量子點(diǎn)增強(qiáng)膜(QDEF)用作LCD顯示器的光源。紅光和綠光量子點(diǎn)在QDEF中與藍(lán)光LED一起用作光源以發(fā)出全光譜顏色。其優(yōu)點(diǎn)在于，與典型LCD顯示器相比提升了色域，并且與LED顯示器相比保持了低能耗。一旦合成出量子點(diǎn)，就用結(jié)合到量子點(diǎn)外表面的有機(jī)配體對其進(jìn)行處理。用有機(jī)配體穩(wěn)定化的膠態(tài)量子點(diǎn)納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)可由于表面陷阱鈍化、在溶劑或聚合物基體中的分散穩(wěn)定性的控制、針對聚集和降解的穩(wěn)定化、以及對合成過程中納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)生長動力學(xué)特性的影響，而具有改善的量子產(chǎn)率。因此，對于實(shí)現(xiàn)QDEF的最佳量子產(chǎn)率、可加工性及功能壽命而言，優(yōu)化有機(jī)配體很重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了復(fù)合粒子，這些復(fù)合粒子能夠產(chǎn)生熒光，并適合在量子點(diǎn)增強(qiáng)膜中使用。一方面，本發(fā)明提供了一種復(fù)合粒子，該復(fù)合粒子包含：熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)；以及附著到所述芯/殼納米粒子外表面的硫醚取代的配體。一方面，本發(fā)明提供了一種復(fù)合粒子，該復(fù)合粒子包含：熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)；以及附著到所述芯/殼納米粒子外表面的硫醚取代的配體。熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子包括：InP芯；包覆該芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅；以及包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅。硫醚取代的配體(在附著到納米粒子之前)由下式I表示：R1SR2(X)nI其中R1為(雜)烴基基團(tuán)或(甲基)丙烯酸酯低聚物基團(tuán)；R2為烴基基團(tuán)；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，R1選自(雜)烴基，包括芳基和直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，所述烷基任選地包含鏈中官能團(tuán)，所述鏈中官能團(tuán)包括–O-、-CO2-、–NR-、-CONR-、-SO2-、-OC(O)NR-，其中R為H或C1至C4烷基，并且。特別地，R1可選自具有2至50個碳原子的烷基。在另一個實(shí)施方案中，R1可選自具有2至50個碳原子的烷氧基亞烷基。在一些實(shí)施方案中，R1可選自烷基、芳基、芳烷基和烷芳基，包括可被一個或多個烷基取代的苯基、二苯基和萘基。在一些實(shí)施方案中，R1選自用下式表示的(甲基)丙烯酸酯低聚物：其中每個R3獨(dú)立地為H或CH3，每個R4為C1至C30烷基，R供體包含供π電子基團(tuán)X，m為至少2，優(yōu)選為2至100，更優(yōu)選為2至50；p可為零或非零。R供體基團(tuán)的X可為與式I配體的X相同或不同的X基團(tuán)。供π電子基團(tuán)X是可通過共振向缺電子納米粒子供給電子密度的任何官能團(tuán)。例如，X可選自-CO2H、-OH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2和-SO3H。這些復(fù)合粒子可以用在用于光學(xué)顯示器的涂層和膜中。熒光半導(dǎo)體納米粒子在受到第一波長的光激發(fā)時發(fā)出第二波長的光的熒光信號，所述光的第一波長比所述光的第二波長短。如本文所用，“烷基”是指直鏈或支鏈、環(huán)狀或非環(huán)狀的飽和單價烴?！皝喭榛笔侵钢辨溁蛑ф湹牟伙柡投r烴?！跋┗笔侵钢辨溁蛑ф湹牟伙柡蜔N?！胺蓟笔侵竼蝺r芳族基團(tuán)，諸如苯基、萘基等?！皝喎蓟笔侵付鄡r芳族基團(tuán)，諸如亞苯基、亞萘基等?！皝喎纪榛笔侵溉缟隙x的芳基附接到如上定義的亞烷基上而形成的基團(tuán)，例如芐基、1-萘乙基等。本文使用的“(雜)烴基”，包括烴基烷基和烴基芳基，以及雜烴基雜烷基和雜烴基雜芳基，雜烴基雜烷基和雜烴基雜芳基包含一個或多個懸鏈(鏈中)雜原子，諸如醚基或氨基。雜烴基可任選地包含一個或多個懸鏈(鏈中)官能團(tuán)，所述懸鏈官能團(tuán)包括酯官能團(tuán)、酰胺官能團(tuán)、脲官能團(tuán)、氨基甲酸酯官能團(tuán)和碳酸酯官能團(tuán)。除非另外指明，否則非聚合的(雜)烴基通常包含1至60個碳原子。本文使用的這類雜烴基的一些示例除上文針對“烷基”、“雜烷基”和“芳基”所述的那些外，還包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、4-二苯基氨基丁基、2-(2'-苯氧基乙氧基)乙基、3,6-二氧雜庚基、3,6-二氧雜己基-6-苯基。本文使用的術(shù)語“復(fù)合粒子”是指納米粒子，該納米粒子通常為芯/殼納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)的形式，并且在納米粒子的表面上具有不能通過普通溶解從表面去除的任何相聯(lián)的有機(jī)涂層或其他材料。此類復(fù)合粒子可用作“量子點(diǎn)”，所述量子點(diǎn)由于使用半導(dǎo)體材料而在近紫外線(UV)到遠(yuǎn)紅外線(IR)范圍內(nèi)具有可調(diào)發(fā)射。術(shù)語“納米粒子”是指平均粒徑在0.1納米至1000納米范圍內(nèi)的粒子，例如0.1納米至100納米范圍內(nèi)或1納米至100納米范圍內(nèi)。術(shù)語“直徑”不僅指大致球形的粒子的直徑，而且還指沿結(jié)構(gòu)的最短軸線的距離。用于測量平均粒徑的合適技術(shù)包括例如掃描隧道顯微鏡、光散射和透射電子顯微鏡技術(shù)。納米粒子的“芯”被理解為意指尚未施加殼的納米粒子(優(yōu)選地，納米晶體)或者意指芯/殼納米粒子的內(nèi)部部分。納米粒子的芯可具有均一的組成或者其組成可隨其在芯內(nèi)的深度而不同。已知有許多材料用于芯納米粒子中，并且在本領(lǐng)域中已知有許多方法用于將一個或多個殼施加到芯納米粒子。芯具有與所述一個或多個殼不同的組成。芯通常具有與芯/殼納米粒子的殼不同的化學(xué)組成。本文使用的術(shù)語“光化輻射”，是指電磁波譜中任意波長范圍的輻射。光化輻射通常在紫外線波長范圍內(nèi)、可見光波長范圍內(nèi)、紅外線波長范圍上內(nèi)、或它們的組合?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的任何合適的能量源來提供光化輻射。本發(fā)明的上述
發(fā)明內(nèi)容并非旨在描述本發(fā)明的每個公開實(shí)施方案或每種實(shí)施方式。以下具體實(shí)施方式更具體地舉例說明了示例性實(shí)施方案。在本申請通篇的若干處，通過示例列表提供了指導(dǎo)，這些示例可采用多種方式組合使用。在每種情況下，引用的列表都只用作代表性的組，而不應(yīng)理解為排他性列表。附圖說明圖1為包含量子點(diǎn)的示例性膜制品的邊緣區(qū)域的示意性側(cè)視立面圖。圖2為形成量子點(diǎn)膜的示例性方法的流程圖。圖3為包括量子點(diǎn)制品的顯示器的一個實(shí)施方案的示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供了包含熒光半導(dǎo)體納米粒子的復(fù)合粒子，所述熒光半導(dǎo)體納米粒子受到光化輻射激發(fā)時能發(fā)出熒光。這些復(fù)合粒子可以用在光學(xué)顯示器的涂層和膜中。熒光半導(dǎo)體納米粒子在受到適當(dāng)激發(fā)時發(fā)出熒光信號。熒光半導(dǎo)體納米粒子在受到第一波長的光化輻射激發(fā)時，以第二波長的光化輻射發(fā)出熒光，所述第一波長比第二波長短。在一些實(shí)施方案中，熒光半導(dǎo)體納米粒子在暴露于電磁波譜紫外線區(qū)域中的波長的光時能發(fā)出電磁波譜可見光區(qū)域的熒光。在其他實(shí)施方案中，熒光半導(dǎo)體納米粒子在電磁波譜的紫外線或可見光區(qū)域中受到激發(fā)時能發(fā)出紅外線區(qū)域的熒光。在其他實(shí)施方案中，熒光半導(dǎo)體納米粒子在受到紫外線區(qū)域中較短波長的光激發(fā)時能發(fā)出紫外線區(qū)域的熒光，在受到可見光區(qū)域中較短波長的光激發(fā)時能發(fā)出可見光區(qū)域的熒光，或者在受到紅外線區(qū)域中較短波長的光激發(fā)時能發(fā)出紅外線區(qū)域的熒光。熒光半導(dǎo)體納米粒子通常能夠發(fā)出下列波長范圍內(nèi)的熒光：例如，最高達(dá)1200納米(nm)、最高達(dá)1000nm、最高達(dá)900nm，或最高達(dá)800nm。例如，熒光半導(dǎo)體納米粒子通常能夠發(fā)出400至800納米范圍內(nèi)的熒光。納米粒子的平均粒徑至少為0.1納米(nm)、至少為0.5nm或至少為1nm。納米粒子的平均粒徑最大達(dá)1000nm、最大達(dá)500nm、最大達(dá)200nm、最大達(dá)100nm、最大達(dá)50nm、最大達(dá)20nm或最大達(dá)10nm。半導(dǎo)體納米粒子，具體地講尺寸在1至10nm范圍內(nèi)的半導(dǎo)體納米粒子，已作為一類最具前景的先進(jìn)材料用于前沿技術(shù)。半導(dǎo)體材料包含周期表中2族至16族、12族至16族、13族至15族、14族至16族以及14族半導(dǎo)體(使用1至18這種現(xiàn)代族編號系統(tǒng))的元素或復(fù)合物。一些合適的量子點(diǎn)包括金屬磷化物、金屬硒化物、金屬碲化物或金屬硫化物。示例性半導(dǎo)體材料包括但不限于Si、Ge、Sn、BN、BP、BAs、AIN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、lnAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、MgTe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCI、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、A12O3、(Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe，以及兩種或更多種此類半導(dǎo)體的適當(dāng)組合。這些半導(dǎo)體材料可用于芯、一個或多個殼層、或者這兩者。在某些實(shí)施方案中，示例性金屬磷化物量子點(diǎn)包括磷化銦和磷化鎵，示例性金屬硒化物量子點(diǎn)包括硒化鎘、硒化鉛和硒化鋅，示例性金屬硫化物量子點(diǎn)包括硫化鎘、硫化鉛和硫化鋅，示例性金屬碲化物量子點(diǎn)包括碲化鎘、碲化鉛和碲化鋅。其他合適的量子點(diǎn)包括砷化鎵和磷化銦鎵。示例性半導(dǎo)體材料可從美國紐約州特洛伊市的Evident科技公司(EvidentTechnologies,Troy,NY)商購獲得。用于本發(fā)明的納米晶體(或其他納米結(jié)構(gòu))可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何方法制造。合適的方法公開于2004年3月10日提交的美國專利申請10/796,832、美國專利6,949,206(Whiteford)以及2004年6月8日提交的美國臨時專利申請60/578,236中，這些專利中每一者的公開內(nèi)容都全文以引用方式并入本文。用于本發(fā)明的納米晶體(或其他納米結(jié)構(gòu))可由任何合適的材料制成，所述材料適宜地為無機(jī)材料，更適宜地為無機(jī)導(dǎo)電材料或半導(dǎo)體材料。合適的半導(dǎo)體材料包括美國專利申請序列號10/796,832中公開的那些，并包括任何類型的半導(dǎo)體，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族和IV族半導(dǎo)體。合適的半導(dǎo)體材料包括但不限于Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金剛石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、As、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO，以及兩種或更多種此類半導(dǎo)體的適當(dāng)組合。在某些方面，半導(dǎo)體納米晶體或其他納米結(jié)構(gòu)可包含選自p型摻雜劑或n型摻雜劑的摻雜劑?？捎糜诒景l(fā)明的納米晶體(或其他納米結(jié)構(gòu))還可包含II-VI或III-V半導(dǎo)體。II-VI或III-V半導(dǎo)體納米晶體和納米結(jié)構(gòu)的示例包括來自周期表II族的元素(諸如Zn、Cd和Hg)與來自周期表VI族的任何元素(諸如S、Se、Te、Po)的任意組合；以及來自周期表III族的元素(諸如B、Al、Ga、In和Tl)與來自周期表V族的任何元素(諸如N、P、As、Sb和Bi)的任意組合。其他合適的無機(jī)納米結(jié)構(gòu)包括金屬納米結(jié)構(gòu)。合適的金屬包括但不限于Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe、FePt等。雖然可使用任何已知的方法來形成納米晶體熒光粉，但適宜的是使用能夠控制無機(jī)納米材料熒光粉生長的溶液相膠體法。參見Alivisatos,A.P.,“Semiconductorclusters,nanocrystals,andquantumdots,”Science271:933(1996)(Alivisatos,A.P.，“半導(dǎo)體團(tuán)簇、納米晶體和量子點(diǎn)”，《科學(xué)》，第271卷，第933頁，1996年)；X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos,“EpitaxialgrowthofhighlyluminescentCdSe/CdSCore/Shellnanocrystalswithphotostabilityandelectronicaccessibility,”J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)(X.Peng、M.Schlamp、A.Kadavanich、A.P.Alivisatos，“具有光穩(wěn)定性和電子可及性的高度發(fā)光CdSe/CdS芯/殼納米晶體的外延生長”，《美國化學(xué)會志》，第30卷，第7019-7029頁，1997年)；以及C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,“SynthesisandcharacterizationofnearlymonodisperseCdE(E＝sulfur,selenium,tellurium)semiconductornanocrystallites,”J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993)(C.B.Murray、D.J.Norris、M.G.Bawendi，“近單分散性CdE(E＝硫、硒、碲)半導(dǎo)體納米微晶的合成與表征”，《美國化學(xué)會志》，第115卷，第8706頁，1993年)。該制造工藝技術(shù)平衡了低成本加工性能且無需潔凈室和昂貴的制造設(shè)備。使用這些方法時，將在高溫下發(fā)生熱解的金屬前體快速注入有機(jī)表面活性劑分子的熱溶液中。這些前體在高溫下裂解并反應(yīng)，以使納米晶體成核。在該初始成核階段之后，向正在生長的晶體添加單體，使其進(jìn)入生長階段。結(jié)果得到了處于溶液中的獨(dú)立式晶體納米粒子，這些納米粒子的表面包覆著有機(jī)表面活性劑分子。利用該方法，合成作為初始成核事件在數(shù)秒內(nèi)發(fā)生，接著晶體在高溫下生長數(shù)分鐘?？筛淖儏?shù)，諸如溫度、存在的表面活性劑的類型、前體材料，以及表面活性劑與單體的比率，以便改變反應(yīng)的性質(zhì)和歷程。溫度控制成核事件的結(jié)構(gòu)相、前體分解速率和生長速率。有機(jī)表面活性劑分子調(diào)解溶解性和對納米晶體形狀的控制。在半導(dǎo)體納米晶體中，光誘導(dǎo)的發(fā)射由納米晶體的帶邊狀態(tài)引起。來自納米晶體的帶邊發(fā)射與源于表面電子態(tài)的輻射衰變通道和非輻射衰變通道競爭。X.Peng,etal.,J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)(X.Peng等人，《美國化學(xué)會志》，第30卷，第7019-7029頁，1997年)。因此，存在的表面缺陷(諸如懸空鍵)提供了非輻射復(fù)合中心，并有助于降低發(fā)射效率。鈍化并去除表面俘獲狀態(tài)的永久有效方法，是在納米晶體的表面上外延生長無機(jī)殼材料。X.Peng,etal.,J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)(X.Peng等人，《美國化學(xué)會志》，第30卷，第7019-7029頁，1997年)。可選擇殼材料，使得電子能級相對于芯材料為I型(例如，具有較大的帶隙以提供將電子和空穴局限于芯的電位階躍)。因此，非輻射復(fù)合的概率可得以降低。芯-殼結(jié)構(gòu)是將含有殼材料的有機(jī)金屬前體加入含有芯納米晶體的反應(yīng)混合物中而得到的。在這種情況下，芯充當(dāng)晶核，殼從芯的表面開始生長，而不是先發(fā)生成核事件再開始生長。將反應(yīng)溫度保持為低溫，以利于向芯表面添加殼材料單體，同時防止殼材料的納米晶體獨(dú)立成核。反應(yīng)混合物中存在表面活性劑，用于引導(dǎo)殼材料受控生長并確保溶解性。如果兩種材料之間的晶格錯配度低，就得到外延生長的均勻殼。另外，球形起到最大限度降低因大曲率半徑而產(chǎn)生的界面應(yīng)變能的作用，從而防止形成位錯(位錯可能劣化納米晶體體系的光學(xué)性質(zhì))。在合適的實(shí)施方案中，可將ZnS使用已知的合成工藝用作殼材料，從而獲得高質(zhì)量發(fā)射。如上所述，必要時(例如，芯材料被改性時)，殼材料可輕易替換。另外的示例性芯材料和殼材料在本文有所描述并且/或者是本領(lǐng)域已知的。對于量子點(diǎn)的許多應(yīng)用，在選擇材料時通常考慮兩個因素。第一個因素是吸收和發(fā)出可見光的能力。這一考慮使InP成為高度理想的基材。第二個因素是材料的光致發(fā)光效率(量子產(chǎn)率)。一般來講，12族至16族量子點(diǎn)(諸如硒化鎘)具有比13族至15族量子點(diǎn)(諸如InP)更高的量子產(chǎn)率。此前制備的InP芯的量子產(chǎn)率一直非常低(<1％)，因此，已通過制備以InP為芯并以另一種帶隙較高的半導(dǎo)體化合物(例如ZnS)為殼的芯/殼結(jié)構(gòu)，來設(shè)法提高量子產(chǎn)率。因此，本發(fā)明的熒光半導(dǎo)體納米粒子(即量子點(diǎn))包括芯以及至少部分地圍繞芯的殼。芯/殼納米粒子可具有兩個不同的層，即半導(dǎo)體或金屬芯以及圍繞芯的由絕緣或半導(dǎo)體材料制成的殼。芯往往包含第一半導(dǎo)體材料，而殼往往包含不同于第一半導(dǎo)體材料的第二半導(dǎo)體材料。例如，12族至16族(例如，CdSe)的第一半導(dǎo)體材料可存在于芯中，而12族至16族(例如，ZnS)的第二半導(dǎo)體材料可存在于殼中。在本發(fā)明的某些實(shí)施方案中，芯包含金屬磷化物(例如，磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、磷化鋁(AlP))、金屬硒化物(例如，硒化鎘(CdSe)、硒化鋅(ZnSe)、硒化鎂(MgSe))或金屬碲化物(例如，碲化鎘(CdTe)、碲化鋅(ZnTe))。在某些實(shí)施方案中，芯包含金屬磷化物(例如，磷化銦)或金屬硒化物(例如，硒化鎘)。在本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方案中，芯包含金屬磷化物(例如，磷化銦)。殼可以是單層，也可以是多層。在一些實(shí)施方案中，殼為多層殼。殼可包含本文所述的任一種芯材料。在某些實(shí)施方案中，殼材料可為帶隙能比半導(dǎo)體芯高的半導(dǎo)體材料。在其他實(shí)施方案中，合適的殼材料可相對于半導(dǎo)體芯具有良好的導(dǎo)帶和價帶偏差，并且在一些實(shí)施方案中，其導(dǎo)帶可比芯的導(dǎo)帶高，其價帶可比芯的價帶低。例如，在某些實(shí)施方案中，發(fā)出可見光區(qū)域能量的半導(dǎo)體芯，諸如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、GaP、InP或GaAs，或者發(fā)出近紅外線區(qū)域能量的半導(dǎo)體芯，諸如InP、InAs、InSb、PbS或PbSe，可涂覆有具有紫外線區(qū)域帶隙能的殼材料，諸如ZnS、GaN和鎂的硫?qū)倩衔?諸如MgS、MgSe和MgTe)。在其他實(shí)施方案中，發(fā)出近紅外線區(qū)域能量的半導(dǎo)體芯可涂覆有具有可見光區(qū)域帶隙能的材料，諸如CdS或ZnSe。芯/殼納米粒子的形成可通過多種方法來執(zhí)行?？捎糜谥苽浒雽?dǎo)體芯的合適的芯前體和殼前體在本領(lǐng)域中是已知的，并且可包含2族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素、16族元素，以及這些元素的鹽形式。例如，第一前體可包括金屬鹽(M+X-)，其包含金屬原子(M+)諸如Zn、Cd、Hg、Mg、Ca、Sr、Ba、Ga、In、Al、Pb、Ge、Si或內(nèi)鹽及抗衡離子(X-)，或有機(jī)金屬物質(zhì)諸如二烷基金屬復(fù)合物。帶涂層的半導(dǎo)體納米晶體芯和芯/殼納米晶體的制備方法可見于下列文獻(xiàn)：例如Dabbousietal.(1997)J.Phys.Chem.B101:9463(Dabbousi等人，《物理化學(xué)雜志B》，1997年，第101卷第9463頁)；Hinesetal.(1996)J.Phys.Chem.100:468-471(Hines等人，《物理化學(xué)雜志》，1996年，第100卷第468-471頁)；Pengetal.(1997)J.Amer.Chem.Soc.119:7019-7029(Peng等人，《美國化學(xué)會志》，1997年，第119卷第7019-7029頁)；美國專利8,283,412(Liu等人)和國際公布WO2010/039897(Tulsky等人)。在本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方案中，殼包含金屬硫化物(例如，硫化鋅或硫化鎘)。在某些實(shí)施方案中，殼包含含鋅化合物(例如，硫化鋅或硒化鋅)。在某些實(shí)施方案中，多層殼包括包覆芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅。在某些實(shí)施方案中，多層殼包括包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅。在一些實(shí)施方案中，殼/芯納米粒子的芯包含金屬磷化物，諸如磷化銦、磷化鎵或磷化鋁。殼包含硫化鋅、硒化鋅或它們的組合。在一些更具體的實(shí)施方案中，芯包含磷化銦，并且殼為由內(nèi)殼和外殼組成的多層，內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅兩者，外殼包含硫化鋅。殼(一層或多層)的厚度在各個實(shí)施方案中可以有所不同，并且能夠影響熒光波長、量子產(chǎn)率、熒光穩(wěn)定性、以及納米晶體的其他光穩(wěn)定性特征。技術(shù)人員可以選擇適當(dāng)?shù)暮穸纫詫?shí)現(xiàn)所需的特性，并且可修改制備芯/殼納米粒子的方法以實(shí)現(xiàn)殼(一層或多層)的適當(dāng)厚度。本發(fā)明的熒光半導(dǎo)體納米粒子(即量子點(diǎn))的直徑可影響熒光波長。量子點(diǎn)的直徑往往與熒光波長直接相關(guān)。例如，平均粒徑為約2至3納米的硒化鎘量子點(diǎn)往往發(fā)出可見光譜的藍(lán)光或綠光區(qū)域的熒光，而平均粒徑為約8至10納米的硒化鎘量子點(diǎn)往往發(fā)出可見光譜的紅光區(qū)域的熒光。用表面改性劑對熒光半導(dǎo)體納米粒子進(jìn)行表面改性，以提高它們在液體中的分散性。也就是說，表面改性劑往往增大熒光半導(dǎo)體納米粒子與非含水溶劑及組合物的任何其他組分(例如，聚合物材料、聚合物材料的前體或這兩者的組合)的相容性。表面改性涉及到使熒光半導(dǎo)體納米粒子與表面改性劑或表面改性劑組合進(jìn)行組合，所述表面改性劑或表面改性劑組合附著于熒光半導(dǎo)體納米粒子的表面上，并且修飾熒光半導(dǎo)體納米粒子的表面特性。在本語境中，“附著”或“附著的”是指表面改性劑與熒光半導(dǎo)體納米粒子之間的關(guān)聯(lián)，這種關(guān)聯(lián)對于表面改性的粒子而言足夠穩(wěn)定從而適用于這些粒子的預(yù)期用途。這種關(guān)聯(lián)可以是物理的(例如，通過吸收或吸附)、化學(xué)的(例如，通過共價鍵、離子鍵、氫鍵)或這兩者的組合。表面改性劑包含用于附著到熒光半導(dǎo)體納米粒子表面的一個或多個基團(tuán)，以及用于實(shí)現(xiàn)各種功能的一個或多個基團(tuán)，所述功能諸如用溶劑使粒子相容化、提高材料的量子產(chǎn)率?；鶊F(tuán)例如通過吸附、吸收、形成離子鍵、形成共價鍵、形成氫鍵或這些的組合而附著到表面。量子效率(文獻(xiàn)中還稱為量子產(chǎn)率)是每個被吸收的光子出現(xiàn)的預(yù)定事件的數(shù)目(例如，針對每個被納米粒子吸收的光子，由納米粒子發(fā)射的光子數(shù))。因此，本發(fā)明的一個一般實(shí)施方案提供了顯示出45％或更高、或50％或更高、或55％或更高、或60％或更高的量子效率的一組納米粒子。可用于本發(fā)明的表面改性劑為由式I(同上)表示的硫醚配體。此類硫醚配體可通過式III的化合物與式IV的硫醇發(fā)生親核取代來制備，R10-Y；IIIHS-R2(X)n，IV其中R10為(雜)烴基基團(tuán)；Y為離去基團(tuán)，所述離去基團(tuán)包括鹵離子、甲苯磺酸根、乙酸根、三氟甲磺酸根等；R2為亞烷基；n為至少一；X為供π電子基團(tuán)。另選地，式I化合物可通過式IV硫醇化合物與式V烯烴發(fā)生自由基加成來制備R10-CH＝CH2V。在其他實(shí)施方案中，式I配體可按下述方式制備：讓由式R1-SH表示的硫醇與由式CH2＝CH(R3)CO2R3表示的丙烯酸酯發(fā)生邁克爾加成，然后使該酯水解，從而形成由式R1-S-CH2CHR3CO2H表示的配體。式III化合物包括諸如n-C6H13-Br、(Me)2CH(CH2)4-Br、n-C8H17-Br、i-C8H17-Br、t-Bu-CH2-Br、C10H21-Br、C12H25-Br、C14H29-Br、C16H33-Br、C18H37-Br、C10H21-OSO2CH3、C10H21-OSO2PhCH3、C10H21-OSO2CF3、C16H33-I，式IV化合物包括諸如HS-CH2CO2H、HS-CH2CH2CO2H、HS-(CH2)10CO2H、HS-CH(CO2H)CH2CO2H、HS-CH2CH2NH2、HS-CH2CH(OH)CH2OH、HS-CH2CH2CO2CH2CH(OH)CH2OH、HS-CH2CH2CH2SO3H、HS-Ph-CO2H、HS-Ph-NH2。式V化合物包括諸如C4H9-CH＝CH2、C5H11-CH＝CH2、C6H13-CH＝CH2、C7H15-CH＝CH2、C8H17-CH＝CH2、C9H19-CH＝CH2、C10H21-CH＝CH2、C11H23-CH＝CH2、C12H25-CH＝CH2、C13H27-CH＝CH2、C14H29-CH＝CH2和C16H33-CH＝CH2。就式I配體來說，在一些實(shí)施方案中，供電子基團(tuán)X為羧酸基團(tuán)，下標(biāo)n為1，從而提供由下式表示的配體：R1-S-CH2CH2CO2H，Ia其中R1為(雜)烴基基團(tuán)。就式I配體來說，在一些實(shí)施方案中，供電子基團(tuán)X為羧酸基團(tuán)，下標(biāo)n為2，從而提供由下式表示的配體：R1-S-CH(CO2H)CH2CO2H，Ib其中R1為(雜)烴基基團(tuán)。進(jìn)一步就式II低聚物配體來說，帶下標(biāo)p的第二單體單元(任選地)可為具有供電子基團(tuán)的乙烯基單體，諸如丙烯酸、乙烯基磺酸、乙烯基膦酸和乙烯基磷酸，也就是說R供體為式I的X。換句話講，R供體可為-CO2H、-SO3H、-P(O)(OH)2、-OP(O)(OH)、-OH和-NH2。在其他實(shí)施方案中，第二單體為具有供電子基團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯單體，也就是說R供體為-CO-O-R7-X，其中R7為C2至C10亞烷基，X為供電子基團(tuán)。在R供體為(甲基)丙烯酸酯低聚物并且X為羧酸基團(tuán)的實(shí)施方案中，低聚物配體可由下式表示：其中每個R3獨(dú)立地為-H或-CH3，每個R4為C1至C30烷基，m為至少2，優(yōu)選為2至100，更優(yōu)選為2至50；p可為零或非零。在其他實(shí)施方案中，R供體可為-CO-O-R7-X，從而提供由下式表示的(甲基)丙烯酸酯低聚物配體：其他供電子X基團(tuán)可替代以上所示的羧酸酯。此類化合物可按下述方式制備：讓一種或多種丙烯酸酯單體和任選的電子供體封端丙烯酸酯單體諸如(甲基)丙烯酸和2-(甲基)丙烯酰氧乙基琥珀酸單體，在存在式IV硫羥酸及存在自由基引發(fā)劑的情況下發(fā)生自由基聚合?？捎玫谋┧狨误w包括那些非叔醇的(甲基)丙烯酸酯，這種醇含有1至30個碳原子，優(yōu)選地平均含有4至20個碳原子?？墒褂么祟悊误w的混合物。適合用作(甲基)丙烯酸酯單體的單體的示例包括丙烯酸或甲基丙烯酸與非叔醇的酯，其中非叔醇諸如乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、1-己醇、2-己醇、2-甲基-1-戊醇、3-甲基-1-戊醇、2-乙基-1-丁醇、3,5,5-三甲基-1-己醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、異辛醇、2-乙基-1-己醇、1-癸醇、2-丙基庚醇、1-十二烷醇、1-十三烷醇、1-十四烷醇、香茅醇、二氫香茅醇等。在一些實(shí)施方案中，優(yōu)選的(甲基)丙烯酸酯單體是(甲基)丙烯酸與丁醇、異辛醇或這兩者的組合的酯，但兩種或更多種不同的(甲基)丙烯酸酯單體的組合也是適用的。低聚物包含任選的電子供體官能丙烯酸酯單體，其中電子供體可為酸官能團(tuán)，其中酸官能團(tuán)可為酸本身(諸如羧酸)，或者一部分可為酸的鹽(諸如堿金屬羧酸鹽)?？捎玫乃峁倌軉误w包括但不限于選自下列的那些：烯鍵式不飽和羧酸、烯鍵式不飽和磺酸、烯鍵式不飽和膦酸，以及這些物質(zhì)的混合物。此類化合物的示例包括選自下列的那些：丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧乙基琥珀酸、2-丙烯酰氧乙基琥珀酸、衣康酸、富馬酸、巴豆酸、檸康酸、馬來酸、油酸、(甲基)丙烯酸β-羧乙酯、甲基丙烯酸2-磺乙酯、苯乙烯磺酸、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸、乙烯基膦酸以及這些物質(zhì)的混合物。任選的(甲基)丙烯酸可按一定量使用，所述量使得m為1至100，p可為零、也可不為零，m與p的比率至少為5:1。在一些實(shí)施方案中，m為3至50，p為至少一，m>p。在一些實(shí)施方案中，將單體和用量選擇為使得Tg小于80℃，優(yōu)選地小于60℃，更優(yōu)選地小于50℃，這些值都是用福克斯方程式估算的。在一些實(shí)施方案中，希望低聚物配體在室溫下為液體，對應(yīng)的配體取代量子點(diǎn)同樣為液體。在此類情況下，低聚物配體可被選擇成使得Tg高于約20℃。可采用各種方法，用配體化合物對熒光半導(dǎo)體納米粒子進(jìn)行表面改性。在一些實(shí)施方案中，可采用類似于美國專利7,160,613(Bawendi等人)和8,283,412(Liu等人)中所述的那些工序來添加表面改性劑。例如，可以將表面改性劑和熒光半導(dǎo)體納米粒子在高溫(例如，至少50℃、至少60℃、至少80℃或至少90℃)下加熱較長時間(例如，至少1小時、至少5小時、至少10小時、至少15小時、或至少20小時)。如果需要，可例如通過蒸餾、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)、或通過納米粒子的沉淀以及混合物的離心，然后進(jìn)行液體潷析并留下經(jīng)表面改性的納米粒子，而去除合成過程的任何副產(chǎn)物或表面改性過程中使用的任何溶劑。在一些實(shí)施方案中，在表面改性之后將表面改性的熒光半導(dǎo)體納米粒子干燥成粉末。在其他實(shí)施方案中，用于表面改性的溶劑與包含納米粒子的組合物中使用的任何聚合物材料和/或聚合物材料的前體相容(即，可混溶)。在這些實(shí)施方案中，至少一部分用于表面改性反應(yīng)的溶劑可以包含在經(jīng)表面改性的熒光半導(dǎo)體納米粒子被分散于其中的溶液當(dāng)中。由于通過首先使InP與十二烷基琥珀酸(DDSA)和月桂酸(LA)結(jié)合、再從乙醇中沉淀出來而將InP純化，所以，沉淀的量子點(diǎn)在與本發(fā)明的硫醇官能化有機(jī)硅反應(yīng)之前，其上就可附著一些酸官能配體。相似地，在用本發(fā)明的配體官能化之前，作為其制備的結(jié)果，CdSe量子點(diǎn)可已用胺官能化配體官能化。因此，量子點(diǎn)可被本發(fā)明的硫醇官能化有機(jī)硅與羧酸官能化配體或胺官能化配體的組合官能化。在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)可另外被由下式表示的配體官能化：式：R5-R2(X)n其中R5為具有2至30個碳原子的(雜)烴基基團(tuán)；R2為烴基基團(tuán)，包括亞烷基、亞芳基、亞烷芳基和亞芳烷基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。用式I配體進(jìn)行官能化時，可添加此類附加的非硫醚配體。此類附加的配體一般以相對于硫醚配體的量來說10重量％或更少的量使用。表面改性劑至少部分地通過減少分散體組合物內(nèi)聚集的熒光半導(dǎo)體納米粒子的數(shù)目而起作用。形成聚集的熒光半導(dǎo)體納米粒子可改變分散體組合物的熒光特征。本文使用的術(shù)語“聚集的”或“聚集”，是指熒光半導(dǎo)體納米粒子的彼此緊密相關(guān)的簇或塊。要分離聚集的粒子，通常需要高剪切。相比之下，術(shù)語“凝聚的”或“凝聚”是指往往由電荷中和作用引起的納米粒子的組合或簇。如果應(yīng)用適度的剪切或選擇更相容的溶劑，則凝聚通常是可逆的。式I表面改性劑的添加量足以使熒光半導(dǎo)體納米粒子的聚集最小化，從而形成下述分散體組合物：該組合物在不進(jìn)行對分散體的大幅攪拌的情況下在可用的時段內(nèi)保持分散狀態(tài)，或者投入最少的能量就可輕易使其再次分散。不受理論的束縛，但據(jù)信表面改性劑在空間上阻礙熒光半導(dǎo)體納米粒子的聚集。優(yōu)選地，表面處理不干擾半導(dǎo)體納米粒子的熒光。本發(fā)明的復(fù)合納米粒子(即，表面改性的熒光半導(dǎo)體納米粒子)可用于常規(guī)電子產(chǎn)品、半導(dǎo)體器件、電氣系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)或軍事電子產(chǎn)品，以及納米晶體、納米線(NW)、納米棒、納米管和納米帶技術(shù)。表面改性的熒光半導(dǎo)體納米粒子可分散在溶液中，該溶液包含(a)任選的非含水溶劑和(b)聚合物粘結(jié)劑、聚合物粘結(jié)劑的前體或這兩者的組合。包含在分散體組合物中的任何聚合物材料通常可溶于非含水溶劑，并形成人眼觀察時無色透明的涂層。同樣，包含在分散體組合物中的任何聚合物材料的前體可溶于非含水溶劑，并形成用人的肉眼觀察時無色透明的聚合物涂層。術(shù)語“透明的”是指透射可見光譜(約400至700nm波長)內(nèi)的入射光的至少85％。術(shù)語“無色”是指就500微米厚的樣品來說，CIELABb*小于約1.5個單位，優(yōu)選地小于約1.0個單位。聚合物粘結(jié)劑期望地提供阻隔性能，以防止氧氣和濕氣進(jìn)入。如果水和/或氧氣進(jìn)入量子點(diǎn)制品，量子點(diǎn)就可能降解，最終在通過紫外線或藍(lán)光照射激發(fā)時無法發(fā)光。減緩或消除沿層合物邊緣的量子點(diǎn)降解對于延長較小電子設(shè)備中的顯示器(諸如，用于例如手持式設(shè)備和平板電腦的顯示器)的使用壽命而言特別重要。示例性聚合物材料包括但不限于聚硅氧烷、含氟彈性體、聚酰胺、聚酰亞胺、己內(nèi)酯、己內(nèi)酰胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺和聚甲基丙烯酰胺。聚合物材料的合適前體(即前體材料)包括用于制備上面所列聚合物材料的任何前體材料。示例性前體材料包括可聚合成聚丙烯酸酯的丙烯酸酯、可聚合形成聚甲基丙烯酸酯的甲基丙烯酸酯、可聚合形成聚丙烯酰胺的丙烯酰胺、可聚合形成聚甲基丙烯酰胺的甲基丙烯酰胺、可聚合形成聚酯的環(huán)氧樹脂和二羧酸、可聚合形成聚醚的二環(huán)氧化物、可聚合形成聚氨酯的異氰酸酯和多元醇，或者可聚合形成聚酯的多元醇和二羧酸。在一些實(shí)施方案中，聚合物粘結(jié)劑為熱固化性環(huán)氧-胺組合物，其任選地還包含輻射固化性丙烯酸酯。此類粘結(jié)劑描述于申請人的共同待審申請US61/919219(Eckert等人)中，該申請以引用方式并入本文。在一些優(yōu)選的實(shí)施方案中，聚合物粘結(jié)劑為由以下通式表示的輻射固化性低聚物：R低聚-(L1-Z1)d，其中R低聚基團(tuán)包括氨基甲酸酯、聚氨酯、酯、聚酯、聚醚、聚烯烴、聚丁二烯和環(huán)氧樹脂；L1為連接基團(tuán)；Z1為側(cè)鏈自由基聚合型基團(tuán)，諸如(甲基)丙烯?；⒁蚁┗蛉不?，優(yōu)選地為(甲基)丙烯酸酯，并且d大于1，優(yōu)選地為至少2。位于低聚物鏈段和烯鍵式不飽和端基之間的連接基團(tuán)L1包括二價或更高價的基團(tuán)(選自亞烷基、亞芳基、雜亞烷基或這些基團(tuán)的組合)和任選的二價基團(tuán)(選自羰基、酯、酰胺、磺酰胺或這些基團(tuán)的組合)。L1可以是未取代的，也可以被烷基、芳基、鹵素或這些基團(tuán)的組合取代。L1基團(tuán)的碳原子數(shù)通常不超過30個。在一些化合物中，L1基團(tuán)的碳原子數(shù)不超過20個、不超過10個、不超過6個或不超過4個。例如，L1可以是亞烷基、被芳基取代的亞烷基、或與亞芳基結(jié)合的亞烷基，或者是烷基醚或烷基硫醚連接基團(tuán)。側(cè)鏈自由基聚合型官能團(tuán)Z1可選自乙烯基、乙烯基醚、乙炔基和(甲基)丙烯酰基，其中(甲基)丙烯?；ū┧狨セ鶊F(tuán)、甲基丙烯酸酯基團(tuán)、丙烯酰胺基團(tuán)和甲基丙烯酰胺基團(tuán)。低聚物基團(tuán)R低聚可選自聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯、聚環(huán)氧化物、聚酯、聚醚、聚硫化物、聚丁二烯、氫化聚烯烴(包括氫化聚丁二烯、異戊二烯和乙烯/丙烯共聚物)和聚碳酸酯低聚物鏈。本文使用的“(甲基)丙烯酸酯化低聚物”是指至少有兩個側(cè)鏈(甲基)丙烯酰基，且采用凝膠滲透色譜法測得重均分子量(Mw)至少為1,000g/mol、通常小于50,000g/mol的聚合物分子。(甲基)丙烯?；h(huán)氧低聚物是環(huán)氧樹脂的多官能團(tuán)(甲基)丙烯酸酯和酰胺，諸如雙酚A環(huán)氧樹脂的(甲基)丙烯酸酯。市售的(甲基)丙烯酸酯化環(huán)氧樹脂的示例包括可以商品名EBECRYL600(分子量為525的雙酚A環(huán)氧二丙烯酸酯)、EBECRYL605(EBECRYL600與25％三丙二醇二丙烯酸酯)、EBECRYL3700(分子量為524的雙酚A二丙烯酸酯)和EBECRYL3720H(分子量為524的雙酚A二丙烯酸酯與20％己二醇二丙烯酸酯)購自美國新澤西州伍德蘭帕克的氰特工業(yè)公司(CytecIndustries,Inc.,WoodlandPark,NJ)的物質(zhì)；可以商品名PHOTOMER3016(雙酚A環(huán)氧丙烯酸酯)、PHOTOMER3016-40R(環(huán)氧丙烯酸酯與40％三丙二醇二丙烯酸酯的共混物)和PHOTOMER3072(改性雙酚A丙烯酸酯等)購自美國俄亥俄州辛辛那提的巴斯夫公司(BASFCorp.,Cincinnati,OH)的物質(zhì)；以及可以商品名Ebecryl3708(改性雙酚A環(huán)氧二丙烯酸酯)購自美國新澤西州伍德蘭帕克的氰特工業(yè)公司(CytecIndustries,Inc.,WoodlandPark,NJ.)的物質(zhì)。(甲基)丙烯酸酯化氨基甲酸酯是羥基封端的異氰酸酯擴(kuò)鏈多元醇、聚酯或聚醚的多官能團(tuán)(甲基)丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯化氨基甲酸酯低聚物可按例如下述方式合成：讓二異氰酸酯或其他多價異氰酸酯化合物與多價多元醇(包括聚醚多元醇和聚酯多元醇)反應(yīng)，生成異氰酸酯封端的氨基甲酸酯預(yù)聚物。聚酯多元醇可由多元酸(例如，對苯二甲酸或馬來酸)與多元醇(例如，乙二醇或1,6-已二醇)反應(yīng)形成?？捎糜谥苽浔┧狨ス倌芑被姿狨サ途畚锏木勖讯嘣伎蛇x自例如聚乙二醇、聚丙二醇、聚四氫呋喃、聚(2-甲基-四氫呋喃)、聚(3-甲基-四氫呋喃)等。另選地，丙烯酸酯化氨基甲酸酯低聚物連接的多元醇可以是聚碳酸酯多元醇。隨后，可讓含羥基的(甲基)丙烯酸酯與所述預(yù)聚物的末端異氰酸酯基團(tuán)反應(yīng)。芳族異氰酸酯和優(yōu)選的脂族異氰酸酯都可用來與氨基甲酸酯反應(yīng)，以獲得低聚物?？捎糜谥苽?甲基)丙烯酸酯化低聚物的二異氰酸酯的示例是2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、1,6-己烷二異氰酸酯、異佛樂酮二異氰酸酯等。可用于制備丙烯酸酯化低聚物的羥基封端丙烯酸酯的示例包括但不限于(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸α-羥丁酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯等。(甲基)丙烯酸酯化氨基甲酸酯低聚物可以是例如丙烯酸酯官能度為至少二并且官能度通常小于約六的任何氨基甲酸酯低聚物。適用的(甲基)丙烯酸酯化氨基甲酸酯低聚物也可商購獲得，諸如已知可以商品名PHOTOMER6008、6019、6184(脂族氨基甲酸酯三丙烯酸酯)購自漢高公司(HenkelCorp.)；可以商品名EBECRYL220(分子量為1000的六官能團(tuán)芳族氨基甲酸酯丙烯酸酯)、EBECRYL284(用12％6-己二醇二丙烯酸酯稀釋的分子量為1200的脂族氨基甲酸酯二丙烯酸酯)、EBECRYL4830(用10％四乙二醇二丙烯酸酯稀釋的分子量為1200的脂族氨基甲酸酯二丙烯酸酯)和EBECRYL6602(用40％的乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯稀釋的分子量為1300的三官能團(tuán)芳族氨基甲酸酯丙烯酸酯)購自UCB化學(xué)品公司(UCBChemical)；可以商品名SARTOMERCN1963、963E75、945A60、963B80、968和983購自美國賓夕法尼亞州?？怂诡D市沙多瑪公司(SartomerCo.,Exton,PA)的那些。這些材料的特性可因選擇的異氰酸酯類型、多元醇改性劑類型、反應(yīng)性官能度和分子量不同而異。二異氰酸酯廣泛用于氨基甲酸酯丙烯酸酯合成，并可劃分為芳族二異氰酸酯和脂族二異氰酸酯。芳族二異氰酸酯用于制造芳族氨基甲酸酯丙烯酸酯，所述芳族氨基甲酸酯丙烯酸酯的成本顯著低于脂族氨基甲酸酯丙烯酸酯，但往往在白色或淺色基材上容易明顯發(fā)黃。脂族氨基甲酸酯丙烯酸酯包括脂族二異氰酸酯，所述脂族二異氰酸酯與具有相同的官能度、相似的多元醇改性劑和相似分子量的芳族氨基甲酸酯丙烯酸酯相比，表現(xiàn)出略大的柔性?？晒袒M合物可包含官能化聚(甲基)丙烯酸酯低聚物，該低聚物可得自如下物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物：(a)50至99重量份的(甲基)丙烯酸酯單體單元，其可均聚或共聚為聚合物(b)1至50重量份的具有側(cè)鏈自由基聚合型官能團(tuán)的單體單元。此類材料的示例可以商品名Elvacite1010、Elvacite4026和Elvacite4059購自美國田納西州科爾多瓦的璐彩特國際公司(LuciteInternational,Cordova,TN)。(甲基)丙烯酸酯化聚(甲基)丙烯酸酯低聚物可包含丙烯酸聚合物或烴類聚合物與多官能團(tuán)(甲基)丙烯酸酯稀釋劑的共混物。合適的聚合物/稀釋劑共混物包括例如市售的產(chǎn)品，諸如EBECRYL303、745和1710，所有這些產(chǎn)品均可購自美國新澤西州伍德蘭帕克的氰特工業(yè)公司(CytecIndustries,Inc.,WoodlandPark,NJ)?？晒袒M合物可包含(甲基)丙烯酸酯化聚丁二烯低聚物，該低聚物可得自羧基或羥基官能化聚丁二烯。所謂羧基或羥基官能化聚丁二烯，意在指包含游離的–OH或—COOH基團(tuán)的聚丁二烯。羧基官能化聚丁二烯是已知的，它們已例如描述于U.S.3,705,208(Nakamuta等人)中，并且可以商品名NissoPBC-1000(美國紐約州紐約市日曹美國公司(NissoAmerica,NewYork,NY))購得。羧基官能化聚丁二烯也可通過羥基官能化聚丁二烯(即，具有游離羥基的聚丁二烯)與環(huán)酐反應(yīng)而獲得，諸如已在美國專利5,587,433(Boeckeler)、4,857,434(Klinger)和5,462,835(Mirle)中所述。適用于根據(jù)本發(fā)明的工藝的羧基和羥基官能化聚丁二烯除包含羧基和/或羥基外，還包含衍生自丁二烯聚合反應(yīng)的單元。聚丁二烯(PDB)一般包含1至4個順式單元/1至4個反式單元/1至2個a/b/c為一定比率的單元，其中a、b和c在0至1范圍內(nèi)，且a+b+c＝1。官能化聚丁二烯的數(shù)均分子量(Mn)優(yōu)選地為200至10000Da。Mn更優(yōu)選地至少為1000Da。Mn更優(yōu)選地不超過5000Da?！狢OOH或-OH官能度一般為1.5至9，優(yōu)選地為1.8至6。示例性的羥基聚丁二烯和羧基聚丁二烯包括但不限于由阿托菲納公司(Atofina)商業(yè)化的PolyBDR-20LM(羥基官能化PDB，a＝0.2，b＝0.6，c＝0.2，Mn為1230)和PolyBDR45-HT(羥基官能化PDB，a＝0.2，b＝0.6，c＝0.2，Mn為2800)，可購自美國紐約州紐約市日曹美國公司的Nisso-PBG-1000(羥基官能化PDB，a＝0，b<0.15，c>0.85，Mn為1250至1650)、Nisso-PBG-2000(羥基官能化PDB，a＝0，b<0.15，c>0.85，Mn為1800至2200)、Nisso-PBG-3000(羥基官能化PDB，a＝0，b<0.10，c>0.90，Mn為2600至3200)和Nisso-PBC-1000(羧基官能化PDB，a＝0，b<0.15，c>0.85，Mn為1200至1550)。使用由羥基官能化聚丁二烯與環(huán)酐反應(yīng)所得的羧基官能化聚丁二烯時，該環(huán)酐優(yōu)選地包括鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、戊二酸酐、琥珀酸酐、十二烯基琥珀酸酐、馬來酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐。也可使用酸酐的混合物。按聚丁二烯中存在的每摩爾當(dāng)量—OH基團(tuán)計(jì)，由羥基官能化聚丁二烯制備羧基官能化聚丁二烯時所用的酸酐的量一般至少為0.8摩爾當(dāng)量，優(yōu)選地至少為0.9摩爾當(dāng)量，更優(yōu)選地至少為0.95摩爾當(dāng)量。作為羧基官能化聚丁二烯的反應(yīng)產(chǎn)物的(甲基)丙烯酸酯化聚丁二烯低聚物可使用(甲基)丙烯酸酯化單環(huán)氧化物制備。(甲基)丙烯酸酯化單環(huán)氧化物是已知的?？墒褂玫?甲基)丙烯酸酯化單環(huán)氧化物的示例為(甲基)丙烯酸縮水甘油酯，諸如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸4-羥丁酯縮水甘油醚、雙酚A二縮水甘油醚單丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯化單環(huán)氧化物優(yōu)選地選自丙烯酸縮水甘油酯和甲基丙烯酸縮水甘油酯。另選地，作為羥基官能化聚丁二烯的反應(yīng)產(chǎn)物的(甲基)丙烯酸酯化聚丁二烯低聚物可使用(甲基)丙烯酸酯或鹵化物制備?？墒褂玫囊恍?甲基)丙烯酸酯化聚丁二烯例如包括由美國賓夕法尼亞州?？怂诡D市沙多瑪公司(SartomerCompany,Exton,PA.,USA)制造的Ricacryl3100和Ricacryl3500，以及可購自美國紐約州紐約市日曹美國公司(NissoAmerica,NewYork,NY)的NissoTE-2000。另選地，可使用其他甲基丙烯酸酯化聚丁二烯。這些物質(zhì)包括由改性的、酯化的液體聚丁二烯二醇組成的液體聚丁二烯樹脂的二甲基丙烯酸酯。這些物質(zhì)可以商品名CN301、CN303和CN307購得，制造商為美國賓夕法尼亞州埃克斯頓市的沙多瑪公司(SartomerCompany,Exton,PA.,USA)。不管將哪種甲基丙烯酸酯化聚丁二烯用于本發(fā)明的實(shí)施方案，甲基丙烯酸酯化聚丁二烯每條鏈都可以包含約2至約20個甲基丙烯酸酯基團(tuán)。另選地，丙烯酸酯官能化低聚物可以是聚酯丙烯酸酯低聚物、丙烯酸酯化丙烯酸低聚物、聚碳酸酯丙烯酸酯低聚物或聚醚丙烯酸酯低聚物?？捎玫木埘ケ┧狨サ途畚锇ㄙ徸悦绹e夕法尼亞州?？怂诡D市沙多瑪公司(SartomerCo.,Exton,PA)的CN293、CN294、CN2250、CN2281和CN2900，以及購自美國佐治亞州士麥那市UCB化學(xué)品公司(UCBChemicals,Smyrna,GA)的EBECRYL80、657、830和1810。合適的聚醚丙烯酸酯低聚物包括購自美國賓夕法尼亞州?？怂诡D市沙多瑪公司(SartomerCo.,Exton,PA)的CN501、502和551。可用的聚碳酸酯丙烯酸酯低聚物可依據(jù)美國專利6,451,958(美國特拉華州威明頓市沙多瑪技術(shù)公司(SartomerTechnologyCompanyInc.,Wilmington,DE))制備。在包含(甲基)丙烯酸酯化低聚物的每個實(shí)施方案中，可固化粘結(jié)劑組合物任選地(但優(yōu)選地)包含一定量的稀釋劑單體，所述量使得足以降低可固化組合物的粘度，從而可將可固化組合物涂覆到基材上。一般來講，所述組合物可最多包含約70重量％的稀釋劑單體，以將低聚組分的粘度降至低于10000厘泊并改善可加工性?？捎玫膯误w有利地可溶于或可混溶于可與其高度聚合的(甲基)丙烯酸酯化低聚物?？捎玫南♂寗閱蜗╂I式不飽和單體和多烯鍵式不飽和單體，諸如(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酰胺。合適的單體通常具有不大于450g/mol的數(shù)均分子量。稀釋劑單體有利地在用于使組合物固化的輻射的波長處具有最小吸光度。此類稀釋劑單體可包括例如丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸己內(nèi)酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸十三烷基酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲氧基-聚乙二醇-單甲基丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸乙氧基-乙氧基乙酯以及乙氧基化的丙烯酸壬酯。尤其優(yōu)選的是丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸乙氧基-乙氧基乙酯、丙烯酸十三烷基酯和乙氧基化的丙烯酸壬酯。具有一個烯鍵式不飽和基團(tuán)且對應(yīng)均聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為適用于本發(fā)明的50℃或50℃以上溫度的高Tg單體，包括例如N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內(nèi)酰胺、丙烯酸異冰片酯、丙烯酰嗎啉、甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸苯氧基乙酯、甲基丙烯酸苯氧基乙酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酰胺。此外，稀釋劑單體平均可包含兩個或更多個自由基聚合型基團(tuán)。也可存在具有三個或更多個此類反應(yīng)性基團(tuán)的稀釋劑。此類單體的示例包括：C2至C18亞烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯、C3至C18亞烷基三醇三(甲基)丙烯酸酯、其聚醚類似物等，諸如1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯以及二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯。合適的優(yōu)選稀釋劑單體包括例如(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基-2-甲基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙氧基乙酯、丙烯酸1-萘氧基乙酯、丙烯酸2-萘氧基乙酯、丙烯酸苯氧基2-甲基乙酯、丙烯酸苯氧基乙氧基乙酯、丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、丙烯酸4-苯基苯氧基乙酯，以及丙烯酸苯酯。為便于制造，優(yōu)選的是只添加一種稀釋劑。優(yōu)選的稀釋劑單體包括(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯和(甲基)丙烯酸芐酯。丙烯酸苯氧基乙酯可以商品名“SR339”從沙多瑪公司(Sartomer)購得、以商品名“Etermer210”從長興化工公司(EternalChemicalCo.Ltd.)購得、以商品名“TO-1166”從東亞合成公司(ToagoseiCo.Ltd.)購得。丙烯酸芐酯可從日本大阪市的大阪有機(jī)化學(xué)公司(OsakaOrganicChemical,OsakaCity,Japan)購得。此類任選的單體(一種或多種)可按至少約5重量％的量存在于可聚合組合物中。任選的單體(一種或多種)通常總計(jì)不超過可固化組合物重量的約70％。在一些實(shí)施方案中，稀釋劑單體的總量在約10重量％至約50重量％的范圍內(nèi)。量子點(diǎn)層可具有任何可用量的量子點(diǎn)，在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)層包含的量子點(diǎn)按量子點(diǎn)層(量子點(diǎn)與聚合物粘結(jié)劑)的總重量計(jì)可為0.1％至1％。分散體組合物還可包含表面活性劑(即均化劑)、聚合引發(fā)劑或本領(lǐng)域已知的其他添加劑。分散體組合物還可包含非含水溶劑。本文使用的術(shù)語“非含水”，表示沒有向組合物中有意加入水。然而，少量的水可能會作為其他組分中的雜質(zhì)而存在，或者可能作為表面改性處理或聚合過程的反應(yīng)副產(chǎn)物而存在。通常選擇的非含水溶劑與添加到熒光半導(dǎo)體納米粒子表面上的表面改性劑相容(即，可混溶)。合適的非含水溶劑包括但不限于芳香烴(例如甲苯、苯或二甲苯)、脂族烴諸如烷烴(例如環(huán)己烷、庚烷、己烷或辛烷)、醇(例如甲醇、乙醇、異丙醇或丁醇)、酮(例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮或環(huán)己酮)、醛、胺、酰胺、酯(例如乙酸戊酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯或乙酸甲氧基丙酯)、二醇(例如乙二醇、丙二醇、丁二醇、三乙二醇、二乙二醇、己二醇(heyleneglycol)或乙二醇醚，諸如可購自美國密歇根州米德蘭市陶氏化學(xué)公司(DowChemical,Midland,MI)的商品名為DOWANOL的那些)、醚(例如乙醚)、二甲基亞砜、四甲基砜、鹵代烴(例如二氯甲烷、氯仿或氫氟醚)，或這些物質(zhì)的組合。一般來講，將配體官能化量子點(diǎn)、聚合物粘結(jié)劑和任選的溶劑合并，再經(jīng)受高剪切混合，而制備配體官能化量子點(diǎn)在聚合物基體中的分散體。選擇的基體存在有限的相容性，所以量子點(diǎn)在基體中形成單獨(dú)的非聚集相。涂覆該分散體后，加熱固化并/或自由基固化，從而鎖住分散結(jié)構(gòu)，并從分散的量子點(diǎn)排除氧氣和水。如果使用了自由基固化性聚合物粘結(jié)劑，則可固化組合物還包含約0.1重量％至約5重量％范圍內(nèi)的光引發(fā)劑?？捎玫墓庖l(fā)劑包括已知可用于光固化自由基多官能團(tuán)(甲基)丙烯酸酯的那些。示例性的光引發(fā)劑包括安息香及其衍生物，諸如α-甲基安息香、α-苯基安息香、α-烯丙基安息香、α-芐基安息香；安息香醚，諸如安息香雙甲醚(例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司(BASF,FlorhamPark,NJ)的“IRGACURE651”)、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香正丁基醚；苯乙酮及其衍生物，例如2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮(例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“DAROCUR1173”)和1-羥基環(huán)己基苯基甲酮(例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“IRGACURE184”)；2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-(4-嗎啉基)-1-丙酮(例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“IRGACURE907”)；2-芐基-2-(二甲氨基)-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮(例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“IRGACURE369”)以及氧化膦衍生物，諸如2,4,6-三甲基苯甲?；交⑺嵋阴?例如，購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“TPO-L”)和可購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的Irgacure819(苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲?；?氧化膦)。其他可用的光引發(fā)劑包括例如新戊偶姻(pivaloin)乙醚、茴香偶姻(anisoin)乙醚、蒽醌類(例如，蒽醌、2-乙基蒽醌、1-氯蒽醌、1,4-二甲基蒽醌、1-甲氧基蒽醌或苯并蒽醌)、鹵代甲基三嗪、二苯甲酮及其衍生物，碘鎓鹽和锍鹽、鈦絡(luò)合物例如雙(η5-2,4-環(huán)戊二烯-1-基)-雙[2,6-二氟代-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]鈦(例如購自美國新澤西州弗洛勒姆帕克市巴斯夫公司的“CGI784DC”)；鹵甲基硝基苯(例如4-溴甲基硝基苯)、一和二?；?例如“IRGACURE1700”、“IRGACURE1800”、“IRGACURE1850”和“DAROCUR4265”)?？晒袒M合物可用波長優(yōu)選為250至500納米的激發(fā)紫外線或可見光輻射照射，以使組分聚合。UV光源可有兩種類型：1)光強(qiáng)相對低的光源如背光源，其在280至400納米的波長范圍內(nèi)提供通常為10mW/cm2或更低的光強(qiáng)(根據(jù)美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(UnitedStatesNationalInstituteofStandardsandTechnology)批準(zhǔn)的工序測量，例如用美國弗吉尼亞州斯特靈市電子儀表與技術(shù)公司(ElectronicInstrumentation&Technology,Inc.,Sterling,VA)生產(chǎn)的UVIMAPTMUM365L-S輻射計(jì)測量)；2)光強(qiáng)相對高的光源如中壓和高壓汞弧燈、無電極汞燈、發(fā)光二極管、汞氙燈、激光等，其在320至390nm的波長范圍內(nèi)提供通常介于10與5000mW/cm2之間的光強(qiáng)(根據(jù)美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(UnitedStatesNationalInstituteofStandardsandTechnology)批準(zhǔn)的工序測量，例如用美國弗吉尼亞州斯特靈市電子儀表與技術(shù)公司(ElectronicInstrumentation&Technology,Inc.,Sterling,VA)生產(chǎn)的PowerPuckTM輻射計(jì)測量)。參見圖1，量子點(diǎn)制品10包括第一阻擋層32、第二阻擋層34和位于第一阻擋層32與第二阻擋層34之間的量子點(diǎn)層20。量子點(diǎn)層20包括分散于基體24中的多個量子點(diǎn)22。阻擋層32、34可由任何可用材料形成，該可用材料可保護(hù)量子點(diǎn)22免于暴露在環(huán)境污染(諸如氧氣、水和水蒸氣)中。合適的阻擋層32、34包括但不限于聚合物膜、玻璃膜和介電材料膜。在一些實(shí)施方案中，用于阻擋層32、34的合適材料包括例如：聚合物，諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)；氧化物，諸如二氧化硅、氧化鈦或氧化鋁(如SiO2、Si2O3、TiO2或Al2O3)；以及這些材料的合適組合。更特別地，阻擋膜可選自多種構(gòu)造。阻擋膜通常選擇為使它們具有應(yīng)用所要求的規(guī)定水平的氧和水透過率。在一些實(shí)施方案中，在38℃和100％的相對濕度下，阻擋膜的水蒸氣透過率(WVTR)小于約0.005g/m2/天，在一些實(shí)施方案中小于約0.0005g/m2/天，在一些實(shí)施方案中小于約0.00005g/m2/天。在一些實(shí)施方案中，在50℃和100％的相對濕度下，柔性阻擋膜的WVTR小于約0.05、0.005、0.0005或0.00005g/m2/天；在85℃和100％的相對濕度下，柔性阻擋膜的WVTR甚至小于約0.005、0.0005、0.00005g/m2/天。在一些實(shí)施方案中，在23℃和90％的相對濕度下，阻擋膜的氧氣透過率小于約0.005g/m2/天，在一些實(shí)施方案中小于約0.0005g/m2/天，在一些實(shí)施方案中小于約0.00005g/m2/天。示例性的可用阻擋膜包括通過原子層沉積、熱蒸發(fā)、濺射和化學(xué)氣相沉積法制備的無機(jī)膜。可用的阻擋膜通常是柔性且透明的。在一些實(shí)施方案中，可用的阻擋膜包含無機(jī)物/有機(jī)物。包含多層無機(jī)物/有機(jī)物的柔性超阻擋膜在例如美國專利7,018,713(Padiyath等人)中有所描述。此類柔性超阻擋膜可以具有設(shè)置在聚合物膜基材上的第一聚合物層，該聚合物膜基材由用至少一個第二聚合物層分隔的兩個或更多個無機(jī)阻擋層所頂涂。在一些實(shí)施方案中，阻擋膜包括一個無機(jī)阻擋層，該無機(jī)阻擋層插入設(shè)置在聚合物膜基材上的第一聚合物層和第二聚合物層224之間。在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)制品10的每個阻擋層32、34包括至少兩個由不同的材料或組合物形成的亞層。在一些實(shí)施方案中，這樣的多層阻擋構(gòu)造可以更有效地減少或消除阻擋層32、34中的針孔缺陷，從而提供更有效的屏蔽，避免氧氣和濕氣滲入基體24。量子點(diǎn)制品10可包含任何合適的材料，或阻擋材料的組合，以及在量子點(diǎn)層20的一側(cè)或兩側(cè)上的任意合適數(shù)量的阻擋層或亞層。阻擋層和亞層的材料、厚度和數(shù)量將取決于具體應(yīng)用，并且將被適當(dāng)?shù)剡x擇以使阻擋保護(hù)和量子點(diǎn)22亮度增至最大，同時使量子點(diǎn)制品10的厚度減至最小。在一些實(shí)施方案中，每個阻擋層32、34本身是層合膜，例如雙重層合膜，其中每個阻擋膜層足夠厚，可在卷對卷或?qū)雍现圃爝^程中消除褶皺。在一個示例性實(shí)施方案中，阻擋層32、34是在其暴露表面上具有氧化物層的聚酯膜(如PET)。量子點(diǎn)層20可包括量子點(diǎn)或量子點(diǎn)材料22的一個或多個群體。在將藍(lán)光LED發(fā)出的藍(lán)基色光下轉(zhuǎn)換為量子點(diǎn)發(fā)出的二次光時，示例性量子點(diǎn)或量子點(diǎn)材料22發(fā)出綠光和紅光。可控制紅光、綠光和藍(lán)光各自的比例來實(shí)現(xiàn)由組裝了量子點(diǎn)制品10的顯示器裝置發(fā)射的白光所期望的白點(diǎn)。用于量子點(diǎn)制品10中的示例性量子點(diǎn)22包括但不限于帶ZnS殼的CdSe。用于本發(fā)明所述量子點(diǎn)制品中的合適量子點(diǎn)包括但不限于芯/殼發(fā)光納米晶體，包括CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS。在示例性實(shí)施方案中，發(fā)光納米晶體包括外部配體涂層，并且分散于聚合物基體中。量子點(diǎn)和量子點(diǎn)材料22可從例如美國加利福尼亞州米爾皮塔斯市Nanosys公司(NanosysInc.,Milpitas,CA)購得。量子點(diǎn)層20可具有任意可用數(shù)量的量子點(diǎn)22，并且在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)層20可包含按其總重量計(jì)0.1％至1％的量子點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)材料可包括分散于液體載體中的量子點(diǎn)。例如，液體載體可包括油，諸如氨基硅油。在一個或多個實(shí)施方案中，量子點(diǎn)層20可任選地包含散射小珠或散射粒子。這些散射小珠或散射粒子具有不同于基體材料24的折射率，折射率差值至少為0.05或至少為0.1。這些散射小珠或散射粒子可包括例如：聚合物，諸如有機(jī)硅、丙烯酸、尼龍等；或無機(jī)材料，諸如TiO2、SiOx、AlOx等；以及這些物質(zhì)的組合。在一些實(shí)施方案中，在量子點(diǎn)層20中包含散射粒子可增加通過量子點(diǎn)層20的光學(xué)路徑長度，并提高量子點(diǎn)的吸收能力和效率。在許多實(shí)施方案中，散射小珠或散射粒子的平均粒度為1至10微米，或2至6微米。在一些實(shí)施方案中，量子點(diǎn)材料20可任選地包含填料(諸如熱解法二氧化硅)。在一些優(yōu)選的實(shí)施方案中，散射小珠或散射粒子是由美國俄亥俄州哥倫布市邁圖特種化學(xué)品公司(MomentiveSpecialtyChemicalsInc.,Columbus,Ohio)分別以2.0、3.0、4.5和6.0微米粒度提供的TospearlTM120A、130A、145A和2000B球形有機(jī)硅樹脂。量子點(diǎn)層20的基體24可由聚合物粘結(jié)劑或粘結(jié)劑前體形成，該聚合物粘結(jié)劑或粘結(jié)劑前體附著到形成阻擋層32、34的材料上以形成層合構(gòu)造，還形成了量子點(diǎn)22的保護(hù)性基體。在一個實(shí)施方案中，通過固化或硬化粘結(jié)劑組合物來形成基體24，該粘結(jié)劑組合物包含環(huán)氧-胺聚合物和任選的輻射固化性甲基丙烯酸酯化合物。參見圖2，在另一個方面，本發(fā)明涉及一種形成量子點(diǎn)膜制品100的方法，該方法包括將包含量子點(diǎn)的粘結(jié)劑組合物涂覆到第一阻擋層102上，并將第二阻擋層設(shè)置在量子點(diǎn)材料104上。在一些實(shí)施方案中，方法100包括使輻射固化性甲基丙烯酸酯化合物聚合(例如，輻射固化)以形成部分固化的量子點(diǎn)材料106，然后使粘結(jié)劑組合物聚合以形成固化的基體108。在一些實(shí)施方案中，可通過加熱來固化或硬化粘結(jié)劑組合物。在其他實(shí)施方案中，還可通過施加輻射諸如紫外(UV)光來固化或硬化粘結(jié)劑組合物。固化或硬化步驟可包括UV固化、加熱或這兩者。在一些并非旨在限制的示例性實(shí)施方案中，UV固化條件可包括施加約10mJ/cm2至約4000mJ/cm2的UVA，更優(yōu)選地約10mJ/cm2至約200mJ/cm2的UVA。加熱和紫外光可單獨(dú)施加，也可組合施加，用于增大粘結(jié)劑組合物的粘度，從而便于在涂覆線和加工線上進(jìn)行處理。在一些實(shí)施方案中，粘結(jié)劑組合物可先層合到疊置的阻擋膜32和34之間，再固化。因此，在層合后粘結(jié)劑組合物粘度的立刻增大鎖定了涂層的質(zhì)量。通過先涂覆或?qū)雍显倭⒖坦袒?，在一些?shí)施方案中，固化的粘結(jié)劑使粘度增大至某個值，此時粘結(jié)劑組合物充當(dāng)壓敏粘合劑(PSA)，以在固化期間將層合物保持在一起，并大大減少固化期間的缺陷。在一些實(shí)施方案中，粘結(jié)劑的輻射固化與傳統(tǒng)的熱固化相比，可更好地控制涂覆、固化和幅材處理。一旦粘結(jié)劑組合物至少部分地固化，就形成聚合物網(wǎng)絡(luò)，從而為量子點(diǎn)22提供保護(hù)性支承基體24。侵入(包括邊緣侵入)被定義為由于濕氣和/或氧氣侵入基體24而造成量子點(diǎn)性能損失。在多個實(shí)施方案中，固化基體24中濕氣和氧氣的邊緣侵入量為：在85℃下保持一周后小于約1.25mm，在85℃下保持一周后小于約0.75mm，或在85℃下保持一周后小于約0.5mm。在多個實(shí)施方案中，固化基體中的氧氣滲透率小于約80(cc.密耳)/(m2天)，或小于約50(cc.密耳)/(m2天)。在多個實(shí)施方案中，固化基體的水蒸氣透過率應(yīng)當(dāng)小于約15(20g/m2.密耳.天)，或小于約10(20g/m2.密耳.天)。在多個實(shí)施方案中，量子點(diǎn)層20的厚度為約80微米至約250微米。圖3為包括本文所述的量子點(diǎn)制品的顯示裝置200的一個實(shí)施方案的示意圖。該示意圖僅作為示例提供，并非旨在進(jìn)行限制。顯示裝置200包括背光源202，背光源202具有光源204(諸如發(fā)光二極管(LED))。光源204沿著發(fā)射軸235發(fā)光。光源204(例如LED光源)發(fā)出的光經(jīng)由輸入邊緣208進(jìn)入中空光循環(huán)腔210內(nèi)，該中空光循環(huán)腔上具有背反射器212。背反射器212可以主要為鏡面反射的背反射器、漫射的背反射器或它們的組合，并且優(yōu)選為高度反射的背反射器。背光源202還包括量子點(diǎn)制品220，該量子點(diǎn)制品包括其中分散有量子點(diǎn)222的保護(hù)性基體224。保護(hù)性基體224的兩個表面由聚合物阻擋膜226、228界定，聚合物阻擋膜226、228可包括單個層或多個層。顯示裝置200還包括前反射器230，前反射器230包括多個定向再循環(huán)膜或?qū)?，這些定向再循環(huán)膜或?qū)邮枪鈱W(xué)膜，其表面結(jié)構(gòu)在接近顯示器軸線的方向上重新導(dǎo)向偏軸光，這樣能增加透過顯示裝置軸向傳播的光量，從而增大觀看者所看到的圖像的亮度和對比度。前反射器230還可包括其他類型的光學(xué)膜，諸如偏振片。在一個非限制性示例中，前反射器230可包括一個或多個棱鏡膜232和/或增益漫射器。棱鏡膜232可具有沿著軸伸長的棱鏡，其可相對于光源204的發(fā)射軸235平行或垂直取向。在一些實(shí)施方案中，棱鏡膜的棱鏡軸可以相交。前反射器230還可包括一個或多個偏振膜234，偏振膜234可包括多層光學(xué)偏振膜、漫反射偏振膜等。由前反射器230發(fā)射的光進(jìn)入液晶(LC)面板280。背光源結(jié)構(gòu)和膜的許多示例可在例如美國公布US2011/0051047中找到。本發(fā)明提供了各種復(fù)合粒子。實(shí)施方案1是一種復(fù)合粒子，該復(fù)合粒子包含：熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子，以及附著到該芯/殼納米粒子的外表面的式I硫醚配體。實(shí)施方案2是實(shí)施方案1所述的復(fù)合粒子，其中芯包含第一半導(dǎo)體材料，殼包含不同于第一半導(dǎo)體材料的第二半導(dǎo)體材料。實(shí)施方案3是實(shí)施方案1或2所述的復(fù)合粒子，其中芯包含金屬磷化物或金屬硒化物。實(shí)施方案4是實(shí)施方案3所述的復(fù)合粒子，其中芯包含InP或CdSe。實(shí)施方案5是實(shí)施方案1至4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中殼包含含鋅化合物。實(shí)施方案6是實(shí)施方案1至5中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中殼為多層殼。實(shí)施方案7是實(shí)施方案6所述的復(fù)合粒子，其中多層殼包含包覆芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅。實(shí)施方案8是實(shí)施方案7所述的復(fù)合粒子，其中多層殼包含包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅。實(shí)施方案9是實(shí)施方案1至8中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中式I的硫醚配體能夠在室溫下以至少1重量％的量溶于非極性有機(jī)溶劑中。實(shí)施方案10是復(fù)合粒子，該復(fù)合粒子包含：熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子；以及附著到該芯/殼納米粒子的外表面的式I硫醚配體，所述熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子包含：InP芯；包覆該芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅；以及包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅。本發(fā)明還提供了各種量子點(diǎn)制品。實(shí)施方案11是一種量子點(diǎn)膜制品，該量子點(diǎn)膜制品包含：第一阻擋層；第二阻擋層；以及位于第一阻擋層與第二阻擋層之間的量子點(diǎn)層，該量子點(diǎn)層包含分散于粘結(jié)劑基體中的量子點(diǎn)。實(shí)施方案12是實(shí)施方案11所述的制品，其中粘結(jié)劑基體包含固化的組合物，其中該組合物包含環(huán)氧化物、氨基官能化合物以及輻射固化性甲基丙烯酸酯化合物。實(shí)施方案13是實(shí)施方案11至12中任一項(xiàng)所述的制品，其中粘結(jié)劑組合物還包含光引發(fā)劑。實(shí)施方案14是實(shí)施方案11至13中任一項(xiàng)所述的制品，其中基體包含約5重量％至約25重量％的甲基丙烯酸酯化合物，以及70重量％至90重量％的環(huán)氧聚合物，該環(huán)氧聚合物由環(huán)氧化物和氨基官能化合物反應(yīng)而形成。實(shí)施方案15是實(shí)施方案11至14中任一項(xiàng)所述的制品，其中基體還包含平均粒度在1至10微米范圍內(nèi)的散射粒子。實(shí)施方案16是實(shí)施方案11至15中任一項(xiàng)所述的膜制品，其中第一阻擋層和第二阻擋層中的至少一者包含至少一種聚合物膜。實(shí)施方案17是一種顯示裝置，該顯示裝置包含實(shí)施方案11至16中任一項(xiàng)所述的膜制品。實(shí)施方案18是一種形成制品的方法，該方法包括將量子點(diǎn)材料涂覆到第一聚合物膜上，該量子點(diǎn)材料包含處于粘結(jié)劑組合物中的量子點(diǎn)，該粘結(jié)劑組合物包含環(huán)氧化物、氨基官能化合物、輻射固化性甲基丙烯酸酯化合物以及光引發(fā)劑。實(shí)施方案19是實(shí)施方案18所述的方法，該方法還包括使粘結(jié)劑組合物固化。實(shí)施方案20是實(shí)施方案19所述的方法，該方法還包括將第二聚合物膜施加到粘結(jié)劑組合物上。提供以下的實(shí)施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明，這些實(shí)施例并非旨在以任何方式限制本發(fā)明。實(shí)施例除非另外指明，否則實(shí)施例中使用的所有重量和百分比均按重量計(jì)。所有未在下表中明確列出的材料都可購自諸如美國威斯康辛州密爾沃基市奧德里奇化學(xué)公司(AldrichChemicalCompany,Milwaukee,WI,USA)等化學(xué)品供應(yīng)商。材料“QD-1”，即十八烯(ODE)中的InP/SeS-ZnS芯-殼量子點(diǎn)(QD)粒子(批號334-20；量子產(chǎn)率＝61.8％；半高全寬＝44.3nm；吸收波長＝507.3nm；發(fā)射波長＝538.4nm；OD460＝6.9mg/ml)，購自美國加利福尼亞州米爾皮塔斯市Nanosys公司(Nanosys,Inc.,Milpitas,CA)?！癚D-2”，即甲苯中的InP/SeS-ZnSQD芯-殼量子點(diǎn)(批號321-93-3，報告的量子產(chǎn)率＝51.8％；半高全寬＝40.7nm；吸收波長＝493.6nm；發(fā)射波長＝527.4nm；OD(460nm)＝10.4)，購自美國加利福尼亞州米爾皮塔斯市Nanosys公司(Nanosys,Inc.,Milpitas,CA)?！癉DSA”，即十二烯基琥珀酸酐，購自美國加利福尼亞州米爾皮塔斯市Nanosys公司(Nanosys,Inc.,Milpitas,CA)。巰基琥珀酸、3-巰基丙酸、1-十二碳烯(n-C10H21CH＝CH2)、丙烯酸十八烷基酯、單-2-(甲基丙烯酰氧基)乙基琥珀酸酯(CH2＝CMeCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H，CAS#20882-04-6)購自美國威斯康辛州密爾沃基市奧德里奇化學(xué)公司(AldrichChemicalCompany,Milwaukee,WI)。丙烯酸正月桂酯購自美國康涅狄格州沃特伯里市PfaltzBauer公司(PfaltzBauer,Inc.,Waterbury,CT)。甲基丙烯酸正十二烷基酯購自英國蘭開夏郡希舍姆鎮(zhèn)艾維卡多研究化學(xué)品公司(AvocadoResearchChemicals,Inc.,Heysham,Lancashire,UK)。甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸購自美國馬薩諸塞州沃德希爾市阿法埃莎公司(AlfaAesar,WardHill,MA)。丙烯酸2-乙基己酯購自美國德克薩斯州歐文市塞拉尼斯公司(CelaneseLtd.,Irving,TX)。琥珀酸單丙烯酰氧乙基酯(CAS#50940-49-3，CH2＝CHCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H)購自美國馬薩諸塞州錫康克市梯希愛美國公司(TCI-America,Seekonk,MA)?！癡AZO-67”，以商品名“VAZO-67”購自美國特拉華州威明頓市杜邦公司(E.I.duPontdeNemoursandCompany,Wilmington,DE)。制備例1至9(PE1至PE9)制備巰基琥珀酸衍生物制備例1(PE1)制備n-C12H25-S-CH(CO2H)CH2CO2H依據(jù)KatsuhisaKamio等人在J.Am.OilChem.Soc.72(7),805,1995(《美國油脂化學(xué)家學(xué)會志》，第72卷，第7期，第805頁，1995年)中描述的工藝，用巰基琥珀酸和1-十二碳烯制備PE1。制備例2(PE2)制備H-[CH(CO2C12H25-n)CH2]3-S-CH(CO2H)CH2CO2H向8盎司(0.24L)瓶中裝入5.02g巰基琥珀酸(MW＝150.15，33.4mmol)、24.04g丙烯酸月桂酯(MW＝240.39，100mmol)和70g乙酸乙酯。用N2向溶液中鼓泡2分鐘，然后加入0.67gVAZO-67。將瓶密封后，置于70℃油浴中，在磁力攪拌下，使溶液聚合24小時，得到均相溶液。通過真空旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)氣提溶劑，得到液體低聚物，通過FT-IR分析證實(shí)該低聚物的組成(沒有–SH和丙烯酸酯信號)。制備例3(PE3)制備H-[CH(CO2C12H25-n)CH2]5-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用4.02g巰基琥珀酸(MW＝150.15，26.77mmol)、32.33g丙烯酸月桂酯(MW＝240.39，134.5mmol)溶于含1.25gVAZO-67的80g乙酸乙酯中的溶液制備PE3，PE3在氣提溶劑后為液體。制備例4(PE4)制備H-[CH(CO2C18H37-n)CH2]3-[CMe(CO2H)CH2]-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用3.02g巰基琥珀酸(MW＝150.39，20mmol)、19.48g丙烯酸十八烷基酯(MW＝324.55，60mmol)和1.72g甲基丙烯酸(MW＝86.09，20mmol)溶于含1.06gVAZO-67的80g乙酸乙酯中的溶液制備PE4，PE4在氣提溶劑后為固體。制備例5(PE5)制備H-[CH(CO2C18H37-n)CH2]5-[CMe(CO2H)CH2]5-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.38g巰基琥珀酸(MW＝150.15，9.2mmol)、24.35g丙烯酸十八烷基酯(MW＝324.55，75mmol)和6.45g甲基丙烯酸(MW＝86.09，20mmol)溶于含0.86gVAZO-67的80g乙酸乙酯中的溶液制備PE5，PE5在氣提溶劑后為固體。制備例6(PE6)制備H-[CH(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]5-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.50g巰基琥珀酸(MW＝150.15，10mmol)和9.20g丙烯酸2-乙基己酯(MW＝184.28，50mmol)溶于含0.12gVAZO-67的30g乙酸乙酯中的溶液制備PE6，PE6在氣提溶劑后為固體。制備例7(PE7)制備H-[CMe(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]10-[CMe(CO2H)CH2]2-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.50g巰基琥珀酸(MW＝150.15，10mmol)、19.83g甲基丙烯酸2-乙基己酯(MW＝198.31，100mmol)和1.72g甲基丙烯酸(MW＝86.09，20mmol)溶于含0.23gVAZO-67的60g乙酸乙酯中的溶液制備PE7，PE7在氣提溶劑后為固體。制備例8(PE8)制備H-[CH(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]5-[CH(CO2C2H4OC(O)C2H4CO2H)CH2]-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.50g巰基琥珀酸(MW＝150.15，10mmol)、9.21g丙烯酸2-乙基己酯(MW＝184.28，50mmol)和2.16gCH2＝CHCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H(MW＝216.19，10mmol)溶于含0.23gVAZO-67的60g乙酸乙酯中的溶液制備PE8，PE8在氣提溶劑后為固體。制備例9(PE9)制備H-[CH(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]5-[CMe(CO2C2H4OC(O)C2H4CO2H)CH2]-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.50g巰基琥珀酸(MW＝150.15，10mmol)、9.21g丙烯酸2-乙基己酯(MW＝184.28，50mmol)和2.30gCH2＝CHCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H(MW＝230.21，10mmol)溶于含0.23gVAZO-67的60g乙酸乙酯中的溶液制備PE9，PE9在氣提溶劑后為固體。制備例10(PE10)制備H-[CMe(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]5-[CMe(CO2C2H4OC(O)C2H4CO2H)CH2]-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.50g巰基琥珀酸(MW＝150.15，10mmol)、9.92g甲基丙烯酸2-乙基己酯(MW＝198.31，50mmol)和2.30gCH2＝CMeCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H(MW＝230.21，10mmol)溶于含0.25gVAZO-67的40g乙酸乙酯中的溶液制備PE10，PE10在氣提溶劑后為固體。制備例11(PE11)制備H-[CMe(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]8-[CMe(CO2C2H4OC(O)C2H4CO2H)CH2]-S-CH(CO2H)CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用0.75g巰基琥珀酸(MW＝150.15，5mmol)、7.93g甲基丙烯酸2-乙基己酯(MW＝198.31，40mmol)和1.15gCH2＝CMeCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H(MW＝230.21，5mmol)溶于含0.18gVAZO-67的30g乙酸乙酯中的溶液制備PE11，PE11在氣提溶劑后為固體。制備例12(PE12)制備H-[CMe(CO2CH2CH(Et)C4C9-n)CH2]5-[CMe(CO2C2H4OC(O)C2H4CO2H)CH2]-S-CH2CH2CO2H按照與PE2相似的方式，用1.06g巰基丙酸(MW＝106.14，10mmol)、9.92g甲基丙烯酸2-乙基己酯(MW＝198.31，50mmol)和2.30gCH2＝CMeCO2CH2CH2OC(O)CH2CH2CO2H(MW＝230.21，10mmol)溶于含0.21gVAZO-67的30g乙酸乙酯中的溶液制備PE12，PE12在氣提溶劑后為固體。實(shí)施例1至3(EX1至EX3)和比較例4至6(CE4至CE6)實(shí)施例和比較例的配方均在氮?dú)馐痔紫渲兄苽?，但測量量子產(chǎn)率在另外的儀器內(nèi)進(jìn)行。為制備實(shí)施例和比較例，向8mL小瓶內(nèi)裝入約15mgDDSA(對于CE4)或按上述方式制備的巰基琥珀酸衍生配體PE1至PE3(對于EX1至EX3)，然后加入1.5ml甲苯。CE5和CE6為空白樣，只含1.5ml甲苯。向上述每種甲苯溶液中加入0.28mlQD-1，得到澄清溶液。用磁力攪拌器攪拌，同時在60℃下將所得的EX1至EX3和CE4至CE6混合物老化2小時(對于CE6，在室溫下老化2小時)，然后在高濃度(即，吸收率約為70％)甲苯溶液中測量這些混合物的量子產(chǎn)率數(shù)據(jù)。使用購自美國新澤西州米德爾塞克斯市濱松公司(HamamatsuCorp.,Middlesex,NJ)的濱松(Hamamatsu)QuantaurusQY光致發(fā)光絕對量子產(chǎn)率分光儀C11347，測得量子產(chǎn)率數(shù)據(jù)。測量結(jié)果包括量子產(chǎn)率(QY，％)和吸收率(％)。下表1匯總了EX1至EX3和CE4至CE6這些樣品在老化后的量子產(chǎn)率(QY)和吸收率數(shù)據(jù)。表1實(shí)施例所用配體QY(％)吸收率(％)EX1PE150.370.8EX2PE252.172.0EX3PE351.471.4CE4DDSA52.771.8CE5無47.270.2CE6無48.192.2實(shí)施例7至10(EX7至EX10)和比較例11至12(CE11至CE12)按照與上文針對EX1至EX3所述的方式相同的方式制備EX7至EX10，不同的是分別使用約15mg的巰基酸衍生配體PE10、PE11、PE12和PE6，并加入0.3mlQD-2代替QD-1，從而形成澄清的甲苯溶液。然后用磁力攪拌器攪拌，同時在60℃下將所得的EX7至EX10混合物老化2小時。分別按照與CE4和CE5相同的方式制備CE11和CE12，不同的是加入0.3mlQD-2代替QD-1，從而形成澄清的甲苯溶液。老化后，加入4ml己烷來稀釋EX7至EX10和CE11至CE12的澄清甲苯溶液，接著在中等濃度下(即，吸收率約為13％)測量這些混合物的量子產(chǎn)率數(shù)據(jù)。下表2匯總了EX7至EX10和CE11至CE12這些樣品的量子產(chǎn)率(QY)和吸收率數(shù)據(jù)。表2實(shí)施例所用配體QY(％)吸收率(％)EX7PE1066.7013.60EX8PE1169.8012.00EX9PE1269.4013.10E10PE650.9013.90CE11DDSA53.0012.50CE12無50.8013.90本發(fā)明提供了下列實(shí)施方案：1.一種復(fù)合粒子，該復(fù)合粒子包含熒光芯/殼納米粒子以及結(jié)合到由下式表示的納米粒子的表面的硫醚配體：R1-S-R2(X)n其中R1為(雜)烴基基團(tuán)或(甲基)丙烯酸酯低聚物基團(tuán)；R2為烴基基團(tuán)，包括亞烷基、亞芳基、亞烷芳基和亞芳烷基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。2.實(shí)施方案1所述的復(fù)合粒子，其中X選自-CO2H、-OH、-P(O)(OH)2、-P(O)OH、-NH2和-SO3H。3.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中R1為直鏈或支鏈亞烷基，該直鏈或支鏈亞烷基具有2至50個碳原子，并任選地包含一個或多個鏈中的氧、氮或硫雜原子以及一個或多個選自醚、胺、酯、酰胺、-SO2-和氨基甲酸酯的鏈中官能團(tuán)。4.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中下標(biāo)n為2。5.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中R2為C1至C20亞烷基或亞芳基，式：其中每個R3獨(dú)立地為H或CH3，每個R4為C1至C30烷基，R供體包含供電子基團(tuán)，m為至少2，優(yōu)選為2至100，更優(yōu)選為2至50；p可為零或非零。6.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中R1為由下式表示的(甲基)丙烯酸酯低聚物：其中每個R3獨(dú)立地為H或CH3，每個R4為C1至C30烷基，m為至少2，優(yōu)選為2至100，更優(yōu)選為2至50；p可為零或非零。7.實(shí)施方案1至5中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中R1為由下式表示的(甲基)丙烯酸酯低聚物：式：其中每個R3獨(dú)立地為H或CH3，每個R4為C1至C30烷基，R7為C2至C10亞烷基，m為至少2，優(yōu)選為2至100，更優(yōu)選為2至50；p可為零或非零。8.實(shí)施方案5所述的復(fù)合粒子，其中m與p的比率為至少3:1。9.實(shí)施方案5所述的復(fù)合粒子，其中m為3至50，p為至少一，并且m>p。10.實(shí)施方案5所述的復(fù)合粒子，其中R4為C4至C20烷基。11.實(shí)施方案5所述的復(fù)合粒子，其中低聚物具有小于80℃、優(yōu)選地小于60℃、更優(yōu)選地小于50℃的Tg。12.實(shí)施方案5所述的復(fù)合粒子，其中平均分子量Mw為200至50,000，優(yōu)選地為400至20,000。13.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，還包含結(jié)合到由下式表示的所述納米粒子的表面的非硫醚配體：R5-R2(X)n其中R5為具有2至30個碳原子的(雜)烴基基團(tuán)；R2為烴基基團(tuán)，包括亞烷基、亞芳基、亞烷芳基和亞芳烷基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。14.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中配體由下式表示：R1-S-CH(CO2H)CH2CO2H其中R1為(雜)烴基基團(tuán)或(甲基)丙烯酸酯低聚物基團(tuán)。15.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中配體通過由式R10-Y表示的化合物與由式HS-R2(X)n表示的硫醇發(fā)生親核取代來制備，其中R10為(雜)烴基基團(tuán)，Y為離去基團(tuán)，所述離去基團(tuán)包括鹵離子、甲苯磺酸根、乙酸根等；R2為亞烷基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。16.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中配體通過由式HS-R2(X)n表示的硫醇與由式R10-CH＝CH2表示的烯烴發(fā)生自由基加成來制備，其中R10為(雜)烴基基團(tuán)，Y為離去基團(tuán)，所述離去基團(tuán)包括鹵離子、甲苯磺酸根、乙酸根等；R2為亞烷基或亞芳基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。17.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中配體通過丙烯酸酯單體和任選的(甲基)丙烯酸單體在存在由式HS-R2(X)n表示的硫醇化合物的情況下發(fā)生自由基聚合來制備，其中R2為亞烷基或亞芳基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。18.實(shí)施方案17所述的硫醇化合物，其選自HS-CH2CO2H、HS-CH2CH2CO2H、HS-(CH2)10CO2H、HS-CH(CO2H)CH2CO2H、HS-CH2CH2NH2、HS-CH2CH(OH)CH2OH、HS-CH2CH2CO2CH2CH(OH)CH2OH、HS-CH2CH2CH2SO3H、HS-Ph-CO2H、HS-Ph-NH2。19.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中芯包含InP、CdS或CdSe。20.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中殼包含含鎂或含鋅的化合物。21.前述實(shí)施方案中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，其中殼為多層殼。22.實(shí)施方案21所述的復(fù)合粒子，其中多層殼包含包覆芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅。23.實(shí)施方案21所述的復(fù)合粒子，其中多層殼包含包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅或MgS。24.實(shí)施方案1所述的復(fù)合粒子，包含：熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子，該熒光半導(dǎo)體芯/殼納米粒子包含：InP芯；包覆芯的內(nèi)殼，其中內(nèi)殼包含硒化鋅和硫化鋅；以及包覆內(nèi)殼的外殼，其中外殼包含硫化鋅；以及結(jié)合到由下式表示的納米粒子的表面的硫醚配體：R1-S-R2(X)n其中R1為(雜)烴基基團(tuán)或(甲基)丙烯酸酯低聚物基團(tuán)；R2為烴基基團(tuán)，包括亞烷基、亞芳基、亞烷芳基和亞芳烷基；n為至少一；X為供電子基團(tuán)。25.一種組合物，其包含實(shí)施方案1至23中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子和聚合物粘結(jié)劑。26.實(shí)施方案25所述的組合物，其中粘結(jié)劑包含(甲基)丙烯酸酯化低聚物。27.實(shí)施方案26所述的組合物，其中粘結(jié)劑還包含反應(yīng)性稀釋劑單體。28.實(shí)施方案26所述的組合物，其中(甲基)丙烯酸酯化低聚物由以下通式表示：R低聚-(L1-Z1)d，其中R低聚基團(tuán)包括氨基甲酸酯、聚氨酯、酯、聚酯、聚醚、聚烯烴、聚丁二烯和環(huán)氧樹脂；L1為連接基團(tuán)；Z1為側(cè)鏈自由基聚合型基團(tuán)，諸如(甲基)丙烯?；⒁蚁┗蛉不?，優(yōu)選地為(甲基)丙烯酸酯，并且d大于1，優(yōu)選地為至少2。29.一種制品，其包含實(shí)施方案25至28中任一項(xiàng)所述的復(fù)合粒子，這種復(fù)合粒子均勻地分散在兩個阻擋膜之間的固化聚合物基體粘結(jié)劑中。當(dāng)前第1頁1 2 3