技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種低溫多晶硅層制造方法，包括在基板上形成緩沖層；對(duì)所述緩沖層表面進(jìn)行表面等離子處理，形成粗糙表面；在所述處理后的緩沖層的粗糙表面上沉積非晶硅層；對(duì)所述非晶硅層退火處理形成多晶硅層。本發(fā)明還提供一種陣列基板。

技術(shù)研發(fā)人員：王濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201610929384
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.31
技術(shù)公布日：2017.02.22