、C-AR302或N+-AR302An-，An-是陰離子，R302和R303各自獨立地是氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、甲氧基乙氧基羰基、乙?；⒈；蚨□；騌303是AR302或R302；R303與連接它的碳原子一起形成下面式的環(huán)，

它們各自可以是苯并、萘并稠合和/或被非離子基團或離子基團取代，其中的星號(*)標注引出雙鍵的環(huán)原子，E303和E309各自獨立地是C-R310或N，E303至E309的兩個相鄰單元可形成下式的二價基團， 或 或E303至E309的三個相鄰單元形成下式的二價基團， 或 或E303至E309的五個相鄰單元形成下式的二價基團， 其中，在各種情況下，星號(*)代表連接到下一單元E、至Ar301、CR302R303、或至環(huán)B301或C301的單鍵或雙鍵，所述環(huán)可以被甲基、甲氧基、氯、氰基或苯基取代，E305＝E306和/或E307＝E308代表直接鍵，R310是氫、甲基、乙基、氰基、氯、苯基或下式基團，
Ar301是苯并亞噻唑-2-基、苯并亞噁唑-2-基、苯并亞咪唑-2-基、亞噻唑-2-基、亞異噻唑-3-基、亞咪唑-2-基、1，3，4-亞噻二唑-2-基、1，3，4-亞三唑-2-基、亞吡啶-2-或-4-基、亞喹啉-2-或-4-基、亞吡咯-2-或-3-基、亞噻吩-2-或-3-基、亞呋喃-2-或-3-基、亞吲哚-2-或-3-基、苯并亞噻吩-2-基、苯并亞呋喃-2-基、1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基、苯并-1，3-亞二硫雜環(huán)戊二烯-2-基或3，3-二甲基亞假吲哚-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，B301是苯并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、噻唑-2-基、異噻唑-3-基、咪唑-2-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4-三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基、吡喃鎓-2-或-4-基、硫吡喃鎓-2-或-4-基、吲哚-3-基、苯并[c，d]吲哚-2-基或3，3-二甲基假吲哚-2-基，它們各自可被下列基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，C301是苯并亞噻唑-2-基、苯并亞噁唑-2-基、苯并亞咪唑-2-基、亞噻唑-2-基、亞異噻唑-3-基、亞咪唑-2-基、1，3，4-亞噻二唑-2-基、1，3，4-亞三唑-2-基、亞吡啶-2-或-4-基、亞喹啉-2-或-4-基、脫氫亞吡喃-2-或-4-基、硫亞吡喃-2-或-4-基、亞吲哚-3-基、苯并[c，d]亞吲哚-2-基或3，3-二甲基亞假吲哚-2-基，它們各自可以被下面基團取代甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、氯、溴、碘、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙酰氨基、丙酰氨基、丁酰氨基或苯甲酰氨基，其中X301、X302、X304和X306各自獨立地是O、S或N-R300，X302、X304和X306還可以是CR300R300，X303和X305各自獨立地是N，或(X303)+-R300是O+或S+和/或X305-R300是O或S，和An-是陰離子，R300是氫、甲基、乙基、丙基、丁基或芐基，R300’是甲基、乙基、丙基、丁基或芐基，
E302是下式的二價基團 其中六元可以被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、乙酰氨基、丙酰氨基或甲基磺酰氨基取代和/或苯并稠合，Y301是N或C-R301，R301是氫、甲基、乙基、氰基、羧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、乙?；虮；?，v是1或2，X307是O、S或N-R311，R311和R312各自獨立地是氫、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、芐基、苯基，它們各自可以被下面一個或多個基團取代甲氧基、乙氧基、丙氧基、氯、溴、二甲基氨基或二乙基氨基，Y302是NR311R312，Y303是CR302R303，R304和R305各自獨立地是氫、甲基、乙基、苯基、丁基、甲氧基、乙氧基或苯氧基，或兩個相鄰R304或R305形成-CH＝CH-CH＝CH橋基，M300是2個H原子、CuII、CoII、CoIII、NiII、Zn、Mg、Cr、Ca、Ba、In、Be、Cd、Pb、Ru、Be、Al、PdII、PtII、Al、FeII、FeIII、MnII、VIV、Ge、Sn、Ti或Si，其中當M是CoIII、FeII、FeIII、Al、In、Ge、Ti、VIV或Si時，它還有一個或兩個取代基或相對于酞菁環(huán)平面軸向排列的配體R313和/或R314，R306至R309各自獨立地是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、苯氧基、氯、溴、-SO3H或SO2NR311R312，或兩個相鄰基團R306、R307、R308或R309形成-CH＝CH-CH＝CH-橋基，R313和R314各自獨立地是羥基、氟、氯、溴、氰基、＝O、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、苯氧基、吡唑基、咪唑基或NR311R312，它們各自可以被下面的一個或多個基團取代甲氧基、乙氧基、丙氧基、氯、溴、二甲基氨基或二乙基氨基，與橋基B和B1至B5的連接是通過基團R300至R314，或通過取代Ar301至Ar303和環(huán)A301至C301的非離子基團。這種情況下，這些基團代表直接鍵。
下面例子用于說明目的








在一個較好的實施方式中，按照本發(fā)明，用于制備聚合網(wǎng)絡的單體，例如組分A)或B)，具有式(M1)的至少一個官能團K-B，
其中，P1是1-6，特別是2或3，P2是0或1，p3是0或1，特別是，(M1)是下式的基團 或 或至少一個下式的官能團 或 其中P1按上面定義，或，至少兩個式(M2)的官能團K-B 其中，P1按上面定義，和R150是 -OH或NH2。
和至少一個吸光基團。
可能的吸光基團是能與官能團或基團一起形成具有物理性質(zhì)如在開始時所述的最大吸收的單體的基團。
吸光基團特別優(yōu)選源自部花青染料類和偶氮染料類的化合物。
具有至少一個式(M1)官能團的相應化合物同樣屬于本發(fā)明范圍。
這些單體可采用本領域已知的方法制備。
單體如P(M2)型的那些單體適用于加成聚合。優(yōu)選的加成聚合反應的反應物是多異氰酸酯。特別優(yōu)選芳族或脂族多異氰酸酯。
合適的多異氰酸酯本身為已知的。它們可以是脂族、芳族或雜環(huán)多異氰酸酯，在例如W.Sirfken in Justus Liebigs Annalen der Chemie，562，第75-136頁所述；例如，乙二異氰酸酯、1，4-丁二異氰酸酯、1，6-己二異氰酸酯、二異氰酸1，12-十二烷酯、1，3-環(huán)丁烷二異氰酸酯、1，3-環(huán)己烷二異氰酸酯和1，4-環(huán)己烷二異氰酸酯，這些異構(gòu)體的混合物；1-異氰酸基-3，3，5三甲基-5-異氰酸基甲基環(huán)己烷(DE-A 1 202 785；US-A 3401190)、2，4-六氫甲苯二異氰酸酯和2，6-六氫甲苯二異氰酸酯、1，3-六氫苯二異氰酸酯和/或1，4-六氫苯二異氰酸酯、全氫二苯基甲烷2，4’-二異氰酸酯和/或全氫二苯基甲烷4，4’-二異氰酸酯、1，3-苯二異氰酸酯和1，4-苯二異氰酸酯、2，4-甲苯二異氰酸酯和/或2，6-甲苯二異氰酸酯，這些異構(gòu)體的混合物，異構(gòu)的二苯基甲烷二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸酯?？梢允褂蒙鲜霎惽杷狨サ幕旌衔?。
優(yōu)選使用1-異氰酸基-3，5，5-三甲基-5-異氰酸基甲基環(huán)己烷、全氫二苯基甲烷4，4’-二異氰酸酯和/或全氫二苯基甲烷2，4’-二異氰酸酯、異構(gòu)的甲苯二異氰酸酯和二苯基甲烷二異氰酸酯和己二異氰酸酯。
而且，還可以通過用OH官能度＞2的短鏈多元醇形成縮二脲、形成脲基甲酸酯、三聚、二聚或形成氨基甲酸酯，使用源自脂族或芳族二異氰酸酯的多異氰酸酯。這樣的異氰酸酯除含有NCO基，因此還含有縮二脲、脲基甲酸酯、三嗪三酮、1，3-二氮雜環(huán)丁烷-2，4-二酮(uretdione)和氨基甲酸酯結(jié)構(gòu)單元。還可以使用不對稱的三聚物。
這樣的多異氰酸酯的例子有源自1摩爾三甲基甲烷和2摩爾甲苯二異氰酸酯的三氨基甲酸酯；1，3，5-三(6-異氰酸根己基)三嗪三酮；1，3-二(6-異氰酸基己基)二氮雜環(huán)丁二酮；2摩爾甲苯二異氰酸酯和1摩爾己二異氰酸酯的混合三聚物；己二異氰酸酯的縮二脲；異佛爾酮二異氰酸酯的三聚物；通過3摩爾己二異氰酸酯與1摩爾正丁醇反應獲得的脲基甲酸酯；1，3-二(6-異氰酸基己基)-4-(6-異氰酸基己基)亞氨基-1，3-二氮雜-5-氧雜環(huán)己烷-2，6-二酮。
還可以使用多異氰酸酯的混合物。
優(yōu)選使用脂族型的相應產(chǎn)物；特別優(yōu)選脲基甲酸酯、縮二脲、三聚物與基于己二異氰酸酯的1，3-二氮雜環(huán)丁烷-2，4-二酮。
特別優(yōu)選的單體是下面通式的那些單體(樣品1-42)。
(樣品1) (樣品2) (樣品3)
(樣品4) (樣品5) (樣品6) (樣品7) (樣品8)
(樣品9) (樣品10) (樣品11)
(樣品12) (樣品13) (樣品14) (樣品15)
(樣品16) (樣品17) (樣品18) (樣品19)
(樣品20) (樣品21) (樣品22) (樣品23)
(樣品24) (樣品25) (樣品26)
(樣品27) (樣品28) (樣品29)
(樣品30) (樣品31) (樣品32)
(樣品33) (樣品34) (樣品35)
(樣品36) (樣品37) (樣品38)
(樣品39) (樣品40) (樣品41)
(樣品42) (樣品43) (樣品44) (樣品45)
(樣品46) (樣品47) (樣品48) (樣品49)
(樣品50) (樣品51)吸收光譜宜在溶液中測定。
本發(fā)明還提供制造光學數(shù)據(jù)載體的方法，其特征在于，將包含下面組分的溶液施涂在底材上a)聚合網(wǎng)絡所基于的單體，特別是A)多官能單體，和視需要的話B)單官能單體，至少50重量％的單體具有吸光化合物的基團b)視需要，優(yōu)選的有機溶劑，c)視需要，聚合反應引發(fā)劑，和d)視需要，其它添加劑，如猝滅劑或敏化劑，引發(fā)聚合反應，并在聚合反應期間或之后除去優(yōu)選使用的溶劑，視需要，該過程可重復多次。
此外，本發(fā)明提供溶液(下面稱作組合物)，該溶液較好用于制備光學數(shù)據(jù)儲存器，該溶液包含聚合網(wǎng)絡所基于的單體，如果合適還包含聚合反應引發(fā)劑、如果合適還包含添加劑和至少一種有機溶劑。
如果使用溶劑，優(yōu)選的溶劑例如是，首先對單體或單體與用于涂布過程的添加劑和/或粘合劑的混合物具有足夠溶劑容量，其次對底材影響最小的溶劑。對底材(較好聚碳酸酯)幾乎沒有影響的合適溶劑是，例如，醇、醚、烴、鹵化烴、溶纖劑、酮。這樣溶劑的例子是甲醇、乙醇、丙醇、2，2，3，3-四氟丙醇、丁醇、雙丙酮醇、芐醇、四氯乙烷、二氯甲烷、二乙醚、二丙醚、二丁醚、甲基叔丁基醚、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、1-甲基-2-丙醇、甲基乙基酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、己烷、環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、辛烷、苯、甲苯、二甲苯。優(yōu)選的溶劑是烴和醇，因為它們對底材的影響最小。
作為聚合反應引發(fā)劑，可以使用例如通過加熱釋放自由基的引發(fā)劑，如偶氮二異丁腈或過氧化苯甲酰?；罨@些引發(fā)劑的優(yōu)選溫度在30-130℃，較好40-70℃。
通過光照釋放自由基的引發(fā)劑較好是能在波長λ＝250-650nm，較好350-550nm光化學活化的那些。這種活化優(yōu)選在10-130℃，更好在20-60℃進行。優(yōu)選在沒有水和空氣下進行。優(yōu)選的光化學引發(fā)劑是，例如，2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基甲烷-1-酮；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮；2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代芐基)丁烷-1-酮；1-羥基環(huán)己基苯基酮；2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮或二氯化二茂鈦。
還優(yōu)選陽離子聚合反應引發(fā)劑，能通過波長λ＝250-650nm，較好300-400nm的光照射活化，如陰離子如CF3SO3、BF4、PF6、AsF6或ClO4的二芳基碘鎓、三芳基硫鎓、二芳基苯甲酰基锍和二芳基-4-羥基苯基锍鹽。
本發(fā)明還提供了制備本發(fā)明的光學數(shù)據(jù)儲存器的方法，其特征在于，在底材上施涂至少一層聚合物層作為信息層，所述聚合物層包含基于聚合網(wǎng)絡所基于的單體的交聯(lián)聚合物，具體是A)多官能單體，和視需要B)單官能單體，至少50重量％的單體具有吸光化合物的基團。
本發(fā)明還提供由至少一種具有下面單體的交聯(lián)劑聚合物構(gòu)成的聚合物層A)多官能單體，和視需要B)單官能單體，至少50重量％的單體具有吸光化合物的基團。
用于本發(fā)明聚合物層的交聯(lián)聚合物相應于上面定義的優(yōu)選聚合網(wǎng)絡。
聚合物層厚度較好為10-1000nm。
本發(fā)明還提供制備本發(fā)明聚合物層的方法，其特征在于，將聚合網(wǎng)絡所基于的單體，具體本發(fā)明的溶液施涂在可以再分離的合適支撐體上，引發(fā)聚合反應，在聚合反應和施涂該溶液步驟期間或之后除去優(yōu)選使用的溶劑，如果適用，如果合適除去溶劑可重復多次，因此，可以在最后的層上施涂第二層或進一步的層，隨后再次除去可再分離的支撐體。
這樣的聚合網(wǎng)絡層然后用于制造光學數(shù)據(jù)載體。
所述的聚合網(wǎng)絡或這些聚合網(wǎng)絡所基于的具有吸光基團的單體保證了在光波長較好在360-460nm，600-680nm或750-820nm范圍的聚焦光點態(tài)照射下有足夠高的吸收，以熱分解信息層。由于熱分解后的信息層光學性能的變化，通過入射光的振幅和相的反射率變化，達到載體上寫下的和未寫下的點之間的對比度。
本發(fā)明還提供一次書寫的光學數(shù)據(jù)載體，所述載體包括優(yōu)選透明的底材，在其表面施加有至少一層可光書寫的信息層，視需要還施加反射層和/或視需要還施加保護層，可通過藍光、紅光或紅外光，較好是激光在其上寫或讀，其中的信息層包含具有共價鍵合的發(fā)色中心的聚合網(wǎng)絡。
或者，光學數(shù)據(jù)載體的結(jié)構(gòu)可以-包括優(yōu)選透明的底材，在其上已施加了至少一層可光書寫的信息層，視需要施加反射層和/或視需要施加粘合劑層和又一優(yōu)選透明的底材。
-包括優(yōu)選透明的底材，在其上已施加了視需要的反射層、至少一層可光書寫的信息層，視需要的粘合劑層和透明的頂層。
光學數(shù)據(jù)儲存器中，除了信息層外，還可以有其它層，如金屬層、介電層和保護層。金屬層和介電層和其它層用于調(diào)節(jié)反射率和熱吸收/熱保持。根據(jù)激光的波長，金屬可以是金、銀、鋁等。介電層的例子是二氧化硅和氮化硅。金屬層和介電層較好的通過濺射或蒸氣沉積施加，厚度為1-150nm，較好為1-100nm。保護層是例如介電層、光固化面涂層、(壓敏)粘合劑層和保護膜。
壓敏粘合劑層主要由丙烯酸類粘合劑組成。為此目的，可以使用例如在JP-A11-273147專利公開的Nitto Denko DA-8320或DA-8310。
光學數(shù)據(jù)載體具有例如下面的結(jié)構(gòu)(

圖1)透明底材(1)、視需要的保護層(2)、信息層(3)、視需要的保護層(4)、視需要的粘合劑層(5)、頂層(6)。
光學數(shù)據(jù)載體的結(jié)構(gòu)較好如下-包括優(yōu)選透明的底材(1)，在其表面已施加了至少一層可光書寫，較好用激光書寫的信息層(3)，視需要的保護涂層(4)，視需要的粘合劑(5)和透明的頂層(6)。
-包括優(yōu)選透明的底材(1)，在其表面已施加了保護層(2)、至少一層可光書寫，較好用激光書寫的信息層(3)，視需要的粘合劑(5)和透明的頂層(6)。
-包括優(yōu)選透明的底材(1)，在其表面已施加了視需要的保護層(2)、至少一層可光書寫，較好用激光書寫的信息層(3)，視需要的保護涂層(4)，視需要的粘合劑(5)和透明的頂層(6)。
-包括優(yōu)選透明的底材(1)，在其表面已施加了至少一層可光書寫，較好用激光書寫的信息層(3)，視需要的粘合劑(5)和透明的頂層(6)。
或者，光學數(shù)據(jù)載體具有例如下面的結(jié)構(gòu)(圖2)透明底材(11)、信息層(12)、視需要的反射層(13)、視需要的粘合劑層(14)、又一優(yōu)選透明底材(15)。
或者，光學數(shù)據(jù)載體具有例如下面的結(jié)構(gòu)(圖3)透明底材(21)、信息層(22)、視需要的反射層(23)、保護層(24)。
或者，光學數(shù)據(jù)載體具有例如下面的結(jié)構(gòu)(圖4)透明底材(31)、視需要的反射層(32)、信息層(33)、保護層(34)。
本發(fā)明還提供光學數(shù)據(jù)載體，其上已通過藍光、紅光或紅外光，特別是激光書寫。
一旦用藍光、紅光或紅外光特別是激光書寫后，本發(fā)明還提供光學數(shù)據(jù)儲存器。
而且，本發(fā)明提供了吸光化合物的用途，所述化合物結(jié)合到聚合網(wǎng)絡中，在已書寫一次的光學數(shù)據(jù)載體的信息層中，在340-820nm具有至少一個最大吸收。對制備信息層以及光學數(shù)據(jù)載體的吸光化合物的優(yōu)選范圍也可應用于本發(fā)明的用途。
信息層不僅包括含共價鍵合的吸光化合物的聚合網(wǎng)絡，還包括引發(fā)劑、穩(wěn)定劑、稀釋劑和敏化劑以及其它組分，以及不是共價鍵合的吸光化合物或不參與交聯(lián)反應的殘余單體。
用于制造光學數(shù)據(jù)儲存器的底材可以由光透明塑料制成，視需要，所述塑料已進行了表面處理。優(yōu)選塑料，如聚碳酸酯或聚丙烯酸酯，和聚環(huán)烯烴或聚烯烴。吸光化合物還可以低濃度使用，以保護聚合物底材并使其對光穩(wěn)定。
反射層可由任何通常用于可書寫光學數(shù)據(jù)載體的金屬或金屬合金制成。合適的金屬和金屬合金可通過蒸氣沉淀和濺射來施加，它們包括例如金、銀、銅、鋁和它們之間的或與其它金屬的合金。
在反射層之上的保護性面涂層組合物可由UV-固化樹脂組成。
同樣可存在保護反射層不受氧化的中間層。
同樣可以使用具有吸光基團的上述可固化單體的混合物。
本發(fā)明還提供制造本發(fā)明光學數(shù)據(jù)載體的方法，其特征在于，視需要，優(yōu)選透明的底材已有反射層，在該底材上涂布有吸光基團的單體，視需要還組合有合適的引發(fā)劑(較好是光引發(fā)劑)和添加劑，以及視需要的合適溶劑，(較好通過用波長λ＝250-650nm的光在10-130℃范圍照射)固化，視需要還有反射層，中間層，和視需要的保護層或又一底材或頂層。單體可以在形成光學數(shù)據(jù)載體的隨后任一個步驟之后進行交聯(lián)，而不是直接在施涂之后進行交聯(lián)。
對通過加成聚合獲得的聚合網(wǎng)絡，單體固化宜通過下面方法進行混合要進行加成聚合的單體，視需要的合適催化劑和/或添加劑，將所述混合物施涂到底材上，較好通過旋轉(zhuǎn)涂布，并在10-130℃進行加成聚合。
宜通過旋轉(zhuǎn)涂布，將進行聚合的單體，視需要混合有引發(fā)劑、添加劑和/或溶劑涂布到底材上。
對涂布方法，宜將單體與引發(fā)劑和添加劑，或沒有引發(fā)劑和添加劑下溶解在合適溶劑或溶劑混合物中，每100重量份溶劑中單體量為100重量份或更少，例如10-2重量份。
首先，根據(jù)溶劑對吸光化合物和其它添加劑的溶解能力，其次根據(jù)對底材的影響最小，選擇用于施涂聚合網(wǎng)絡的可固化單體或它們與引發(fā)劑、添加劑和/或輔助劑的混合物的溶劑或溶劑混合物。對底材幾乎沒有影響的合適溶劑是，例如醇、醚、烴、鹵化烴、溶纖劑、酮。這樣溶劑的例子是甲醇、乙醇、丙醇、2，2，3，3-四氟丙醇、丁醇、雙丙酮醇、芐醇、四氯乙烷、二氯甲烷、二乙醚、二丙醚、二丁醚、甲基叔丁基醚、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、1-甲基-2-丙醇、甲基乙基酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、己烷、環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、辛烷、苯、甲苯、二甲苯。優(yōu)選的溶劑是烴和醇，因為它們對底材的影響最小。
適合于可寫信息層的添加劑是穩(wěn)定劑、稀釋劑和敏化劑。
然后固化通過旋轉(zhuǎn)涂布制成的涂層。
固化信息層的較好方法是在聚合反應引發(fā)劑作用下，較好在能受熱釋放自由基的聚合反應引發(fā)劑作用下，在升高溫度，一般30-130℃，較好40-70℃下鏈聚合(最好是自由基聚合反應)可固化的單體，所述引發(fā)劑例子有，偶氮二異丁腈、2，2’-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)、2，2’-偶氮二異丁酸二甲酯、2，2’-偶氮二(4-甲氧基-2，4-二甲基戊腈)、2，2’-偶氮二(2-甲基丁腈)或過氧化苯甲酰。
另一種較好的固化方法是在用波長λ＝250-650nm，較好λ＝300-550nm光照射下能釋放自由基的光引發(fā)劑作用下，在室溫或升高溫度，一般10-130℃，較好20-80℃下進行光聚合反應，所述光引發(fā)劑的例子有二苯酮；2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基甲烷-1-酮；2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮；2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代芐基)丁烷-1-酮；1-羥基環(huán)己基苯基酮；2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮，二(2，6-二甲氧基苯甲?；?-2，4，4-三甲基戊基氧化膦；2，4，6-三甲基苯甲?；交趸?；1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮；二(2，4，6-三甲基苯甲?；?苯基-氧化膦；偶氮二異丁腈或二氯化二茂鈦。
這兩種方法較好在隔絕空氣和水下進行。較好在氮氣下進行。引發(fā)劑的濃度較好在0.1-20重量％范圍，更好為1-10重量％。
還可以使用兩種或多種熱引發(fā)劑和光引發(fā)劑的混合物進行聚合反應。
固化后，用上述溶劑不再能除去該信息層。
固化形成聚合網(wǎng)絡不須一定完全。通過縮短固化時間，也可以例如僅達到30％或更高的固化度。固化度較好為至少30％，這對應于未交聯(lián)官能團的含量不大于70％。優(yōu)選固化度為大于35％，更好大于40％。
在未完全固化的聚合網(wǎng)絡的情況，相當量的未交聯(lián)單體留在信息層中。它們可(但不是必須)被溶劑洗去。
因此，較好的光學數(shù)據(jù)儲存器的信息層不僅包含聚合網(wǎng)絡，還含有相應的單體。
然后，通過在減壓下濺射或減壓下蒸氣沉積，將可書寫信息層金屬化(反射層)，如果合適，隨后提供保護的面涂層(保護層)，或另一底材或頂層。還可以是有部分透明反射層的多層排列。
下面的實施例說明本發(fā)明的目的。
實施例實施例11.1室溫(RT)下，將79g3-溴-1-丙醇溶解在190ml二噁烷中。在該溶液中加入69g三乙胺和1g氫醌，緩慢滴加77g甲基丙烯酰氯的190ml二噁烷溶液。再攪拌反應混合物2小時。過濾出沉淀，用二噁烷洗滌。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器(浴40℃)上蒸發(fā)。在氧化鋁上使用甲苯作為洗脫液進行層析來純化。蒸發(fā)該溶液期間，加入0.1g氫醌。下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為77.9g。
1.1.1在RT，將200g2-溴乙醇和168g3，4-二氫-2H-吡喃溶解在800ml正庚烷中。在該溶液中加入0.5g磷酰氯。40℃攪拌該反應混合物1小時，室溫下攪拌12小時，在分液漏斗中用NaHCO3溶液徹底洗滌，用水徹底洗滌，用MgSO4干燥，并通過8cm厚的氧化鋁層過濾。收集的濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為278g。
1.2100℃，46g2，2，3-三甲基假吲哚和75gB.1.1攪拌20小時。冷卻反應混合物。加入甲苯使產(chǎn)物沉淀，攪拌下在甲苯中短時沸騰，冷卻，過濾，濾液用冷甲苯洗滌兩次，并在減壓下干燥。
下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為43g。
1.2.1重復該步驟，使用物質(zhì)B1.1.1和2，3，3-三甲基假吲哚，得到下式產(chǎn)物
在130℃，98g的2-甲基苯并噻唑和170g的B1.1攪拌72小時。按照類似于B1.2的方式進行后處理。下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為128g。
1.4將45gN，N’-二苯基甲脒溶解在500ml二氯甲烷中。在該溶液中加入17.8g(0.05mol)B1.3的300ml二氯甲烷溶液。室溫攪拌反應混合物3小時，通過槽紋濾紙過濾，在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)至200ml。在該溶液中加入1000ml二乙醚，同時進行攪拌。過濾出沉淀，在過濾器上用二乙醚徹底洗滌后干燥。下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為24.6g。
1.5室溫下，將64.8g炔丙醇和100.8g嗎啉溶解在840ml四氯化碳中。攪拌下加入574g活性氧化錳(IV)，每次加入小量。反應混合物室溫攪拌12小時。過濾出沉淀，在過濾器中用二氯甲烷充分洗滌。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中蒸發(fā)。結(jié)晶出下式物質(zhì)，無需進一步純化可用于進一步合成。產(chǎn)量為139g。
熔點為62-64℃。
元素分析C7H11NO2(141.17)計算C59.56；H7.85；N9.92。
分析C58.50；H7.90；N9.90。
實施例22.1將22.8g丁胺溶解在50ml二乙醚中，將其緩慢加到48.4g2-甲基丙烯酸異氰酸基乙酯的160ml二乙醚溶液中，同時在冰浴中冷卻。沉淀出無色結(jié)晶?；旌衔镌贁嚢?0分鐘，過濾出結(jié)晶，并在過濾器上用二乙醚洗滌。
下式的產(chǎn)物的產(chǎn)量為65g。
熔點為63℃。
元素分析C11H2ON2O3(284.31)計算C57.87；H8.83；N12.27。
分析C58.00；H8.90；N12.30。
2.11重復上述步驟，使用13g1，3-二氨基丙烷和25g異氰酸乙酯，得到34g下式的產(chǎn)物 熔點為205℃。
元素分析C9H2ON4O2(216.29)計算C49.98；H9.32；N25.90。
分析C50.00；H8.90；N25.90。
2.1.2重復上述步驟，使用13g1，3-二氨基丙烷和54.6g甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，得到62g下式的產(chǎn)物 熔點為127℃。
2.1.3將6.2g甲胺的100ml 2MTHF的溶液冷卻至-30℃，將該溶液每次少量地加到31.g甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯的150ml THF溶液，使溫度不超過-20℃。在20-30分鐘內(nèi)，使反應混合物回熱到室溫，并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上完全蒸發(fā)。從殘留熔體中結(jié)晶出的物質(zhì)用甲苯帶至過濾器，在過濾器上用甲苯洗滌。無色結(jié)晶在40℃減壓下干燥。得到30.9g下式產(chǎn)物 熔點為69℃。
元素分析C8H14N2O3(186.21)計算C51.60；H7.58；N15.04。
分析C51.90；H7.50；N15.00。
2.1.4重復上述步驟，使用17.2g三(2-氨基乙基)胺和54.6g甲基丙烯酸2-異氰酸根乙酯，得到61.7g下式的產(chǎn)物
熔點為122℃。
元素分析C27H45N7O9(611.70)計算C53.60；H7.40；N15.70。
分析C53.02；H7.42；N16.03。
2.2隔絕潮氣下，將24g碳酸鈉攪拌到36g不含水分的甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯中。在該懸浮液中加入37.5g甲基丙烯酸2-氨基乙酯的鹽酸鹽。混合物在90℃攪拌1小時。隨后加入200ml二噁烷。過濾后溶液除去沉淀物，然后在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)殘余物在硅膠上使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2為洗脫液進行層析純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為18.5g。
熔點為65℃。
元素分析C13H2ON2O5(284.31)計算C54.92；H7.09；N9.85。
分析C54.30；H7.10；N9.60。
2.3將30g B2.1溶解在60ml二噁烷中。攪拌下冷卻，同時加入18.5g丙二酰二氯的40ml二噁烷溶液。反應混合物在90℃攪拌1小時。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去二噁烷。得到45g下式產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.3.1重復上述步驟，使用15gB2.1.1和19g丙二酰氯，得到32g下式的油狀粗產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.3.2重復上述步驟，使用30g B2.1.3和22.7g丙二酰氯，得到41g下式的油狀粗產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.4將9.6g B2.2溶解在20ml二噁烷中。攪拌下冷卻，同時加入4.76g丙二酰二氯的15ml二噁烷溶液。反應混合物在90℃攪拌1小時。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去二噁烷。得到16g下式產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.4.1重復上述步驟，使用30g B2.1.2和22g丙二酰二氯，得到50g下式的油狀粗產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.4.2重復上述步驟，使用20g B2.1.4和13.8g丙二酰二氯，得到27g下式的油狀粗產(chǎn)物，該產(chǎn)物不需進一步純化就可使用。
2.5在大氣壓下，113.2g氰基乙酸乙酯、186.2g乙二醇和10g甲苯-4-磺酸一水合物在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中，90℃旋轉(zhuǎn)30分鐘。在100mbar(后來在90mbar)下，慢慢蒸餾出45g乙醇。將反應混合物轉(zhuǎn)移到進行真空蒸餾的設備中。在65℃(0.2mbar)蒸餾出118g過量的乙二醇。在145-147℃(0.27-0.30mbar)得到主餾份。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為43.2g。
元素分析C5H7NO3(129.12)計算C46.51；H5.46；N10.85。
分析C47.00；H5.60；N10.70。
2.5.1產(chǎn)物B2.5.1采用類似于DE-A-10115227的方法制備下式產(chǎn)物B2.5.1。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝2∶1的溶劑混合物進行層析純化。
2.5.2產(chǎn)物B2.5.2采用類似于DE-A-10115227的方法制備下式產(chǎn)物B2.5.2。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶1的溶劑混合物進行層析純化。
2.5.3產(chǎn)物B2.5.3采用類似于DE-A-10115227的方法制備下式產(chǎn)物B2.5.3。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶1的溶劑混合物進行層析純化。
2.6室溫，將41.3g的B2.5溶解在130ml二噁烷中。在該溶液中加入35g三乙胺和1g氫醌，并緩慢滴加30.3g甲基丙烯酰氯的90ml二噁烷溶液。再攪拌反應混合物2小時。過濾出沉淀，并用二噁烷洗滌。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器(浴40℃)上蒸發(fā)。在硅膠上使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2為洗脫液進行層析純化。溶液蒸發(fā)期間加入0.1g氫醌。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為16g。
元素分析C9H11NO4(197.19)計算C54.82；H5.62。
分析C55.00；H5.60。
2.7重復上述步驟，使用123g甲基丙烯酸2-羥基乙酯和60g丙二酰二氯，得到105g下式的液體產(chǎn)物。
2.8按照類似于已知方法(Chih Chien Chen，Ing Jing Wang，Dyes and Pigments，v.15，pp.69-82，1991)制備下式的產(chǎn)物。
2.9在40-50℃，在119g苯胺的830ml 2N鹽酸的溶液中緩慢加入141g1，1，3，3-四乙氧基丙烷，同時劇烈攪拌。反應混合物回流攪拌5小時，然后冷卻。過濾出沉淀并溶解在600ml甲醇/水混合物(1∶1)中。用15％NaOH使該溶液呈堿性。過濾出沉淀，用水在過量器上洗滌，并減壓下干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為100g。

實施例33.1將38.0g的B2.3和14.1g DMF與66ml乙酸酐一起放在反應器中，90℃攪拌該混合物1小時。形成的溶液冷卻至50℃。在該溶液中加入47.0g B1.2，隨后立刻加入16.2g(0.160mol)三乙胺。反應混合物在90℃攪拌1小時。冷卻該反應混合物至室溫。過濾出沉淀，在過濾器上用少量乙酸酐充分洗滌，丟棄。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析純化。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑后，加入甲醇結(jié)晶出物質(zhì)。過濾出結(jié)晶，在過濾器上用甲醇充分洗滌，并減壓下干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為26g。
熔點為103℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝468nm；ε＝89000l*cm-1*mol-1元素分析C33H41N3O7(591.71)計算C66.99；H6.98；N7.10。
分析C66.80；H7.10；N7.10。
3.2重復上述步驟，使用B2.3和B1.3得到下式產(chǎn)物。
熔點為152℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝481nm；ε＝106000l*cm-1*mol-1元素分析C30H35N3O7(581.69)計算C61.95；H6.06；N7.22。
分析C61.40；H6.10；N7.30。
3.3重復上述步驟，使用B2.4和B1.2得到下式產(chǎn)物。
熔點為121℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝468nm；ε＝895000l*cm-1*mol-1元素分析C35H41N3O9(647.73)
計算C64.90；H6.38；N6.49。
分析C64.30；H6.40；N6.40。
3.4重復上述步驟，使用B2.3.1和B1.2得到下式產(chǎn)物。
熔點為134℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝471nm；ε＝158000l*cm-1*mol-1元素分析C53H62N6O10(943.12)計算C67.50；H6.63；N8.91。
分析C67.00；H6.90；N8.90。
3.5重復上述步驟，使用B2.4.1和B1.2得到下式產(chǎn)物。
熔點為117℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝472nm；ε＝151000l*cm-1*mol-1元素分析C61H7ON6O14(111.27)
計算C65.93；H6.35；N7.56。
分析C65.00；H6.30；N7.40。
3.6重復上述步驟，使用B1.2和N，N-二甲基巴比土酸得到下式產(chǎn)物。
熔點為238℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝467nm；ε＝87000l*cm-1*mol-1元素分析C25H29N3O5(451.53)計算C66.50；H6.47；N9.31。
分析C66.50；H6.70；N9.40。
3.7重復上述步驟，使用B2.3和B1.2.1得到下式產(chǎn)物。
3.7.1重復上述步驟，使用B2.3.2和B1.2.1得到下式產(chǎn)物。
熔點為189℃3.88.2g B3.7和6.6g對甲苯磺酸一水合物在50ml甲醇中，回流攪拌1小時。冷卻后的溶液用大量氯仿稀釋，在分液漏斗中用NaHCO3溶液振蕩兩次，用水振蕩兩次，用MgSO4干燥，并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為2.5g。
熔點為94℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝470nm；ε＝84000l*cm-1*mol-1元素分析C28H35N3O6(509.61)計算C65.99；H6.92；N8.25。
分析C65.80；H7.20；N7.90。
3.8.1重復上述步驟，使用B3.7.1，得到下式產(chǎn)物。
熔點為184℃。
元素分析C25H29N3O6(467.53)計算C64.23；H6.25；N8.99。
分析C64.60；H6.30；N8.50。
3.9在反應器中放入18.0g B2.4和10.3g(1，3，3-三甲基二氫亞吲哚-2-基)乙醛和30ml乙酸酐，混合物于90℃攪拌1小時。形成的溶液冷卻并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑后，加入甲醇結(jié)晶出物質(zhì)。過濾出結(jié)晶，在過濾器上用甲醇充分洗滌，并減壓干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為9.5g。
熔點為149℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝467nm；ε＝89000l*cm-1*mol-1元素分析C29H33N3O7(535.60)計算C65.03；H6.21；N7.85。
分析C64.50；H6.00；N7.70。
3.10重復上述步驟，使用B2.4.1和(1，3，3-三甲基二氫亞吲哚-2-基)乙醛，得到下式產(chǎn)物。
熔點為178℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝471nm；ε＝161000l*cm-1*mol-1元素分析C49H54N6O10(887.01)計算C66.35；H6.14；N9.47。
分析C65.80；H6.10；N9.30。
3.10.1重復上述步驟，使用B2.4.2和(1，3，3-三甲基二氫亞吲哚-2-基)乙醛，得到下式產(chǎn)物。
熔點為137℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝469nm；ε＝207000l*cm-1*mol-1
3.11重復上述步驟，使用B2.3.2和(1，3，3-三甲基二氫亞吲哚-2-基)乙醛，得到下式產(chǎn)物。
熔點為189℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝467nm；ε＝89000l*cm-1*mol-1元素分析C24H27N3O5(437.50)計算C65.89；H6.22；N9.60。
分析C65.80；H6.20；N9.50。
3.12將16g B2.6和79g三乙胺加到24.8g B1.4的270ml乙腈溶液中。反應混合物回流攪拌1小時，然后冷卻，在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑后，加入甲醇結(jié)晶出物質(zhì)。過濾出結(jié)晶，在過濾器上用甲醇充分洗滌，并減壓干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為9g。
熔點為90℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝455nm；ε＝62000l*cm-1*mol-1元素分析C25H26N2O6S(482.56)計算C62.23；H5.43；N5.81。
分析C62.70；H5.50；N6.30。
3.12.1重復上述步驟，使用B1.4和B2.5，得到下式產(chǎn)物，在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來純化。
熔點為129℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝454nm；ε＝81000l*cm-1*mol-1元素分析C21H22N2O5S(414.48)計算C60.85；H5.35；N6.76。
分析C60.80；H5.30；N6.70。
3.13將11.7ml哌啶和6.8ml乙酸溶解在285ml甲苯中。10分鐘后，在該混合物中加入62g 2.7和33.3g 1.5。反應混合物在90℃攪拌2小時。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為14g。
熔點為56℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝374nm；ε＝42200l*cm-1*mol-1元素分析C22H29NO9(451.48)計算C58.53；H6.47；N3.10。
分析C59.40；H6.60；N2.90。
3.14將1.94g B2.8溶解在20ml乙醇中。加入1.48g原甲酸三乙酯和3.66g B1.2。加入1.5g三乙胺，反應混合物回流下攪拌1.5小時。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑，殘余物通過在硅膠上使用乙酸乙酯作為洗脫液層析純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為1.95g。
熔點為190℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝524nm；ε＝114000l*cm-1*mol-13.15在反應器中放入15.0g B2.9和13.3gB2.6與45ml乙酸酐，并在110℃攪拌1小時。形成的溶液冷卻并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器中蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去溶劑后，加入甲醇結(jié)晶出物質(zhì)。過濾出結(jié)晶，在過濾器上用冷甲醇洗滌，并減壓干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為12g。
熔點為171℃。
3.15.1在反應器中放入22.1g B2.9與60ml乙酸酐。攪拌下加入9.5g B2.5.1。反應混合物在50℃加熱1分鐘，立刻冷卻，并保持室溫1小時。過濾出下式產(chǎn)物，用少量乙酸酐在過濾器上洗滌，并減壓下干燥。產(chǎn)量為20g。
3.15.2重復上述步驟，使用B2.5.2，得到下式產(chǎn)物。
3.15.3重復上述步驟，使用B2.5.3，得到下式產(chǎn)物。
3.16將2.04g 2-(甲基氨基)乙醇加到10g B3.15的12.5ml乙腈溶液中。反應混合物回流下攪拌1小時，冷卻并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物進行層析來最后純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為4.8g。
熔點為114℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝382nm；ε＝64000l*cm-1*mol-1
元素分析C15H2ON2O5(308.34)計算C58.43；H6.54；N9.09。
分析C54.40；H6.50；N8.80。
3.16.1將11.44g2-(甲基氨基)乙醇加到20g B3.15.1的20ml乙腈溶液中，同時進行攪拌。反應混合物加熱到80℃(直到B3.15.1已反應并溶解)，然后室溫下攪拌2小時。下式產(chǎn)物沉淀，過濾出后用少量乙腈在過濾器上洗滌。產(chǎn)量為10.2g。
熔點為216℃。
3.16.2重復上述步驟，使用B3.15.2，得到下式產(chǎn)物。
3.16.3重復上述步驟，使用B3.15.3，得到下式產(chǎn)物。
熔點為200℃。
3.17將8.41g二乙醇胺和3g乙酸溶解在65ml甲苯和30ml甲醇的混合物中。10分鐘后，在該混合物中加入8.75g5-溴-2-呋喃甲醛和3.3g丙二腈。反應混合物在90℃攪拌30分鐘，冷卻并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝2∶1的溶劑混合物作為洗脫液進行層析純化。下式產(chǎn)物的結(jié)晶在100ml 1∶1甲苯/乙酸乙酯混合物中沸騰，過濾出后在減壓下干燥。該產(chǎn)物的產(chǎn)量為3.3g。
熔點為137℃3.18將0.55g 3.17和0.55g三乙胺溶解在10ml二噁烷中。在該溶液中加入0.66g丙烯酰氯的2ml二噁烷溶液。反應混合物在70℃攪拌30分鐘。過濾出沉淀，用二噁烷洗滌后丟棄。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2作為洗脫液進行層析純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為0.13g。
熔點為70℃UV-VIS譜(DMF)λmax＝462nm；ε＝58800l*cm-1*mol-13.19采用類似于產(chǎn)物B3.18的方法，使用5g B3.17，得到2.2g下式產(chǎn)物。
熔點為95℃UV-VIS譜(DMF)λmax＝462nm；ε＝78000l*cm-1*mol-13.20回流攪拌3.1g2-氨基乙基乙烯基醚和23.4g2-氯乙基乙烯基醚(浴溫120℃)3小時。在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上除去過量2-氯乙基乙烯基醚。殘余物無需進一步純化。采用類似于對B3.17的方法，由12.6g這種粘性液體得到1.73g下式產(chǎn)物
熔點為111℃UV-VIS譜(DMF)λmax＝464nm；ε＝69000l*cm-1*mol-13.21將19.9g B3.10溶解在40ml二噁烷、20ml甲醇和4ml水的溶劑混合物中。加入4.53g 30％甲醇鈉的甲醇溶液。室溫攪拌該反應混合物1.5小時，然后將其加到700ml的10％氯化鈉溶液中。在過濾器上收集沉淀并干燥。在硅膠上，使用甲苯/甲醇＝4∶1的溶劑混合物作為洗脫液進行層析來最后純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為10.8g。
熔點為210℃3.22重復上述步驟，使用B3.5，得到下式產(chǎn)物。
熔點為225℃。
3.23將4.0g B3.22和2.6g丙烯酰氯溶解在10ml N-甲基-2-吡咯烷中。在該溶液中滴加2.9g三乙胺，同時在外部冷卻下攪拌。反應混合物在室溫攪拌4小時，然后倒入水中。過濾出產(chǎn)生的沉淀，并且減壓下干燥。在硅膠上，使用甲苯/乙酸乙酯＝1∶2的溶劑混合物作為洗脫液進行層析純化。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為2.8g。
熔點為85℃3.24重復上述步驟，使用B3.21，得到下式產(chǎn)物。
熔點為142℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝471nm；ε＝201000l*cm-1*mol-13.25采用類似的方法，由B3.21制備下式產(chǎn)物。
熔點為152℃。
3.26重復上述步驟，使用B3.21和甲基丙烯酰氯，得到下式產(chǎn)物。

熔點為190℃。
3.27重復上述步驟，使用B3.16.1，得到下式產(chǎn)物。
熔點為177℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝382nm；ε＝104000l*cm-1*mol-13.28重復上述步驟，使用B3.16.2，得到下式產(chǎn)物。
玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為46℃。
UV-VIS譜(DMF)λmax＝384nm；ε＝177000l*cm-1*mol-1
3.29重復上述步驟，使用B3.16.3，得到下式產(chǎn)物。
玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為24℃。
實施例44.1將4.51g單體B3.6和0.325g甲基丙烯酸2-羥基乙酯溶解在45ml的DMF中。該溶液用氬吹掃30分鐘。加入0.242g2，2’-偶氮二異丁腈。在氬氣下，70℃攪拌反應混合物24小時，然后冷卻至室溫，過濾。濾液在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。該聚合網(wǎng)絡在甲醇中沸騰三次進行純化，并在高真空下干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為3.86g。
4.2采用類似的方法，由單體B3.8和B3.6制備下式共聚物。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝5.02br(OH)分子量Mw＝1.15×104；D＝Mw/Mn＝2.27(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.2.1采用類似的方法，由單體B3.8.1和B3.11制備下式共聚物。
分子量Mn＝9.57×103；D＝Mw/Mn＝4.74(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.2.2采用類似的方法，由按照WO 9851721所述制備的相應的甲基丙烯酸酯單體合成下式共聚物。
分子量Mw＝13.4×104；D＝Mw/Mn＝2.76(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.3采用類似的方法，由單體B3.8制備下式均聚物。
分子量Mw＝1.16×104；D＝Mw/Mn＝1.94(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.3.1采用類似的方法，由單體B3.8.1制備下式均聚物。
分子量Mw＝8.42×103；D＝Mw/Mn＝8.96(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.3.2采用類似的方法，由單體B3.12.1制備下式均聚物。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝4.72br(OH)分子量Mw＝3.9×104；D＝Mw/Mn＝3.41(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.3.3采用類似的方法，由單體B3.12.1制備下式均聚物。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝4.62br(OH)4.3.4采用類似的方法，由單體B3.16制備下式均聚物。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝4.85br(OH)分子量Mw＝2.7×104；D＝Mw/Mn＝2.88(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)4.3.5采用類似的方法，由單體B3.25制備下式均聚物。
分子量Mw＝4.3×103；D＝Mw/Mn＝1.54(GPC，DMAA；60℃，PMMA校正)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為177℃。
4.4將2.0g聚合物B4.2溶解在10ml無水THF中。加入2.1g三乙胺。在該溶液中緩慢滴加2.2g甲基丙烯酰氯在5mlTHF的溶液。室溫再攪拌該反應混合物2小時，在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。殘余物首先用水攪拌，然后室溫下用甲醇攪拌數(shù)次，過濾并室溫下高真空干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為0.88g。

1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝5.45br(＝CH2)4.4.1采用類似的方法，由共聚物B4.2.1制備下式共聚物。
4.4.2采用類似的方法，由共聚物B4.2.2制備下式共聚物。
4.5采用類似的方法，由聚合物B4.3制備下式聚合物。
4.5.1采用類似的方法，由聚合物B4.3.1制備下式聚合物。
4.6采用類似的方法，由聚合物B4.3.2制備下式均聚物。
4.7采用類似的方法，由均聚物B4.3.3制備下式均聚物。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝5.48br(＝CH2)4.8將2.4g聚合物B4.3.4溶解在100ml無水DMF中。加入7.86g三乙胺。在該溶液中緩慢滴加8.14g甲基丙烯酰氯在30mlTHF的溶液。室溫再攪拌該反應混合物2小時，在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器上蒸發(fā)。殘余物首先用水攪拌，然后室溫下用二噁烷攪拌數(shù)次，過濾并室溫下高真空干燥。下式產(chǎn)物的產(chǎn)量為1.77g。
1H NMR(400MHz；DMSO-d6/TMS)δ＝5.65br.，6.01br.(＝CH2)實施例5將實施例3的B3.5溶解在四氟丙醇(TFP)中，質(zhì)量比為1份固體對99份TFP。在該溶液中加入0.1份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮并溶解。形成的溶液通過0.5微米的特弗隆過濾器過濾，通過旋轉(zhuǎn)涂布施涂到熱解法二氧化硅支撐體上。得到透明薄膜。
將該層體系引入含氮氣(O2＜0.1ppm)；H2O＜0.1ppm的手套箱中，在UV光(λ＝360nm；Phil ips HPW 125W燈)曝光20分鐘。得到45nm厚的不溶解的涂層B5.1。
重復上述步驟，使用由2份B3.5、98份TFP和0.2份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮組成的溶液，得到92nm厚的不溶解涂層B5.1。
用丙醇在200-1700nm范圍的平行光束垂直入射，測定該層系統(tǒng)的薄膜/熱解法二氧化硅的透射和反射光譜。熱解法二氧化硅底材的厚度為～1毫米，反射光與入射方向成172°角繪出。每次考察具有不同層厚度(30nm-500nm)的兩個樣板。采用已知的Fresnel公式評價兩個具有不同層厚度的試樣，并考慮到由于該層系統(tǒng)中的多反射的干涉。不同厚度的兩層體系的測定的透射和反射光譜與計算的光譜的同時最小二乘法擬合，使得在各波長下的有機物的層厚度和反射復合指數(shù)能測定。為此目的，必須知道熱解法二氧化硅支撐體在未涂布的底材上獨立測定在這一光譜區(qū)中作為波長函數(shù)的熱解法二氧化硅支撐體的折射率。
評價兩個樣本的透射和反射光譜，對涂層5.1，在λ＝405nm，得到折射率n＝1.13，吸收系數(shù)k＝0.15。
按照類似的方法，在熱解法二氧化硅中施加其它可固化物質(zhì)，固化并進行測定。結(jié)果列于下表

實施例6(UV固化動力學)為采用類似于實施例5的方法，在玻璃支撐體上制備十一個涂層，具體為，由9份單體B3.5和1份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮制備，并在80℃，使用光強度為10mW/cm2的UV光固化不同的時間(表)。固化后，測定樣板上的在477nm(OD2)光密度和層厚度(d2)。
然后，將樣板浸在四氟丙醇(TFP)中5分鐘，取出后進行干燥。再次測定留下的涂層的在477nm(OD3)光密度和層厚度(d3)。
由這些值(表)確定固化的轉(zhuǎn)化度。20秒后，這一參數(shù)為37％，5分鐘后為80％，40分鐘后為100％。這種情況下，單體的所有分子都結(jié)合到聚合網(wǎng)絡中。

采用類似的方法，由單體B3.28和1份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮制備涂層，并在40℃，使用UV光(λ＝312nm)固化不同的時間(表)。對需要測定固化轉(zhuǎn)化度的層同樣進行處理。

1分鐘后，固化轉(zhuǎn)化度為30％，20分鐘后為100％。這種情況下，單體的所有分子都結(jié)合入聚合網(wǎng)絡中。
采用類似的方法，由8份單體B3.38、1份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮和1份KAYASORB IRG022(猝滅劑，購自NIPPON KAYAKU)，使用UV光(λ＝312nm)固化不同的時間(表)。

加入猝滅劑導致一定程度地推遲反應開始，但不會防止完全固化。
實施例7(PUR固化)將實施例4的B4.3溶解在四氟丙醇(TFP)中，質(zhì)量比為1份固體對93份TFP。在該溶液中加入0.38份含異氰脲酸酯基的己二異氰酸酯，其NCO含量為21.8％，當量重量為193，23℃時粘度為3500mPas(DesmodurN3300)，并溶解。形成的溶液通過0.2微米的特弗隆過濾器過濾。由6份二乙醚和0.014份二月桂酸二丁基錫(DBTL；Desmorapid7)組成的另一溶液按照同樣方式過濾，并加入到第一溶液中。形成的溶液通過旋轉(zhuǎn)涂布施涂到熱解法二氧化硅支撐體上。得到透明薄膜。
將該層體系引入含氮氣(O2＜0.1ppm；H2O＜0.1ppm)的手套箱中，在暴露于130℃2小時。得到142nm厚的不溶解的涂層B6.1。
采用類似的方法，由2份B4.3、92份TFP和6份二丁基醚、0.76份DesmodurN3300和0.028份DBTL組成的溶液，得到234nm厚的不溶解涂層B6.1。
按照類似于實施例5的方法，測試這種涂層，表明折射率為1.38，吸收系數(shù)為0.15(λ＝405nm)。
實施例8(測定涂層硬度)使用納米壓痕計，在兩層涂層(由9份單體B3.5和1份2，2’-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮)上進行動態(tài)劃痕測試，所述涂層已固化20秒和40分鐘(實施例6)。這些測試中，使用75μN的恒定垂直力，用一個10μm的針壓頭在涂層上劃過。記錄形成的劃痕，并用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope(AFM))測定。劃痕深度作為材料硬度的量度，在固化20秒時為37.4±7.8nm，固化40分鐘時為8.3±2.2nm。該測試表明，100％固化的樣板的抗劃性明顯大于固化度僅37％的樣板。
權利要求
1.具有至少一層信息層的光學數(shù)據(jù)儲存器，所述信息層包含含有共價鍵合的吸光化合物的聚合網(wǎng)絡。
2.如權利要求1所述的光學數(shù)據(jù)儲存器，其特征在于，所使用的聚合網(wǎng)絡基于A)多官能單體，以及，視需要B)單官能單體，其中，至少50重量％的所述使用的單體具有吸光化合物基團。
3.如權利要求1所述的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，所述聚合網(wǎng)絡所基于的至少一種單體在340-410nm的范圍內(nèi)具有最大吸收λmax1，或者在400-650nm的范圍內(nèi)具有最大吸收λmax2，或者在630-820nm的范圍內(nèi)具有最大吸收λmax3，其中，波長λ1/2為，在波長λmax1、λmax2或λmax3的最大吸收的長波長側(cè)，或者在波長λmax2或λmax3的最大吸收的短波長側(cè)該波長λ1/2的吸收值為λmax1、λmax2或λmax3的吸收值的一半，波長λ1/10為，在波長λmax1、λmax2或λmax3的最大吸收的長波長側(cè)，或者在λmax2或λmax3的最大吸收的短波長側(cè)該波長λ1/10的吸收值為λmax1、λmax2或λmax3的吸收值的十分之一，λ1/2與λ1/10相距宜不大于80nm。
4.如權利要求2所述的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，所述官能單體具有可聚合的C-C雙鍵。
5.如權利要求1-4中任一項所述的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，所述信息層包含基于通式II表示的單體的聚合網(wǎng)絡KkBbFf(II)式中，F(xiàn)是發(fā)色中心，所有f個發(fā)色中心可以不同，K是可聚合的基團，所有k個可聚合的基團可以不同，B是橋基，所有b個橋基可以不同，k是2-1000的整數(shù)，b、f是整數(shù)，可獨立地設定為1-1000的值。
6.如權利要求1所述的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，所述聚合網(wǎng)絡所基于的至少一種單體具有至少一個通式(M1)表示的官能團 式中，P1是1-6，具體地是2或3，P2是0或1，p3是0或1，具體地，(M1)是以下通式表示的基團 或 或至少一個以下通式表示的官能團 或 式中P1按上述定義，或者是至少兩個通式(M2)表示的官能團K-B 式中，P1按上述定義，R150是 -OH或NH2。
7.如權利要求1所述的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，用于制造信息層的單體具有通式III-VI(K-B1-)nF (III)(K-B1-)nF-B2-F(-B1-K)n(IV)B3[F(-B1-K)n]m(V)[(K-)(m-1)B3-]nF (VI)式中，B1和B2各自是二價橋基，B3是m價橋基，n是1-8的整數(shù)，m是3或4。
8.一種制造權利要求1的光學數(shù)據(jù)載體的方法，其特征在于，該方法包括將包含以下組分的溶液施加在底材上以引發(fā)聚合反應，并且視需要，重復該過程多次a)所述聚合網(wǎng)絡所基于的單體，具體是A)多官能單體，以及，視需要B)單官能單體，其中至少50重量％的所述單體具有吸光化合物基團，b)視需要，較佳的是有機溶劑，c)視需要，聚合反應引發(fā)劑，以及d)視需要，其它添加劑，例如猝滅劑或敏化劑。
9.一種制造權利要求1的光學數(shù)據(jù)載體的方法，其特征在于，該方法包括在底材上施加至少一層包含交聯(lián)的聚合物的聚合物層作為信息層，所述聚合物基于所述聚合網(wǎng)絡所基于的單體，具體是A)多官能單體，以及，視需要B)單官能單體，其中，至少50重量％的單體具有吸光化合物基團。
10.組合物，它包含所述聚合網(wǎng)絡所基于的單體，具體是i)單體，它具有權利要求6的至少一個通式(M1)表示的官能團或者至少兩個通式(M2)表示的官能團，以及吸光基團，ii)有機溶劑，iii)視需要，其它添加劑。
11.聚合物層，它由基于以下單體的至少一種交聯(lián)的聚合物構(gòu)成A)多官能單體，以及，視需要B)單官能單體，其中，至少50重量％的所述單體具有吸光化合物基團。
12.一種制備權利要求11的聚合物層的方法，其特征在于，該方法包括在可以再分離的合適的支撐體上施加所述聚合網(wǎng)絡所基于的單體，具體是本發(fā)明的溶液，以引發(fā)聚合反應，并且，如果合適，施加溶液、聚合、以及可應用的，除去溶劑的步驟重復多次，由此在前面的層上施加第二層或更多的層，隨后再除去可再分離的所述支撐體。
13.化合物，它含有至少一個通式(M1)表示的官能團， 式中，P1是1-6，具體地是2或3，P2是0或1，p3是0或1；具體地，(M1)是以下通式表示的基團 或 或至少一個以下通式表示的官能團 式中P1按上述定義，或者是至少兩個通式(M2)表示的官能團K-B 式中P1按上述定義，R150是 -OH或NH2，和至少一種吸光基團。
14.權利要求11的聚合物層的用途，其特征在于，它用于制造光學數(shù)據(jù)載體。
15.權利要求1的光學數(shù)據(jù)載體，其特征在于，已經(jīng)用藍光、紅光或紅外光，特別是激光在載體上書寫。
16.聚合網(wǎng)絡，它包含共價鍵合的吸光化合物。
全文摘要
具有至少一層信息層的光學數(shù)據(jù)載體，所述信息層包含含有共價鍵合的吸光化合物的聚合網(wǎng)絡。
文檔編號B29D7/00GK1764962SQ200480008219
公開日2006年4月26日 申請日期2004年3月12日 優(yōu)先權日2003年3月25日
發(fā)明者H·伯尼斯, F·-K·布魯?shù)? R·哈根, K·哈森魯克, S·科斯特羅米尼, C·M·克魯格, T·梅耶－弗里德里奇森, R·奧瑟, J·－W·斯塔維茲 申請人:蘭克賽斯德國有限公司