技術(shù)編號：12274734
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及液晶顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅層制造方法、陣列基板制造方法及陣列基板。背景技術(shù)目前高解析度的顯示面板一般采用低溫多晶硅作為TFT的有源層，生產(chǎn)中常用的低溫多晶硅層的制作方法是在玻璃基板上沉積緩沖層，在緩沖層上沉積非晶硅層，通過準(zhǔn)分子激光退火將非晶硅層轉(zhuǎn)化成多晶硅層。準(zhǔn)分子激光退火結(jié)晶是一種非晶硅融化再結(jié)晶形成多晶硅的過程，由于固液兩相硅的密度不同，在結(jié)晶過層中，液態(tài)硅會被結(jié)晶的固相硅推動，最終在晶界處形成凸起，通常采用這種方法制作的多晶硅層具有較大的晶界突起，導(dǎo)致表面粗糙...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。