本發(fā)明涉及一種微電子器件用壓敏貼膜，屬于散熱貼膜技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代微電子技術(shù)高速發(fā)展，電子設(shè)備（如筆記本電腦、手機(jī)、平板電腦等）日益變得超薄、輕便，這種結(jié)構(gòu)使得電子設(shè)備內(nèi)部功率密度明顯提高，運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量不易排出、易于迅速積累而形成高溫。另一方面，高溫會降低電子設(shè)備的性能、可靠性和使用壽命。因此，當(dāng)前電子行業(yè)對于作為熱控系統(tǒng)核心部件的散熱材料提出越來越高的要求，迫切需要一種高效導(dǎo)熱、輕便的材料迅速將熱量傳遞出去，保障電子設(shè)備正常運(yùn)行。

現(xiàn)有技術(shù)中聚酰亞胺薄膜大多用于柔性電路板，雖然有采用聚酰亞胺薄膜燒結(jié)獲得石墨散熱片，從而貼覆在熱源上，但是受限于聚酰亞胺薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量和性能的良莠不齊，影響到了散熱雙面貼膜散熱性能的發(fā)揮，存在以下技術(shù)問題：散熱不均勻，易出現(xiàn)膠帶局部過熱，提高了產(chǎn)品的散熱性能不穩(wěn)定、可靠性性能差，不利于產(chǎn)品質(zhì)量管控，影響產(chǎn)品的競爭力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的是提供一種微電子器件用壓敏貼膜，該壓敏貼膜在垂直方向和水平方向均提高了導(dǎo)熱性能，避免膠帶局部過熱，實(shí)現(xiàn)了膠帶導(dǎo)熱性能的均勻性的同時(shí)，提高了產(chǎn)品的散熱性能穩(wěn)定性、可靠性，大大降低了產(chǎn)品的成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種微電子器件用壓敏貼膜，所述壓敏貼膜貼合于發(fā)熱部件表面，所述壓敏貼膜包括石墨層、位于石墨層表面的導(dǎo)熱膠粘層和離型材料層，此離型材料層貼合于導(dǎo)熱膠粘層與石墨層相背的表面；所述石墨層通過以下工藝方法獲得，此工藝方法包括以下步驟：

步驟一、將聚酰亞胺薄膜從室溫升至250℃，保溫后升至400℃后將至室溫；

步驟二、在經(jīng)過步驟一的聚酰亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚酰亞胺薄膜，所述石墨改性劑的粘度為30000~48000CP；

所述石墨改性劑由以下重量份的組分組成：

均苯四甲酸二酐 28.5份，

二苯甲酮四酸二酐 12.5份，

二氨基二苯甲烷 26份，

二甲基甲酰胺 22份，

N-甲基吡咯烷酮 8.5份，

乙二醇 1.5份，

聚二甲基硅氧烷 2份；

步驟三、將處理后的聚酰亞胺薄膜升溫至800℃，保溫后在升溫至1200℃，保溫后冷卻，從而獲得預(yù)燒制的碳化膜；

步驟四、采用壓延機(jī)壓延所述步驟四的預(yù)燒制的碳化膜；

步驟五、升溫至2400℃，保溫后再升溫至2900℃，保溫后冷卻，從而獲得主燒制的石墨膜；

步驟六、然后將步驟五所得的主燒制的石墨膜進(jìn)行壓延從而獲得所述石墨層。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1、上述方案中，所述步驟五中以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小時(shí)，再以19~21度/min的速度升至2900℃，保持1.8~2.2小時(shí)后冷卻，從而獲得主燒制的石墨膜。

2、上述方案中，所述步驟一中將聚酰亞胺薄膜以4~6度/min速度從室溫升至250℃，保持0.9~1.1小時(shí)，然后以2.5~3.5度/min，升至400℃，保持1小時(shí)后將至室溫。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果：

1、本發(fā)明微電子器件用壓敏貼膜，其結(jié)構(gòu)中石墨層由上、下表面均涂覆一層石墨改性劑的聚酰亞胺薄膜制備而成，提高了在垂直方向和水平方向的導(dǎo)熱性能，避免膠帶局部過熱，實(shí)現(xiàn)了膠帶導(dǎo)熱性能的均勻性；其次，其位于聚酰亞胺薄膜表面的石墨改性劑由特定含量的二苯甲酮四酸二酐、均苯四甲酸二酐、二氨基二苯甲烷、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、聚二甲基硅氧烷組成，涂覆于聚酰亞胺薄膜上，填充了加熱過程中的針孔，提高了結(jié)晶度同時(shí)，也克服了熱收縮過大導(dǎo)致的不均勻，提高了石墨層雙向拉伸性能。

2、本發(fā)明微電子器件用壓敏貼膜，其位于聚酰亞胺薄膜表面的石墨改性劑由特定含量的二苯甲酮四酸二酐、均苯四甲酸二酐、二氨基二苯甲烷、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、聚二甲基硅氧烷組成，采用二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮降低了共沸點(diǎn)并且平滑的沸點(diǎn)區(qū)，改善了最終產(chǎn)品成膜的平坦性和柔韌性；其次，聚酰亞胺薄膜表面具有石墨改性劑，改善了雙面貼膜中石墨層與導(dǎo)熱膠粘層導(dǎo)熱性能，且采用壓延機(jī)壓延所述預(yù)燒制的碳化膜，避免了褶皺和石墨化燒結(jié)過程中的體積收縮，提高了致密性和結(jié)晶度，進(jìn)一步提高了在垂直方向和水平方向的導(dǎo)熱性能。

3、本發(fā)明微電子器件用壓敏貼膜，先將聚酰亞胺薄膜升至400℃亞胺化后，再預(yù)燒制的碳化膜和石墨化之間增加壓延步驟，以及再形成導(dǎo)熱石墨貼片后再次壓延，避免了褶皺和石墨化燒結(jié)過程中的體積收縮，提高了致密性和結(jié)晶度，進(jìn)一步提高了在垂直方向和水平方向的導(dǎo)熱性能。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述：

實(shí)施例：一種微電子器件用壓敏貼膜，所述壓敏貼膜貼合于發(fā)熱部件表面，所述壓敏貼膜包括石墨層、位于石墨層表面的導(dǎo)熱膠粘層和離型材料層，此離型材料層貼合于導(dǎo)熱膠粘層與石墨層相背的表面；所述石墨層通過以下工藝方法獲得，此工藝方法包括以下步驟：

步驟一、將聚酰亞胺薄膜以4~6度/min速度從室溫升至250℃，保持0.9~1.1小時(shí)，然后以2.5~3.5度/min，升至400℃，保持1小時(shí)后將至室溫；

步驟二、在經(jīng)過步驟一的聚酰亞胺薄膜的上、下表面均涂覆一層石墨改性劑獲得處理后的聚酰亞胺薄膜，所述石墨改性劑由以下重量份的組分組成：

均苯四甲酸二酐 28.5份，

二苯甲酮四酸二酐 12.5份，

二氨基二苯甲烷 26份，

二甲基甲酰胺 22份，

N-甲基吡咯烷酮 8.5份，

乙二醇 1.5份，

聚二甲基硅氧烷 2份；

注：實(shí)施例1的石墨改性劑的粘度為32000CP，實(shí)施例2的石墨改性劑的粘度為35000CP，實(shí)施例3的石墨改性劑的粘度為38000CP，實(shí)施例4的石墨改性劑的粘度為42000CP，實(shí)施例5的石墨改性劑的粘度為45000CP。

步驟三、以4~6度/min的速度升至800℃，保持0.9~1.1小時(shí)；再以9~11度/min的速度升至1200℃，保存0.9~1.1小時(shí)后冷卻，從而獲得預(yù)燒制的碳化膜；

步驟四、采用壓延機(jī)壓延所述步驟四的預(yù)燒制的碳化膜；

步驟五、以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小時(shí)，再以19~21度/min的速度升至2900℃，保持1.8~2.2小時(shí)后冷卻，從而獲得主燒制的石墨膜；

步驟六、然后將步驟五所得的主燒制的石墨膜進(jìn)行壓延從而獲得所述石墨層6。

采用上述微電子器件用壓敏貼膜時(shí)，其結(jié)構(gòu)中石墨層由上、下表面均涂覆一層石墨改性劑的聚酰亞胺薄膜制備而成，提高了在垂直方向和水平方向的導(dǎo)熱性能，避免膠帶局部過熱，實(shí)現(xiàn)了膠帶導(dǎo)熱性能的均勻性；其次，其位于聚酰亞胺薄膜表面的石墨改性劑由特定含量的二苯甲酮四酸二酐、均苯四甲酸二酐、二氨基二苯甲烷、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、聚二甲基硅氧烷組成，涂覆于聚酰亞胺薄膜上，填充了加熱過程中的針孔，提高了結(jié)晶度同時(shí)，也克服了熱收縮過大導(dǎo)致的不均勻，提高了石墨層雙向拉伸性能，也降低了共沸點(diǎn)并且平滑的沸點(diǎn)區(qū)，改善了最終產(chǎn)品成膜的平坦性和柔韌性；再次，聚酰亞胺薄膜表面具有石墨改性劑，改善了雙面貼膜中石墨層與導(dǎo)熱膠粘層導(dǎo)熱性能，且先將聚酰亞胺薄膜升至400℃亞胺化后，再預(yù)燒制的碳化膜和石墨化之間增加壓延步驟，以及再形成導(dǎo)熱石墨貼片后再次壓延，避免了褶皺和石墨化燒結(jié)過程中的體積收縮，提高了致密性和結(jié)晶度，進(jìn)一步提高了在垂直方向和水平方向的導(dǎo)熱性能。

上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。