1.一種低溫多晶硅層制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成緩沖層；
對所述緩沖層表面進(jìn)行等離子處理，形成粗糙表面；
在所述緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層；
對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅層制造方法，其特征在于，所述緩沖層為SiNX與SiOX形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOX形成。
3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅層制造方法，其特征在于，對所述緩沖層表面進(jìn)行等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。
4.如權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅層制造方法，其特征在于，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理，形成粗糙表面的步驟包括：采用等離子對所述緩沖層表面進(jìn)行轟擊處理，形成粗糙表面。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅層制造方法，其特征在于，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。
6.一種陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成緩沖層；
對所述緩沖層表面進(jìn)行等離子處理，形成粗糙表面；
在所述緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層；
對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層；
對所述多晶硅層進(jìn)行處理形成多晶硅半導(dǎo)體層；
在所述多晶硅半導(dǎo)體層上依次形成絕緣層、源極及漏極，其中所述源極及漏極與所述多晶硅半導(dǎo)體層連接。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述緩沖層為SiNX與SiOX形成的疊層結(jié)構(gòu)，或者是SiOX形成。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，對所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理的等離子為N2或Ar氣體形成的離子體。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板制造方法，其特征在于，對所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層為通過準(zhǔn)分子激光退火形成。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括基板，形成于所述基板的緩沖層、形成于所述緩沖層的多晶硅半導(dǎo)體層、位于多晶硅半導(dǎo)體層及緩沖層上的絕緣層及源極與漏極，所述緩沖層具有粗糙表面，所述多晶硅半導(dǎo)體層形成于所述粗糙表面上；其中，所述緩沖層上的粗糙表面是通過對緩沖層表面進(jìn)行等離子處理形成。