專(zhuān)利名稱：全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路，尤其是一種全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，屬于車(chē)用閃光器的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
如圖1所示；為現(xiàn)有車(chē)用閃光器集成電路的結(jié)構(gòu)框圖，其中，現(xiàn)有的車(chē)用閃光器集成電路都采用雙極工藝，耐壓不高，其驅(qū)動(dòng)的繼電器線圈，在通電和斷電時(shí)具有很高的反峰電壓，繼電器線圈的后級(jí)驅(qū)動(dòng)必須在集成電路的外部增加分立元件，該分立元件采用高壓的NPN管，造成系統(tǒng)的體積較大；即圖中后級(jí)驅(qū)動(dòng)包括第一三極管Q1，所述第一三極管Ql采用NPN管，即為NPNl ;分立元件為第二三極管Q2，所述第二三極管Q2也采用NPN管，即為NPN2。同時(shí)NPN管的飽和壓降較大、功耗高，工作溫度高，系統(tǒng)的部件較多，這都使系統(tǒng)的可靠性下降，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，其集成度高，降低體積，增強(qiáng)可靠性，降低使用成本。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，所述集成電路包括前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路及與所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路連接的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路；所述后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第三三極管及PMOS管，所述第三三極管采用PNP管，第三三極管的基極端與前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)反相器的輸出端連接，第三三極管的發(fā)射極端與集成電路的電源端連接，第三三極管的集電極端與PMOS管的柵極端連接，PMOS管的源極端與電源端連接，PMOS管的漏極端與集成電路的輸出端連接。所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第一比較器、第二比較器及第三比較器，所述第一比較器的反相端與第二比較器的同相端連接，且第一比較器的反相端與第二比較器的同相端相互連接后與集成電路的啟動(dòng)輸入端連接；第一比較器的同相端與第一電阻的一端及第二電阻的一端連接，第二電阻的另一端與第二比較器的反相端及第三電阻的一端連接，第三電阻的另一端接地，第一電阻的另一端與集成電路的電源端連接；
第一比較器的輸出端及第二比較器的輸出端均與回差電路連接，回差電路的輸出端與第三比較器的反相端連接，回差電路的輸入端分別與短路檢測(cè)模塊的輸出端及短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)的輸出端連接，短路檢測(cè)模塊的輸入端與集成電路的短路檢測(cè)輸入端連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)的輸入端與集成電路的開(kāi)關(guān)輸入端連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)的輸出端與第三比較器的輸出端及反相器的輸入端連接；第三比較器的同相端與集成電路的第一振蕩連接端連接，回差電路的輸出端與集成電路的第二振蕩連接端連接。所述集成電路內(nèi)后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第三三極管及PMOS管采用B⑶工藝制備得到。所述集成電路的輸出端與繼電器線圈的一端電連接，繼電器線圈的另一端接地。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)第三三極管及PMOS管用B⑶工藝制備并集成在集成電路內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)集成電路的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，使得集成電路簡(jiǎn)單，體積小，發(fā)熱少，工作溫度低，可靠性高，成本低。


圖1為現(xiàn)有車(chē)用閃光器集成電路的結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本發(fā)明車(chē)用閃光器集成電路的結(jié)構(gòu)框圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-接地端、2-電源端、3-輸出端、4-第一振蕩連接端、5-第二振蕩連接端、6-開(kāi)關(guān)輸入端、7-短路檢測(cè)輸入端、8-啟動(dòng)輸入端、10-集成電路、11-第一比較器、12-第二比較器、13-第三比較器、14-回差電路、15-短路檢測(cè)模塊、16-短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)、17-反相器、18-繼電器線圈、Ql-第一三極管、Q2-第二三極管、Q3-第三三極管及Q4-PM0S管。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖2所示為了能夠提高可靠性，降低使用成本，本發(fā)明所述集成電路10包括前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路及與所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路連接的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路；所述后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第三三極管Q3及PMOS管Q4，所述第三三極管Q3采用PNP管，第三三極管Q3的基極端與前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)反相器17的輸出端連接，第三三極管Q3的發(fā)射極端與集成電路10的電源端2連接，第三三極管Q3的集電極端與PMOS管Q4的柵極端連接，PMOS管Q4的源極端與電源端2連接，PMOS管Q4的漏極端與集成電路10的輸出端連接。具體地，第三三極管Q3即為圖中的PNP1，PMOS管Q4為PMOSI管，本發(fā)明具體實(shí)施時(shí)，后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第三三極管Q3與PMOS管Q4采用B⑶工藝制備得到。所述集成電路10的封裝管腳及前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路均與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)相同，其中，所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第一比較器11、第二比較器12及第三比較器13，所述第一比較器11的反相端與第二比較器12的同相端連接，且第一比較器11的反相端與第二比較器12的同相端相互連接后與集成電路10的啟動(dòng)輸入端8連接；第一比較器11的同相端與第一電阻Rl的一端及第二電阻R2的一端連接，第二電阻R2的另一端與第二比較器12的反相端及第三電阻R3的一端連接，第三電阻R3的另一端接地，第一電阻Rl的另一端與集成電路10的電源端2連接；
第一比較器11的輸出端及第二比較器12的輸出端均與回差電路14連接，回差電路14的輸出端與第三比較器13的反相端連接，回差電路14的輸入端分別與短路檢測(cè)模塊15的輸出端及短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)16的輸出端連接，短路檢測(cè)模塊15的輸入端與集成電路10的短路檢測(cè)輸入端7連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)16的輸入端與集成電路10的開(kāi)關(guān)輸入端6連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)16的輸出端與第三比較器13的輸出端及反相器17的輸入端連接；第三比較器14的同相端與集成電路10的第一振蕩連接端4連接，回差電路14的輸出端與集成電路10的第二振蕩連接端5連接。當(dāng)后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第三三極管Q3及PMOS管Q4采用B⑶工藝制備得到時(shí)，前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一比較器11、第二比較器12、第三比較器13、回差電路14、短路檢測(cè)模塊15、短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)16及反相器17也采用B⑶工藝制備得到，前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路與后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路采用BCD工藝制備在同一個(gè)襯底上。如圖2所示使用時(shí)，繼電器線圈18的一端與集成電路10的輸出端連接，繼電器線圈18的另一端接地，集成電路10的接地端I接地，第一振蕩連接端4及第二振蕩連接端5與外部電路連接配合后形成振蕩器。電源端2與外部電源連接。當(dāng)啟動(dòng)輸入端8有啟動(dòng)信號(hào)后，回差電路14根據(jù)第一比較器11及第二比較器12的輸出，并通過(guò)第三比較器13配合產(chǎn)生控制轉(zhuǎn)向燈閃爍的振蕩信號(hào)。短路檢測(cè)模塊15根據(jù)短路檢測(cè)輸入端7的輸入信號(hào)檢測(cè)是否出現(xiàn)短路，當(dāng)存在短路時(shí)，短路檢測(cè)模塊15向回差電路14輸入信號(hào)關(guān)閉回差電路。短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)16根據(jù)開(kāi)關(guān)輸入端6輸入的信號(hào)監(jiān)測(cè)短路檢測(cè)模塊15是否開(kāi)啟。根據(jù)回差電路14產(chǎn)生的振蕩信號(hào)，通過(guò)PMOS管Q4直接驅(qū)動(dòng)繼電器線圈18。由于第三三極管Q3及PMOS管Q4采用B⑶工藝制備并集成在集成電路10內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)集成電路的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，使得集成電路10簡(jiǎn)單，體積小，發(fā)熱少，工作溫度低，可靠性高，成本低。
權(quán)利要求
1.一種全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，所述集成電路(10)包括前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路及與所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路連接的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路；其特征是所述后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第三三極管(Q3 )及PMOS管(Q4 )，所述第三三極管(Q3 )采用PNP管，第三三極管(Q3 )的基極端與前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)反相器(17)的輸出端連接，第三三極管(Q3)的發(fā)射極端與集成電路(10)的電源端(2)連接，第三三極管(Q3)的集電極端與PMOS管(Q4)的柵極端連接，PMOS管(Q4)的源極端與電源端(2)連接，PMOS管(Q4)的漏極端與集成電路(10)的輸出端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，其特征是所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第一比較器(11)、第二比較器(12)及第三比較器(13)，所述第一比較器(11)的反相端與第二比較器(12)的同相端連接，且第一比較器(11)的反相端與第二比較器(12)的同相端相互連接后與集成電路(10)的啟動(dòng)輸入端(8)連接；第一比較器(11)的同相端與第一電阻(Rl)的一端及第二電阻(R2)的一端連接，第二電阻(R2)的另一端與第二比較器(12)的反相端及第三電阻(R3)的一端連接，第三電阻(R3)的另一端接地，第一電阻(Rl)的另一端與集成電路(10)的電源端(2)連接； 第一比較器(11)的輸出端及第二比較器(12)的輸出端均與回差電路(14)連接，回差電路(14)的輸出端與第三比較器(13)的反相端連接，回差電路(14)的輸入端分別與短路檢測(cè)模塊(15)的輸出端及短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)(16)的輸出端連接，短路檢測(cè)模塊(15)的輸入端與集成電路(10)的短路檢測(cè)輸入端(7)連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)(16)的輸入端與集成電路(10)的開(kāi)關(guān)輸入端(6)連接，短路檢測(cè)開(kāi)關(guān)(16)的輸出端與第三比較器(13)的輸出端及反相器(17)的輸入端連接；第三比較器(14)的同相端與集成電路(10)的第一振蕩連接端(4)連接，回差電路(14)的輸出端與集成電路(10)的第二振蕩連接端(5)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，其特征是所述集成電路(10)內(nèi)后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第三三極管(Q3)及PMOS管(Q4)采用B⑶工藝制備得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，其特征是所述集成電路(10)的輸出端(3)與繼電器線圈(18)的一端電連接，繼電器線圈(18)的另一端接地。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種集成電路，尤其是一種全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，屬于車(chē)用閃光器的技術(shù)領(lǐng)域。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述全集成高可靠性車(chē)用閃光器集成電路，所述集成電路包括前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路及與所述前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路連接的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路；所述后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括第三三極管及PMOS管，所述第三三極管采用PNP管，第三三極管的基極端與前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)反相器的輸出端連接，第三三極管的發(fā)射極端與集成電路的電源端連接，第三三極管的集電極端與PMOS管的柵極端連接，PMOS管的源極端與電源端連接，PMOS管的漏極端與集成電路的輸出端連接。本發(fā)明集成度高，降低體積，增強(qiáng)可靠性，降低使用成本。
文檔編號(hào)B60Q1/34GK103042969SQ201210554678
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月19日
發(fā)明者陳東勤 申請(qǐng)人:無(wú)錫創(chuàng)立達(dá)科技有限公司