除劑，以捕集任何在干燥氮流中剩余的水。在所述 煅燒步驟后，在瑪瑙研缽內(nèi)通過研磨將樣品磨成粉。
[0082] 圖11顯示所得的KLuF4 = Ce ( P = 4. 80g/cm3)的X射線衍射圖，與未摻雜的KYF# 照物比較。在準(zhǔn)備本公開時，發(fā)明人并不能容易地獲得未摻雜KLuFj^ X射線衍射圖數(shù)據(jù)。
[0083] 圖12顯示所得的KLuF4:Ce的發(fā)射光譜202、激發(fā)光譜204與反射光譜206。
[0084] 圖13顯示所得的KLuF4 = Ce在265nm激發(fā)（4f-5d)下的衰減曲線，在312nm處監(jiān) 測。
[0085] 實施例5
[0086] 制備并評價NaYF4:Ce(l% )。首先，在瑪瑙研缽內(nèi)將下表的前三種組分充分地?fù)?混在一起：

[0088] 然后，將NaBF4以表中確定的量加入到最初的三種組分的共混物，并且將所得混合 物再次研磨，以形成最終共混物。將最終的共混物裝入玻碳坩堝內(nèi)，在700°C下煅燒6小時。 AlF 3的少量樣品在管式爐內(nèi)被用作水清除劑，以捕集任何在干燥氮流中剩余的水。在所述 煅燒步驟后，在瑪瑙研缽內(nèi)通過研磨將樣品磨成粉。
[0089] 圖14顯示所得的NaYF4: Ce ( P = 4. 30g/cm3)的X射線衍射圖，與未摻雜的NaYF4 參照物比較。
[0090] 圖15顯示所得的NaYF4:Ce的發(fā)射光譜502、激發(fā)光譜504與反射光譜506。
[0091] 圖16顯示所得的NaYF4 = Ce在265nm激發(fā)（4f-5d)下的衰減曲線，在295nm處監(jiān) 測。
[0092] 實施例6
[0093] 制備并評價NaLuF4:Ce (1% )。首先，在瑪瑙研缽內(nèi)將下表的前三種組分充分地?fù)?混在一起：
[0095] 然后，將NaBF4以表中確定的量加入到最初的三種組分的共混物，并且將所得混合 物再次研磨，以形成最終共混物。將最終的共混物裝入玻碳坩堝內(nèi)，在700°C下煅燒6小時。 AlF 3的少量樣品在管式爐內(nèi)被用作水清除劑，以捕集任何在干燥氮流中剩余的水。在所述 煅燒步驟后，在瑪瑙研缽內(nèi)通過研磨將樣品磨成粉。
[0096] 圖17顯示所得的NaLuF4 = Ce ( P = 5. 70g/cm3)的X射線衍射圖，與未摻雜的NaYF4 參照物比較。在準(zhǔn)備本公開時，發(fā)明人并不能容易地獲得未摻雜NaLuFj^ X射線衍射圖數(shù) 據(jù)。
[0097] 圖18顯示所得的NaLuF4: Ce的在260nm激發(fā)光下的第一發(fā)射光譜802a、在295nm 激發(fā)光下的第二發(fā)射光譜802b、激發(fā)光譜804與反射光譜806。
[0098] 圖19顯示所得的NaLuF4 = Ce在265nm激發(fā)（4f-5d)下的衰減曲線，在320nm處監(jiān) 測。
[0099] 實施例7
[0100] 制備并評價RbLaF4 = Ce (1% )。首先，在瑪瑙研缽內(nèi)將下表的前三種組分充分地?fù)?混在一起：
[0102] 然后，將RbBF4以表中確定的量加入到最初的三種組分的共混物，并且將所得混合 物再次研磨，以形成最終共混物。將最終的共混物裝入玻碳坩堝內(nèi)，在700°C下煅燒6小時。 AlF3的少量樣品在管式爐內(nèi)被用作水清除劑，以捕集任何在干燥氮流中剩余的水。在所述 煅燒步驟后，在瑪瑙研缽內(nèi)通過研磨將樣品磨成粉。
[0103] 圖20顯示所得的RbLaF4:Ce(P =4. 94g/cm3)的X射線衍射圖，與未摻雜的RbLaF4 參照物比較。
[0104] 圖21顯示所得的RbLaF4 = Ce的發(fā)射光譜102、激發(fā)光譜104與反射光譜106。
[0105] 圖22顯示所得的RbLaF4 = Ce在265nm激發(fā)（4f-5d)下的衰減曲線，在310nm處監(jiān) 測。
[0106] 已經(jīng)參照優(yōu)選實施方案對本發(fā)明進行描述。顯然，一旦閱讀并理解了前述的詳細(xì) 描述，其他人將會想到修改與變更。本發(fā)明意在被解釋為包括所有這些修改與變更，只要它 們落入權(quán)利要求書或其等同物的范圍之內(nèi)。本發(fā)明可以采用所公開的實施方案的要素的多 種化學(xué)組合物、組分以及設(shè)置、組合以及子組合的形式。
【主權(quán)項】
1. 閃爍體材料，其包含由Ce3+激活的主體晶格，其中，所述主體晶格選自： A(YjxyLuxLay)LuF4, A(YixyLuxLay) 3F10， BaCa(Y!xyLuxLay)A。，和Ba(YjxyLuxLay) 2F10, 并且，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs和包含兩種或更多種這些元素的混合物的固溶體， 并且 其中，0彡X彡1，和0彡y彡1。2. 如權(quán)利要求1所述的閃爍體材料，其中，所述材料由0. 01% -10%的Ce3+激活。3. 如權(quán)利要求1所述的閃爍體材料，其中，所述材料由選自Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、 Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+的至少一種元素共激活。4. 如權(quán)利要求1所述的閃爍體材料，其還包含擴散阻擋涂層材料，所述擴散阻擋涂層 材料基本上防止H20、C02以及揮發(fā)性有機化合物擴散穿過所述擴散阻擋。 5. PET或SPECT成像系統(tǒng)，其包含如權(quán)利要求1所述的閃爍體材料。 6. CT成像系統(tǒng)，其包含如權(quán)利要求1所述的閃爍體材料。7. 成像系統(tǒng)，其包含X射線轉(zhuǎn)換器膜，所述X射線轉(zhuǎn)換器膜包含如權(quán)利要求1所述的閃 爍體材料。8. 發(fā)光組合物，其包含與作為激活劑的Ce3+組合的主體基質(zhì)，其中Ce3+的發(fā)射波段最 大值等于或低于400nm。9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光組合物，其中，Ce3+的發(fā)射波段最大值等于或高于280nm。10. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光組合物，其中，所述主體基質(zhì)選自： A(YjxyLuxLay)LuF4, A(YixyLuxLay) 3F10， BaCa(Y!xyLuxLay)A。，和Ba(YjxyLuxLay) 2F10, 并且，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs和包含兩種或更多種這些元素的混合物的固溶體， 并且 其中，0彡X彡1，和0彡y彡1。11. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光組合物，其中，所述組合物由0. 01% -10%的Ce3+激活。12. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光組合物，其中，所述組合物由選自Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、 Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+的至少一種元素共激活。13. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光組合物，其還包括擴散阻擋涂層材料，所述擴散阻擋涂層 材料基本上防止H20、C02以及揮發(fā)性有機化合物擴散穿過所述擴散阻擋。14. 成像系統(tǒng)，其包含X射線轉(zhuǎn)換器膜，所述X射線轉(zhuǎn)換器膜包含如權(quán)利要求8所述的 發(fā)光組合物。15. 輻射檢測器，其包含X射線轉(zhuǎn)換器膜，所述X射線轉(zhuǎn)換器膜包含如權(quán)利要求8所述 的發(fā)光組合物。16. 成像裝置，其包含： 至少一個福射（5〇)源； 至少一個輻射檢測器（100)，其包括包含由Ce3+激活的剛性主體晶格的閃爍體材料 (10)，其中所述主體晶格選自： A(YjxyLuxLay)LuF4, A(YixyLuxLay) 3F10， BaCa(Y!xyLuxLay)A。，和Ba(YjxyLuxLay) 2F10, 并且，其中A選自Li、Na、K、Rb、Cs和包含兩種或更多種這些元素的混合物的固溶體， 和 其中，0彡X彡1，和0彡y彡1 ;以及 光電檢測器（20)，其光學(xué)耦合到所述閃爍體材料（10)。17.如權(quán)利要求16所述的成像裝置（100)，其中，所述成像裝置（100)是CT、PET或SPECT成像裝置。
【專利摘要】本申請涉及包含由Ce3+激活的主體基質(zhì)并且在紫外線范圍內(nèi)顯示發(fā)射的發(fā)光組合物。典型的主體基質(zhì)包括氟化物、硫酸鹽和磷酸鹽，特別是A(Y1-x-yLuxLay)F4、A(Y1-x-yLuxLay)3F10、BaCa(Y1-x-yLuxLay)2F10以及Ba(Y1-x-yLuxLay)2F8，其中A＝Li、Na、K、Rb或Cs。一種或多種這些發(fā)光組合物可以作為CT、PET或SPECT掃描儀的陶瓷或單晶轉(zhuǎn)換器，或者作為X射線增強屏的發(fā)光粉層來應(yīng)用。
【IPC分類】C09K11/77, G01T1/20
【公開號】CN105378031
【申請?zhí)枴緾N201480040286
【發(fā)明人】C·R·龍達, G·格羅伊爾, T·于斯特爾, B·赫登, T·科克拉爾
【申請人】皇家飛利浦有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2014年7月17日
【公告號】EP3030629A1, US20160146950, WO2015008241A1