傳送微器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微器件傳送頭和頭陣列。在實施例中，微器件傳送頭包括基底襯底、具有側壁的臺面結構、在臺面結構之上形成的電極、以及覆蓋電極的介電層。能夠向微器件傳送頭和頭陣列施加電壓以從載體襯底拾起微器件并且將微器件釋放到接收襯底上。
【專利說明】傳送微器件的方法
[0001]相關申請
[0002]本申請要求來自2011年11月18日提交的第61/561，706號美國臨時專利申請、2012年02月03日提交的第61/594，919號美國臨時專利申請以及2012年02月09日提交的第61/597，109號美國臨時專利申請的優(yōu)先權的權益，這里通過引用將其全部公開內容并入于此。

【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及微器件。更具體而言，本發(fā)明的實施例涉及微器件傳送頭以及向接收襯底傳送一個或多個微器件的方法。

【背景技術】
[0004]集成和封裝問題是諸如為射頻(RF)微機電系統(tǒng)(MEMS)微動開關、發(fā)光二極管(LED)顯示系統(tǒng)、以及基于MEMS的振蕩器或基于石英的振蕩器的微器件的商業(yè)化的主要障礙之一。
[0005]用于傳送器件的傳統(tǒng)的技術包括通過晶片鍵合從傳送晶片向接收晶片的傳送。一個這樣的實現(xiàn)方式是“直接印刷”，包含從傳送晶片向接收晶片的器件陣列的一個鍵合步驟，跟著移除傳送晶片。另一這樣的實現(xiàn)方式是包含兩個鍵合/去鍵合步驟的“傳送印刷”。在傳送印刷中，傳送晶片可以從施主晶片中拾起器件陣列，并且然后將器件陣列鍵合到接收晶片，跟著移除傳送晶片。
[0006]已經(jīng)開發(fā)了某些印刷過程變型，其中器件能夠在傳送過程期間選擇性地鍵合和去鍵合。在傳統(tǒng)的和變型的直接印刷和傳送印刷技術中，傳送晶片在將器件鍵合到接收晶片之后從器件中去鍵合。此外，在傳送過程中涉及到具有器件陣列的整個傳送晶片。


【發(fā)明內容】

[0007]公開了一種微器件傳送頭和頭陣列、以及一種向接收襯底傳送一個或多個微器件的方法。例如，接收襯底可以是(但不限于)顯示襯底、發(fā)光襯底、具有諸如為晶體管或集成電路(IC)的功能器件的襯底、或具有金屬重分布線(redistribut1n line)的襯底。
[0008]在實施例中，微器件傳送頭包括基底襯底、包括側壁一至少一個側壁是在臺面結構之上形成的電極——的臺面結構、以及覆蓋電極的介電層。例如，微器件傳送頭能夠并入有單極或雙極電極結構。臺面結構能夠與基底襯底分離地或全局地形成。側壁能夠呈錐形并且遠離基底襯底向臺面結構的頂表面突出，其中，電極形成在頂表面上。電極引線可以從電極延伸以便與基底襯底中的布線接觸并且將微器件傳送頭連接到靜電夾持器(gripper)組件的工作電子器件。電極引線能夠從臺面結構的頂表面上的電極并且沿著臺面結構的側壁延伸。電極引線能夠可選地在臺面結構之下延伸并且連接到穿過臺面結構去往電極的過孔。
[0009]電極和電極引線可以覆蓋有沉積的介電層。用于介電層的適當?shù)牟牧习?但不限于)氧化鋁(Al2O3)和氧化鉭(Ta205)。因為介電層是沉積的，因此電極和電極引線可以由能夠耐高沉積溫度的材料來形成，包括諸如為鉬的高熔化溫度金屬以及難熔金屬或諸如為鈦鎢(TiW)的難熔金屬合金。
[0010]在實施例中，傳送微器件的方法包括將傳送頭定位在被連接到載體襯底的微器件之上。微器件與傳送頭接觸并且向傳送頭中的電極施加電壓以產生對微器件的夾持壓強。傳送頭拾起微器件并且然后將微器件釋放到接收襯底上。在傳送頭接觸微器件之前、同時或之后，能夠向電極施加電壓。電壓能夠是恒流電壓、或交流電壓。在實施例中，向雙級電極結構施加交流電壓。在實施例中，附加地執(zhí)行操作以在拾起微器件之前或同時產生將微器件連接到載體襯底的鍵合層中的相變。
[0011 ] 在實施例中，在拾起微器件之前、或同時加熱鍵合層以產生鍵合層中的從固態(tài)至液態(tài)的相變。取決于操作條件，能夠拾起鍵合層的一大部分并且與微器件一起傳送。當拾起、傳送、接觸接收襯底、以及釋放微器件和鍵合層的一部分到接收襯底上時，能夠執(zhí)行各種操作以控制鍵合層的該部分的相。例如，當接觸接收襯底時以及在到接收襯底上的釋放操作期間，用微器件拾起的鍵合層的該部分能夠維持在液態(tài)。在另一實施例中，在被拾起之后，能夠允許鍵合層中的該部分冷卻到固相。例如，在接觸接收襯底之前或期間，鍵合層的該部分能夠是固相，并且在釋放操作期間再次熔化到液態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，能夠執(zhí)行各種溫度和材料相周期。
[0012]在實施例中，傳送微器件陣列的方法包括將傳送頭陣列定位在微器件陣列之上。微器件陣列與傳送頭陣列接觸，并且選擇性地向傳送頭陣列的一部分施加電壓。選擇性地施加電壓可以包括向陣列中的所有傳送頭、或向對應于少于陣列中的所有傳送頭的部分施加電壓。然后使用傳送頭陣列的該部分來拾起微器件陣列的對應的部分，并且選擇性地將微器件陣列的該部分釋放在至少一個接收襯底上。在實施例中，當接觸時傳送頭陣列可以在微器件陣列上摩擦，以便逐出可能存在于傳送頭或微器件中的一者的接觸表面上的任意顆粒。在實施例中，在拾起微器件陣列之前，在鍵合層的將微器件陣列連接到載體襯底的橫向上單獨的位置的陣列中產生了相變。
[0013]在實施例中，制作微器件傳送頭陣列的方法包括在基底襯底上形成臺面結構陣列，每個臺面結構包括側壁。在每個臺面結構之上形成單獨的電極，并且介電層被沉積在臺面結構陣列和每個電極之上。在實施例中，介電層使用原子層沉積(ALD)來沉積，并且可以是無針孔的。介電層可以包括一個或多個介電層。在每個對應的臺面結構上形成獨立的電極之前，保形鈍化層可以可選地在基底襯底和臺面結構陣列之上生長或沉積。在實施例中，導電接地面形成在介電層上并且圍繞每個臺面結構。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的單極微器件傳送頭的截面?zhèn)纫晥D圖示。
[0015]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的單極微器件傳送頭的等距視圖圖示。
[0016]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙極微器件傳送頭的截面?zhèn)纫晥D圖示。
[0017]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙極微器件傳送頭的等距視圖圖示。
[0018]圖5-6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙極微器件傳送頭的頂視圖圖示。
[0019]圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括導電過孔的雙極微器件傳送頭的等距視圖圖/Jn ο
[0020]圖8是根據(jù)本發(fā)明的實施例的雙極微器件傳送頭陣列的等距視圖圖示。
[0021]圖9是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括導電接地面的雙極微器件傳送頭陣列的等距視圖圖。
[0022]圖10是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括導電接地面的雙極微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D。
[0023]圖11是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖示拾起微器件并且從載體襯底向接收襯底傳送微器件的方法的流程圖。
[0024]圖12是根據(jù)本發(fā)明的實施例的在雙極電極上施加的交流電壓的示意圖示。
[0025]圖13是根據(jù)本發(fā)明的實施例的在雙極電極上施加的恒定電壓的示意圖示。
[0026]圖14是根據(jù)本發(fā)明的實施例的向單極電極施加的恒定電壓的示意圖示。
[0027]圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖示拾起并且從載體襯底向接收襯底傳送微器件的方法的流程圖。
[0028]圖16是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖示拾起微器件陣列并且從載體襯底向至少一個接收襯底傳送微器件陣列的方法的流程圖。
[0029]圖17是根據(jù)本發(fā)明的實施例的與微LED器件陣列接觸的微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D。。
[0030]圖18是根據(jù)本發(fā)明的實施例的與微LED器件陣列接觸的微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D。
[0031]圖19是根據(jù)本發(fā)明的實施例的拾起微LED器件陣列的微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D。
[0032]圖20是根據(jù)本發(fā)明的實施例的拾起微LED器件陣列的一部分的微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D。
[0033]圖21是根據(jù)本發(fā)明的實施例的其中微LED器件陣列定位在接收襯底之上的微器件傳送頭陣列的截面?zhèn)纫晥D圖示。
[0034]圖22是根據(jù)本發(fā)明的實施例的選擇性地釋放到接收襯底上的微器件的截面?zhèn)纫晥D。
[0035]圖23是根據(jù)本發(fā)明的實施例的示出克服表面張力以拾起眾多尺寸的微器件所需的壓強的圖形圖示。
[0036]圖24是根據(jù)本發(fā)明的實施例的表面張力與在拾起操作期間創(chuàng)建的增加的空隙距離之間的關系的圖形圖示。
[0037]圖25是根據(jù)本發(fā)明的實施例的粘滯力壓強與在以眾多拉動速率的拾起操作期間創(chuàng)建的增加的空隙距離之間的關系的圖形圖示。
[0038]圖26是根據(jù)本發(fā)明的實施例的通過建模分析來獲取的圖形圖示，該圖形圖示示出了隨著傳送頭從微器件抽出而由微器件上的傳送頭施加的夾持壓強。
[0039]圖27是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括具有比微p-n 二極管的頂表面更小的寬度的接觸開口的各種微LED結構的截面?zhèn)纫晥D。
[0040]圖28是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括具有比微p-n 二極管的頂表面更大的寬度的接觸開口的各種微LED結構的截面?zhèn)纫晥D。
[0041]圖29是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括具有與微p-n 二極管的頂表面相同的寬度的接觸開口的各種微LED結構的截面?zhèn)纫晥D。

【具體實施方式】
[0042]本發(fā)明的實施例描述了微器件傳送頭和頭陣列、以及向接收襯底傳送微器件和微器件陣列的方法。例如，接收襯底可以是(但不限于)顯示襯底、發(fā)光襯底、具有諸如為晶體管或集成電路(IC)的功能器件的襯底、或具有金屬重分布線的襯底。在某些實施例中，這里描述的微器件和微器件陣列可以是圖27-29中圖示的任意微LED器件結構、以及在相關的第61/561，706號美國臨時申請和第61/594，919號美國臨時申請中描述的那些。雖然具體地關于微LED描述了本發(fā)明的某些實施例，將意識到本發(fā)明的實施例不如此受限并且意識到特定實施例還可以應用到諸如為二極管、晶體管、1C、以及MEMS的其他微器件。
[0043]在眾多實施例中，參照附圖來做出描述。然而，可以在沒有這些具體細節(jié)中的一個或多個的情況下、或結合其他已知方法和配置來實踐特定實施例。在下面的描述中，給出大量具體細節(jié)(諸如具體配置、尺寸和過程等)，以便提供對本發(fā)明的透徹理解。在其他例子中，沒有特別詳細地描述公知的半導體過程和制造技術，從而以免不必要地模糊本發(fā)明。通篇本說明書中“ 一個實施例”、“實施例”等等的引用意味著結合實施例描述的特定特征、結構、配置、或特性包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。因而，在通篇本說明書中的眾多處出現(xiàn)的術語“在一個實施例中”、“實施例”等等不一定指本發(fā)明的相同的實施例。進而，在一個或多個實施例中，可以以任意適當?shù)姆绞絹斫M合特定特征、結構、配置、或特性。
[0044]如這里所使用的術語“在…之上”、“到”、“在…之間”以及“在…上”可以指一個層相對于其他層的相對的位置。一個層在另一層“之上”或在另一層“上”的一個層或鍵合“到”另一層的一個層可以是直接與該另一層接觸或可以具有一個或多個居間層。在層“之間”的一個層可以直接與層接觸或可以具有一個或多個居間層。
[0045]如這里所使用的術語“微”器件或“微” LED結構可以指根據(jù)本發(fā)明的實施例的特定器件或結構的說明性的大小。如這里所使用的，術語“微”器件或結構意指I到100μπι的級別。然而，將意識到本發(fā)明的實施例不必然如此受限，并且將意識到實施例的特定方面可以應用到更大的以及可能更小的大小級別。
[0046]在一個方面中，本發(fā)明的實施例描述了用傳送頭陣列大量傳送預制作的微器件陣列的方式。例如，預制作的微器件可以具有具體的功能性，諸如(但不限于)用于發(fā)光的LED、用于邏輯和存儲的硅1C、用于射頻(RF)通信的砷化鎵(GaAs)電路。在某些實施例中，將預備好拾起的微LED器件陣列描述為具有10 μ m χΙΟ μ m間距、或5 μ m χ5 μ m間距。以這些密度，例如，6英寸襯底能夠容納近似1.65億個具有10 μ m χΙΟ μ m間距的微LED器件、或者容納近似6.60億個具有5 μ m χ5 μ m間距的微LED器件。包括與對應的微LED器件陣列的間距相匹配的傳送頭的陣列的傳送工具能夠用于拾起并且向接收襯底傳送微LED器件陣列。以這一方式，有可能將微LED器件集成和組裝到異質集成系統(tǒng)中，包括范圍從微顯示器到大面積顯示器的任意大小的襯底，并且以高傳送速率進行。例如，Icm xlcm的微器件傳送頭陣列能夠拾起并且傳送多于100，000個微器件，其中更大的微器件傳送頭陣列能夠傳送更多的微器件。傳送頭陣列中的每個傳送頭還可以獨立地可控制，這實現(xiàn)了選擇性拾起微器件和微器件的釋放。
[0047]在一個方面中，不限于特定理論，本發(fā)明的實施例描述了根據(jù)靜電夾持器的原理操作的使用相反電荷的吸引來拾起微器件的微器件傳送頭和頭陣列。根據(jù)本發(fā)明的實施例，向微器件傳送頭施加吸附電壓，以便生成對微器件的夾持力并且拾起微器件。夾持力與充電板面積成比例，因此計算為壓強。根據(jù)理想的靜電理論，單極電極與導電襯底之間的非導電介電層產生以帕斯卡(Pa)為單位的等式⑴中的夾持壓強，其中，等式⑴為:
[0048]P = [o /2] [Vr/d]2------(1)
[0049]其中。=8.85.10_12，V =以伏特(V)為單位的電極-襯底電壓，r =介電常數(shù)，以及d=以米(m)為單位的介電厚度。采用使用兩個夾持電極的雙極夾持器，以上等式中的電壓(V)是電極A和B之間的電壓的一半，[Va-Vb]/2。襯底電勢集中在平均電勢，[Va =Vb]/2。這一均值通常為零，其中Va = [_VB]。
[0050]在另一方面中，本發(fā)明的實施例描述了能夠在特定處理和處置操作期間將微器件維持在載體襯底上的鍵合層，并且該鍵合層在經(jīng)歷相變之后提供微器件能夠保持在其上、還在拾起操作期間從其易于釋放的介質。例如，鍵合層可以是可重新熔化的或可回流的，使得鍵合層在拾起操作之前或在拾起操作期間經(jīng)歷從固態(tài)向液態(tài)的相變。在液態(tài)下，鍵合層可以將微器件保持就位在載體襯底上，同時還提供從其易于釋放微器件的介質。不限于特定理論，在確定從載體襯底拾起微器件所需的夾持壓強中，夾持壓力應該超過將微器件保持到載體襯底的力，該力可以包括(但不限于)表面張力、毛細力、粘滯效應、彈性恢復力、范德瓦爾斯力、靜摩擦和重力。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的實施例，當微器件的尺寸減少到特定范圍以下時，將微器件保持到載體襯底的液態(tài)鍵合層的表面張力可以變得比保持微器件的其他力占優(yōu)勢。圖23是通過建模分析來獲取的一個實施例的圖形圖示，該圖形圖示示出了克服表面張力以拾起各種尺寸的微器件所需的壓強，假定液態(tài)銦(In)鍵合層在156.7°C的熔化溫度具有560mN/m的表面張力。例如，參加圖23，示例性的1ym XlOym寬的微器件保持在具有近似2.2個大氣壓(atm)的表面張壓強的載體襯底上，其中銦鍵合層在156.7°C的該銦鍵合層的熔化溫度具有560mN/m液體表面張力。這比由于重力的壓強(對于示例性的10 μ m χΙΟ μ m寬χ3 μ m高的氮化鎵(GaN)片，其為近似1.8xl0_6atm)大得多。
[0052]在拾起操作期間表面張力壓強和粘滯效應還可以是動態(tài)的。圖24是通過建模分析來獲取的一個實施例的圖形圖示，該圖形圖示示出了在保持在具有熔化的銦(In)鍵合層的載體襯底上的示例性的10 μ m XlO μ m寬的微器件的拾起操作期間、表面張力與產生的增加的間隙距離之間的關系。在圖24中提及的沿著X軸的間隙距離是微器件的底部和載體襯底之間的距離，并且起始于2 μ m，其對應于In鍵合層的未熔化的厚度。如圖24中所圖示的，在拾起操作開始時，通過夾持壓強來初始地克服沿著I軸的2.2atm的表面張力壓強。隨著接著從載體襯底抬升微器件，表面張力迅速下降，隨著進一步抬升微器件遠離載體襯底，壓強平穩(wěn)。
[0053]圖25是通過建模分析來獲取的一個實施例的圖形圖示，該圖形圖示示出了對于保持在具有熔化的銦(In)鍵合層的載體襯底上的示例性的10 μ m χΙΟ μ m微器件而言在眾多拉動速率下的粘滯力壓強(atm)與在拾起操作期間創(chuàng)建的增加的間隙距離(ym)之間的關系。圖25中提及的間隙距離是微器件的底部與載體襯底之間的距離，并且始于2μπι，其對應于In鍵合層的未熔化的厚度。如所圖示的,相比諸如為0.lmm/s的較慢的抬升速度，在諸如為l，000mm/s的較快的抬升速度期間，粘滯力壓強更加明顯。然而，圖24中圖示的使用示例性的抬升速度從粘滯效應中生成的壓強比在圖24中生成和圖示的表面張力壓強小很多，這表明表面張力壓強是在拾起操作期間必須由夾持壓強來克服的主導壓強。
[0054]如果在微器件傳送頭的介電層與微器件的頂部導電表面之間存在大小(g)的氣隙，則等式(2)中的夾持壓強是:
[0055]P=[。/2] [Vr/(d+rg)]2------(2)
[0056]設想氣隙能夠由于各種源而存在，包括(但不限于)顆粒污染、翹曲、以及傳送頭或微器件的任一表面的未對準，或傳送頭或微器件上的附加層的存在(諸如保形介電阻擋層的圍繞微器件的頂部導電表面的唇部)。在實施例中，保形介電阻擋層的唇部可以產生其中形成接觸開口的氣隙并且增加其中存在唇部的傳送頭的介電層的有效厚度。
[0057]如從以上等式⑴和⑵中可見的，可以利用較低的電壓，其中在微器件傳送頭與待拾起的微器件之間不存在氣隙。然而，當存在氣隙時，這提供了其中氣體電容可以與介電層電容競爭的串聯(lián)電容。為了補償待拾起的對應的微器件陣列之上的任意微器件傳送頭陣列之間的氣體電容的可能性，可以使用更高的操作電壓、更高的介電材料的介電常數(shù)、或更薄的介電材料來最大化電場。然而，由于可能的介電擊穿和電弧，更高的電場的使用具有限制。
[0058]圖26是通過建模分析來獲取的一個實施例的圖形圖示，該圖形圖示示出了隨著傳送頭從微器件的頂部導電表面抽出而由傳送頭對微器件施加的對應于增加的氣隙大小的夾持壓強。不同的線對應于傳送頭上0.5 μ m與2.0 μ m之間的不同的Ta2O5介電層厚度，其中，電場保持恒定。如所圖示的，在低于近似Inm (0.001 μ m)的氣隙大小的這些條件下，并且對于某些條件甚至高達1nm(0.01ym),沒有觀察到對夾持壓強的可感知的影響。然而，將意識到可容忍的氣隙能夠通過改變條件來增加或減少。因而，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在拾起操作期間特定量的氣隙容差是可能的并且可能不需要與微器件傳送頭接觸以及微器件的頂部導電表面的實際接觸。
[0059]現(xiàn)在假定從載體襯底拾起微器件所需的夾持壓強應該超過將微器件保持在載體襯底上的壓強的和(以及由于氣隙的任意壓強減少)，有可能通過求解夾持壓強等式來取得微器件傳送頭中的介電材料的操作電壓、介電常數(shù)、介電厚度之間的關系。為了清楚的目的，假定氣隙距離為零，對于單極電極，這成為:
[0060]sqrt(P*2/。)= Vr/d------(3)
[0061]根據(jù)本發(fā)明的實施例，在表1中對于在25V與300V之間的操作電壓之間的Al2O3和Ta2O5介電材料、針對期望的2atm(202650Pa)和20atm(2026500Pa)的夾持壓強提供了所計算的介電厚度值的示例性的范圍，從而圖示夾持壓強、電壓、介電常數(shù)和介電厚度的相互依賴性。提供的介電常數(shù)是近似的，并且理解到值能夠取決于形成方式而變化。
[0062]表1
[0063]

【權利要求】
1.一種傳送微器件的方法,包括: 將傳送頭定位在被連接到載體襯底的微器件之上，所述傳送頭包括: 臺面結構； 在所述臺面結構之上的電極；以及 覆蓋所述電極的介電層； 使所述微器件與所述傳送頭接觸； 向所述電極施加電壓以產生對所述微器件的夾持壓強； 用所述傳送頭來拾起所述微器件；以及 將所述微器件釋放到接收襯底上。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括在拾起所述微器件之前執(zhí)行用于產生將所述微器件連接到所述載體襯底的鍵合層的相變的操作。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中向所述電極施加電壓包括向所述電極施加恒定電壓。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述傳送頭包括在所述臺面結構之上的一對電極，并且進一步包括在所述一對電極上施加電壓以產生對所述微器件的所述夾持壓強。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其中向一對電極施加電壓包括在所述一對電極上施加交流電壓。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之前向所述電極施加所述電壓。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸的同時向所述電極施加所述電壓。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之后向所述電極施加所述電壓。
9.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中執(zhí)行用于產生所述鍵合層的所述相變的所述操作包括將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之前將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之后將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，進一步包括使所述接收襯底與所述微器件和所述鍵合層的一大部分接觸，其中所述鍵合層的所述一大部分處于所述液態(tài)。
13.—種傳送微器件陣列的方法,包括: 將傳送頭陣列定位在微器件陣列之上，每個傳送頭包括: 臺面結構； 在所述臺面結構上的電極；以及 覆蓋所述電極的介電層； 使所述微器件陣列與所述傳送頭陣列接觸； 選擇性地向所述傳送頭陣列的一部分施加電壓； 用所述傳送頭陣列的所述部分來拾起所述微器件陣列的對應的部分；以及選擇性地將微器件陣列的所述部分釋放到至少一個接收襯底上。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，進一步包括在拾起所述微器件陣列之前執(zhí)行用于產生將所述微器件陣列連接到所述載體襯底的鍵合層的多個位置的相變的操作。
15.根據(jù)權利要求13所述的方法，進一步包括在使所述微器件陣列與所述傳送頭陣列接觸之后在所述微器件陣列上摩擦所述傳送頭陣列。
16.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中選擇性地向所述傳送頭陣列的一部分施加電壓包括向所述傳送頭陣列中的每一個傳送頭施加電壓。
17.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中選擇性地向所述傳送頭陣列的一部分施加電壓包括向少于所述傳送頭陣列中的每一個傳送頭施加電壓。
18.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中執(zhí)行用于產生所述鍵合層的橫向上單獨的位置的陣列的所述相變的所述操作包括將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之前將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
20.根據(jù)權利要求18所述的方法，進一步包括在使所述微器件與所述傳送頭接觸之后將所述鍵合層從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。
【文檔編號】H05K13/04GK104054168SQ201280067419
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2012年11月7日 優(yōu)先權日:2011年11月18日
【發(fā)明者】A·拜布爾, J·A·希金森, H-F·S·勞, 胡馨華 申請人:勒克斯維科技公司